JPS62198861A - レテイクル - Google Patents
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- JPS62198861A JPS62198861A JP61040460A JP4046086A JPS62198861A JP S62198861 A JPS62198861 A JP S62198861A JP 61040460 A JP61040460 A JP 61040460A JP 4046086 A JP4046086 A JP 4046086A JP S62198861 A JPS62198861 A JP S62198861A
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 14
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 11
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 8
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 description 5
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 230000010363 phase shift Effects 0.000 description 1
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 230000004304 visual acuity Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70425—Imaging strategies, e.g. for increasing throughput or resolution, printing product fields larger than the image field or compensating lithography- or non-lithography errors, e.g. proximity correction, mix-and-match, stitching or double patterning
- G03F7/70475—Stitching, i.e. connecting image fields to produce a device field, the field occupied by a device such as a memory chip, processor chip, CCD, flat panel display
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
- G03F1/70—Adapting basic layout or design of masks to lithographic process requirements, e.g., second iteration correction of mask patterns for imaging
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、縮小投影露光装置を用いてフォトマスクブラ
ンク上等に微細なパターンを形成するためのレティクル
に関し、特に、ラインアンドスペースパターンの形成に
用いるレティクルに関する。
ンク上等に微細なパターンを形成するためのレティクル
に関し、特に、ラインアンドスペースパターンの形成に
用いるレティクルに関する。
従来この種のパターン形成は、所望のパターンと同形で
サイズのみ異なるラインアンドスペースパターン、すな
わち、１０：１の縮小投影露光装置であれば１０倍のサ
イズ、５：１の縮小投影露光装置であれば５倍のサイズ
のパターンをもつレティクルを用い、１シヨツトの露光
で行なっていた０ 第１４図（ａ）および（ｂ）に、このようなレティクル
を示す。同図において、１は透光性のガラス基板、２は
クロム等の金属からなる遮光性膜である。すなわち、同
図（ａ）はライン ３ａの部分のみ遮光性膜２を除去し
てガラス基板１を露出させた例であシ、隣接するライン
の間のスペース４息には遮光性膜２が残される。一方、
同図（ｂ）は逆にライン３ｂの部分にのみ遮光性膜２を
残し、スペース４ｂにはガラス基板１を露出させた例で
ある。なお、同図（ｂ）において５は２と同様の遮光性
膜であるが、特に所望パターンの規定には寄与していな
い。
サイズのみ異なるラインアンドスペースパターン、すな
わち、１０：１の縮小投影露光装置であれば１０倍のサ
イズ、５：１の縮小投影露光装置であれば５倍のサイズ
のパターンをもつレティクルを用い、１シヨツトの露光
で行なっていた０ 第１４図（ａ）および（ｂ）に、このようなレティクル
を示す。同図において、１は透光性のガラス基板、２は
クロム等の金属からなる遮光性膜である。すなわち、同
図（ａ）はライン ３ａの部分のみ遮光性膜２を除去し
てガラス基板１を露出させた例であシ、隣接するライン
の間のスペース４息には遮光性膜２が残される。一方、
同図（ｂ）は逆にライン３ｂの部分にのみ遮光性膜２を
残し、スペース４ｂにはガラス基板１を露出させた例で
ある。なお、同図（ｂ）において５は２と同様の遮光性
膜であるが、特に所望パターンの規定には寄与していな
い。
第１４図（ＪＬ）および（ｂ）に示したレティクルを用
い、例えばポジ形の７オトレジストを用いる場合、それ
ぞれ第１５図（ａ）および（ｂ）に示すようなパターン
が形成される。すなわち、第１５図は透光性のガラス基
板にクロムからなる遮光性膜を被着したフォトマスクブ
ランクに、フォトレジストを塗布し、上記レティクルを
用いて縮小露光し現像した後、フォトレジストを除去し
て形成したフォトマスクを示す。６は上記ガラス基板、
７は遮光性膜であシ、同図（ａ）ではライン８ａの部分
にのみガラス基板６が露出し、同図（ｂ）ではライン８
ｂの部分にのみ遮光性膜７が残っている。９ｍ、９ｂは
それぞれスペースである。
い、例えばポジ形の７オトレジストを用いる場合、それ
ぞれ第１５図（ａ）および（ｂ）に示すようなパターン
が形成される。すなわち、第１５図は透光性のガラス基
板にクロムからなる遮光性膜を被着したフォトマスクブ
ランクに、フォトレジストを塗布し、上記レティクルを
用いて縮小露光し現像した後、フォトレジストを除去し
て形成したフォトマスクを示す。６は上記ガラス基板、
７は遮光性膜であシ、同図（ａ）ではライン８ａの部分
にのみガラス基板６が露出し、同図（ｂ）ではライン８
ｂの部分にのみ遮光性膜７が残っている。９ｍ、９ｂは
それぞれスペースである。
しかし、上述した従来の方法では、例えば１０：１の、
縮小投影露光装置において１μｍ程度の線幅のラインア
ンドスペースパターンの解像が限界で、それより小さい
サブミクロンパターンは解像が困難であった。
縮小投影露光装置において１μｍ程度の線幅のラインア
ンドスペースパターンの解像が限界で、それより小さい
サブミクロンパターンは解像が困難であった。
〔問題点を解決するための手段〕
本発明のレティクルは、所望のラインアンドスペースパ
ターンを構成する複数の２インまたはスペースの数ｍの
約数（ｍおよび１を除く）に相当する数ｎのラインを相
互に当該ラインの幅を越える間隔をおいて配列してなる
パターンを設ゆたものである。
ターンを構成する複数の２インまたはスペースの数ｍの
約数（ｍおよび１を除く）に相当する数ｎのラインを相
互に当該ラインの幅を越える間隔をおいて配列してなる
パターンを設ゆたものである。
被転写物を所望パターンのライン配列方向に沿って所定
のステップで移動しながら、ｍ Ｚ ｎ回だけ露光を繰
シ返すか、または予め上記ｎ本のラインを所定量ずつ位
相をずらして配列し九ｍ／ｎ枚のレティクルを用意し、
これらを順次交換使用して露光を行なうことによυ、所
望本数のラインまたはスペースを有するラインアンドス
ペースパターンが転写される。
のステップで移動しながら、ｍ Ｚ ｎ回だけ露光を繰
シ返すか、または予め上記ｎ本のラインを所定量ずつ位
相をずらして配列し九ｍ／ｎ枚のレティクルを用意し、
これらを順次交換使用して露光を行なうことによυ、所
望本数のラインまたはスペースを有するラインアンドス
ペースパターンが転写される。
第１図は本発明の一実施例を示すレティクル１１の平面
図である。第１４図（＆）の従来例と同様に、５インチ
角の主表面を有する透光性のガラス基板１１１上に厚さ
１００ＯＡのクロムからなる遮光性膜１１２を形成した
ものであるが、２本の白抜きライン１１３を有する。各
ライン１１３の幅Ｗは９μｍ１長さＬは２７μｍであシ
、相互に３Ｗ＝２７μｍの間隔をおいて配列しである０ このレティクルは、同図中に１点鎖線で示したようなＰ
＝１８μｍのピッチで配列した４本のラインからなるパ
ターンを有するレティクルを用いて形成したパターンと
同様のパターンを形成するために用いるものである。次
にこのパターンの形成方法を説明する。
図である。第１４図（＆）の従来例と同様に、５インチ
角の主表面を有する透光性のガラス基板１１１上に厚さ
１００ＯＡのクロムからなる遮光性膜１１２を形成した
ものであるが、２本の白抜きライン１１３を有する。各
ライン１１３の幅Ｗは９μｍ１長さＬは２７μｍであシ
、相互に３Ｗ＝２７μｍの間隔をおいて配列しである０ このレティクルは、同図中に１点鎖線で示したようなＰ
＝１８μｍのピッチで配列した４本のラインからなるパ
ターンを有するレティクルを用いて形成したパターンと
同様のパターンを形成するために用いるものである。次
にこのパターンの形成方法を説明する。
１０：１の縮小投影露光装置に、このようなレティクル
１１をセットする。一方、この縮小投影露光装置の移動
ステージ上に第２図に示すような被転写基板１２をセッ
トする。この被転写基板１２は、６インチ角の透光性ガ
ラス基板上に厚さ１０００Ａのクロム膜を被着してなる
フォトマスクブランクに、さらにポジ形のフォトレジス
ト（ヘキスト社製ＡＺ−１３５０）５０００ＡＯ厚さに
塗布したものである。
１１をセットする。一方、この縮小投影露光装置の移動
ステージ上に第２図に示すような被転写基板１２をセッ
トする。この被転写基板１２は、６インチ角の透光性ガ
ラス基板上に厚さ１０００Ａのクロム膜を被着してなる
フォトマスクブランクに、さらにポジ形のフォトレジス
ト（ヘキスト社製ＡＺ−１３５０）５０００ＡＯ厚さに
塗布したものである。
この状態で１回露光した後、移動ステージを矢印の方向
に１８８μｍだけ移動させ、再度露光を行なう。第２図
において、斜線を付した範囲は未露光部を示すが、１回
の露光で同図（ａ）に示すように２本のライン１２１が
スペース１２２ａを挾んで配列した露光パターンが得ら
れ、再度露光を繰シ返すことによシ、同図（ｂ）に示す
ように４本のライン１２１ がスペース１２２を挾んで
配列した露光パターンが得られる。このようにして得ら
れたライン１２２ の幅Ｗ１とスペース１２２の幅はと
もに０．９μｍであるのに対し、同図（ａ）のときのス
ペース１２２１の幅Ｗ３は２．７ μｍである。
に１８８μｍだけ移動させ、再度露光を行なう。第２図
において、斜線を付した範囲は未露光部を示すが、１回
の露光で同図（ａ）に示すように２本のライン１２１が
スペース１２２ａを挾んで配列した露光パターンが得ら
れ、再度露光を繰シ返すことによシ、同図（ｂ）に示す
ように４本のライン１２１ がスペース１２２を挾んで
配列した露光パターンが得られる。このようにして得ら
れたライン１２２ の幅Ｗ１とスペース１２２の幅はと
もに０．９μｍであるのに対し、同図（ａ）のときのス
ペース１２２１の幅Ｗ３は２．７ μｍである。
露光後、Ａｚ専用現像液によシ現像し、クロム膜をエツ
チングすることによって、第３図に示すようなフォトマ
スク１３が得られる。同図において、１３１は前述した
ガラス基板であシ、１３２はクロムからなる遮光性膜で
ある。白抜きライン１３３は、幅が０．９μｍで１．８
μｍのピッチで配列している。つまシ、スペース１３４
０幅も０．９μｍである。
チングすることによって、第３図に示すようなフォトマ
スク１３が得られる。同図において、１３１は前述した
ガラス基板であシ、１３２はクロムからなる遮光性膜で
ある。白抜きライン１３３は、幅が０．９μｍで１．８
μｍのピッチで配列している。つまシ、スペース１３４
０幅も０．９μｍである。
このように２本のラインパターンを有するレティクルを
用いて繰シ返し露光を行なうことによシ、１シヨツトの
露光で行なう従来の方法に比較して、解像できる線幅の
限界で示される解像力が約０．３μｍ向上した。
用いて繰シ返し露光を行なうことによシ、１シヨツトの
露光で行なう従来の方法に比較して、解像できる線幅の
限界で示される解像力が約０．３μｍ向上した。
上述した実施例では、４本のラインからなる所望のパタ
ーンに対し、それを相似形に拡大したパターンから１本
置きに２本のラインのみを取シ出したパターンを有する
レティクルを用い、被転写物をラインの配列ピッチだけ
ずらして２回露光を行々うことによシ所望のパターンを
得た。これに対し、被転写物を移動させる代シに、第４
図に示すようにそれぞれ所望パターンの第１および第３
番目のラインに対応したライン１１３ｍ、１１３ｅ、第
２および第４番目のラインに対応したライン１１３ｂ、
１１３ｄを有する２枚１組のレイチクル１１Ａ、１１Ｂ
を用い、これらを順次交換使用して露光を繰シ返すこと
によっても、全く同様のラインアンドスペースバターン
カ得うｉ−Ｌる。
ーンに対し、それを相似形に拡大したパターンから１本
置きに２本のラインのみを取シ出したパターンを有する
レティクルを用い、被転写物をラインの配列ピッチだけ
ずらして２回露光を行々うことによシ所望のパターンを
得た。これに対し、被転写物を移動させる代シに、第４
図に示すようにそれぞれ所望パターンの第１および第３
番目のラインに対応したライン１１３ｍ、１１３ｅ、第
２および第４番目のラインに対応したライン１１３ｂ、
１１３ｄを有する２枚１組のレイチクル１１Ａ、１１Ｂ
を用い、これらを順次交換使用して露光を繰シ返すこと
によっても、全く同様のラインアンドスペースバターン
カ得うｉ−Ｌる。
以上、４本のラインを有するラインアンドスペースパタ
ーンを形成する場合について説明したが、ライン本数が
異なっても全く同様である。例えば、所望のライン本数
が６である場合には、６の約数のうち６および１を除い
たものは２と３の２つであるから、第５図（ａ）に示す
ように２本のライ／１１３ を５ｗ（ｗはラインの幅）
の間隔をおいて配置したレティクル２１を用い、被転写
物を１．８μｍのピッチＰでずらしながら３回露光を行
なうか、または同図（ｂ）に示すように３本のライン１
１３を３Ｗの間隔で配置したレティクル３１を用い、１
．８μｍずらして２回露光を行なうことにより、所望の
ラインアンドスペースパターンが形成できる。
ーンを形成する場合について説明したが、ライン本数が
異なっても全く同様である。例えば、所望のライン本数
が６である場合には、６の約数のうち６および１を除い
たものは２と３の２つであるから、第５図（ａ）に示す
ように２本のライ／１１３ を５ｗ（ｗはラインの幅）
の間隔をおいて配置したレティクル２１を用い、被転写
物を１．８μｍのピッチＰでずらしながら３回露光を行
なうか、または同図（ｂ）に示すように３本のライン１
１３を３Ｗの間隔で配置したレティクル３１を用い、１
．８μｍずらして２回露光を行なうことにより、所望の
ラインアンドスペースパターンが形成できる。
あるいは、被転写物を移動する代シに、第６図に示すよ
うに５Ｗ間隔の２本のラインを所定の位相量、つｔｂ本
本実側例はピッチＰ＝１８μｍずつずらして配置した３
枚のレティクル２１Ａ〜２１Ｃ１または第７図に示すよ
うに３Ｗ間隔の３本のラインをピッチＰ＝１８μｍずら
して配置した２枚のレティクル３１Ａ、３１Ｂを順次交
換使用してもよい。
うに５Ｗ間隔の２本のラインを所定の位相量、つｔｂ本
本実側例はピッチＰ＝１８μｍずつずらして配置した３
枚のレティクル２１Ａ〜２１Ｃ１または第７図に示すよ
うに３Ｗ間隔の３本のラインをピッチＰ＝１８μｍずら
して配置した２枚のレティクル３１Ａ、３１Ｂを順次交
換使用してもよい。
つまシ、レティクル２１Ａには第１および第４番目のラ
インに対応したライン１１３ｍ、１１３ｄ、 レティク
ル２１８には第２および第５番目のラインに対応するラ
イン１１３ｂ、１１３ｅ、レティクル２Ｆには第３およ
び第６番目のラインに対応するライン１１３ｅ、１１３
ｆがそれぞれ設けられ、一方レティクル３１Ａには第１
、第３および第５番目のラインに対応するライン１１３
ａ、１１３ｃ、１１３ｅ、レティクル３１Ｂには第２、
第４および第６番目のラインに対応するライン１１３ｂ
、 １１３ｄ 、 １１３ｆ がそれぞれ設けられ
ている。
インに対応したライン１１３ｍ、１１３ｄ、 レティク
ル２１８には第２および第５番目のラインに対応するラ
イン１１３ｂ、１１３ｅ、レティクル２Ｆには第３およ
び第６番目のラインに対応するライン１１３ｅ、１１３
ｆがそれぞれ設けられ、一方レティクル３１Ａには第１
、第３および第５番目のラインに対応するライン１１３
ａ、１１３ｃ、１１３ｅ、レティクル３１Ｂには第２、
第４および第６番目のラインに対応するライン１１３ｂ
、 １１３ｄ 、 １１３ｆ がそれぞれ設けられ
ている。
さらに、所望パターンのライン本数が９本であれば、約
数は３であシ、第８図に示すように３本のライン１１３
を５Ｗの間隔で配置したレティクル４１を用い、被対象
物を１．８μｍずつ移動しながら３回露光を行なうこと
によシ、あるいはまた、第９図に示すように第１、第４
および第７番目のラインに対応するライン１１３ｍ、１
１３ｄ、１１３９ を設けたレティクル４１Ａ１第２、
第５および第８番目のラインに対応するライン１１３ｂ
、１１３ｅ、１１３ｈを設けたレティクル４１屯 第３
、第６および第９番目のラインに対応するライン１１３
ａ、１１３ｆ。
数は３であシ、第８図に示すように３本のライン１１３
を５Ｗの間隔で配置したレティクル４１を用い、被対象
物を１．８μｍずつ移動しながら３回露光を行なうこと
によシ、あるいはまた、第９図に示すように第１、第４
および第７番目のラインに対応するライン１１３ｍ、１
１３ｄ、１１３９ を設けたレティクル４１Ａ１第２、
第５および第８番目のラインに対応するライン１１３ｂ
、１１３ｅ、１１３ｈを設けたレティクル４１屯 第３
、第６および第９番目のラインに対応するライン１１３
ａ、１１３ｆ。
１１３１を設けたレティクル４１Ｃを順次交換使用する
ことにより、所望のラインアンドスペースパターンが形
成できる。
ことにより、所望のラインアンドスペースパターンが形
成できる。
以上、ポジ形の７オトレジストを用いてラインを白抜き
にしたラインアンドスペースパターンを形成する例につ
いて説明したが、ネガ形のフォトレジストを用いれば、
上述したと同様のレティクルを用いて第１５図（ｂ）に
示したと同様の周辺部が白抜きのパターン（ただしライ
ン８ｂの本数が素数でない場合）を形成できる。しかし
、上述したよりなポジ形フォトレジストと白抜きのライ
ンパターンを有するレティクルとの組み合せの方が、解
像度は０．１ μｍ程度勝る。したがって、ポジ形の
フォトレジストを用い、第１図または第４図に示したと
同様のレティクルを用いて４箇所のスペース部を順次露
光し、さらに、第１０図に示すように、第１５図（ｂ）
に鎖線で示したようなラインアンドスペースバター、ン
の輪郭線の内部に対応する部分を遮光し、その周辺を白
抜きとしたパターンをもつレティクル１４を用いて露光
する方法をとれば、上述した実施例と同様の解像度で第
１５図（ｂ）に示したようなライン部のみ遮光性膜を残
したパターンが形成できる。なお、第１０図において１
４１は透光性のガラス基板、１４２は上述した遮光性膜
でクロムからなるＯまた１４３は第１４図（ｂ）におけ
る遮光性膜５に相当する遮光性膜である０また、本発明
でラインアンドスペースパターンとは、同一のパターン
が一定方向に所定のピッチで繰シ返されるものをいい、
その単位パターンは文字通シの線状のものに限らない０
例えば、第１１図、第１２図、第１３図に示すようなも
のについても本発明は同様に適用できる０つまシ、これ
らのものにおいては５１，５３．５５がライン、５２゜
５４．５６がスペースとなる。また、ラインとスペース
の幅は必ずしも一致しなくてもよい０さらに、第１１図
あるいは第１２図において、例えば第１２図に鎖線で示
したように配列方向を任意角度θだけ回転したものにつ
いても同様に適用できる０〔発明の効果〕 以上説明したように、本発明のレティクルは、所望ライ
ンアンドスペースパターンのライン数の約数にあたる本
数のラインを、当該ラインの幅を越える間隔で配列した
パターンとしたことによシ、所望パターンのライン数そ
のままの本数のラインを設けたレティクルに比較して解
像度を上げることができ、サブミクロン寸法のラインア
ンドスペースパターンの形成が可能となる。
にしたラインアンドスペースパターンを形成する例につ
いて説明したが、ネガ形のフォトレジストを用いれば、
上述したと同様のレティクルを用いて第１５図（ｂ）に
示したと同様の周辺部が白抜きのパターン（ただしライ
ン８ｂの本数が素数でない場合）を形成できる。しかし
、上述したよりなポジ形フォトレジストと白抜きのライ
ンパターンを有するレティクルとの組み合せの方が、解
像度は０．１ μｍ程度勝る。したがって、ポジ形の
フォトレジストを用い、第１図または第４図に示したと
同様のレティクルを用いて４箇所のスペース部を順次露
光し、さらに、第１０図に示すように、第１５図（ｂ）
に鎖線で示したようなラインアンドスペースバター、ン
の輪郭線の内部に対応する部分を遮光し、その周辺を白
抜きとしたパターンをもつレティクル１４を用いて露光
する方法をとれば、上述した実施例と同様の解像度で第
１５図（ｂ）に示したようなライン部のみ遮光性膜を残
したパターンが形成できる。なお、第１０図において１
４１は透光性のガラス基板、１４２は上述した遮光性膜
でクロムからなるＯまた１４３は第１４図（ｂ）におけ
る遮光性膜５に相当する遮光性膜である０また、本発明
でラインアンドスペースパターンとは、同一のパターン
が一定方向に所定のピッチで繰シ返されるものをいい、
その単位パターンは文字通シの線状のものに限らない０
例えば、第１１図、第１２図、第１３図に示すようなも
のについても本発明は同様に適用できる０つまシ、これ
らのものにおいては５１，５３．５５がライン、５２゜
５４．５６がスペースとなる。また、ラインとスペース
の幅は必ずしも一致しなくてもよい０さらに、第１１図
あるいは第１２図において、例えば第１２図に鎖線で示
したように配列方向を任意角度θだけ回転したものにつ
いても同様に適用できる０〔発明の効果〕 以上説明したように、本発明のレティクルは、所望ライ
ンアンドスペースパターンのライン数の約数にあたる本
数のラインを、当該ラインの幅を越える間隔で配列した
パターンとしたことによシ、所望パターンのライン数そ
のままの本数のラインを設けたレティクルに比較して解
像度を上げることができ、サブミクロン寸法のラインア
ンドスペースパターンの形成が可能となる。
第１図ないし第３図は本発明の一実施例を示す図で、第
１図はレティクルの平面図、第２図は露光工程中の被転
写基板の平面図、第３図（ａ）および（ｂ）は形成され
たフォトマスクを示す平面図および断面図、第４図ない
し第１０図は本発明の他の実施例を示すレティクルの平
面図、第１１図ないし第１３図は他のラインアンドスペ
ースパターンの例を示す平面図、第１４図は従来のレテ
ィクルの構成例を示す平面図、第１５図は第１４図のレ
ティクルを用いて形成したパターンを示す平面図である
。 １１．１１Ａ、１１Ｂ、２１．２１〜２１Ｃ，３１，３
１Ａ。 ３１Ｂ、４１．４１Ａ〜４１Ｃ・・・・レティクル、１
１３．１１３ａ〜１１３１・・・・ライン。 第１図 第２図 第４図 （Ｇ） （ｂ） 第５図 第６図 第７図 第１１図 第１２図 第１３図 第１４図 （ａ） 第１５図 （Ｑ） （ｂ） （ｂ）
１図はレティクルの平面図、第２図は露光工程中の被転
写基板の平面図、第３図（ａ）および（ｂ）は形成され
たフォトマスクを示す平面図および断面図、第４図ない
し第１０図は本発明の他の実施例を示すレティクルの平
面図、第１１図ないし第１３図は他のラインアンドスペ
ースパターンの例を示す平面図、第１４図は従来のレテ
ィクルの構成例を示す平面図、第１５図は第１４図のレ
ティクルを用いて形成したパターンを示す平面図である
。 １１．１１Ａ、１１Ｂ、２１．２１〜２１Ｃ，３１，３
１Ａ。 ３１Ｂ、４１．４１Ａ〜４１Ｃ・・・・レティクル、１
１３．１１３ａ〜１１３１・・・・ライン。 第１図 第２図 第４図 （Ｇ） （ｂ） 第５図 第６図 第７図 第１１図 第１２図 第１３図 第１４図 （ａ） 第１５図 （Ｑ） （ｂ） （ｂ）
Claims (1)
- 複数のラインを相互に間隔をおいて配列してなるライン
アンドスペースパターンを被転写物に形成するためのレ
テイクルにおいて、上記ラインアンドスペースパターン
のラインまたはスペースの数ｍの約数（ただしｍおよび
１を除く）のラインを相互に当該ラインの幅を越える間
隔をおいて配列してなるパターンを有することを特徴と
するレテイクル。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61040460A JPS62198861A (ja) | 1986-02-27 | 1986-02-27 | レテイクル |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61040460A JPS62198861A (ja) | 1986-02-27 | 1986-02-27 | レテイクル |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62198861A true JPS62198861A (ja) | 1987-09-02 |
Family
ID=12581253
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61040460A Pending JPS62198861A (ja) | 1986-02-27 | 1986-02-27 | レテイクル |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62198861A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2636775A1 (fr) * | 1988-09-16 | 1990-03-23 | Samsung Electronics Co Ltd | Procede pour realiser le contact minimal sur un dispositif semiconducteur |
| EP0674228A1 (de) * | 1994-03-14 | 1995-09-27 | Heidelberg Instruments Mikrotechnik GmbH | Lithografisches Verfahren |
| JP2008122928A (ja) * | 2006-09-13 | 2008-05-29 | Asml Masktools Bv | アンカーリングフィーチャを利用したパターンピッチ分割分解を行うための方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5138878A (ja) * | 1974-09-27 | 1976-03-31 | Sony Corp |
-
1986
- 1986-02-27 JP JP61040460A patent/JPS62198861A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5138878A (ja) * | 1974-09-27 | 1976-03-31 | Sony Corp |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2636775A1 (fr) * | 1988-09-16 | 1990-03-23 | Samsung Electronics Co Ltd | Procede pour realiser le contact minimal sur un dispositif semiconducteur |
| EP0674228A1 (de) * | 1994-03-14 | 1995-09-27 | Heidelberg Instruments Mikrotechnik GmbH | Lithografisches Verfahren |
| JP2008122928A (ja) * | 2006-09-13 | 2008-05-29 | Asml Masktools Bv | アンカーリングフィーチャを利用したパターンピッチ分割分解を行うための方法 |
| JP4700664B2 (ja) * | 2006-09-13 | 2011-06-15 | エーエスエムエル マスクツールズ ビー．ブイ． | アンカーリングフィーチャを利用したパターンピッチ分割分解を行うための方法 |
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