CN113093472A - 一种掩膜版图形的修正方法 - Google Patents

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Abstract

一种掩膜版图形的修正方法，其中，包括：提供目标版图，所述目标版图包括若干主图形；沿第一方向将所述目标版图分为若干第一区；获取每个所述第一区的位置信息；根据每个所述第一区的位置信息获取该第一区的第一模型；根据所述第一模型获取所述第一区内的每个所述主图形周围的辅助图形的图形参数；根据每个所述主图形的辅助图形的图形参数，在每个主图形周围设置所述主图形的辅助图形。所述掩膜版图形的修正方法能够使辅助图形不易被曝光。

Description

一种掩膜版图形的修正方法
技术领域
本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种掩膜版图形的修正方法。
背景技术
在半导体制造中，随着设计尺寸的不断缩小，设计尺寸已经接近或者小于光刻过程中使用的光波波长，光的衍射效应和干涉效应变得越来越明显，导致实际形成的光刻图案相对于掩膜版上的图案发生严重畸变。
在一个设计中，芯片图形的密集度具有很大的任意性。理论和实验结果都清楚地表明，密集分布图形的光刻工艺窗口与稀疏图形的光刻工艺窗口是不一样的，这就导致了共同的工艺窗口偏小。适用于密集图形曝光的光照条件并不适合稀疏图形的曝光。在设计中添加曝光辅助图形可以解决这一技术难题。
曝光辅助图形是一些很细小的图形，它们被放置在稀疏设计图形的周围，使稀疏图形在光学的角度上看像密集图形。这些辅助图形的最小尺寸必须小于光刻机的分辨率。在曝光时，它们只对光线起散射作用，而不应该在光刻胶上形成图像。因此，曝光辅助图形也叫亚分辨率的辅助图形(sub-resolution assistant feature，SRAF)或散射条(scattering bar)。
然而，由于芯片图形的设计尺寸越来越小，导致芯片图形的关键尺寸(CriticalDimension，CD)与辅助图形的关键尺寸非常接近，从而在曝光过程中，不仅芯片图形被曝光形成光刻图案，辅助图形也非常容易被曝光，导致辅助图形在光刻胶上形成图像，从而在光刻胶上形成的实际图形变得和设计图形不同。
发明内容
本发明解决的技术问题是提供一种掩膜版图形的修正方法，从而使辅助图形不易被曝光。
为解决上述技术问题，本发明的技术方案提供一种掩膜版图形的修正方法，包括：提供目标版图，所述目标版图包括若干主图形；沿第一方向将所述目标版图分为若干第一区；获取每个所述第一区的位置信息；根据每个所述第一区的位置信息获取该第一区的第一模型；根据所述第一模型获取所述第一区内的每个所述主图形周围的辅助图形的图形参数；根据每个所述主图形的辅助图形的图形参数，在每个主图形周围设置所述主图形的辅助图形。
可选的，获取每个所述第一区的位置信息的方法包括：设置坐标轴，所述坐标轴包括沿所述第一方向的第一坐标轴；获取每个所述第一区的中心点在所述第一坐标轴上的坐标。
可选的，所述第一模型包括对所述第一区内的目标版图进行曝光的光场信息，所述光场信息包括入射光的方位角。
可选的，每个所述主图形的辅助图形包括若干散射条，每个所述散射条包括长边和短边；第i个所述第一区的每个主图形的第一模型包括：PWi＝F(Φi，Wi，Oi，Li，Pi)，并且所述Wi大于或等于掩膜限制规则，所述PWi为对应所述第i个第一区的每个主图形的工艺窗口大小的工艺窗口参数，所述Φi、Wi、Oi、Li和Pi均为所述第i个第一区的每个主图形的若干散射条的图形参数，所述图形参数Φi为所述若干散射条中每个散射条的长边与所述第一方向的夹角，所述图形参数Wi为所述若干散射条中每个散射条的短边的边长，所述图形参数Oi为所述若干散射条中每个散射条的对称中心与该主图形轮廓之间的最小间距，所述图形参数Li为所述若干散射条中每个散射条的长边的边长，所述图形参数Pi为所述若干散射条的周期。
可选的，所述图形参数Wi、图形参数Oi、图形参数Li和图形参数Pi均为预设值，根据所述第一模型获取所述主图形的辅助图形的图形参数的方法包括：通过计算工艺窗口参数PWi关于图形参数Φi在零值时的导数，获取所述图形参数Φi的数值。
可选的，所述图形参数Oi、图形参数Li和图形参数Pi均为预设值，根据所述第一模型获取所述主图形的辅助图形的图形参数的方法包括：通过计算工艺窗口参数PWi关于图形参数Φi在零值时的偏导数，获取所述图形参数Φi的数值；通过计算工艺窗口参数PWi关于图形参数Wi在零值时的偏导数，获取所述图形参数Wi的数值。
可选的，所述图形参数Oi、图形参数Li和图形参数Pi中的一者或两者为预设值，根据所述第一模型获取所述主图形的辅助图形的图形参数的方法包括：通过分别计算工艺窗口参数PWi关于图形参数Oi、图形参数Li和图形参数Pi中为变量的图形参数在零值时的偏导数，获取所述图形参数的数值。
可选的，根据所述第一模型获取所述主图形的辅助图形的图形参数的方法包括：通过计算工艺窗口参数PWi关于图形参数Φi在零值时的偏导数，获取所述图形参数Φi的数值；通过计算工艺窗口参数PWi关于图形参数Wi在零值时的偏导数，获取所述图形参数Wi的数值；通过计算工艺窗口参数PWi关于图形参数Oi在零值时的偏导数，获取所述图形参数Oi的数值；通过计算工艺窗口参数PWi关于图形参数Li在零值时的偏导数，获取所述图形参数Li的数值；通过计算工艺窗口参数PWi关于图形参数Pi在零值时的偏导数，获取所述图形参数Pi的数值。
可选的，在每个主图形周围设置所述主图形的辅助图形的方法还包括：当所述图形参数Φi小于22.5°或等于22.5°或大于157.5°时，以图形参数Φi为0°设置所述主图形的辅助图形；当所述图形参数Φi大于22.5°且小于或等于67.5°时，以图形参数Φi为45°设置所述主图形的辅助图形；当图形参数所述Φi大于67.5°且小于或等于112.5°时，以图形参数Φi为90°设置所述主图形的辅助图形；当所述图形参数Φi大于112.5°且小于或等于157.5°时，以图形参数Φi为135°设置所述主图形的辅助图形。
可选的，在每个主图形周围设置所述主图形的辅助图形的方法还包括：当所述图形参数Φi小于22.5°或等于22.5°或大于157.5°时，以图形参数Φi为0°设置所述主图形的辅助图形；当所述图形参数Φi大于22.5°且小于或等于67.5°时，以图形参数Φi为45°设置所述主图形的辅助图形；当图形参数所述Φi大于67.5°且小于或等于112.5°时，以图形参数Φi为90°设置所述主图形的辅助图形；当所述图形参数Φi大于112.5°且小于或等于157.5°时，以图形参数Φi为135°设置所述主图形的辅助图形。
可选的，在每个主图形周围设置所述主图形的辅助图形的方法还包括：当所述图形参数Φi小于22.5°或等于22.5°或大于157.5°时，以图形参数Φi为0°设置所述主图形的辅助图形；当所述图形参数Φi大于22.5°且小于或等于67.5°时，以图形参数Φi为45°设置所述主图形的辅助图形；当图形参数所述Φi大于67.5°且小于或等于112.5°时，以图形参数Φi为90°设置所述主图形的辅助图形；当所述图形参数Φi大于112.5°且小于或等于157.5°时，以图形参数Φi为135°设置所述主图形的辅助图形。
可选的，在每个主图形周围设置所述主图形的辅助图形的方法还包括：当所述图形参数Φi小于22.5°或等于22.5°或大于157.5°时，以图形参数Φi为0°设置所述主图形的辅助图形；当所述图形参数Φi大于22.5°且小于或等于67.5°时，以图形参数Φi为45°设置所述主图形的辅助图形；当图形参数所述Φi大于67.5°且小于或等于112.5°时，以图形参数Φi为90°设置所述主图形的辅助图形；当所述图形参数Φi大于112.5°且小于或等于157.5°时，以图形参数Φi为135°设置所述主图形的辅助图形。
可选的，所述散射条的长边的形状为锯齿状，所述锯齿状长边中的锯齿由若干平行于所述第一方向的第一边，以及若干垂直于所述第一方向的第二边构成，所述第一边与所述第二边首尾相连，且所述锯齿状长边的两端端点的连线与所述第一方向之间的夹角，为所述图形参数Φi。
可选的，所述散射条的长边的形状为锯齿状，所述锯齿状长边中的锯齿由若干平行于所述第一方向的第一边，以及若干垂直于所述第一方向的第二边构成，所述第一边与所述第二边首尾相连，且所述锯齿状长边的两端端点的连线与所述第一方向之间的夹角，为所述图形参数Φi。
可选的，所述散射条的长边的形状为锯齿状，所述锯齿状长边中的锯齿由若干平行于所述第一方向的第一边，以及若干垂直于所述第一方向的第二边构成，所述第一边与所述第二边首尾相连，且所述锯齿状长边的两端端点的连线与所述第一方向之间的夹角，为所述图形参数Φi。
可选的，所述散射条的长边的形状为锯齿状，所述锯齿状长边中的锯齿由若干平行于所述第一方向的第一边，以及若干垂直于所述第一方向的第二边构成，所述第一边与所述第二边首尾相连，且所述锯齿状长边的两端端点的连线与所述第一方向之间的夹角，为所述图形参数Φi。
可选的，当第i个所述第一区中的与所述第一模型对应的主图形为长方形时，所述图形参数Pi包括图形参数Pi1和图形参数Pi2，所述图形参数Pi1为与该主图形的长边相邻的辅助图形的周期，所述图形参数Pi2为与该主图形的短边相邻的辅助图形的周期。
可选的，当第i个所述第一区中的与所述第一模型对应的主图形为长方形时，所述图形参数Pi包括图形参数Pi1和图形参数Pi2，所述图形参数Pi1为与该主图形的长边相邻的辅助图形的周期，所述图形参数Pi2为与该主图形的短边相邻的辅助图形的周期。
可选的，当第i个所述第一区中的与所述第一模型对应的主图形为长方形时，所述图形参数Pi包括图形参数Pi1和图形参数Pi2，所述图形参数Pi1为与该主图形的长边相邻的辅助图形的周期，所述图形参数Pi2为与该主图形的短边相邻的辅助图形的周期。
可选的，当第i个所述第一区中的与所述第一模型对应的主图形为长方形时，所述图形参数Pi包括图形参数Pi1和图形参数Pi2，所述图形参数Pi1为与该主图形的长边相邻的辅助图形的周期，所述图形参数Pi2为与该主图形的短边相邻的辅助图形的周期。
可选的，当第i个所述第一区中的与所述第一模型对应的主图形为长方形时，所述图形参数Pi包括图形参数Pi1和图形参数Pi2，所述图形参数Pi1为与该主图形的长边相邻的辅助图形的周期，所述图形参数Pi2为与该主图形的短边相邻的辅助图形的周期。
可选的，所述图形参数Wi的范围为5纳米～30纳米。
可选的，在每个主图形周围设置所述主图形的辅助图形后，对所述目标版图进行光学临近修正。
与现有技术相比，本发明的技术方案具有以下有益效果：
在本发明技术方案的掩膜版图形的修正方法中，所述目标版图用于后续形成掩膜版。在形成所述掩膜版后，后续对所述掩膜版曝光的过程中，入射至掩膜版的入射光与垂直于掩膜版表面的法线具有固定的夹角，但是入射光能够以围着所述法线旋转的方式，使所述入射光与所述第一方向具有不同的方位角，并且，后续曝光的过程中，根据在第一方向上不同的入射位置，所述入射光具有不同的方位角，即，入射光在入射至所述掩膜版时，根据入射点在掩膜版中沿第一方向的不同位置，入射光具有不同的方位角。一方面，由于沿第一方向将所述目标版图分为若干第一区，并根据每个所述第一区的位置信息获取该第一区的第一模型，因此，针对沿所述第一方向光场信息变化的情况，即，针对在第一方向上的不同位置，入射光的强度、方位角不同的情况，所述第一模型包括的光场信息更准确，即，所述第一模型中包括了更准确的所述第一区的光场信息。另一方面，由于根据所述第一模型获取所述第一区内的每个所述主图形周围的辅助图形的图形参数，因此，能够针对具有不同的强度和方位角的入射光，调整所述辅助图形的图形参数，以在后续曝光过程中，减小所述辅助图形的实际的有效关键尺寸，从而增加辅助图形的有效关键尺寸与主图形的关键尺寸的大小差距，以降低辅助图形被曝光的几率，使辅助图形不易被曝光。
进一步，由于当所述散射条的长边与入射光之间的夹角越接近直角，所述散射条的有效关键尺寸越小，所述散射条越不易被曝光，越有利于增大工艺窗口。因此，通过计算工艺窗口参数PWi关于Φi在零值时的偏导数，即，通过计算在工艺窗口最大时的图形参数Φi，能够使后续设置的所述散射条的长边与所述第i个第一区的入射光之间的夹角为直角或接近直角，即，图形参数Φi的数值为所述散射条最不易被曝光时的图形参数Φi的数值，从而，通过图形参数Φi的数值设置所述散射条，能够实现减小所述辅助图形的实际的有效关键尺寸，增加辅助图形的有效关键尺寸与主图形的关键尺寸的大小差距，降低辅助图形被曝光的几率，使辅助图形不易被曝光。
附图说明
图1是本发明实施例的掩膜版图形的修正方法的流程示意图；
图2至图6是本发明实施例的掩膜版图形的修正方法的各步骤结构示意图；
图7是本发明另一实施例中的散射条的结构示意图。
具体实施方式
如背景技术所述，由于芯片图形的设计尺寸越来越小，导致芯片图形的关键尺寸(Critical Dimension，CD)与辅助图形的关键尺寸非常接近，从而在曝光过程中，不仅芯片图形被曝光形成光刻图案，辅助图形也非常容易被曝光，导致辅助图形在光刻胶上形成图像，从而在光刻胶上形成的实际图形变得和设计图形不同。
为了使所述辅助图形不易被曝光，提供的一种方法是减小所述辅助图形的关键尺寸，增大芯片图形的关键尺寸的大小和辅助图形的关键尺寸大小之间的差距。
然而，由于曝光工艺的极限的影响，以及为了避免在曝光过程中形成不同图形间的桥接等缺陷，在设计芯片图形和辅助图形时，会有一定限制，即掩膜限制规则，所述掩膜限制规则会限制设计掩膜版图形时的芯片图形关键尺寸、辅助图形关键尺寸、图形间的间距等尺寸，因此，当辅助图形的关键尺寸接近掩膜限制规则的最小图形尺寸时，无法继续减小辅助图形的尺寸，从而，无法实现使所述辅助图形不易被曝光。
为解决所述技术问题，本发明实施例提供一种掩膜版图形及其修正方法和掩膜版，其中，掩膜版图形的修正方法包括：提供目标版图，所述目标版图包括若干主图形；沿第一方向将所述目标版图分为若干第一区；获取每个所述第一区的位置信息；根据每个所述第一区的位置信息获取该第一区的第一模型；根据所述第一模型获取所述第一区内的每个所述主图形周围的辅助图形的图形参数；根据每个所述主图形的辅助图形的图形参数，在每个主图形周围设置所述主图形的辅助图形。所述掩膜版图形的修正方法能够使辅助图形不易被曝光。
为使本发明的上述目的、特征和有益效果能够更为明显易懂，下面结合附图对本发明的具体实施例做详细的说明。
图1是本发明实施例的掩膜版图形的修正方法的流程示意图。
请参考图1，所述掩膜版图形的修正方法包括：
步骤S100，提供目标版图，所述目标版图包括若干主图形；
步骤S200，沿第一方向将所述目标版图分为若干第一区；
步骤S300，获取每个所述第一区的位置信息；
步骤S400，根据每个所述第一区的位置信息获取该第一区的第一模型；
步骤S500，根据所述第一模型获取所述第一区内的每个所述主图形周围的辅助图形的图形参数；
步骤S600，根据每个所述主图形的辅助图形的图形参数，在每个主图形周围设置所述主图形的辅助图形。
以下结合附图进行详细说明。
图2至图6是本发明实施例的掩膜版图形的修正方法的各步骤结构示意图。
请参考图2，提供目标版图100，所述目标版图100包括若干主图形110。
所述目标版图100用于形成掩膜版版图，所述掩膜版版图包括若干掩膜版图形。
所述主图形110用于形成掩膜版图形，且在将掩膜版版图转移至晶圆的光刻过程中，以所述主图形110形成的掩膜版图形，是需要被曝光的掩膜版图形。
需要说明的是，图2仅示例性的表示若干主图形110中的一个，各主图形110的形状可以不相同。
请参考图3，沿第一方向X将所述目标版图100分为若干第一区I。
在本实施例中，将所述目标版图100分为若干第一区I后，所述目标版图100沿第一方向X包括第1个第一区I、第2个第一区I、……、第i个第一区I和第i+1个第一区I。
在本实施例中，在沿所述第一方向X上，每个所述第一区I具有相同的宽度M。
在另一实施例中，在沿所述第一方向上，各个第一区具有不同的宽度。
所述第一方向X为预设方向，且在后续的光刻工艺中，沿所述第一方向X上的不同的入射点，以具有不同方位角的入射光对掩膜版进行曝光，以将所述掩膜版的图形转移至晶圆。
需要说明的是，在光刻工艺中，入射至掩膜版的入射光与垂直于掩膜版表面的法线具有固定的夹角，所述夹角为所述入射光的入射角，同时，入射光能够以围着所述法线旋转的方式，与所述第一方向X具有不同的方位角，具体请参考图4。
请参考图4，图4是入射至掩膜版的入射光线的结构示意图，在光刻工艺中，入射光入射至掩膜版，从而，对所述掩膜版图形曝光，以将所述掩膜版的图形转移至晶圆。
需要说明的是，图4中示意性的表示出了入射光中的一根入射光线Q，并且示意性的表示出入射点U所在的掩膜版中的入射面T，以便于对所述入射光的入射角和方位角进行说明。
入射光线Q入射至掩膜版中的入射点U，所述入射光线Q与垂直于入射面T的法线NL之间具有固定的夹角α，所述夹角α为所述入射光线Q的入射角。
所述入射光线Q在所述入射面T具有投影F，所述投影F与所述第一方向X之间具有夹角ω，所述夹角ω为所述入射光线Q的方位角。
当所述入射光线Q围着所述法线NL旋转时，所述入射光线Q在所述入射面T具有不同的投影F，以及不同的夹角ω，即所述入射光线Q能够以围着所述法线NL旋转的方式，与所述第一方向X具有不同的方位角。
所述夹角ω(入射光线Q的方位角)根据沿所述第一方向X上不同的入射位置(沿第一方向X上的不同的入射点)而不同，即，沿第一方向X上的入射点的位置决定入射光线Q的方位角。
综上，入射至掩膜版的入射光与垂直于掩膜版表面的法线具有固定的夹角，同时，入射光能够以围着所述法线旋转的方式，与所述第一方向X具有不同的方位角。
请参考图5，获取每个所述第一区I的位置信息。
获取每个所述第一区I的位置信息的方法包括：设置坐标轴，所述坐标轴包括沿所述第一方向X的第一坐标轴X1；获取每个所述第一区I的中心点103在所述第一坐标轴X1上的坐标。
需要说明的是，图5中仅示意性的表示出第i个第一区I的中心点103。
在本实施例中，以所述目标版图第1个第一区I的起始位置为所述第一坐标轴X1的零点。
以所述第i个第一区I的中心点103为例，在本实施例中，由于各个第一区I的宽度均为M，因此所述中心点103在所述第一坐标轴X1的坐标CP为(i-1+1/2)×M。
在本实施例中，各所述第一区I的中心点103在所述第一坐标轴X1上的坐标CP，为各所述第一区I在所述第一坐标轴X1上的位置信息。
在其他实施例中，各所述第一区的起始位置的坐标或者各所述第一区的结束位置的坐标为各所述第一区在第一坐标轴上的位置信息。
请参考图6，图6是图5中第i个第一区中一个主图形及其辅助图形的结构示意图，根据每个所述第一区I的位置信息获取该第一区I的第一模型；根据所述第一模型获取所述第一区I内的每个所述主图形110周围的辅助图形的图形参数。
所述第一模型包括对所述第一区I内的目标版图100进行曝光的光场信息，所述光场信息包括入射光的方位角。
每个所述第一区I的第一模型为，该所述第一区I中的每个主图形110的工艺窗口参数与该主图形110的辅助图形120的图形参数之间的函数关系，所述函数关系由所述光场信息确定，同时，由于所述光场信息中的入射光的方位角随着入射点位置不同而不同，即所述方位角由入射点在所述第一坐标轴X1的坐标确定，因此，通过确定每个所述第一区I的位置信息，能够确定每个所述第一区I的第一模型。
在另一实施例中，所述光场信息还包括入射光的光强信息。
一方面，由于沿第一方向X将所述目标版图100分为若干第一区I，并根据每个所述第一区I的位置信息获取该第一区I的第一模型，因此，针对沿所述第一方向X光场信息变化的情况，即，针对在第一方向X上的不同位置，入射光的强度、方位角不同的情况，所述第一模型包括的光场信息更准确，即，所述第一模型中包括了更准确的所述第一区I的光场信息。另一方面，由于根据所述第一模型获取所述第一区I内的每个所述主图形110周围的辅助图形的图形参数，因此，能够针对具有不同的强度和方位角的入射光，调整所述辅助图形的图形参数，以在后续曝光过程中，减小所述辅助图形的实际的有效关键尺寸，从而增加辅助图形的有效关键尺寸与主图形的关键尺寸的大小差距，以降低辅助图形被曝光的几率，使辅助图形不易被曝光。
在本实施例中，具体而言，以所述第i个第一区I为例，根据中心点103在所述第一坐标轴X1上的坐标CP，获取入射点为中心点103的入射光的方位角角度，并且，根据入射点为中心点103的入射光的方位角角度，确定所述第i个第一区I的第一模型。
需要说明的是，将所述目标版图100分为若干第一区I时，所述第一区I的数量越多，即所述第一区I的宽度M越小，入射至所述第一区I内各个入射点的入射光的方位角，与以所述中心点103为入射点获取的入射光的方位角越接近，因此，通过增加第一区I的数量，能够提高后续以第一模型的准确性。
在本实施例中，每个所述主图形110的辅助图形包括若干散射条120，每个所述散射条120包括长边和短边。
所述辅助图形用于对入射光起散射作用，而不用于在光刻胶上形成图像。
继续以所述第i个第一区I为例，第i个所述第一区I的每个主图形110的第一模型包括：PWi＝F(Φi，Wi，Oi，Li，Pi)，并且所述Wi大于或等于掩膜限制规则(Mask Rule Check，MRC)，即：
Figure BDA0002359976220000111
所述PWi为对应所述第i个第一区I的每个主图形110的工艺窗口大小的工艺窗口参数，所述Φi、Wi、Oi、Li和Pi均为所述第i个第一区的每个主图形110的若干散射条的图形参数。
所述图形参数Φi为所述若干散射条120中每个散射条120的长边与所述第一方向X的夹角，所述图形参数Wi为所述若干散射条120中每个散射条120的短边的边长，所述图形参数Oi为所述若干散射条120中每个散射条120的对称中心与该主图形110轮廓之间的最小间距，所述图形参数Li为所述若干散射条120中每个散射条120的长边的边长，所述图形参数Pi为所述若干散射条120的周期。
所述散射条120的周期Pi，是指以所述周期Pi所示数量的具有上述图形参数Φi、Wi、Oi、Li的散射条120，平均分布于所述主图形110的周围。
在本实施例中，所述图形参数Pi包括图形参数Pi1和图形参数Pi2，所述图形参数Pi1为与该主图形的长边相邻的辅助图形的周期，所述图形参数Pi2为与该主图形的短边相邻的辅助图形的周期。
具体而言，所述图形参数Pi1是指，以所述周期Pi1所示数量的具有上述图形参数Φi、Wi、Oi、Li的散射条120，平均分布于所述主图形110的长边的周围；所述图形参数Pi2是指，以所述周期Pi2所示数量的具有上述图形参数Φi、Wi、Oi、Li的散射条120，平均分布于所述主图形110的短边的周围。
所述掩膜限制规则是指，设计掩膜版图形时，用于限制所述主图形110和辅助图形的关键尺寸、图形间的间距等尺寸。
在本实施例中，根据所述第一模型获取所述主图形110的辅助图形的图形参数的方法包括：通过计算工艺窗口参数PWi关于图形参数Φi在零值时的偏导数，获取所述图形参数Φi的数值；通过计算工艺窗口参数PWi关于图形参数Wi在零值时的偏导数，获取所述图形参数Wi的数值；通过计算工艺窗口参数PWi关于图形参数Oi在零值时的偏导数，获取所述图形参数Oi的数值；通过计算工艺窗口参数PWi关于图形参数Li在零值时的偏导数，获取所述图形参数Li的数值；通过计算工艺窗口参数PWi关于图形参数Pi在零值时的偏导数，获取所述图形参数Pi的数值。即：
Figure BDA0002359976220000131
从而，通过计算工艺窗口参数PWi关于各图形参数在零值时的偏导数，即，通过同时计算工艺窗口参数PWi在极值时，各图形参数在零值时的偏导数，能够获取使所述工艺窗口参数PWi达到最大时，图形参数Φi、图形参数Wi、图形参数Oi、图形参数Li、图形参数Pi1和图形参数Pi2的数值。
由于当所述散射条120的长边与入射光之间的夹角Φi越接近直角，所述散射条120的有效关键尺寸越小，所述散射条120越不易被曝光，越有利于增大工艺窗口。因此，通过计算工艺窗口参数PWi关于Φi在零值时的偏导数，即，通过计算在工艺窗口最大时的图形参数Φi，能够使后续设置的所述散射条的长边与所述第i个第一区的入射光之间的夹角为直角或接近直角，即，图形参数Φi的数值为所述散射条最不易被曝光时的图形参数Φi的数值，从而，通过图形参数Φi的数值设置所述散射条120，能够实现减小所述辅助图形的实际的有效关键尺寸，增加散射条120的有效关键尺寸与主图形110的关键尺寸的大小差距，降低辅助图形被曝光的几率，使辅助图形不易被曝光。
同时，由于主图形120的工艺窗口达到最大，因此，不仅所述获取的图形参数Φi，所述图形参数Wi、图形参数Oi、图形参数Li、图形参数Pi1和图形参数Pi2的数值也为最能有效增大所述主图形120的工艺窗口的数值，即，所述散射条120最不易被曝光时的数值。
需要说明的是，所述OPT是指在所述工艺窗口参数PWi最大时的各所述图形参数，即，主图形120的工艺窗口达到最大时各所述图形参数的数值。
在另一实施例中，所述图形参数Wi、图形参数Oi、图形参数Li和图形参数Pi均为预设值，根据所述第一模型获取所述主图形的辅助图形的图形参数的方法包括：通过计算工艺窗口参数PWi关于图形参数Φi在零值时的导数，获取所述图形参数Φi的数值。
在另一实施例中，所述图形参数Oi、图形参数Li和图形参数Pi均为预设值，根据所述第一模型获取所述主图形的辅助图形的图形参数的方法包括：通过计算工艺窗口参数PWi关于图形参数Φi在零值时的偏导数，获取所述图形参数Φi的数值；通过计算工艺窗口参数PWi关于图形参数Wi在零值时的偏导数，获取所述图形参数Wi的数值。
在另一实施例中，所述图形参数Oi、图形参数Li和图形参数Pi中的一者或两者为预设值，根据所述第一模型获取所述主图形的辅助图形的图形参数的方法包括：通过分别计算工艺窗口参数PWi关于图形参数Oi、图形参数Li和图形参数Pi中为变量的图形参数在零值时的偏导数，获取所述图形参数的数值。
获取所述辅助图形的图形参数后，根据每个所述主图形110的辅助图形的图形参数，在每个主图形110周围设置所述主图形110的辅助图形。
在本实施例中，直接以获取的图形参数Wi、图形参数Oi、图形参数Li、图形参数Pi1和图形参数Pi2设置所述辅助图形，即所述散射条120。
在另一实施例中，在每个主图形周围设置所述主图形的辅助图形的方法还包括：当所述图形参数Φi小于22.5°或等于22.5°或大于157.5°时，以图形参数Φi为0°设置所述主图形的辅助图形；当所述图形参数Φi大于22.5°且小于或等于67.5°时，以图形参数Φi为45°设置所述主图形的辅助图形；当图形参数所述Φi大于67.5°且小于或等于112.5°时，以图形参数Φi为90°设置所述主图形的辅助图形；当所述图形参数Φi大于112.5°且小于或等于157.5°时，以图形参数Φi为135°设置所述主图形的辅助图形。
从而，所述图形参数Φi仅有0°、45°、90°和135°四种情况，在减少所述散射条120被曝光的可能性的同时，降低了后续掩膜版的形成工艺的复杂程度。
在另一实施例中，所述散射条220(如图7所示)的长边的形状为锯齿状，所述锯齿状长边中的锯齿由若干平行于所述第一方向X的第一边221，以及若干垂直于所述第一方向X的第二边222构成，所述第一边221与所述第二边222首尾相连，且所述锯齿状长边的两端端点的连线与所述第一方向X之间的夹角，为所述图形参数Φi。
在本实施例中，所述图形参数Wi的范围为5纳米～30纳米。
在本实施例中，在每个主图形110周围设置所述主图形110的辅助图形后，对所述目标版图100进行光学临近修正。
虽然本发明披露如上，但本发明并非限定于此。任何本领域技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，均可作各种更动与修改，因此本发明的保护范围应当以权利要求所限定的范围为准。

Claims (23)

1.一种掩膜版图形的修正方法，其特征在于，包括：
提供目标版图，所述目标版图包括若干主图形；
沿第一方向将所述目标版图分为若干第一区；
获取每个所述第一区的位置信息；
根据每个所述第一区的位置信息获取该第一区的第一模型；
根据所述第一模型获取所述第一区内的每个所述主图形周围的辅助图形的图形参数；
根据每个所述主图形的辅助图形的图形参数，在每个主图形周围设置所述主图形的辅助图形。
2.如权利要求1所述的掩膜版图形的修正方法，其特征在于，获取每个所述第一区的位置信息的方法包括：设置坐标轴，所述坐标轴包括沿所述第一方向的第一坐标轴；获取每个所述第一区的中心点在所述第一坐标轴上的坐标。
3.如权利要求2所述的掩膜版图形的修正方法，其特征在于，所述第一模型包括对所述第一区内的目标版图进行曝光的光场信息，所述光场信息包括入射光的方位角。
4.如权利要求3所述的掩膜版图形的修正方法，其特征在于，每个所述主图形的辅助图形包括若干散射条，每个所述散射条包括长边和短边；第i个所述第一区的每个主图形的第一模型包括：PWi＝F(Φi，Wi，Oi，Li，Pi)，并且所述Wi大于或等于掩膜限制规则，所述PWi为对应所述第i个第一区的每个主图形的工艺窗口大小的工艺窗口参数，所述Φi、Wi、Oi、Li和Pi均为所述第i个第一区的每个主图形的若干散射条的图形参数，所述图形参数Φi为所述若干散射条中每个散射条的长边与所述第一方向的夹角，所述图形参数Wi为所述若干散射条中每个散射条的短边的边长，所述图形参数Oi为所述若干散射条中每个散射条的对称中心与该主图形轮廓之间的最小间距，所述图形参数Li为所述若干散射条中每个散射条的长边的边长，所述图形参数Pi为所述若干散射条的周期。
5.如权利要求4所述的掩膜版图形的修正方法，其特征在于，所述图形参数Wi、图形参数Oi、图形参数Li和图形参数Pi均为预设值，根据所述第一模型获取所述主图形的辅助图形的图形参数的方法包括：通过计算工艺窗口参数PWi关于图形参数Φi在零值时的导数，获取所述图形参数Φi的数值。
6.如权利要求4所述的掩膜版图形的修正方法，其特征在于，所述图形参数Oi、图形参数Li和图形参数Pi均为预设值，根据所述第一模型获取所述主图形的辅助图形的图形参数的方法包括：通过计算工艺窗口参数PWi关于图形参数Φi在零值时的偏导数，获取所述图形参数Φi的数值；通过计算工艺窗口参数PWi关于图形参数Wi在零值时的偏导数，获取所述图形参数Wi的数值。
7.如权利要求4所述的掩膜版图形的修正方法，其特征在于，所述图形参数Oi、图形参数Li和图形参数Pi中的一者或两者为预设值，根据所述第一模型获取所述主图形的辅助图形的图形参数的方法包括：通过分别计算工艺窗口参数PWi关于图形参数Oi、图形参数Li和图形参数Pi中为变量的图形参数在零值时的偏导数，获取所述图形参数的数值。
8.如权利要求4所述的掩膜版图形的修正方法，其特征在于，根据所述第一模型获取所述主图形的辅助图形的图形参数的方法包括：通过计算工艺窗口参数PWi关于图形参数Φi在零值时的偏导数，获取所述图形参数Φi的数值；通过计算工艺窗口参数PWi关于图形参数Wi在零值时的偏导数，获取所述图形参数Wi的数值；通过计算工艺窗口参数PWi关于图形参数Oi在零值时的偏导数，获取所述图形参数Oi的数值；通过计算工艺窗口参数PWi关于图形参数Li在零值时的偏导数，获取所述图形参数Li的数值；通过计算工艺窗口参数PWi关于图形参数Pi在零值时的偏导数，获取所述图形参数Pi的数值。
9.如权利要求5所述的掩膜版图形的修正方法，其特征在于，在每个主图形周围设置所述主图形的辅助图形的方法还包括：当所述图形参数Φi小于22.5°或等于22.5°或大于157.5°时，以图形参数Φi为0°设置所述主图形的辅助图形；当所述图形参数Φi大于22.5°且小于或等于67.5°时，以图形参数Φi为45°设置所述主图形的辅助图形；当图形参数所述Φi大于67.5°且小于或等于112.5°时，以图形参数Φi为90°设置所述主图形的辅助图形；当所述图形参数Φi大于112.5°且小于或等于157.5°时，以图形参数Φi为135°设置所述主图形的辅助图形。
10.如权利要求6所述的掩膜版图形的修正方法，其特征在于，在每个主图形周围设置所述主图形的辅助图形的方法还包括：当所述图形参数Φi小于22.5°或等于22.5°或大于157.5°时，以图形参数Φi为0°设置所述主图形的辅助图形；当所述图形参数Φi大于22.5°且小于或等于67.5°时，以图形参数Φi为45°设置所述主图形的辅助图形；当图形参数所述Φi大于67.5°且小于或等于112.5°时，以图形参数Φi为90°设置所述主图形的辅助图形；当所述图形参数Φi大于112.5°且小于或等于157.5°时，以图形参数Φi为135°设置所述主图形的辅助图形。
11.如权利要求7所述的掩膜版图形的修正方法，其特征在于，在每个主图形周围设置所述主图形的辅助图形的方法还包括：当所述图形参数Φi小于22.5°或等于22.5°或大于157.5°时，以图形参数Φi为0°设置所述主图形的辅助图形；当所述图形参数Φi大于22.5°且小于或等于67.5°时，以图形参数Φi为45°设置所述主图形的辅助图形；当图形参数所述Φi大于67.5°且小于或等于112.5°时，以图形参数Φi为90°设置所述主图形的辅助图形；当所述图形参数Φi大于112.5°且小于或等于157.5°时，以图形参数Φi为135°设置所述主图形的辅助图形。
12.如权利要求8所述的掩膜版图形的修正方法，其特征在于，在每个主图形周围设置所述主图形的辅助图形的方法还包括：当所述图形参数Φi小于22.5°或等于22.5°或大于157.5°时，以图形参数Φi为0°设置所述主图形的辅助图形；当所述图形参数Φi大于22.5°且小于或等于67.5°时，以图形参数Φi为45°设置所述主图形的辅助图形；当图形参数所述Φi大于67.5°且小于或等于112.5°时，以图形参数Φi为90°设置所述主图形的辅助图形；当所述图形参数Φi大于112.5°且小于或等于157.5°时，以图形参数Φi为135°设置所述主图形的辅助图形。
13.如权利要求5所述的掩膜版图形的修正方法，其特征在于，所述散射条的长边的形状为锯齿状，所述锯齿状长边中的锯齿由若干平行于所述第一方向的第一边，以及若干垂直于所述第一方向的第二边构成，所述第一边与所述第二边首尾相连，且所述锯齿状长边的两端端点的连线与所述第一方向之间的夹角，为所述图形参数Φi。
14.如权利要求6所述的掩膜版图形的修正方法，其特征在于，所述散射条的长边的形状为锯齿状，所述锯齿状长边中的锯齿由若干平行于所述第一方向的第一边，以及若干垂直于所述第一方向的第二边构成，所述第一边与所述第二边首尾相连，且所述锯齿状长边的两端端点的连线与所述第一方向之间的夹角，为所述图形参数Φi。
15.如权利要求7所述的掩膜版图形的修正方法，其特征在于，所述散射条的长边的形状为锯齿状，所述锯齿状长边中的锯齿由若干平行于所述第一方向的第一边，以及若干垂直于所述第一方向的第二边构成，所述第一边与所述第二边首尾相连，且所述锯齿状长边的两端端点的连线与所述第一方向之间的夹角，为所述图形参数Φi。
16.如权利要求8所述的掩膜版图形的修正方法，其特征在于，所述散射条的长边的形状为锯齿状，所述锯齿状长边中的锯齿由若干平行于所述第一方向的第一边，以及若干垂直于所述第一方向的第二边构成，所述第一边与所述第二边首尾相连，且所述锯齿状长边的两端端点的连线与所述第一方向之间的夹角，为所述图形参数Φi。
17.如权利要求4所述的掩膜版图形的修正方法，其特征在于，当第i个所述第一区中的与所述第一模型对应的主图形为长方形时，所述图形参数Pi包括图形参数Pi1和图形参数Pi2，所述图形参数Pi1为与该主图形的长边相邻的辅助图形的周期，所述图形参数Pi2为与该主图形的短边相邻的辅助图形的周期。
18.如权利要求5所述的掩膜版图形的修正方法，其特征在于，当第i个所述第一区中的与所述第一模型对应的主图形为长方形时，所述图形参数Pi包括图形参数Pi1和图形参数Pi2，所述图形参数Pi1为与该主图形的长边相邻的辅助图形的周期，所述图形参数Pi2为与该主图形的短边相邻的辅助图形的周期。
19.如权利要求6所述的掩膜版图形的修正方法，其特征在于，当第i个所述第一区中的与所述第一模型对应的主图形为长方形时，所述图形参数Pi包括图形参数Pi1和图形参数Pi2，所述图形参数Pi1为与该主图形的长边相邻的辅助图形的周期，所述图形参数Pi2为与该主图形的短边相邻的辅助图形的周期。
20.如权利要求7所述的掩膜版图形的修正方法，其特征在于，当第i个所述第一区中的与所述第一模型对应的主图形为长方形时，所述图形参数Pi包括图形参数Pi1和图形参数Pi2，所述图形参数Pi1为与该主图形的长边相邻的辅助图形的周期，所述图形参数Pi2为与该主图形的短边相邻的辅助图形的周期。
21.如权利要求8所述的掩膜版图形的修正方法，其特征在于，当第i个所述第一区中的与所述第一模型对应的主图形为长方形时，所述图形参数Pi包括图形参数Pi1和图形参数Pi2，所述图形参数Pi1为与该主图形的长边相邻的辅助图形的周期，所述图形参数Pi2为与该主图形的短边相邻的辅助图形的周期。
22.如权利要求4所述的掩膜版图形的修正方法，其特征在于，所述图形参数Wi的范围为5纳米～30纳米。
23.如权利要求1所述的掩膜版图形的修正方法，其特征在于，在每个主图形周围设置所述主图形的辅助图形后，对所述目标版图进行光学临近修正。
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