TWI548932B - 用於雙重曝光製程的光罩組暨使用該光罩組的方法 - Google Patents

Description

用於雙重曝光製程的光罩組暨使用該光罩組的方法

本發明大體上關於一種多重曝光(multiple exposure)技術，更特定言之，其係關於一種用於雙重曝光製程的光罩組暨其光罩圖形的拆分方法。

光學微影技術是半導體製程中重要的一環，其基本原理與化學性的攝影技術十分類似，圖案化的光罩影像會藉由高精度的光學系統投射到晶圓表面所塗佈的感光化合物層(如光阻)上。在經過曝光、顯影後烘烤、以及乾/濕蝕刻等後續的複合化學反應及製程步驟後，晶圓表面上即可形成複雜的線路圖形。

光學微影系統的解析度(R)可以下列廣為人知的雷利方程式(Rayleigh’s equation)來表示：

其中λ為光源的波長，NA為數值孔徑(Numerical Aperture)，k ₁ 則為代表解析度增強技術(RETs)之複雜度因子。隨著超大型積體電路(VLSI)科技演進到奈米世代，目前光學微影系統可用的波長仍維持在193奈米(nm)不變。儘管未來期望以波長13nm的極紫外光微影(EUVL)技術來取代傳統的光學微影技術，但在技術瓶頸與成本因素的考量下，業界對現行EUVL設備的可行性仍有疑慮。另一方面，乾式微影技術的數值孔徑物理極限為1.0。近年來所導入的浸潤式微影蝕刻術雖然具有較高的數值孔徑(約為1.2)，但要再進一步提升該數值有相當的困難存在，故解析度增強技術(k ₁ )為達到更精細解析度的成本效能瓶頸仍為一般目前業界的普遍共識。

在半導體製程中，隨著所需的圖形特徵尺度與光學微影術所使用波長之間的差距越來越大，最終所形成的晶圓影像會與原始光罩上的圖形有相當的差異。過去，為了要達到所需的圖形密度，解析度增強技術已成為了半導體製程中的必要技術手段。其中一個熟知的解析度增強技術即為光學近似校正(OPC)，其作法中會刻意使部分的目標光阻圖形失真以在晶圓上形成所欲優化後的線路圖形。現今，半導體製程中有相當程度的時間與電腦計算會被用在這類線路佈局的後製步驟中。

除了上述的光學近似校正技術，為了使用相同的微影技術來使半導體元件的尺寸能再進一步縮小到深次微米的領域，名為雙重圖案(double patterning)的製程被開發來作為一可克服尺寸限縮挑戰同時又能節省成本的技術手段。上述雙重圖案的其中一熱門方法即為雙重曝光(double exposure)微影技術，其原理在於將一給定的線路佈局拆分為兩組圖案，每一組圖案係使用個別的光罩在個別的曝光製程中定義形成，兩組圖案最後可共同構成一所欲疊合後的線路圖案。

雙重曝光微影技術的最大優點在於其可使用現有的微影技術和機台來製作密度更大、間距更小的線路圖案。然而，在實作中，該技術仍有不少製程問題有待克服。舉例言之，拆分後兩圖案的較大重疊區域在後續的蝕刻製程中易發生蝕穿(film punching)問題。再者，針對一單一梳狀圖案被拆分為兩梳狀圖案的情形，拆分後的兩子梳狀圖案由於其齒部具有不同的節距，使得後續所形成的齒部圖案會有不一致、不對稱的角落圓角化(corner rounding)程度。此外，對於某些習知的梳狀圖案拆分作法，其兩子圖形重疊後的最終目標圖案的齒部於與基部連接處會呈直角接合態樣，因而不具有必要的圓角化特徵，容易導致漏電的發生。

故此，目前業界仍須對現有的雙重曝光圖形拆分作法作進一步的改良，以克服上述問題。

有鑒於前述習知技術中所存在的諸多問題，本發明特以提出了一種用於雙重曝光製程的新穎光罩組(或光罩圖形組合)暨其使用方法，該方法中透過將單一的目標梳狀光罩圖案拆分成兩個具有特定部位特徵的梳狀子光罩圖案，再以特定方式疊合上述兩梳狀子光罩圖案，以組合成原先的目標梳狀光罩圖案。

本發明的目的之一在於提供一對用於雙重曝光製程的光罩組，其包含一第一光罩圖案，該第一光罩圖案具有一第一基部以及自該第一基部延伸而出且沿著一第一方向交替排列的多個第一齒部與凸起部、以及一第二光罩，其具有一第二光罩圖案，該第二光罩圖案具有一第二基部以及自該第二基部延伸而出的多個第二齒部，其中該第二基部可至少部分重疊該第一基部，使得每一該凸起部至少部分重疊一該第二齒部重疊。

本發明的另一目的在於提供一種在基底上製作出光罩圖形的方法，其步驟包含提供一光罩圖案，該光罩圖案包含一基部與多個間隔排列的齒部；將該光罩圖案拆分為一第一子光罩圖案與一第二子光罩圖案，其中該第一子光罩圖案具有一第一基部以及自該第一基部延伸而出且沿著一第一方向交替排列的多個第一齒部與多個凸起部，該第二圖案具有一第二基部以及多個自該第二基部延伸而出的第二齒部，該第二基部可至少部分重疊該第一基部使得每一該凸起部至少部分重疊一該第二齒部並構成該光罩圖案的齒部；形成分別包含該第一子光罩圖案與該第二子光罩圖案的兩光罩；在該基底上形成一感光層；以及分別使用該兩光罩來曝光該感光層。

無疑地，本發明的這類目的與其他目的在閱者讀過下文以多種圖示與繪圖來描述的較佳實施例細節說明後將變得更為顯見。

在下文的細節描述中，元件符號會標示在隨附的圖示中成為其中的一部份，並且以可實行該實施例之特例描述方式來表示。這類實施例會說明足夠的細節俾使該領域之一般技藝人士得以具以實施。閱者須瞭解到本發明中亦可利用其他的實施例或是在不悖離所述實施例的前提下作出結構性、邏輯性、及電性上的改變。因此，下文之細節描述將不欲被視為是一種限定，反之，其中所包含的實施例將由隨附的申請專利範圍來加以界定。

現在下文中將提供數個實施例來搭配圖示說明本發明之光罩拆分方法。其中，第1-3圖係繪示出根據本發明第一較佳實施例中數個光罩圖案的頂視圖，第5-7圖係繪示出根據本發明第二較佳實施例中數個光罩圖案的頂視圖。

本發明方法係為一種雙重曝光(double exposure)技術，其原理在於將單一的光罩圖案拆分為兩張子光罩(sub-mask)圖案，再分別以該兩子光罩圖案對一光阻層進行曝光製程，以形成重疊後的目標光阻圖案。本發明方法將單一光罩圖案中過於鄰近的線路特徵(特別如梳狀圖案的齒部)拆分在兩張子光罩圖案中並分別在個別的曝光製程中定義完成，故可以解決現今深次微米世代中微影製程的曝光解析度不足問題。

在本發明方法中，因應不同的線路特徵節距，拆分後的光罩圖案可能會有些許的不同之處。其中，本發明第一較佳實施例係說明了當目標圖案的線路特徵之節距小於一預定值(如90奈米(nm))時的子光罩圖案暨其重疊方式，第二較佳實施例則說明了當目標圖案的線路特徵之節距大於或等於一預定值(如90nm)時的子光罩圖案暨其重疊方式。

首先請參照第1圖與第2圖，其分別繪示出根據本發明第一較佳實施例中一第一光罩100上的部分第一子光罩圖案101以及一第二光罩200上的部分第二子光罩圖案201。第一子光罩圖案101與第二子光罩圖案201係為從一單一的目標光罩圖案利用一電腦系統所拆分出的兩個別子光罩圖案，其並會被分別輸出至第一光罩與第二光罩上。然後再分別利用該兩光罩進行雙重曝光製程。透過特定的重疊方式，兩圖形可於一感光化合物層(如光阻)上組成原始所欲的目標光罩圖案(如第3圖所示)。上述的第一光罩100與第二光罩200可共同作為一對用於雙重曝光製程的光罩組。

在本較佳實施例中，第一子光罩圖案101大體上是由一第一基部103以及多個第一齒部105所構成。第一齒部105係沿著一第一方向d₁間隔排列並自第一基部103的一端往一第二方向d₂延伸而出。第二子光罩圖案201大體上是由一第二基部203以及多個第二齒部205所構成。第二齒部205係沿著一第一方向d₁間隔排列並自第二基部203的一端往一第二方向d₂延伸而出。須注意此實施例中兩光罩圖案的齒部特徵雖然繪示成從基部端垂直延伸而出，然在其他實施例中齒部亦可能呈一傾斜角度從基部端延伸而出。

在較佳的情況下，為了使上述兩子光罩圖案101與201得以重疊，且使重疊後的齒部特徵能有規律的排列之故，第一齒部105與第二齒部205會具有相同的線寬W與節距P，且第一齒部105彼此間或第二齒部205彼此間的間距D(即節距P-線寬W)會大於其線寬W。

接著請參照第3圖，其繪示出上述第1圖的第一子光罩圖案101與第2圖的第二子光罩圖案201經模擬疊合後所呈現出之目標光罩圖案(layout)301。就本發明之光罩圖案疊合態樣而言，第二光罩圖案的整個第二基部203會與第一光罩圖案的至少部分第一基部103重疊，且第一光罩圖案的第一齒部105會與第二子光罩圖案201的第二齒部205交替排列。本發明的其中一技術特徵在於，兩子光罩圖案的齒部皆係從一基部延伸而出，且其中一子光罩圖案的基部會遠小於另一者的基部。就微影製程的角度來說，以兩子光罩圖案的基部作為圖案疊合的基礎將可使雙重曝光最終所曝出之目標光阻圖案的齒部角落有圓角化(corner rounding)的效果，如第4圖中的角落部位402所示，亦即各齒部與基部的連接處不會呈直角接合態樣，如此作法將可避免習知技術中因疊合後目標光罩圖案的部分齒部角落的輪廓過於尖銳而導致漏電的情形發生。

另一方面，如第3圖所示，在本發明中，第二子光罩圖案的第二基部203在第二方向d₂上的長度L₁係遠小於第一子光罩圖案的第一基部103長度。以如此疊合設置，第一子光罩圖案與第二子光罩圖案的重疊區域(即第二子光罩圖案的第二基部203)會較小，此舉將可避免習知技術中因為子光罩圖案的重疊區域過大造成後續蝕刻製程中蝕刻目標層會被蝕穿(film punching)的問題發生。

在本較佳實施例中，上述兩子光罩圖案的重疊區域長度L₁與目標光罩圖案301的齒部節距P_C有一定的關係存在。長度L₁可為齒部節距P_C的一函數值。舉例言之，L₁可介於0.5個P_C至1個P_C之間。在較佳的情況下，目標光罩圖案301的齒部節距P_C係小於90nm，而重疊區域的長度L₁則為60nm。以上述的參數設置將可得到最佳的疊合後目標光罩圖案。

接下來請參照第4圖，其繪示出使用上述第1圖的第一子光罩圖案101與第2圖的第二子光罩201圖案來對一晶圓上的一光阻層進行雙重曝光所產生之光阻圖案(contour) 401的頂視圖。在實際的微影製程中，由於曝光光源所發出的光在行經光罩到光阻上時會發生繞射現象，故實際在光阻上所印製出之圖案會與所使用的光罩圖案有些微的差異，其中最明顯的差異即反映在所曝出的光阻圖案的角落特徵會有圓角化現象。故此，如第4圖所示，可以明顯看出原先第3圖中原始目標光罩圖案的各角落區域皆被圓角化。對本發明而言，目標光罩圖案的各齒部之間的等間距排列作法將可使最終所曝出的光阻圖案401的角落部位402有對稱、一致的圓角化輪廓，以改善漏電情形。

現在請參照第5圖與第6圖，其分別繪示出根據本發明第二較佳實施例中一第一光罩100上的部分第一子光罩圖案101以及一第二光罩200上的部分第二子光罩圖案201。第一子光罩圖案101與第二子光罩圖案201係為從一單一的目標光罩圖案所拆分出的兩個別的子光罩圖案。透過特定的重疊方式，該兩子光罩圖案可組成原始所欲的目標光罩圖案(如第7圖所示)。

本較佳實施例與前述較佳實施例的差異處在於，本較佳實施例中的第一子光罩圖案101多了凸起部特徵。如第5圖所示，第一子光罩圖案101大體上是由一第一基部103以及多個第一齒部105與凸起部107所構成。第一齒部105與凸起部107係沿著第一方向d₁交替排列並自第一基部103的一端往第二方向d₂延伸而出，且每一凸起部107的位置會對應到第二子光罩圖案201的一第二齒部205。其中，凸起部107的長度L₂係小於第一齒部105的長度L₃。

對本較佳實施例而言，在第一子光罩圖案101上設置凸起部之作法可使得拆分出的第一子光罩圖案101與第二子光罩圖案201的齒部排列更為規律。特別是在疊合後目標光罩圖案的齒部節距(如第7圖中的節距P_C)尺寸允許下，子光罩圖案上可設置凸起部來改善拆分後子光罩圖案的輪廓。故此，在進行目標光罩圖形的拆分之前，可先透過一電腦系統來判定該目標光罩圖案的齒部節距是否大於或等於一預定值(如90nm)，以決定是否要在拆分後的其中之一子光罩圖案的齒部間距之間設置凸起部，此即本第二較佳實施例所揭示者；反之，若目標光罩圖案的線路特徵之節距小於一預定值(如90nm)，則即採用前述第一較佳實施例中不設置凸起部之作法。

第6圖中所繪示之第二子光罩圖案201與第2圖中所繪者類似，其差別僅在兩者的齒部節距P不同，故此處不再對其多加贅述，細節請參照前述第2圖之說明。

接著請參照第7圖，其繪示出上述第5圖的第一子光罩圖案101與第6圖的第二子光罩圖案201經模擬疊合後所呈現出之目標光罩圖案301。就本發明之光罩圖案疊合態樣而言，第二光罩圖案的整個第二基部203會與第一光罩圖案的部分第一基部103重疊，且第一子光罩圖案101的每一凸起部107會至少部分重疊第二子光罩圖案的一第二齒部205。與前述第3圖之實施例相同，兩子光罩圖案的齒部皆係從一基部延伸而出。再者，第二子光罩圖案的第二基部203在第二方向d₂上的長度L₁係遠小於第一子光罩圖案的第一基部103長度。

在本較佳實施例中，上述兩子光罩圖案的重疊區域長度L₁與目標光罩圖案301的齒部節距P_C(或是第5圖中第一子光罩圖案101的第一齒部105與凸起部107的節距P₁)有一定的關係存在。該長度L₁可為節距P_C或P₁的一函數值。舉例言之，L₁可介於0.5個P_C至1個P_C之間。在較佳的情況下，目標光罩圖案301的齒部節距P_C係大於或等於90nm，而重疊區域的長度L₁則為60nm。以此參數設置將可得到最佳的疊合後目標光罩圖案。

另一方面，上述第一子光罩圖案101凸起部107的長度L2與目標光罩圖案301的齒部節距P_C(或是第5圖中第一子光罩圖案的第一齒部105與凸起部107的節距P₁)會有一定的關係存在。長度L₂可為節距P_C或P₁的一函數值。舉例言之，L₂可介於0.5個P_C至1個P_C之間。在較佳的情況下，目標光罩圖案301的齒部節距P_C係大於或等於90nm，而凸起部107的長度L₂則為60nm。以此參數設置將可得到最佳的疊合後目標光罩圖案。

接下來請參照第8圖，其繪示出使用上述第5圖的第一子光罩圖案101與第6圖第二子光罩圖案201來對一晶圓上的一光阻層進行雙重曝光所產生之光阻圖案(contour) 401的頂視圖。同第4圖實施例，在實際的微影製程中，所曝出的光阻圖案401的各角落部位(包含角落部位402與404)皆會被圓角化，尤其是各齒部與基部的連接處(即角落部位402)輪廓不會呈直角接合，其可改善漏電情形。

本發明的優點在於，就微影製程的角度來說，以兩子光罩圖案的基部作為圖案疊合之基礎來進行雙重曝光，將可使最終所曝出之目標光阻圖案的齒部角落能有圓角化的效果，如第8圖中的角落部位402所示，如此將可避免習知技術中因疊合後目標光罩圖案的部分齒部角落過於尖銳而導致漏電的情形發生。而第一子光罩圖案與第二子光罩圖案具有較小的重疊區域(即第二子光罩圖案的第二基部)之設計將可避免習知技術中因為子光罩圖案的重疊區域過大造成後續的蝕刻製程中蝕刻目標層會有被蝕穿的問題發生。再者，在對應的齒部位置處設置凸起部特徵之作法將可使最終所曝出的目標光阻圖案的各齒部角落部位有更佳、更對稱的的圓角化輪廓，改善漏電的問題。

現在請參照第9圖，其繪示出實作中一線路布局區域中兩光罩圖案疊合後的目標光罩圖案501。圖中的密線區域代表兩光罩圖案的重疊區域。對本發明而言，因應齒部節距的不同疏密程度，重疊區域的基部特徵可以有不同的態樣變化。如第9圖中的兩張放大圖所示，其分別表示兩種不同態樣的重疊區域506與508的細部特徵。對於齒部節距較密的重疊區域506而言，其各齒部506a之間具有單一的基部506b。而對於齒部節距較疏的重疊區域508而言，其各齒部508a會具有個別的基部508b。其中，對於基部508b而言，其更可能有L型、倒T型、或是反L型等態樣變化，端視齒部所在之位置而定。

以前文所述之第一子光罩圖案與第二子光罩圖案暨其疊合方式為基礎，本發明亦提供了一種在基底上製作出光罩圖案的方法。現在請參照第10圖，其為本發明形成光罩圖案方法的步驟流程，其特別係用在形成梳狀的光罩圖案。首先在步驟S1，提供一梳狀光罩圖案，該梳狀光罩圖案是為欲印製在一感光材料層(如光阻)上的目標光罩圖案，其具有基部與多個間隔排列的齒部特徵。在本發明中，該梳狀光罩圖案須拆分為兩個別的梳狀子光罩圖案，上述拆分動作係可藉由儲存於一電腦系統中的軟體程式根據特定的拆分法則來執行。如在步驟S2中，可先利用該軟體程式來判定所欲形成之目標梳狀光罩圖案的齒部節距是否小於一預定值。根據此判定的結果，軟體可將梳狀光罩圖案分成一第一梳狀子光罩圖案與一對應的第二梳狀子光罩圖案。

舉例言之，當判定出梳狀光罩圖案的齒部節距小於一預定值(如90nm)時，如步驟S3所示，透過該軟體程式所拆分出的第一梳狀子光罩圖案會具有一第一基部以及多個自該第一基部延伸而出且沿著一第一方向間隔排列的第一齒部(如第1圖所示)，第二梳狀子光罩圖案則具有一第二基部以及多個自該第二基部延伸而出且沿著該第一方向間隔排列的第二齒部(如第2圖所示)。其中，該第二梳狀子光罩圖案的第二基部可至少部分重疊該第一梳狀子光罩圖案的第一基部，使得該多個第一齒部與該多個第二齒部在該第一方向上交替排列(如第3圖所示)。

另一方面，當判定出梳狀光罩圖案的齒部節距大於或等於一預定值(如90nm)時，如步驟S4所示，透過該軟體程式所拆分出的第一梳狀子光罩圖案會具有一第一基部以及自該第一基部延伸而出且沿著一第一方向交替排列的多個第一齒部與多個凸起部(如第5圖所示)，第二梳狀子光罩圖案則具有一第二基部以及多個自該第二基部延伸而出且沿著該第一方向間隔排列的第二齒部(如第6圖所示)。其中，該第二梳狀子光罩圖案的第二基部可至少部分重疊該第一梳狀子光罩圖案的第一基部，使得該第一梳狀子光罩圖案的每一凸起部都至少重疊該第二梳狀子光罩圖案的一第二齒部(如第7圖所示)。

完成目標光罩圖案之拆分後，在步驟S5中，以拆分出的第一梳狀子光罩圖案與第二梳狀子光罩圖案為基礎來分別製作兩光罩，該兩光罩上的光罩圖案分別包含了該第一梳狀子光罩圖案與該第二梳狀子光罩圖案。

另一方面，在步驟S6中，在一基底上形成一層感光層，如一正型光阻或一負型光阻。於步驟S7中，分別使用前述步驟中所形成的該兩光罩來對該感光層進行雙重曝光製程。舉例言之，先使用具有第一梳狀子光罩圖案的一第一光罩來曝光該感光層。完成第一次曝光後，再將具有第二梳狀子光罩圖案的一第二光罩與該基底對位，使得其第二梳狀子光罩圖案與先前感光層上所曝出的第一梳狀子光罩圖案呈特定的疊合態樣，之後再進行第二次曝光動作。如此，即完成了一雙重曝光動作。上述兩次的曝光動作將可在該感光層上形成一疊合後的目標光阻圖形。

以上所述僅為本發明之較佳實施例，凡依本發明申請專利範圍所做之均等變化與修飾，皆應屬本發明之涵蓋範圍。

100．．．第一光罩

101．．．第一子光罩圖案

103．．．第一基部

105．．．第一齒部

107．．．凸起部

200．．．第二光罩

201．．．第二子光罩圖案

203．．．第二基部

205．．．第二齒部

301．．．目標光罩圖案

401．．．光阻圖案

402．．．角落部位

404．．．角落部位

501．．．目標光罩圖案

506．．．重疊區域

506a．．．齒部

506b．．．基部

508．．．重疊區域

508a．．．齒部

508b．．．基部

S1~S7．．．步驟

本說明書含有附圖併於文中構成了本說明書之一部分，俾使閱者對本發明實施例有進一步的瞭解。該些圖示係描繪了本發明一些實施例並連同本文描述一起說明了其原理。在該些圖示中：

第1圖繪示出根據本發明第一較佳實施例中部分的第一子光罩圖案；

第2圖繪示出根據本發明第一較佳實施例中部分的第二子光罩圖案；

第3圖繪示出根據本發明第一較佳實施例中模擬第一子光罩圖案與第二子光罩圖案疊合後所呈現出之目標光罩圖案；

第4圖繪示出使用第1圖的第一子光罩圖案與第2圖的第二子光罩圖案對一光阻層進行雙重曝光製程後所產生之光阻圖案；

第5圖繪示出根據本發明第二較佳實施例中部分的第一子光罩圖案；

第6圖繪示出根據本發明第二較佳實施例中部分的第二子光罩圖案；

第7圖繪示出根據本發明第二較佳實施例中模擬第一子光罩圖案與第二子光罩圖案疊合後所呈現出之目標光罩圖案；

第8圖繪示出使用第5圖的第一子光罩圖案與第6圖的第二子光罩圖案對一光阻層進行雙重曝光製程後所產生之光阻圖案；

第9圖繪示出一線路布局區域中由兩子光罩圖案疊合後所構成的目標光罩圖案；以及

第10圖繪示出本發明形成光罩圖案之方法的流程圖。

須注意本說明書中的所有圖示皆為圖例性質。為了清楚與方便圖示說明之故，圖示中的各部件在尺寸與比例上可能會被誇大或縮小地呈現。圖中相同的參考符號一般而言會用來標示修改後或不同實施例中對應或類似的特徵。

103．．．第一基部

105．．．第一齒部

107．．．凸起部

203．．．第二基部

205．．．第二齒部

301．．．目標光罩圖案

Claims (14)

1. 一對用於雙重曝光製程的光罩組，包含：一第一光罩，其具有一第一光罩圖案，該第一光罩圖案具有一第一基部以及自該第一基部延伸而出且沿著一第一方向交替排列的多個第一齒部與多個凸起部；以及一第二光罩，其具有一第二光罩圖案，該第二光罩圖案具有一第二基部以及自該第二基部延伸而出的多個第二齒部，其中該第二基部可至少部分重疊該第一基部使得每一該凸起部至少部分重疊一該第二齒部。
2. 如申請專利範圍第1項所述之用於雙重曝光的光罩組，其中該第一基部與該第二基部的重疊區域在一第二方向有一長度，該第一齒部與該凸起部之間具有一節距，該長度介於半個該節距至一個該節距之間。
3. 如申請專利範圍第2項所述之用於雙重曝光的光罩組，其中該節距大於或等於90nm。
4. 如申請專利範圍第2項所述之用於雙重曝光的光罩組，其中該長度為60nm。
5. 如申請專利範圍第1項所述之用於雙重曝光的光罩組，其中該第一齒部與該凸起部之間具有一節距，該凸起部的長度介於半個該節距至一個該節距之間。
6. 如申請專利範圍第5項所述之用於雙重曝光的光罩組，其中該節距大於或等於90nm。
7. 如申請專利範圍第5項所述之用於雙重曝光的光罩組，其中該凸起部的長度為60nm。
8. 一種在基底上製作出光罩圖形的方法，其步驟包含：提供一光罩圖案，該光罩圖案包含一基部與多個間隔排列的齒部；將該光罩圖案拆分為一第一子光罩圖案與一第二子光罩圖案，其中該第一子光罩圖案具有一第一基部以及自該第一基部延伸而出且沿著一第一方向交替排列的多個第一齒部與多個凸起部，該第二子光罩圖案具有一第二基部以及多個自該第二基部延伸而出的第二齒部，該第二基部可至少部分重疊該第一基部使得每一該凸起部至少部分重疊一該第二齒部；形成兩光罩，該兩光罩分別包含該第一子光罩圖案與該第二子光罩圖案；在該基底上形成一感光層；以及分別使用該兩光罩來曝光該感光層。
9. 如申請專利範圍第8項所述之在基底上製作出光罩圖形的方法，更包含在拆分該光罩圖形前先判定該齒部的節距是否大於或等於一預定值。
10. 如申請專利範圍第9項所述之在基底上製作出光罩圖形的方法，其中該預定值為90nm。
11. 如申請專利範圍第9項所述之在基底上製作出光罩圖形的方法，其中該第一基部與該第二基部的重疊區域在一第二方向有一長度，該齒部之間具有一節距，該長度介於半個該節距至一個該節距之間。
12. 如申請專利範圍第11項所述之在基底上製作出光罩圖形的方法，其中該長度為60nm。
13. 如申請專利範圍第9項所述之在基底上製作出光罩圖形的方法，其中該齒部之間具有一節距，該凸起部的長度介於半個該節距至一個該節距之間。
14. 如申請專利範圍第13項所述之在基底上製作出光罩圖形的方法，其中該長度為60nm。