JPH033375B2 - - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、縮小投影露光装置を用いてフオトマ
スクブランク上等に微細なパターンを形成する方
法に関し、特に、ラインアンドスペースパターン
の形成方法に関する。

〔従来の技術〕

従来この種のパターン形成は、所望のパターン
と同形でサイズのみ異なるラインアンドスペース
パターン、すなわち、10：１の縮小投影露光装置
であれば10倍のサイズ、５：１の縮小投影露光装
置であれば５倍のサイズのパターンをもつレテイ
クルを用い、１シヨツトの露光で行なつていた。

第８図ａおよびｂに、このようなレテイクルを
示す。同図において、１は透光性ののガラス基
板、２はクロム等の金属からなる遮光性膜であ
る。すなわち、同図ａはライン３ａの部分のみ遮
光性膜２を除去してガラス基板１を露出させた例
であり、隣接するラインの間のスペース４ａには
遮光性膜２が残される。一方、同図ｂは逆にライ
ン３ｂの部分にのみ遮光性膜２を残し、スペース
４ｂにはガラス基板１を露出させた例である。な
お、同図ｂにおいて５は２と同様の遮光性膜であ
るが、特に所望パターンの規定には寄与していな
い。

例えばポジ形のフオトレジストを用いる場合、
第８図ａおよびｂに示したレテイクルを用いて、
それぞれ第９図ａおよびｂに示すようなパターン
が形成される。すなわち、第９図は、透光性のガ
ラス基板にクロムからなる遮光性膜を被着したフ
オトマスクブランクに、フオトレジストを塗布
し、上記レテイクルを用いて露光し現像した後、
フオトレジストを除去して形成したフオトマスク
を示す。６は上記ガラス基板、７は遮光性膜であ
り、同図ａではライン８ａの部分にのみガラス基
板６が露出し、同図ｂではライン８ｂの部分にの
み遮光性膜７が残つている。９ａ，９ｂはそれぞ
れスペースである。

〔発明が解決しようとする問題点〕

しかし、上述した従来の方法では、例えば10：
１の縮小投影露光装置において1μｍ程度の線幅
のラインアンドスペースパターンの解像が限界
で、それより小さいサブミクロンパターンは解像
が困難であつた。

〔問題点を解決するための手段〕

本発明は、所望のラインアンドスペースパター
ンを構成する複数のラインの１つに相当する単一
のラインからなるパターンを有するレテイクルを
用いて繰り返し露光を行なうものである。

〔作用〕

被転写物を、所望パターンのライン配列方向に
沿つて所定のステツプで移動しながら、所望パタ
ーンのライン数に相当する回数だけ露光を繰り返
すことにより、所望本数のラインを有するライン
アンドスペースパターンが形成される。

〔実施例〕

第１図は本発明の一実施例を示すレテイクル１
１の平面図である。第８図ａの従来例と同様に、
５インチ角の主表面を有する透光性のガラス基板
１１１上に厚さ1000Åのクロムからなる遮光性膜
１１２を形成したものであるが、単一の白抜きラ
イン１１３のみを有する。ライン１１３の幅Ｗは
9μｍ、長さＬは27μｍとする。

10：１の縮小投影露光装置に、このようなレテ
イクル１１をセツトする。一方、この縮小投影露
光装置の移動ステージ上に第２図に示すような被
転写基板１２をセツトする。この被転写基板１２
は、６インチ角の透光性ガラス基板上に厚さ1000
Åのクロム膜を被着してなるフオトマスクブラン
クに、さらにポジ形のフオトレジスト（ヘキスト
社製AZ−1350）を5000Åの厚さに塗布したもの
である。

この状態で、１回露光するごとに移動ステージ
を矢印の方向に1.8μｍのステツプで移動させなが
ら、複数（図示の例では５本）のライン１２１を
順次露光していく（第２図ａ〜ｅ）。第２図にお
いて、斜線を付した範囲は未露光部を示すが、同
図に示すように５回露光を繰り返すことにより、
等間隔に配列した５本のライン１２１がスペース
１２２を挾んで配列した露光パターンが得られ
る。

露光後、AZ専用現像液により現像することに
よつて、第３図に示すようなフオトマスク１３が
得られる。同図において、１３１は前述したガラ
ス基板であり、１３２はクロムからなる遮光性膜
である。白抜きライン１３３は、幅が0.9μｍで
1.8μｍのピツチで配列している。つまり、スペー
ス１３４の幅も0.9μｍである。

このように単一のラインパターンを有するレテ
イクルを用いて繰り返し露光を行なうことによ
り、１シヨツトの露光で行なう従来の方法に比較
して、解像できる線幅の限界で示される解像力が
約0.3μｍ向上した。

以上、ポジ形のフオトレジストを用いてライン
を白抜きにしたラインアンドスペースパターンを
形成する例について説明したが、ネガ形のフオト
レジストを用いれば、上述したと同様のレテイク
ルを用いて第９図ｂに示したと同様の周辺部が白
抜きのパターンを形成できる。しかし、上述した
ようなポジ形フオトレジストと白抜きのラインパ
ターンを有するレテイクルとの組み合せの方が、
解像度は0.1μｍ程度勝る。したがつて、ポジ形の
フオトレジストを用い、上述したと同様のレテイ
クルを用いて４箇所のスペース部を順位露光し、
さらに、第４図に示すように、第９図ｂに鎖線で
示したようなラインアンドスペースパターンの輪
郭線の内部に対応する部分を遮光し、その周辺を
白抜きとしたパターンをもつレテイクル１４を用
いて露光する方法をとれば、上述した実施例と同
様の解像度で第９図ｂに示したようなライン部の
み遮光性膜を残したパターンが形成できる。な
お、第４図において１４１は遮光性のガラス基
板、１４２は上述した遮光性膜でクロムからな
る。また１４３は第８図ｂにおける遮光性膜５に
相当する遮光性膜である。

また、本発明でラインアンドスペースパターン
とは、同一のパターンが一定方向に所定のピツチ
で繰り返されるものをいい、その単位パターンは
文字通りの線状のものに限らない。例えば、第５
図、第６図、第７図に示すようなものについても
本発明は同様に適用できる。つまり、これらのも
のにおいては２１，２３，２５がライン、２２，
２４，２６がスペースとなる。また、ラインとス
ペースの幅は必ずしも一致しなくてもよい。さら
に、第５図あるいは第６図において、例えば第６
図に鎖線で示したように配列方向を任意角度Θだ
け回転したものについても同様に適用できる。

〔発明の効果〕

以上説明したように、本発明によれば、単一の
ラインからなるパターンを有するレテイクルを用
い、被処理物を所望パターンのライン配列方向に
沿つて移動しながら露光を繰り返すことにより、
複数のライン配列からなるパターンを一括して露
光する場合に比較して解像度を上げることがで
き、サブミクロン寸法のラインアンドスペースパ
ターンの形成が可能となる。

【図面の簡単な説明】

第１図ないし第３図は本発明の一実施例を示す
図で、第１図はレテイクルの平面図、第２図は露
光工程中の被転写基板の平面図、第３図ａおよび
ｂは形成されたフオトマスクを示す平面図および
断面図、第４図は本発明の他の実施例を示すレテ
イクルの平面図、第５図ないし第７図は他のライ
ンアンドスペースパターンの例を示す平面図、第
８図は従来のレテイクルの構成例を示す平面図、
第９図は第８図のレテイクルを用いて形成したパ
ターンを示す平面図である。 １１……レテイクル、１１３……ライン。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １ 縮小投影露光装置を用いた選択露光および現
   像工程を有し、レテイクルのパターンを被転写物
   に転写し、所定ピツチで繰り返し配列された複数
   のラインからなるパターンを形成する方法におい
   て、上記複数のラインの１つに相当する単一のラ
   インからなるパターンを有するレテイクルを用
   い、被転写物を、所望パターンのライン配列方向
   に沿つて所定のステツプで移動させながら繰り返
   し露光を行なうことを特徴とするパターン形成方
   法。