TWI617878B - 用於計量目標製造之方法、計量目標及其製造設備、微影系統、遮罩、經曝光阻抗層及目標設計檔案 - Google Patents

用於計量目標製造之方法、計量目標及其製造設備、微影系統、遮罩、經曝光阻抗層及目標設計檔案 Download PDF

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Abstract

本發明揭示設計阻抗層以增強製造準確性之方法以及各別層、設計檔案及計量目標。藉由設計組態毗鄰於具有間距及臨界尺寸(CD)之(若干)分段特徵之(若干)連續或均勻特徵以在曝光後旋即以與該(等)分段特徵相同之間距及比該(等)分段特徵小之CD分段，以在經曝光抗蝕劑之顯影後旋即產生(若干)各別未分段連續特徵。該所揭示方法允許製造與裝置設計規則相容且與曝光系統之光學約束相容之成像及散射量測目標，而不造成該等所製造目標之對比度損失。可根據在該製造中使用之微影工具之特定特性而精細調諧該等方法。

Description

用於計量目標製造之方法、計量目標及其製造設備、微影系統、遮罩、經曝光阻抗層及目標設計檔案 相關申請案之交叉參考
本申請案主張於2013年7月15日提出申請之美國臨時專利申請案第61/846,609號之權益，該美國臨時專利申請案以全文引用方式併入本文中。
本發明係關於計量領域，且更特定而言，係關於計量目標製造。
以全文引用方式併入本文中之美國專利公開案第US2011/0028004號揭示在判定覆蓋誤差中使用之標記包括子特徵，該等子特徵具有近似等於產品特徵之最小間距之最小間距。對變形及畸變之靈敏度與針對產品特徵之靈敏度類似。當將標記顯影時，該等子特徵合併且形成較大特徵之輪廓。
本發明之一項態樣提供一種方法，該方法包括：在計量目標之至少一個層中設計毗鄰於具有間距及臨界尺寸(CD)之至少一個分段特徵之至少一個連續特徵，以在曝光後旋即以相對於該毗鄰至少一個分段特徵之相同間距及較小CD分段，以在將經曝光設計之顯影後旋即產生至少一個各別未分段連續特徵。
在以下之詳細說明中闡明、有可能可自詳細說明推斷及/或可藉 由實踐本發明獲悉本發明之此等、額外及/或其他態樣及/或優點。
80‧‧‧阻抗層/阻抗步驟/抗蝕劑
80A‧‧‧抗蝕劑材料/經遮蔽抗蝕劑材料
80B‧‧‧抗蝕劑材料/經曝光抗蝕劑材料
88‧‧‧寬(大CD)遮罩元件/遮罩設計/薄(小CD)遮罩元件/遮罩
89‧‧‧輻射
90‧‧‧曝光狀態/曝光步驟/經曝光特徵
91‧‧‧至少一個分段特徵/特徵/分段特徵/設計
92‧‧‧經設計特徵
95‧‧‧段
98‧‧‧顯影
98A‧‧‧至少一個分段特徵/經顯影特徵
98B‧‧‧至少一個連續特徵/連續特徵/至少一個各別未分段連續特徵
98C‧‧‧顯影/連續特徵
99‧‧‧成像量測/量測步驟/量測/成像或散射量測
99A‧‧‧分段特徵/特徵
99B‧‧‧連續特徵/特徵
100‧‧‧經曝光設計/設計/曝光階段
100A‧‧‧初始曝光
100B‧‧‧後續曝光
110‧‧‧至少一個連續特徵/連續特徵/特徵/經曝光抗蝕劑特徵/經曝光特徵
115‧‧‧切割遮罩
P‧‧‧間距
CD‧‧‧臨界尺寸
CD1‧‧‧臨界尺寸
CD2‧‧‧較小臨界尺寸
為更好地理解本發明之實施例及展示可如何實施本發明，現在將僅以實例方式參考附圖，在附圖通篇中，相似元件符號指示對應元件或區段。
在附圖中：
圖1A至圖1C示意性地圖解說明常見設計(圖1A)、其他先前技術設計(圖1B)及根據本發明之某些實施例之特徵設計(圖1C)中之阻抗層之曝光狀態及顯影狀態。
圖2至圖4係根據本發明之某些實施例用於製造計量目標之阻抗層上之區域之高階示意性圖解說明。
圖5係圖解說明根據本發明之某些實施例之方法之高階流程圖。
在闡明詳細說明之前，闡明將在下文中使用之特定術語之定義可係有幫助的。
如在本申請案中本文所使用之術語「計量目標」或「目標」被定義為出於計量目的使用之在晶圓上設計或製造之任何結構。計量目標之非限制性實例係：成像目標，諸如盒中盒(BiB)目標、AIM目標(進階成像計量)、AIMid目標、Blossom目標、其變化形式及其替代形式，以及散射量測目標，諸如週期性結構(例如，光柵)，如SCOL(散射量測覆蓋)目標及其替代形式、DBO(基於繞射之覆蓋)目標及其變化形式等。
如在本申請案中本文所使用之術語「目標特徵」係指大體具有均勻性或週期性性質之目標之部分(諸如，分段或未分段區域)。週期性特徵亦被稱為分段特徵。術語「連續特徵」係指在空間意義上係連續的並均勻地覆蓋目標之區域之未分段特徵。如在本申請案中本文可 互換地使用之術語「連續特徵」、「空白區域」或「完整條」被定義為具有相對於典型裝置特徵係大的之尺寸之連續目標特徵。雖然大部分闡述係指作為目標設計中之連續特徵之空白區域，但明顯注意到，類似設計原則適用於作為連續特徵之完整條且各別目標同樣地係所揭示之發明之部分。
相對於阻抗層，如在本申請案中本文所使用之術語「曝光」及「顯影」係指涉及將阻抗層曝光於穿過遮罩之輻射(「曝光」)以及取決於抗蝕劑之類型(亦即，其是否係正性抗蝕劑或負性抗蝕劑)分別地移除經曝光或未經曝光抗蝕劑材料(「顯影」)之阻抗層之製造步驟。如在本申請案中本文所使用之術語「量測」係指對使用所揭示之阻抗層製造之目標之任何未來成像或散射量測之量測。
現詳細地參照具體附圖，應強調，所展示細節僅作為實例並且僅出於說明性論述本發明之較佳實施例之目的，並且是為了提供認為最有用之內容以及為了使本發明之原理及概念方面之闡述易於理解而提出。為此，所展示本發明結構細節的詳細程度僅為基本理解本發明所必需的，結合附圖進行的說明可使所屬領域技術人員明瞭如何在實踐中體現本發明的若干種形式。
在詳細地闡釋本發明之至少一項實施例之前，應理解，本發明在其應用上並不限於在以下闡述中所闡明或在以下圖式中所圖解說明之構造之細節及組件之配置。本發明適用於其他實施例或以各種方式實踐或實施。同樣，應理解，本文中所採用之措辭及術語係出於闡述目的且不應被視為具有限制性。
揭示設計阻抗層以增強製造準確性之方法，以及各別層、設計檔案及計量目標。藉由設計組態毗鄰於具有間距及臨界尺寸(CD)之(若干)分段特徵之(若干)連續或均勻特徵以在曝光後旋即以與該(等)分段特徵相同之間距及比該(等)分段特徵小之CD分段，以在經曝光抗 蝕劑之顯影後旋即產生(若干)各別未分段連續特徵。所揭示方法允許製造與裝置設計規則相容且與曝光系統之光學約束相容之成像及散射量測目標，而無所製造目標之對比度損失。該方法可根據在製造中使用之微影工具之特定特性而經精細調諧。
圖1A至圖1C示意性地圖解說明不同抗蝕劑特徵之曝光狀態90及顯影狀態98。在圖1A之左側呈現與本發明有關之微影程序之示意性概述。所揭示發明係關於微影程序中之阻抗層80之製造。具體而言，阻抗層在(例如)旋轉程序中沈積於晶圓上(指示為阻抗步驟80)，且然後曝光於穿過遮罩88之輻射89以形成各別圖案(指示為曝光步驟90或圖案化)。輻射將經曝光抗蝕劑材料改質且取決於抗蝕劑之類型決定抗蝕劑材料80A、80B在後續顯影步驟98期間之差別移除。在所圖解說明之非限制性實例中，阻抗層80被繪示為正性的，亦即，藉由顯影98移除經曝光抗蝕劑材料80B而保留經遮蔽抗蝕劑材料80A。當所製造結構係計量目標時，繼而發生量測步驟99，其中執行成像及/或散射量測之量測。在圖1A至圖1C中之每一者中，左手側圖解說明示意性展示曝光步驟90及顯影階段98之剖面，而右手側圖解說明示意性圖示在施加曝光步驟90及顯影階段98之後之阻抗層之俯視圖。
表示先前技術之圖1A圖解說明在具有間距p及臨界尺寸CD之經設計特徵91中之段95，段95經曝光90且經顯影98以本質上展現相同間距p及典型臨界尺寸CD(亦即，經顯影特徵98A依據所設計的進行分段)。
圖1B圖解說明具有間距p及臨界尺寸CD之經設計特徵92中之段95，該臨界尺寸CD明顯地大於經設計特徵91中之臨界尺寸CD。在顯影98之後，經曝光特徵90之段95旋即合併以產生連續特徵98B。段95之合併由無法正確地顯影之高CD/間距比率引起。如在剖面圖解說明中所圖解說明，寬(大CD)遮罩元件88防止寬段之間之抗蝕劑材料之顯 著曝光，因此保持未經顯影。此設計在先前技術中教示，例如，在美國專利公開案第2011/0028004號中教示，其教示使用此圖案化來製造散射量測目標。
與在圖1A及圖1B中所圖解說明之情形相反，圖1C揭示形成具有與設計91中相同之間距p但比設計91中顯著地小之CD之段之經曝光抗蝕劑特徵110之遮罩設計88。經曝光特徵110之顯影98C造成無分段之連續特徵。如在剖面圖解說明中所圖解說明，薄(小CD)遮罩元件88不有效地遮蔽下伏抗蝕劑區域，該等下伏抗蝕劑區域隨後經顯影及移除以產生連續特徵98C。有利地，此設計由於段間距不改變而保持連續特徵上方之段之空間頻率，且因此在影響與相同光瞳面位置及空間頻率相互關聯之相同照射角之相同透鏡區域上方經曝光。此設計因此在抗蝕劑之曝光期間維持均勻光學效能且因此，避免尤其沿著毗鄰分段特徵之邊緣(見下文)之光學像差，而顯影98仍產生具有遵守成像及散射量測要求之尺寸之經顯影特徵89C。
圖2係根據本發明之某些實施例在經製造計量目標中之阻抗層上之區域之高階示意性圖解說明。顯影98處之阻抗層可包括具有至少一個連續特徵98B(中心圖解說明中之加影線區域表示取決於抗蝕劑80之類型可係完整的或空白的之連續特徵(亦即，間隙))之至少一個層，連續特徵98B毗鄰於具有間距及臨界尺寸CD1之至少一個分段特徵98A。可藉由設計100組態至少一個連續特徵98B以在曝光後旋即以相對於毗鄰至少一個分段特徵91之相同間距p及較小CD2(其小於CD1)分段，以在經曝光設計100之顯影98後旋即產生至少一個各別未分段連續特徵98B。在各別目標區域之成像量測99之後，分段特徵99A及(若干)連續特徵99B兩者旋即顯現為連續的並提供足夠成像對比度。在圖2中，至少一個連續特徵110及毗鄰至少一個分段特徵91沿著其短側分段。
圖3係根據本發明之某些實施例在經製造計量目標中之阻抗層上之區域之高階示意性圖解說明。顯影98處之阻抗層可包括具有至少一個連續特徵98B(中心圖解說明中之加影線區域表示取決於抗蝕劑80之類型可係完整的或空白的之連續特徵(亦即，間隙))之至少一個層，連續特徵98B毗鄰於具有間距及臨界尺寸CD1之至少一個分段特徵98A。可藉由設計100組態至少一個連續特徵98B以在曝光後旋即以相對於毗鄰至少一個分段特徵91之相同間距p及較小CD2(其小於CD1)分段，以在經曝光設計100之顯影98後旋即產生至少一個各別未分段連續特徵98B。在各別目標區域之散射量測之量測99之後，分段特徵99A及(若干)連續特徵99B兩者旋即將照射繞射為連續特徵並提供足夠準確之散射量測結果。在圖3中，至少一個連續特徵110及毗鄰至少一個分段特徵91沿著其長側分段。
在圖2、圖3中圖解說明之阻抗層80以及根據所揭示原理設計之阻抗層可用以成像及/或散射量測目標。在特定非限制性實施例中，使用具有在圖2中圖解說明之特徵之阻抗層80製造之計量目標可設計為成像目標，而使用具有在圖3中圖解說明之特徵之阻抗層80製造之計量目標設計為散射量測目標。所揭示目標維持特徵99A、99B之間之對比度且仍然遵守裝置設計規則，並且在曝光階段100期間提供準確圖案化且由此展現特徵邊緣之準確製造。
特定實施例提供利用諸如掃描機之印刷能力之製造限制來使用特徵之裝置尺寸分段及特徵之間的目標尺寸對比度兩者之特徵設計。可使用根據所揭示原理設計之阻抗層80設計及製造任何數目個目標層。
在特定實施例中，連續特徵110中之段95之CD(CD2)係毗鄰分段特徵之CD(CD1)之約一半或更小。舉例而言，CD2對於P約80nm可在10nm至20nm之間，此取決於(有可能)特定工具之在逐案例基礎上用 實驗方法決定之曝光及顯影參數。在特定實施例中，根據製造工具效能用實驗方法決定連續特徵110中之段95之CD(CD2)。
圖4係根據本發明之某些實施例用於製造計量目標之阻抗層上之區域之高階示意性圖解說明。顯影處之阻抗層可包括具有毗鄰於具有間距及臨界尺寸CD之至少一個分段特徵91之至少一個連續特徵之至少一個層。可藉由設計110組態該至少一個連續特徵以在初始曝光100A後旋即以相對於毗鄰至少一個分段特徵91之相同間距p及相同CD分段，並且藉由在後續曝光100B處施加切割遮罩115來連續地移除分段。在成像或散射量測99之後，分段特徵99A及(若干)連續特徵99B兩者顯現為連續的並提供足夠成像對比度及/或準確繞射影像。可係以下任何微影程序之部分之後續曝光100B可應用第二圖案化以自連續特徵移除段95。以此方式，在特徵91、110上無邊緣效應發生直至應用切割遮罩115，此乃因此等特徵以相同分段製造。
注意，與美國專利公開案第2011/0028004號相反，本發明之特定實施例使用在圖1C之意義上之阻抗層之過顯影以產生空白的經完全顯影連續特徵，而美國專利公開案第2011/0028004號教示在圖1B之意義上之阻抗層之欠顯影以產生完整的未經顯影連續特徵。此外，本發明之特定實施例出於成像目的包括完整的連續特徵(例如，使用負性抗蝕劑)，而美國專利公開案第2011/0028004號僅教示散射量測目標。在特定實施例中，本發明包括使用具有CD2>CD1(如在美國專利公開案第2011/0028004號中)但用於在製造成像目標中涉及之阻抗層之段。
本發明之特定實施例包括經曝光阻抗層，在該經曝光阻抗層中，毗鄰於具有間距及臨界尺寸(CD)之至少一個分段特徵之至少一個連續特徵經設計以具有相對於該毗鄰至少一個分段特徵之相同間距及較小CD。舉例而言，較小CD可小於至少一個分段特徵之CD之一半及 /或根據製造工具效能相對於曝光及顯影參數用實驗方法進行決定。經曝光阻抗層可經組態以製造成像目標層及/或散射量測目標之各別層。至少一個連續特徵及毗鄰至少一個分段特徵之設計可沿著其短側或長側進行分段。至少一個連續特徵可係各別至少一個間隙。使用經曝光阻抗層製造之計量目標及經設計以產生經曝光阻抗層之遮罩88同樣地係本發明之部分。
本發明之特定實施例包括經曝光阻抗層，在該經曝光阻抗層中，毗鄰於具有間距及臨界尺寸(CD)之至少一個分段特徵之至少一個連續特徵經設計以具有相對於該毗鄰至少一個分段特徵之相同間距及較小CD。如上文所揭示，亦在遮罩中，較小CD可小於至少一個分段特徵之CD之一半及/或根據製造工具效能相對於曝光及顯影參數用實驗方法進行決定。遮罩可經組態以製造各別成像目標層及/或散射量測目標層。至少一個連續特徵及毗鄰至少一個分段特徵之設計可沿著其短側或長側進行分段。至少一個連續特徵可係各別至少一個間隙。使用遮罩以及經組態以製造計量目標中之任何者之製造設備製造之經曝光阻抗層及計量目標同樣地係本發明之部分。
圖5係圖解說明根據本發明之某些實施例之方法200之高階流程圖。方法200之設計階段可藉由至少一個處理器執行(階段260)，且同樣地在本文中提供包括電腦可讀取儲存媒體(具有經由其體現且經組態以執行設計之電腦可讀取程式)之各別電腦程式產品以及所得之設計檔案。方法200可包括設計階段及製造階段中之任一者或兩者。
方法200可包括：在計量目標之至少一個層中設計毗鄰於具有間距及臨界尺寸(CD)之至少一個分段特徵之至少一個連續特徵，以在曝光後旋即以相對於該毗鄰至少一個分段特徵之相同間距及較小CD分段，以在經曝光設計之顯影後旋即產生至少一個各別未分段連續特徵(階段210)，亦即，在顯影後旋即產生分段之移除。
方法200可包括：在製造計量目標中使用之至少一個阻抗層中設計毗鄰於具有間距及臨界尺寸(CD)之至少一個分段特徵之具有至少一個連續特徵之圖案，以具有相對於該毗鄰至少一個分段特徵之相同間距及較小CD(階段210)，曝光經設計圖案以產生阻抗層(階段215)，以及將經曝光抗蝕劑顯影以產生至少一個各別未分段連續特徵(階段217)。
在特定實施例中，方法200可進一步包括：將較小CD選擇為小於至少一個分段特徵之CD之一半(階段220)。
在特定實施例中，方法200可進一步包括：根據製造工具效能用實驗方法決定較小CD(階段225)。
方法200可包括：將計量目標組態為成像目標(階段230)及/或將計量目標組態為散射量測目標(階段235)。
方法200可包括：設計至少一個連續特徵及毗鄰至少一個分段特徵以沿著其短側分段(階段240)及/或設計至少一個連續特徵及毗鄰至少一個分段特徵以沿著其長側分段(階段245)。可根據所揭示方法200沿不同方向設計目標中之不同特徵。
在特定實施例中，方法200可包括：在製造計量目標中使用之至少一個層中設計毗鄰於具有間距及臨界尺寸(CD)之至少一個分段特徵之具有至少一個連續特徵之圖案，以具有相對於該毗鄰至少一個分段特徵之相同間距及相同CD(階段250)，曝光經設計圖案以產生阻抗層(階段215)，以及將切割遮罩應用於經曝光阻抗層以移除至少一個連續特徵之經設計分段(階段255)。
在特定實施例中，至少一個連續特徵可係各別至少一個間隙。目標設計檔案、經曝光阻抗層及使用方法200之階段製造之計量目標以及經組態執行方法200之製造設備同樣地係本發明之部分。
有利地，所揭示目標及方法展現美國專利公開案第 US2011/0028004號未教示之至少以下態樣：(i)成像目標具有高對比度以及設計規則相容性及光學準確性特徵，(ii)在子裝置CD處(亦即，在低於典型裝置CD之CD處)分段，(iii)利用掃描機之印刷限制，或通常利用製造工具效能包絡之邊界以避免子裝置分段之顯影，以及(iv)藉由切割遮罩移除分段。
在以上闡述中，實施例係本發明之實例或實施方案。多處出現之「一項實施例」、「實施例」、「特定實施例」或「某些實施例」未必皆指相同實施例。
雖然可在單個實施例之內容脈絡中闡述本發明之各個特徵，但該等特徵亦可單獨地或以任何適合組合形式提供。相反地，雖然本文為了清晰起見可在單獨實施例之內容脈絡中闡述本發明，但亦可在單個實施例中實施本發明。
本發明之特定實施例可包含來自上文揭示之不同實施例之特徵，且某些實施例可併入有來自上文揭示之其他實施例之元件。特定實施例之內容脈絡中之本發明之元件之揭示內容不應被視為限制其在特定實施例中之單獨使用。
此外，應理解，可以各種方式執行或實踐本發明且可在除了上文闡述中概述之實施例之外的特定實施例中實施本發明。
本發明並不限於彼等圖式或對應闡述。舉例而言，流程不必穿過每一所圖解說明之方框或狀態，或依與所圖解說明及闡述完全相同之次序。
除非另有定義，否則本文所使用之技術及科學術語之意義通常將如本發明所屬技術中之熟習此項技術者所理解。
雖然已關於有限數目個實施例闡述了本發明，但此等實施例不應被視為對本發明之範疇之限制，相反係較佳實施例中之某些較佳實施例之例證。其他可能之變化形式、修改形式及應用亦在本發明之範 疇內。因此，本發明之範疇應不受至此已闡述之內容限制，而受隨附申請專利範圍及其法定等效形式限制。
80B‧‧‧抗蝕劑材料/經曝光抗蝕劑材料
88‧‧‧寬(大CD)遮罩元件/遮罩設計/薄(小CD)遮罩元件/遮罩
89‧‧‧輻射
90‧‧‧曝光狀態/曝光步驟/經曝光特徵
95‧‧‧段
98‧‧‧顯影
98C‧‧‧顯影/連續特徵
110‧‧‧連續特徵/特徵/經曝光抗蝕劑特徵/經曝光特徵
P‧‧‧間距
CD‧‧‧臨界尺寸

Claims (36)

  1. 一種用於計量目標製造之方法，其包括：以一處理器設計用於一計量目標之製造之一遮罩，其中該遮罩包含一第一分段特徵，其毗鄰於一第二分段特徵，其中該第一分段特徵包含具有一間距及一第一臨界尺寸之多個分段，其中該第二分段特徵包含具有該間距及一第二臨界尺寸之多個分段，該第二臨界尺寸不同於該第一臨界尺寸，其中選擇該第一臨界尺寸使得該第一分段特徵經顯影為該計量目標之一分段印刷特徵，其中選擇該第二臨界尺寸使得該第二分段特徵經顯影為該計量目標之一連續特徵。
  2. 如請求項1之方法，其進一步包括：選擇該第二臨界尺寸以小於該第一臨界尺寸之一半。
  3. 如請求項1之方法，其進一步包括：根據製造工具效能相對於曝光及顯影參數用實驗方法決定該第二臨界尺寸。
  4. 如請求項1之方法，其進一步包括：將該計量目標組態為一成像目標。
  5. 如請求項1之方法，其進一步包括：將該計量目標組態為一散射量測目標。
  6. 如請求項1之方法，其進一步包括：設計該遮罩之該第一分段特徵及該第二分段特徵以沿著該第一分段特徵之一短側及該第二分段特徵之一短側而進行分段。
  7. 如請求項1之方法，其進一步包括：設計該遮罩之該第一分段特徵及該第二分段特徵以沿著該第一分段特徵之一長側及該第二分段特徵之一長側而進行分段。
  8. 如請求項1之方法，其中該連續印刷特徵包括：一間隙或一條(bar)之至少一者。
  9. 一種用於計量目標製造之方法，其包括：以一處理器設計用於一計量目標之製造之一遮罩，一第一分段特徵，其毗鄰於一第二分段特徵，其中該第一分段特徵包含具有一間距及一第一臨界尺寸之多個分段，其中該第二分段特徵包含具有該間距及一第二臨界尺寸之多個分段，該第二臨界尺寸不同於該第一臨界尺寸，以該遮罩之一影像曝光一阻抗層，及顯影該阻抗層，其中顯影與該第一分段特徵相關聯之印刷特徵為一分段印刷特徵，其中顯影與該第二分段特徵相關聯之印刷特徵為一連續印刷特徵。
  10. 一種用於計量目標製造之方法，其包括：在一計量目標之一阻抗層中設計至少一個連續特徵，其毗鄰於具有一間距及一臨界尺寸之至少一個分段特徵，該至少一個連續特徵相對於該至少一個分段特徵之具有一相同間距及一相同臨界尺寸，曝光該阻抗層，及將一切割遮罩應用於該阻抗層以移除該至少一個連續特徵之經設計分段。
  11. 一種根據如請求項1之方法設計之目標設計檔案。
  12. 一種根據如請求項11之目標設計檔案製造之計量目標。
  13. 一種經曝光阻抗層，其包括：一連續印刷特徵，其毗鄰於具有一間距及一第一臨界尺寸之一分段印刷特徵，其中該分段印刷特徵對應於一圖案遮罩之一第一分段特徵，其中該連續印刷特徵對應於該圖案遮罩之一第 二分段特徵，其中該第一分段特徵包含具有該間距及該第一臨界尺寸之多個分段，其中該第二分段特徵包含具有該間距及一第二臨界尺寸之多個分段，該第二臨界尺寸不同於該第一臨界尺寸。
  14. 如請求項13之經曝光阻抗層，其中該第二臨界尺寸小於該第一臨界尺寸之一半。
  15. 如請求項13之經曝光阻抗層，其中該第二臨界尺寸係根據製造工具效能相對於曝光及顯影參數用實驗方法決定。
  16. 如請求項13之經曝光阻抗層，其中該經曝光阻抗層經組態以製造一成像目標之一各別層。
  17. 如請求項13之經曝光阻抗層，其中該經曝光阻抗層經組態以製造一散射量測目標之一各別層。
  18. 如請求項13之經曝光阻抗層，其中該第一分段特徵及該第二分段特徵係沿著該第一分段特徵之一短側及該第二分段特徵之一短側而進行分段。
  19. 如請求項13之經曝光阻抗層，其中該第一分段特徵及該第二分段特徵係沿著該第一分段特徵之一長側及該第二分段特徵之一長側而進行分段。
  20. 如請求項13之經曝光阻抗層，其中該連續印刷特徵包括：一間隙或一條之至少一者。
  21. 一種使用如請求項13之經曝光阻抗層製造之計量目標。
  22. 一種經設計以產生如請求項13之經曝光阻抗層之遮罩。
  23. 一種遮罩，其包括：一第一分段特徵，其毗鄰於一第二分段特徵，其中該第一分段特徵包含具有一間距及一第一臨界尺寸之多個分段，其中該第二分段特徵包含具有該間距及一第二臨界尺寸之多個分段， 該第二臨界尺寸不同於該第一臨界尺寸，其中選擇該第一臨界尺寸使得該第一分段特徵經顯影為一分段印刷特徵，其中選擇該第二臨界尺寸使得該第二分段特徵經顯影為一連續特徵。
  24. 如請求項23之遮罩，其中該第二臨界尺寸小於該第一臨界尺寸之一半。
  25. 如請求項23之遮罩，其中該第二臨界尺寸係根據製造工具效能相對於曝光及顯影參數用實驗方法決定。
  26. 如請求項23之遮罩，其經組態以製造一成像目標之一各別層。
  27. 如請求項23之遮罩，其經組態以製造一散射量測目標之一各別層。
  28. 如請求項23之遮罩，其中該第一分段特徵及該第二分段特徵係沿著該第一分段特徵之一短側及該第二分段特徵之一短側而進行分段。
  29. 如請求項23之遮罩，其中該第一分段特徵及該第二分段特徵係沿著該第一分段特徵之一長側及該第二分段特徵之一長側而進行分段。
  30. 如請求項23之遮罩，其中該至少一個連續特徵包括：一間隙或一條之至少一者。
  31. 一種使用如請求項23之遮罩製造之經曝光阻抗層。
  32. 一種使用如請求項23之遮罩製造之計量目標。
  33. 一種經組態以製造如請求項12之計量目標之製造設備。
  34. 一種經組態以製造如請求項21之計量目標之製造設備。
  35. 一種經組態以製造如請求項32之計量目標之製造設備。
  36. 一種微影系統，其包括：一照明源；一或多個投射光學元件；及 一遮罩，其中該一或多個投射光學元件經組態基於來自該照明源之照明以該遮罩之一影像曝光一樣本，其中該遮罩包含一第一分段特徵，其毗鄰於一第二分段特徵，其中該第一分段特徵包含具有一間距及一第一臨界尺寸之多個分段，其中該第二分段特徵包含具有該間距及一第二臨界尺寸之多個分段，該第二臨界尺寸不同於該第一臨界尺寸，其中選擇該第一臨界尺寸使得該第一分段特徵經顯影為一分段印刷特徵，其中選擇該第二臨界尺寸使得該第二分段特徵經顯影為一連續特徵。
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