JPS63126221A - パタ−ン形成方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、縮小投影露光装置を用いてフォトマスクブラ
ンク上等に機幅なパターンを形成する方法に関し、特に
、ラインアンドスペースパターンの形成方法に関する。

〔従来の技術〕

従来この種のパターン形成は、所望のパターンと同形で
サイズのみ異なるラインアンドスペースパターン、すな
わち、１０：１の縮小投影露光装置であれば１０倍のサ
イズ、５：１の縮小投影露光装Ｙであれば５倍のサイズ
のパターンをもつレティクルを用い、１シヨツトの露光
で行なっていた。

ｆｐ、８図（ａ）および（＋））に、このようなレティ
クルを示す。同図において、１け透光性のガラス基板、
２（・Ｊクロム等の金属からなる遮光性膜である。すな
イつち、同図（ａ）はラーｆン３：１の部分のみ遮光性
膜２を除去してガラス基板１を露出させた例でるり、隣
接するラインの間のスペース４ａには遮光１虫膜２が残
される。一方、同図（ｂｌは逆にライン３ｂの部分にの
み遮光性膜２を残し、スペース４ｂにはガラス基板１を
露出させた例である。なお、同図（ｂ）において５は２
と同様の遮光性膜であるが、特に所望パターンの規定に
は寄与していない。

例えばポジ形のフォトレジストを用いる場合、第８図（
ａ）およびυ）に示したレティクルを用いて、それぞれ
第９図（ａ）および（ｂ）に示すようなパターンが形成
される。すなわち、第９図は、透光性のガラス基板にク
ロムからなる遮光性膜を被着したフォトマスクブランク
に、フォトレジストを塗布し、上記レティクルを用いて
露光し現像した後、フォトレジストを除去して形成した
フォトマスクを示す。６！′ｉ土肥ガラス基板、７は遮
光性膜であシ、同図（ａ）ではライン８ａの部分にのみ
ガラス基板６が露出し、同図（ｂ）ではライン８ｂの部
分にのみ遮光性膜７が残っている。９ａＴ９ｂはそれぞ
れスペースである。

〔発明が解決しようとする問題点〕

しかし、上述した従来の方法では、例えば１０：１の縮
小投影露光装置において１μｍ程度の線幅のラインアン
ドスペースパターンの解像が限界で、それより小さいサ
ブミクロンパターンは解像が困難でめった。

〔問題点を解決するだめの手段〕 本発明は、所望のラインアンドスペースパターンを構成
する複数のラインのそれぞれに対応する位置に配置した
単一のラインからなるパターンを有する被数のレティ、
クルを用いて繰シ返し露光を行なうものである。

〔作用〕

上記レティクルを順次交換使用して露光を行なうことに
より、所望本数のラインを配列したラインアンドスペー
スパターンが形成される。

〔実施例〕

第１図は本発明の一実施例を示すレティクル１１　Ａ〜
１１Ｅの平面図である。第８図（ａ）の従来例と同様に
、５インチ角の主表面を有する透光性のガラス基板１１
１上に厚さ１００ＯＡのクロムからなる遮光胆１１２を
形成したものであるが、それぞれ幅Ｗ＝９μｍ１長さＬ
＝２７μｔＴＩの単一の白抜きライン１１３Ａ〜１１３
Ｅのみを有している。

これらのレティクル（ｄｌ　５枚１組として、同図中に
１点鎖線で示したような５本のラインからなるパターン
を有するレティクルを用いたト同様ツバターンを形成す
るために用いるもので、各レティクルの各白抜きライン
は、上記所望パターンの各ラインに対応して、相互にピ
ッチＰ＝１８μｍずつずれた位置を占めている。

自動レティクル交換機能付きの、１０：１の縮小投影露
光装置に、これらのレティクル１１Ａ〜１１Ｅをセット
する。一方、この縮小投影露光装置の移動ステージ上に
第２図に示すような被転写基板１２をセットする。この
被転写基板１２は、６インチ角の透光性ガラス基板上に
厚さ１００ＯＡのクロム膜を被着してなるフォトマスク
ブランクに、さらにポジ形のフォトレジスト（ヘキス）
社製ＡＺ−１３５０）を５００ＯＡの厚さに塗布したも
のである。

この状態で、１回露光するごとにレティクルを交換しな
がら、５本のライン１２１をｊ順次露光していく（第２
図（ａ）〜（ｅ））。第２図において、斜線を付した範
囲は未露光部を示すが、同図に示すように５回露光を繰
り返すことによシ、等間隔に配列した５本のライン１２
１がスペース１２２を挾んで配列した露光パターンが得
られる。

露光後、ＡＺ専用現昧液によシ現１象することによって
、第３図に示すようなフォトマスク１３か得られる。同
図において、１３１は前述したガラス基板であり、１３
２はクロムからなる遮光性膜である。白抜きライン１３
３は、幅が０．９μｍで１．８μｍノピッチで配列して
いる。つまり、スペース１３４の幅も０．９μｍである
。

このように単一のラインパターンを有するレティクルを
用いて繰り返し露光を行なうことによシ、■ショットの
露光で行なう従来の方法に比較して、解像できる線幅の
限界で示される解像力が約０．３μｍ向上した。

以上、ポジ形のフォトレジストを用いてラインを白抜き
にしたう・インアンドスペースパターンを形成する例に
ついて説明したが、ネガ形のフォトレジストを用いれば
、上述したと同様のレティクルを用いて第９図山）に示
したと同様の周辺部が白抜きのパターンを形成できる。

しかし、上述したようなポジ形フォトレジストと白抜き
のラインパターンを有するレティクルとの組み合ぜの方
が、解像吐は０１μｍ程度勝る。したがって、ポジ形の
フォトレジストを用い、上述したと同様のレテイクルを
用いて４箇所のスペース部を顛次露光し、さらに、第４
図に示すように、第９図の）に鎖線で示したよりなライ
ンアンドスペースパターンの輪郭線の内部に対応する部
分を遮光しその周辺を白抜きとしたパターンをもつレテ
ィクル１４を用いて露光する方法をとれば、上述した実
施例と同様の解像度で第９図（ｂ）に示したようなライ
ン部のみ遮光性膜を残したパターンが形成できる。なお
、第４図において１４１は透光性のガラス基板、１４２
は上述した遮光性膜でクロムからなる。また１４３は第
８図の）における遮光・住居５に相当する遮光性膜であ
る。

また、本発明でラインアンドスペースパターンとは、同
一のパターンが一定方向に所定のピッチで繰り返される
ものをいい、その単位パターンは文字通りの線状のもの
に限らない。例えば、第５図、茶６図、第７図に示すよ
うなものについても本発明は同・浦に適用できる。つま
り、これらのものにおいては２１，２３．２５がライン
、２２゜２４．２６がスペースとなる。また、ラインと
スペースの幅は必ずしも一致しなくてもよい。さらに、
第５図あるいは第６図において、例えば第６図に鎖線で
示したように配列方向を任意角度θだけ回転したものに
ついても同・床に適用できる。

〔発明の効果〕

以上説明したように、本発明によれば、複数ラインのそ
れぞれに対応する位置に単一のラインを配置してなる複
数のレティクルを、順次交換使用して露光を操り返すこ
とによシ、複数のライン配列からなるパターンを一括し
て露光する場合に比較して解ハ度を上げることができ、
サブミクロン寸法のラインアンドスペースパターンの形
成が可能となる。

【図面の簡単な説明】

第１図ないし第３図は本発明の一実施例を示す図で、第
１図はレティクルの平面１図、第２図は露光工程中の被
転写基板の平面図、第３図（ａ）および（ｂ）は形成さ
れたフォトマスクを示す平面図および断面図、第４図は
本発明の他の実施例を示すレティクルの平面図、第５図
ないし第７図は他のラインアンドスペースパターンの例
を示す平面図、第８図は従来のレティクルの構成例を示
す平面図、第９図は第８図のレティクルを用いて形成し
たパターンを示す平面図である。 １１Ａ〜ＩＩＥ・・・・レティクル、１１３Ａ〜１１３
Ｅ慟１１ｅ・ライン。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 縮小投影露光装置を用いた選択露光および現像工程を有
   し、レテイクルのパターンを被転写物に転写し、所定ピ
   ッチで繰り返し配列された複数のラインからなるパター
   ンを形成する方法において、上記複数のラインのそれぞ
   れに対応する位置に配置した単一のラインからなるパタ
   ーンを有する複数のレテイクルを用い、これらのレテイ
   クルを順次交換使用して繰り返し露光を行なうことを特
   徴とするパターン形成方法。