JPS59192248A - レテイクル - Google Patents
レテイクルInfo
- Publication number
- JPS59192248A JPS59192248A JP58066380A JP6638083A JPS59192248A JP S59192248 A JPS59192248 A JP S59192248A JP 58066380 A JP58066380 A JP 58066380A JP 6638083 A JP6638083 A JP 6638083A JP S59192248 A JPS59192248 A JP S59192248A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- reticle
- pattern
- corners
- reticle pattern
- protrusion
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70425—Imaging strategies, e.g. for increasing throughput or resolution, printing product fields larger than the image field or compensating lithography- or non-lithography errors, e.g. proximity correction, mix-and-match, stitching or double patterning
- G03F7/70433—Layout for increasing efficiency or for compensating imaging errors, e.g. layout of exposure fields for reducing focus errors; Use of mask features for increasing efficiency or for compensating imaging errors
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/36—Masks having proximity correction features; Preparation thereof, e.g. optical proximity correction [OPC] design processes
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、半導体製造工程で用いられるノ、１１−マス
クを製造する際に用いられるレティクルに関するもので
ある。
クを製造する際に用いられるレティクルに関するもので
ある。
通常、レティクルよりステップアンドリピータ（以下、
リピータという。）を用いて、フォトマスクブランクス
（以下、ブランクスという。）に所望のパターンを縮小
投影露光する工程は、第１図に示ず露光工程による。す
なわち、リピータを用いてフォトマスクを製造するとき
、原稿側に１０倍画像又は５倍画像のレティクル１を設
（プ、１／１０倍又は１１５倍の縮小レンズ（以下、レ
ンズという。）２により、ブランクス３に塗布したフォ
トレジスト４に縮小投影露光する。この縮小投影露光の
後、現像、エツチング、レジスト剥離を経て、パター、
ンが形成されたブランクスを通常「フォトマスク」と呼
んでいる。
リピータという。）を用いて、フォトマスクブランクス
（以下、ブランクスという。）に所望のパターンを縮小
投影露光する工程は、第１図に示ず露光工程による。す
なわち、リピータを用いてフォトマスクを製造するとき
、原稿側に１０倍画像又は５倍画像のレティクル１を設
（プ、１／１０倍又は１１５倍の縮小レンズ（以下、レ
ンズという。）２により、ブランクス３に塗布したフォ
トレジスト４に縮小投影露光する。この縮小投影露光の
後、現像、エツチング、レジスト剥離を経て、パター、
ンが形成されたブランクスを通常「フォトマスク」と呼
んでいる。
従来、前記露光工程で用いられたレティクルのパターン
は、第２図（イ）に示すような形状を示していた。すな
わち、レティクルパターン５は、電子ビーム露光装置等
を用いて設計の際に意図された図形に作成されていて、
前記レティクルパターン５の角６は、前記露光工程後の
フォトマスクに所望される角を形成していた。
は、第２図（イ）に示すような形状を示していた。すな
わち、レティクルパターン５は、電子ビーム露光装置等
を用いて設計の際に意図された図形に作成されていて、
前記レティクルパターン５の角６は、前記露光工程後の
フォトマスクに所望される角を形成していた。
しかしながら、従来のレティクルパターン５を用いて、
前記露光工程によって、ブランクス上のフォトレジスト
に縮小投影露光すると、フＡ１〜レジストパターン（以
下、レジストパターンという。
前記露光工程によって、ブランクス上のフォトレジスト
に縮小投影露光すると、フＡ１〜レジストパターン（以
下、レジストパターンという。
）は第２図（ロ）のように形成される。すなわち、前記
レジストパターン７の角は、前記レンズの解＠度が無限
大でないために、フ第１・マスクに所望される角とはな
らず、ある曲率半径の曲部８となってしまう欠点があっ
た。例えば、前記曲部８は、１０倍画像のレティクル及
び１ ／１０（８のレンズを用いると約２μＲとなって
しまった。ざらに、半導体デバイスの設計において、電
気的に電界は平行であるという前提の上で、フォトマス
クのパターンは矩形及びその角は凸部ではないように膜
剤されている。特に、ＭＯＳ−ＩＣの場合は電気の流れ
が平面的のため、ゲート等のパターンの角がある曲率半
径の曲部であると、設計意図通りの電気的特性が１！１
られない等の障害が発生する。
レジストパターン７の角は、前記レンズの解＠度が無限
大でないために、フ第１・マスクに所望される角とはな
らず、ある曲率半径の曲部８となってしまう欠点があっ
た。例えば、前記曲部８は、１０倍画像のレティクル及
び１ ／１０（８のレンズを用いると約２μＲとなって
しまった。ざらに、半導体デバイスの設計において、電
気的に電界は平行であるという前提の上で、フォトマス
クのパターンは矩形及びその角は凸部ではないように膜
剤されている。特に、ＭＯＳ−ＩＣの場合は電気の流れ
が平面的のため、ゲート等のパターンの角がある曲率半
径の曲部であると、設計意図通りの電気的特性が１！１
られない等の障害が発生する。
本発明の目的は、レジストパターンの角が曲部どならず
、実質的にレジストパターンの角を角部とするパターン
を有するフォトマスク製造用のレティクルを提供するこ
とである。
、実質的にレジストパターンの角を角部とするパターン
を有するフォトマスク製造用のレティクルを提供するこ
とである。
本発明は、レティクルに形成されたレティクルパターン
の凸状の角に突起部を設け、前記突起部は、レティクル
パターンをブランクス上のフォトレジスト等の感光性材
料に縮小投影露光してレジストパターンを形成し、前記
レジストパターンに前記突起部が実質的に存在しない程
度の大きさであることを特徴とする。
の凸状の角に突起部を設け、前記突起部は、レティクル
パターンをブランクス上のフォトレジスト等の感光性材
料に縮小投影露光してレジストパターンを形成し、前記
レジストパターンに前記突起部が実質的に存在しない程
度の大きさであることを特徴とする。
以下、本発明の一実施例を第３図を用いて詳細に説明す
る。第３図（イ）は、１０倍画像のレティクルに形成さ
れたレティクルパターン９、及び前記レティクルパター
ン９の一部を構成する縦方向の辺９ａを延長したＶ字状
の突起部１０を示づ。前記レティクルパターン９は、縦
方向の辺９ａが３０μ、横方向の辺９ｂは２０μで前記
突起部を除しては実質的に矩形である。また、前記突起
部１０の縦方向の長さｎ）は３μ、横方向の長さｎは２
μである。第３図（ロ）は、例えばガラス基板ＬＥ−３
０（株式会社保谷硝子、商品名）上に、クロム膜、フォ
トレジストを順次積層し、前記フォトレジスト面に前記
レティクルパターン１０をリピータの１！１０倍のレン
ズを介して、通常の縮小投影露光の露光工程によってな
されたレジストパターン１１（３μ×２μ）を示す。前
記レジストパターンの角は角部１２を形成していた。
る。第３図（イ）は、１０倍画像のレティクルに形成さ
れたレティクルパターン９、及び前記レティクルパター
ン９の一部を構成する縦方向の辺９ａを延長したＶ字状
の突起部１０を示づ。前記レティクルパターン９は、縦
方向の辺９ａが３０μ、横方向の辺９ｂは２０μで前記
突起部を除しては実質的に矩形である。また、前記突起
部１０の縦方向の長さｎ）は３μ、横方向の長さｎは２
μである。第３図（ロ）は、例えばガラス基板ＬＥ−３
０（株式会社保谷硝子、商品名）上に、クロム膜、フォ
トレジストを順次積層し、前記フォトレジスト面に前記
レティクルパターン１０をリピータの１！１０倍のレン
ズを介して、通常の縮小投影露光の露光工程によってな
されたレジストパターン１１（３μ×２μ）を示す。前
記レジストパターンの角は角部１２を形成していた。
本発明は、前記実施例の突起部１１の形状に限定される
ことはなく、第４図、第５図又は第６図に示すような対
角線上に延長したＶ字状、矩形状、又は円弧状の突起部
１１でもよく、また多角形状等の突起部でもよい。さら
に、前記突起部１１の形状は、レティクルパターンの角
の全部で同一形状であってもよく、又は異なる形状でも
よい。例えば第３図（イ）のように４箇所の突起部１０
が全て縦方向の辺９ａを延長したＶ字状であるが、前記
４箇所の突起部１０の各々を、縦方向の辺を延長したＶ
字状、横方向の辺を延長したＶ字状、円弧状、矩形状に
してもよい。次に、本発明のレティクルパターンの突起
部の大きさは、前記実施例では縦方向の長さｍを３μ、
横方向の長さｎを２μとしたが、これに限定されること
なく、前記突起部が縮小投影露光後、レジストパターン
に実質的に存在しない程度であればよく、実験によれば
、レティクルパターン上の突起部の縦方向の長さｍ及び
横方向の長さｎは、各々０．１ｘ〜５×μ（×ニレティ
クルのフォトマスクに対する倍率）であればよく、さら
に望ましくはＯ，ｌｘ〜０．５ｘμであればよい。例え
ば、１０倍画像のレティクルを用いて、１７１０倍のレ
ンズによって縮小投影露光するときは、第３図、第４図
、第５図又は第７図で示すようなレティクルパターン１
０の突起部１１の縦方向の長さｍ及び横方向の長さｎは
各々１〜５０μであればよい。
ことはなく、第４図、第５図又は第６図に示すような対
角線上に延長したＶ字状、矩形状、又は円弧状の突起部
１１でもよく、また多角形状等の突起部でもよい。さら
に、前記突起部１１の形状は、レティクルパターンの角
の全部で同一形状であってもよく、又は異なる形状でも
よい。例えば第３図（イ）のように４箇所の突起部１０
が全て縦方向の辺９ａを延長したＶ字状であるが、前記
４箇所の突起部１０の各々を、縦方向の辺を延長したＶ
字状、横方向の辺を延長したＶ字状、円弧状、矩形状に
してもよい。次に、本発明のレティクルパターンの突起
部の大きさは、前記実施例では縦方向の長さｍを３μ、
横方向の長さｎを２μとしたが、これに限定されること
なく、前記突起部が縮小投影露光後、レジストパターン
に実質的に存在しない程度であればよく、実験によれば
、レティクルパターン上の突起部の縦方向の長さｍ及び
横方向の長さｎは、各々０．１ｘ〜５×μ（×ニレティ
クルのフォトマスクに対する倍率）であればよく、さら
に望ましくはＯ，ｌｘ〜０．５ｘμであればよい。例え
ば、１０倍画像のレティクルを用いて、１７１０倍のレ
ンズによって縮小投影露光するときは、第３図、第４図
、第５図又は第７図で示すようなレティクルパターン１
０の突起部１１の縦方向の長さｍ及び横方向の長さｎは
各々１〜５０μであればよい。
さらに、本発明の前記実施例では、レティクルパターン
は矩形の形状に突起部を設けていたが、何ら矩形のレテ
ィクルパターンに限定されることなく、第７図のような
多角形でもよく、前記多角形の凹状の角には突起部を設
けず凸状の角に突起部を形成すればよい。
は矩形の形状に突起部を設けていたが、何ら矩形のレテ
ィクルパターンに限定されることなく、第７図のような
多角形でもよく、前記多角形の凹状の角には突起部を設
けず凸状の角に突起部を形成すればよい。
以上のように、本発明によれば、レティクルバターンの
角に、突起部を構成する事によって、通常の縮小投影露
光の露光工程を用いても、レジストパターンの角を曲部
にすることなく、実質的に角部にすることができ、設計
時に意図したフォトマスクのパターンを作成することが
でき、高精度のフォトマスクを供給することができる。
角に、突起部を構成する事によって、通常の縮小投影露
光の露光工程を用いても、レジストパターンの角を曲部
にすることなく、実質的に角部にすることができ、設計
時に意図したフォトマスクのパターンを作成することが
でき、高精度のフォトマスクを供給することができる。
第１図は通常の縮小投影露光の露光工程を図解的に示す
図、第２図（イ）は従来のレティクルパターンの平面図
、同図（ロ）は従来のレティクルパターンにより作成さ
れたレジストパターンの平面図、第３図（イ）は本発明
の一実施例であるレティクルパターンの平面図、同図（
ロ）は本発明の一実施例により作成されたレジストパタ
ーンの平面図、第４図、第５図、第６図は、本発明の突
起部の他の実施例を示す拡大部分平面図、第７図は本発
明の他のレティクルパターンの形状を示す平面図である
。 １・・・レティク、ル、２・・・縮小レンズ、３・・・
フォトマスクブランクス、４・・・フォトレジスト、５
・・・従来のレティクルパターン、６・・・従来のレテ
ィクルパターンの角、７・・・従来のレティクルパター
ンを用いたときのフォトレジストパターン、８・・・曲
部、９・・・本発明のレティクルパターン、１０・・・
本発明のレティクルパターンの一部を構成する突起部、
１１・・・本発明のレティクルパターンを用いたときの
フォトレジストパターン、１２・・・角部第１図 第２閃 第３図 第４図 第５ｒＸＪ第６図 第７図
図、第２図（イ）は従来のレティクルパターンの平面図
、同図（ロ）は従来のレティクルパターンにより作成さ
れたレジストパターンの平面図、第３図（イ）は本発明
の一実施例であるレティクルパターンの平面図、同図（
ロ）は本発明の一実施例により作成されたレジストパタ
ーンの平面図、第４図、第５図、第６図は、本発明の突
起部の他の実施例を示す拡大部分平面図、第７図は本発
明の他のレティクルパターンの形状を示す平面図である
。 １・・・レティク、ル、２・・・縮小レンズ、３・・・
フォトマスクブランクス、４・・・フォトレジスト、５
・・・従来のレティクルパターン、６・・・従来のレテ
ィクルパターンの角、７・・・従来のレティクルパター
ンを用いたときのフォトレジストパターン、８・・・曲
部、９・・・本発明のレティクルパターン、１０・・・
本発明のレティクルパターンの一部を構成する突起部、
１１・・・本発明のレティクルパターンを用いたときの
フォトレジストパターン、１２・・・角部第１図 第２閃 第３図 第４図 第５ｒＸＪ第６図 第７図
Claims (3)
- （１） レティクルパターンの凸状の角に突起部を設り
、前記突起部の大きさは、前記レティクルパターン上の
縮方向の長さｍ及び横方向の長さｒｌが０．１Ｘ〜５ｘ
μ（ｘ ニレティクルの）ｓ−ｌ−マスクに対する倍率
〉であることを特徴どＪるレディクル。 - （２） 突起部がＶ字状の形状であることを特徴とする
特許請求の範囲第１項記載のレディクル。 - （３） 突起部が矩形状の形状であることを特徴とする
特許請求の範囲第１項記載のレディクル。 （／Ｉ） 突起部が円弧状の形状であることを特徴とす
る特許請求の範囲第１項記載のレティクル。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58066380A JPS59192248A (ja) | 1983-04-15 | 1983-04-15 | レテイクル |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58066380A JPS59192248A (ja) | 1983-04-15 | 1983-04-15 | レテイクル |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59192248A true JPS59192248A (ja) | 1984-10-31 |
Family
ID=13314160
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58066380A Pending JPS59192248A (ja) | 1983-04-15 | 1983-04-15 | レテイクル |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59192248A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61181129A (ja) * | 1985-02-06 | 1986-08-13 | Fujitsu Ltd | 露光方法 |
| JPS62229834A (ja) * | 1986-03-28 | 1987-10-08 | Hoya Corp | パタ−ン形成方法 |
| JPS63165851A (ja) * | 1986-12-27 | 1988-07-09 | Sony Corp | フオトレジストパタ−ンの形成方法 |
| EP0902915A1 (en) * | 1996-05-28 | 1999-03-24 | Microunity Systems Engineering, Inc. | Photolithography mask using serifs and method thereof |
| JP2006523865A (ja) * | 2003-04-14 | 2006-10-19 | フォルティス・システムズ・インコーポレーテッド | 実効的近接効果補正方法論 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56162747A (en) * | 1980-05-21 | 1981-12-14 | Oki Electric Ind Co Ltd | Mask for exposure to light |
-
1983
- 1983-04-15 JP JP58066380A patent/JPS59192248A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56162747A (en) * | 1980-05-21 | 1981-12-14 | Oki Electric Ind Co Ltd | Mask for exposure to light |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61181129A (ja) * | 1985-02-06 | 1986-08-13 | Fujitsu Ltd | 露光方法 |
| JPH0321086B2 (ja) * | 1985-02-06 | 1991-03-20 | Fujitsu Ltd | |
| JPS62229834A (ja) * | 1986-03-28 | 1987-10-08 | Hoya Corp | パタ−ン形成方法 |
| JPS63165851A (ja) * | 1986-12-27 | 1988-07-09 | Sony Corp | フオトレジストパタ−ンの形成方法 |
| EP0902915A1 (en) * | 1996-05-28 | 1999-03-24 | Microunity Systems Engineering, Inc. | Photolithography mask using serifs and method thereof |
| EP0902915A4 (ja) * | 1996-05-28 | 1999-03-31 | ||
| JP2006523865A (ja) * | 2003-04-14 | 2006-10-19 | フォルティス・システムズ・インコーポレーテッド | 実効的近接効果補正方法論 |
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