JP4700664B2 - アンカーリングフィーチャを利用したパターンピッチ分割分解を行うための方法 - Google Patents
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Description
− 放射投影ビームPBを供給するための放射システムEx、ILであって、この特定の場合において放射源LAも含むシステムと、
− マスクMA(例えばレチクル)を保持するマスクホルダが設けられ、アイテムPLに対してマスクを正確に位置決めする第1位置決め手段に接続された第1オブジェクトテーブル(マスクテーブル)MTと、
− 基板W(例えばレジストコートシリコンウェーハ)を保持する基板ホルダが設けられ、アイテムPLに対して基板を正確に位置決めする第2位置決め手段に接続された第2オブジェクトテーブル(基板テーブル)WTと、
− マスクMAの照射部分を基板Wのターゲット部分C(例えば1つまたは複数のダイを含む)に結像する投影システム(「レンズ」)PL(例えば屈折、反射、または屈折反射光学システム)と、を含む。
− ステップモードにおいては、マスクテーブルMTは基本的に静止状態に維持され、マスクイメージ全体が1回でターゲット部分Cに投影される(すなわち単一「フラッシュ」)。次いで、別のターゲット部分CをビームPBにより照射できるように、基板テーブルWTがx方向および/またはy方向にシフトされる。
− スキャンモードにおいては、基本的に同じシナリオが当てはまるが、任意のターゲット部分Cが単一「フラッシュ」では露光されない。代わりに、マスクテーブルMTは、任意の方向(いわゆる「スキャン方向」、例えばy方向)に速度vで移動可能となっており、これにより投影ビームPBはマスクイメージにわたり走査させられ、これと同時に、基板テーブルWTは、速度V=Mvで同一方向または逆方向に同時に移動される。ここで、MはレンズPLの倍率(一般的にM=1/4または1/5)である。このようにして、解像度を妥協することなく、比較的大きなターゲット部分Cを露光することができる。
Claims (12)
- ウェーハ上に印刷される所定の方向に密間隔に並んで配置された複数のフィーチャを含むターゲットパターンを複数パターンに分解するための方法であって、
(a)前記複数パターンを結像するために利用されるプロセスに伴う最小クリティカルディメンションおよびピッチを決定するステップ、
(b)前記複数のフィーチャのうち最端部に配置された第1フィーチャの側面長に対応した側面長を有するアンカーリングフィーチャを生成するステップ、
(c)前記アンカーリングフィーチャを前記第1フィーチャに隣接して配置するステップ、
(d)第1領域を規定するために所定の量だけ前記アンカーリングフィーチャの前記第1フィーチャと対向する側面を成長させるステップ、
(e)前記第1領域内の前記アンカーリングフィーチャのすぐ隣のフィーチャを第1パターンに割り当てるステップ、
(f)前記第1フィーチャを除く前記複数のフィーチャのうち最端部に配置された第2フィーチャの側面長に対応した側面長を有するアンカーリングフィーチャを前記第2フィーチャに隣接して配置するステップ、
(g)第2領域を規定するために前記所定の量だけ前記アンカーリングフィーチャの前記第2フィーチャと対向する側面を成長させるステップ、および
(h)前記第2領域内の前記アンカーリングフィーチャのすぐ隣のフィーチャを第2パターンに割り当てるステップ、
を含む、ターゲットパターンを分解するための方法。 - ステップ(c)から(h)は、前記ターゲットパターンに含まれる全ての密な間隔のフィーチャを処理するために繰り返し行われる、請求項1に記載のターゲットパターンを分解するための方法。
- 前記所定の量は前記ピッチに等しい、請求項1または2に記載のターゲットパターンを分解するための方法。
- 前記ターゲットパターンに含まれている全ての密でない間隔のフィーチャは前記第1パターンまたは前記第2パターンのいずれかに配置される、請求項1乃至3のいずれか1項に記載のターゲットパターンを分解するための方法。
- 前記第1パターンおよび前記第2パターンに光近接効果補正を適用するステップをさらに含む、請求項1乃至4のいずれか1項に記載のターゲットパターンを分解するための方法。
- ウェーハ上に印刷される所定の方向に密間隔に並んで配置された複数のフィーチャを含むターゲットパターンを複数パターンに分解するためのコンピュータプログラムを記憶するコンピュータ読取可能記憶媒体であって、実行時、
(a)前記複数パターンを結像するために使用されるプロセスに伴う最小クリティカルディメンションおよびピッチを決定するステップ、
(b)前記複数のフィーチャのうち最端部に配置された第1フィーチャの側面長に対応した側面長を有するアンカーリングフィーチャを生成するステップ、
(c)前記アンカーリングフィーチャを前記第1フィーチャに隣接して配置するステップ、
(d)第1領域を規定するために所定の量だけ前記アンカーリングフィーチャの前記第1フィーチャと対向する側面を成長させるステップ、
(e)前記第1領域内の前記アンカーリングフィーチャのすぐ隣のフィーチャを第1パターンに割り当てるステップ、
(f)前記第1フィーチャを除く前記複数のフィーチャのうち最端部に配置された第2フィーチャの側面長に対応した側面長を有するアンカーリングフィーチャを前記第2フィーチャに隣接して配置するステップ、
(g)第2領域を規定するために前記所定の量だけ前記アンカーリングフィーチャの前記第2フィーチャと対向する側面を成長させるステップ、および
(h)前記第2領域内の前記アンカーリングフィーチャのすぐ隣のフィーチャを第2パターンに割り当てるステップ、
をコンピュータに実行させる、コンピュータ読取可能記憶媒体。 - ステップ(c)から(h)は、前記ターゲットパターンに含まれている全ての密な間隔のフィーチャを処理するために繰り返し行われる、請求項6に記載のコンピュータ読取可能記憶媒体。
- 前記所定の量は前記ピッチに等しい、請求項6または7に記載のコンピュータ読取可能記憶媒体。
- 前記ターゲットパターンに含まれている全ての密でない間隔のフィーチャは前記第1パターンまたは前記第2パターンのいずれかに配置される、請求項6乃至8のいずれか1項に記載のコンピュータ読取可能記憶媒体。
- 前記第1パターンおよび前記第2パターンに光近接効果補正を適用するステップをさらに含む、請求項6乃至9のいずれか1項に記載のコンピュータ読取可能記憶媒体。
- (a)放射感応性材料の層により少なくとも部分的に覆われている基板を設けるステップ、
(b)結像システムを使用して放射投影ビームを提供するステップ、
(c)前記投影ビームに前記投影ビームの断面においてパターンを与えるためのマスク上のパターンを使用するステップ、
(d)パターニングされた放射ビームを放射感応性材料の層のターゲット部分に投影するステップ、
を含み、
前記ステップ(c)において、マスクにパターンを提供するステップは、ウェーハ上に印刷される所定の方向に密間隔に並んで配置された複数のフィーチャを含むターゲットパターンを複数パターンに分解するためのステップであって、
(a1)前記複数パターンを結像するために使用されるプロセスに伴う最小クリティカルディメンションおよびピッチを決定するステップ、
(b1)前記複数のフィーチャのうち最端部に配置された第1フィーチャの側面長に対応した側面長を有するアンカーリングフィーチャを生成するステップ、
(c1)前記アンカーリングフィーチャを前記第1フィーチャに隣接して配置するステップ、
(d1)第1領域を規定するために所定の量だけ前記アンカーリングフィーチャの前記第1フィーチャと対向する側面を成長させるステップ、
(e1)前記第1領域内の前記アンカーリングフィーチャのすぐ隣のフィーチャを第1パターンに割り当てるステップ、
(f1)前記第1フィーチャを除く前記複数のフィーチャのうち最端部に配置された第2フィーチャの側面長に対応した側面長を有するアンカーリングフィーチャを前記第2フィーチャに隣接して配置するステップ、
(g1)第2領域を規定するために前記所定の量だけ前記アンカーリングフィーチャの前記第2フィーチャと対向する側面を成長させるステップ、および
(h1)前記第2領域内の前記アンカーリングフィーチャのすぐ隣のフィーチャを第2パターンに割り当てるステップ、
を含む、デバイス製造方法。 - ウェーハ上に印刷される所定の方向に密間隔に並んで配置された複数のフィーチャを含むターゲットパターンを複数パターンに分解して、フォトリソグラフィプロセスで使用されるマスクを生成するための方法であって、
(a)前記マスクを結像するために使用される前記プロセスに伴う最小クリティカルディメンションおよびピッチを決定するステップ、
(b)前記複数のフィーチャのうち最端部に配置された第1フィーチャの側面長に対応した側面長を有するアンカーリングフィーチャを生成するステップ、
(c)前記アンカーリングフィーチャを前記第1フィーチャに隣接して配置するステップ、
(d)第1領域を規定するために所定の量だけ前記アンカーリングフィーチャの前記第1フィーチャと対向する側面を成長させるステップ、
(e)前記第1領域内の前記アンカーリングフィーチャのすぐ隣のフィーチャを第1パターンに割り当てるステップ、
(f)前記第1フィーチャを除く前記複数のフィーチャのうち最端部に配置された第2フィーチャの側面長に対応した側面長を有するアンカーリングフィーチャを前記第2フィーチャに隣接して配置するステップ、
(g)第2領域を規定するために前記所定の量だけ前記アンカーリングフィーチャの前記第2フィーチャと対向する側面を成長させるステップ、
(h)前記第2領域内の前記アンカーリングフィーチャのすぐ隣のフィーチャを第2パターンに割り当てるステップ、および
(i)前記第1パターンに対応する第1マスク、および前記第2パターンに対応する第2マスクを生成するステップ、
を含む、マスクを生成するための方法。
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