TWI679490B - 產生雙圖案光罩的處理方法以及其記錄媒體 - Google Patents

產生雙圖案光罩的處理方法以及其記錄媒體 Download PDF

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Abstract

一種產生雙圖案光罩的處理方法。處理方法包括取得接觸窗分佈圖案，該接觸窗分佈圖案包含多個接觸窗。對該多個接觸窗依照接觸窗種類分類成陣列型、成對型、或是獨立型的多個接觸窗區塊。拆解該多個接觸窗成為第一圖案群與第二圖案群，其之間是交叉配置。第一圖案群與該第二圖案群的接觸窗數量在誤差範圍內是一致。檢查該第一圖案群與該第二圖案群是否有相鄰二接觸窗之間的距離小於最小距離，如果有改變該相鄰二接觸窗其一的當前圖案群。輸出該第一圖案群或該第二圖案群，以進行製造對應的第一光罩與第二光罩。

Description

產生雙圖案光罩的處理方法以及其記錄媒體
本發明是有關於一種半導體製造技術，且特別是有關於一種產生雙圖案光罩的處理方法。
由於所要形成的光阻圖案是利用光罩對光阻層通過光源照射，以將光罩的圖案轉換到光阻層上，其中無可避免在光阻層的圖案，相對於光源的波長，例如黃光，其會有光學繞射效應而產生圖案放大與變形。
為了避免光罩上的接觸窗過於接近，導致光學繞射效應造成元件結構的不當連接，其可以將原本單一個光罩，分為兩個光罩來完成，如此可降低光罩的接觸窗密度，減少光學繞射效應。然而，如何適當將單一個光罩的接觸窗圖案，拆解(decomposition)為兩個光罩是需要實際研發。
本發明提供一種產生雙圖案光罩的處理方法的技術，可以適當將一個光罩的多個接觸窗，系統性地拆解成兩個光罩，其兩個光罩的接觸窗數量接近，且接觸窗密度可以仍維均勻的分佈。
在一實施例中，本發明提供一種產生雙圖案光罩的處理方法，由處理裝置執行。處理方法包括進行接觸窗相位拆解，其中針對屬於該陣列型、該成對型及該獨立型分別的該多個接觸窗，以最佳化參數分別拆解成為第一圖案群與第二圖案群。進入循環處理步驟，該循環處理步驟包括依照接觸窗相位規則檢查，對該第一圖案群與該第二圖案群檢查是否有產生衝突處。如果有產生該衝突處改變進行該第一圖案群與該第二圖案群的互換微調。對該第一圖案群與該第二圖案群進行統計分析，檢視該第一圖案群與該第二圖案群在允許的誤差範圍內是否一致，當一致時輸出該第一圖案群與該第二圖案群。當該第一圖案群與該第二圖案群不一致時，進行接觸窗相位切換修正，回到該循環處理步驟繼續循環處理。如果循環次數超過一數量，則停止循環且發出失敗通知。
在一實施例中，對於所述產生雙圖案光罩的處理方法，取得接觸窗分佈圖案的該步驟包括取得元件接觸窗圖案，該元件接觸窗圖案包含預計形成的多個元件接觸窗。另外，依照微影製程的尺寸修正資料，修正該多個接觸窗的尺寸，得到該多個接觸窗，構成該接觸窗分佈圖案。
在一實施例中，對於所述產生雙圖案光罩的處理方法， 分類該多種接觸窗群包括使用佈局設計準則，依照該多個接觸窗尺寸將該多個接觸窗分類為N種尺寸接觸窗，N為整數。將該N種尺寸接觸窗，再依照接觸窗的第一延伸方向與第二延伸方向，將該N種尺寸接觸窗在分類成2N種尺寸接觸窗，其中該第一延伸方向垂直於該第二延伸方向。
在一實施例中，對於所述產生雙圖案光罩的處理方法，其更包括計算屬於該2N種尺寸接觸窗的每一種的接觸窗數量。
在一實施例中，對於所述產生雙圖案光罩的處理方法，對該第一圖案群與該第二圖案群進行統計分析的該步驟包括計算接觸窗相位拆解後的該第一圖案群與該第二圖案群分別的總接觸窗數量。依照統計的標準偏差值，對該多個接觸窗尺寸分別統計，得到該第一圖案群與該第二圖案群之間的比例。決定拆解成該第一圖案群與該第二圖案群後的整體的拆解效率，當該拆解效率在接近50-50%的合理範圍內且該標準偏差值(3sigma)小於設定值時，輸出該第一圖案群與該第二圖案群。
在一實施例中，對於所述產生雙圖案光罩的處理方法，其更包括提供輸出的該第一圖案群與該第二圖案群當作第一罩幕圖案及第二罩幕圖案。
在一實施例中，對於所述產生雙圖案光罩的處理方法，進行接觸窗相位拆解的該步驟，先進行該陣列型與該成對型的接觸窗的拆解，其後才進行該獨立型的接觸窗的拆解。
在一實施例中，對於所述產生雙圖案光罩的處理方法， 該陣列型是相鄰設定距離內三個或更多個尺寸相同接觸窗，以一維或是二維規則分佈。該成對型是相鄰設定距離內二個尺寸相同接觸窗，以接觸窗邊界互為平行且有一重疊的分佈。該獨立型是不屬於該陣列型或該成對型的接觸窗。
在一實施例中，對於所述產生雙圖案光罩的處理方法，其中進行接觸窗的設計規則檢查的該步驟，對相同的該第一圖案群或該第二圖案群中，包括邊對邊檢查以檢查相鄰二接觸窗的接觸窗長邊之間的距離，以及點對點檢查相鄰接觸窗二頂點之間的距離。
在一實施例中，對於所述產生雙圖案光罩的處理方法，其中辨識出該陣列型與該成對型包括邊對邊檢查，該邊對邊檢查是根據相鄰二接觸窗的二接觸窗長邊之間的距離小於設定距離。
在一實施例中，對於所述產生雙圖案光罩的處理方法，該邊對邊檢查含包括平行相鄰二邊界的重疊部分不小於一設定值。
在一實施例中，對於所述產生雙圖案光罩的處理方法，其中該成對型的該多個接觸窗區塊是該第一圖案群與該第二圖案群交換拆解。
在一實施例中，對於所述產生雙圖案光罩的處理方法，該成對型的該多個接觸窗區塊是第一圖案群與該第二圖案群以彎折交叉拆解。
在一實施例中，對於所述產生雙圖案光罩的處理方法， 該獨立型該多個接觸窗區塊是獨立接觸窗。
在一實施例中，本發明更提供一種產生雙圖案光罩的處理方法。處理方法包括取得接觸窗分佈圖案，該接觸窗分佈圖案包含多個接觸窗，該多個接觸窗的尺寸以包含微影因素的修正。處理方法還包括將該多個接觸窗依照多個接觸窗尺寸以及延伸方向分類成多種接觸窗群。對該多種接觸窗群分別的每一種的該多個接觸窗，辨識出陣列型、成對型、或是獨立型的多個接觸窗區塊。拆解該多個接觸窗，成為第一圖案群與第二圖案群，其中該第一圖案群與該第二圖案群之間是交叉配置。該第一圖案群的第一接觸窗數量與該第二圖案群的第二接觸窗數量在誤差範圍內是一致。分別檢查該第一圖案群與該第二圖案群是否有相鄰二接觸窗之間的距離小於最小距離。在維持符合拆解該多個接觸窗的條件下，如該相鄰二接觸窗之間的距離小於該最小距離，改變該相鄰二接觸窗其一的該第一圖案群或該第二圖案群的指定。輸出該第一圖案群或該第二圖案群，以進行製造對應的第一光罩與第二光罩。
在一實施例中，對於所述產生雙圖案光罩的處理方法，其中該成對型的該多個接觸窗區塊是該第一圖案群與該第二圖案群交換拆解。
在一實施例中，對於所述產生雙圖案光罩的處理方法，該成對型的該多個接觸窗區塊是第一圖案群與該第二圖案群以彎折交叉拆解。
在一實施例中，本發明更提供一種記錄媒體，由處理系統執行，該記錄媒體包括所儲存的處理程式，以執行所述產生雙圖案光罩的處理方法。
為讓本發明的上述特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉實施例，並配合所附圖式作詳細說明如下。
10‧‧‧基板
12、14‧‧‧介電層
16、16’‧‧‧光阻層
18、18’‧‧‧光罩
50、52、50’、50”‧‧‧接觸窗
60‧‧‧光罩圖案
62、62A、62B‧‧‧接觸窗
64‧‧‧接處窗
66、68‧‧‧光罩
100‧‧‧成對型接觸窗
102‧‧‧陣列型接觸窗
104‧‧‧獨立型接觸窗
200、202、202A、202B‧‧‧接觸窗
300‧‧‧處理系統
302‧‧‧記錄媒體
304‧‧‧中央處理單元
S10、S12、S14、S16‧‧‧步驟
S50、S52、S54、S56、S58‧‧‧步驟
S60、S62、S64、S66、S68‧‧‧步驟
S70、S72、S74‧‧‧步驟
圖1是依照本發明的一實施例，本發明所考慮在微影製程中光學繞射效應示意圖。
圖2是依照本發明的一實施例，一種雙圖案罩幕結構示意圖。
圖3是依照本發明的一實施例，使用雙圖案罩幕製造元件結構的製造流程示意圖。
圖4是依照本發明的一實施例，陣列型、成對型、及獨立型的接觸窗結構示意圖。
圖5是依照本發明的一實施例，單層光罩圖案拆解成雙光罩圖案的機制示意圖。
圖6A到圖6C是依照本發明的一實施例，相鄰接觸窗圖案的型態示意圖。
圖7是依照本發明的一實施例，接觸窗圖案之間最小距離的機制示意圖。
圖8A與圖8B是依照本發明的一實施例，接觸窗圖案邊對邊 的檢查機制示意圖。
圖9A到圖9C是依照本發明的一實施例，成對型接觸窗關係示意圖。
圖10A與圖10B是依照本發明的一實施例，接觸窗圖案點對點的檢查機制示意圖。
圖11是依照本發明的一實施例，產生雙圖案光罩的處理方法的流程示意圖。
圖12是依照本發明的一實施例，記錄媒體用於處理系統執行產生雙圖案光罩的機制示意圖。
圖1是依照本發明的一實施例，本發明所考慮在微影製程中光學繞射效應示意圖。參閱圖1，微影製程所使用的光罩的接觸窗，在考慮光學繞射效應，光罩的接觸窗52會比實際依照設計所要形成的設計的接觸窗50大，如此補償光學繞射效應。光罩的接觸窗52之間的距離是d。光罩的接觸窗52在微影製程中，於光阻層最後會實際形成接觸窗50’。然而，當距離d隨元件尺寸縮小時，由於距離d小，其容易造成實際形成的接觸窗50”之間相接觸而連接。當利用光阻層的接觸窗50”來進行蝕刻，其最後會導致元件的當連接，也使得產品製造失敗。
為了避免接觸窗之間的距離d過小的問題，其可以將對應設計所要形成的接觸窗的光罩的接觸窗50，拆解(decomposition) 成兩組光罩。圖2是依照本發明的一實施例，一種雙圖案罩幕結構示意圖。參閱圖2，單層的光罩圖案60，其對應接處窗64的位置，加上微影修正(CD bias correction)會得到在單層分佈上所需要的多個接觸窗62，這些接觸窗62之間的距離可能相當接近，而容易造成至少例如圖1所提到的缺陷。
本發明的策略是將這些接觸窗62均勻拆解成兩個光罩。也就是，將在單層分佈的這些接觸窗62拆解為接觸窗62A與接觸窗62B。根據接觸窗62A與接觸窗62B分別製造光罩66與光罩68。光罩66僅由接觸窗62A所構成，因此接觸窗62A之間的距離加大，降低相鄰接觸窗相互連接的可能性。同樣的情形，光罩68僅由接觸窗62B所構成，因此接觸窗62B之間的距離加大。如果將光罩66與光罩68疊合，接觸窗62A與接觸窗62B可以還原所預定的接觸窗62的分佈。
利用拆解後的光罩66與光罩68來形成光阻層當作蝕刻罩幕，再通過蝕刻製程可將接觸窗62形成在介電層上，供後續導電的接觸窗材料填入。較直接的方式是利用光罩66與光罩68分別定義光阻層形成光阻圖案，再使用光阻圖案為蝕刻罩幕進行蝕刻，此方式是微影-微影-蝕刻(litho-litho-etch,LLE)的流程。
另外一種製造流程是微影-蝕刻-微影-蝕刻(litho-litho-etch,LELE)的流程。圖3是依照本發明的一實施例，使用雙圖案罩幕製造元件結構的製造流程示意圖。
參閱圖3，由左到右所示的步驟S10、S12、S14、S16的 順序是微影-蝕刻-微影-蝕刻。於步驟S10，基板10上有介電層12與介電層14。光阻層16形成在介電層14上。光罩18上有一組接觸窗，在微影製程中用來對光阻層16顯影。於步驟S12，利用由光罩18在光阻層16形成的接觸窗，對介電層14蝕刻而先形成對應的接觸窗。於步驟S14，另一個光阻層16’通過另一個光罩18’形成另一組接觸窗。於步驟S16，利用光阻層16’為蝕刻罩幕，在經過另一階段的蝕刻，最後在介電層12與介電層14中形成所需要的接觸窗。
前述利用量兩個光罩的微影蝕刻製程僅是所舉的實施例，但是本發明不限於兩個光罩的後續應用。本發明提出如何規劃兩個光罩的接觸窗分佈，可以將原始單層的接觸窗分佈，系統性地均勻拆解成兩個接觸窗分佈，用於製作兩個次光罩。
圖4是依照本發明的一實施例，陣列型、成對型、及獨立型的接觸窗結構示意圖。參閱圖4，本發明將原預計的多個接觸窗，依照其配置位置分類成陣列型接觸窗102、成對型接觸窗100、獨立型接觸窗104。陣列型接觸窗102是三個或是更多的相同尺寸接觸窗，以一為或是二維所組成的族群(group)。成對型接觸窗100是由兩個相同尺寸接觸窗平行配置。獨立型接觸窗104是單獨存在的接觸窗，於一實施例，也就是不是屬於成對型接觸窗100、陣列型接觸窗102的接觸窗。
圖5是依照本發明的一實施例，單層光罩圖案拆解成雙光罩圖案的機制示意圖。參閱圖5，在實際製造的半導體結構，所 需要完成的接觸窗的數量是相當大，因此接觸窗之間很密集。一個接觸窗對應光罩上的一個接觸窗。依照本明一實施例，在單層分佈的這些接觸窗，會拆解成兩個接觸窗圖案，其一接觸窗圖案是由有斜線的接觸窗所組成，另一接觸窗圖案是由無斜線的接觸窗所組成，如此可以對應製作兩個次光罩。然而要適當系統性拆解成兩個接觸窗圖案是需要對接觸窗類型做分類，以利於針對接觸窗類型分別拆解。
對於接觸窗分佈的分析，於一實施例，其需要考一些幾何參數。圖6A到圖6C是依照本發明的一實施例，相鄰接觸窗圖案的型態示意圖。參閱圖6A，其是角對角(vertex-to-vertex,V2V)的幾何參數。對於兩個相鄰的接觸窗200，其例如是屬於原始單層分佈的接觸窗。接觸窗200經過光學修正後得到光罩的接觸窗202，如果接觸窗202之間沒有重疊的平行佈份，其存在角對角的關係，此角對角的距離是角對角幾何參數。
參閱圖6B，當相鄰兩個接觸窗200之間的邊界(boundary)有相互重疊平行的部分，也就是相鄰兩個接觸窗200是平行，但是可能平行方向的偏移，如此邊對邊(boundary-to-boundary,B2B)的幾何參數就需要被考慮。參閱圖6C，相鄰兩個接觸窗200確實是平行的關係，除了邊對邊的幾何參數，還可以有中心對中心(center-to-center,C2C)的幾何參數。
圖7是依照本發明的一實施例，接觸窗圖案之間最小距離的機制示意圖。參閱圖7，對於多個接觸窗，其雖然可以拆解成 接觸窗202A與接觸窗202B，但是對與接觸窗202A與接觸窗202B組合成單層的接觸窗分佈時，其需要考慮接觸窗之間的間距a，其綜合角對角與邊對邊的考慮。
於此，原始接觸窗被拆解成兩種接觸窗的動作，就接觸窗而言也可以稱為相位拆解(phase decomposition)，其不同相位的接觸窗，代表接觸窗拆解後的不同接觸窗圖案。
圖8A與圖8B是依照本發明的一實施例，接觸窗圖案邊對邊的檢查機制示意圖。參閱圖8A，對於拆解後同一個相位的接觸窗圖案，需要依照相位規則檢查(phase rule check,PRC)的機制對接觸窗檢查是否有衝突之處。於一實施例，相鄰二接觸窗202A的邊界檢查，例如接觸窗邊界之間的間距b需要大於最小值。雖然接觸窗已經相位拆解，在同一相位的接觸窗中，相鄰的二接觸窗可能來自不同群組的拆解所留下的，因此即使拆解後同一個相位的接觸窗圖案，仍可能會存在緊密相鄰的少數接觸窗。其需要通過相位規則檢查來進一步排除。參閱圖8B，當多個接觸窗平行配置時，與圖8A相同的考慮，需要檢查是否存在緊密相鄰的接觸窗。
圖9A到圖9C是依照本發明的一實施例，成對型接觸窗關係示意圖。參閱圖9A，在同一個相位的接觸窗圖案中，相鄰的二接觸窗202a，在接觸窗的延伸方向可能是平行且完整重疊，其重疊的長度C1，與接觸窗的邊相等。參閱圖9B，相鄰的二接觸窗202A也可能是有偏移，因此平行重疊的部份的長度C2是比長度 C1小。參閱圖9B，相鄰的二接觸窗202a歸類為平行，其重疊部份的長度不會小於設定的長度C3。
圖10A與圖10B是依照本發明的一實施例，接觸窗圖案點對點的檢查機制示意圖。參閱圖10A，在同一個相位的接觸窗圖案中，接觸窗202A可能是獨立型，因此角對角的距離d也需要檢查。參閱圖10B，在以另一個相位的接觸窗圖案為例，拆解後的接觸窗202B是一環繞的一組群，因此角對角的長度也需要檢查。
在建立前述多種接觸窗檢查的機制後，本發明提出產生雙圖案光罩的處理方法。圖11是依照本發明的一實施例，產生雙圖案光罩的處理方法的流程示意圖。圖12是依照本發明的一實施例，記錄媒體用於處理系統執行產生雙圖案光罩的機制示意圖。
參閱圖11與圖12，於一實施例，本發明的方法例如是處理程式，儲存於記錄媒體302，可以由處理系統300，例如是電腦系統，取得，而通過中央處理單元304來執行，如此系統性分析實際由設計決定的接觸窗的配置，並且輸出拆解後的兩個接觸窗圖案，以利於光罩的製作。
參閱圖11，以下描述產生雙圖案光罩的處理方法。於步驟S50，取得元件接觸窗圖案。元件接觸窗圖案包含預計形成的多個元件接觸窗。於步驟S52，轉換與修正接觸窗圖案成為接觸窗分佈圖案。要形成設計所要的接觸窗結構，其需要先製作相對的光罩。因此例如，其依照微影製程所需要的尺寸修正的資料，修正 多個接觸窗所需要的接觸窗的尺寸，得到光罩所需要的多個接觸窗，如此構成接觸窗分佈圖案。
於步驟S54，接觸窗依照大小以及延伸方向的種類計數接觸窗數量。接觸窗的尺寸，一般是條狀的直角四邊形，另外也可以包含正方形，因此依照接觸窗的尺寸的變化，可以分成多種接觸窗尺寸，其中也包含在X軸方向延伸與Y軸方向延伸的接觸窗。依照接觸窗分類後的多種種類，分別可以計數其接觸窗數量。也就是，將所述的多個接觸窗依照多個接觸窗尺寸分類成多種接觸窗群。
於步驟S56，其建立陣列型接觸窗102、成對型接觸窗100及獨立型接觸窗104的接觸窗群。也就是，對所述多種接觸窗群分別的每一種所包含的多個接觸窗，分別依照陣列型接觸窗102、成對型接觸窗100、或是獨立型接觸窗104的特性而辨識出多個接觸窗區塊。實際上陣列型接觸窗102區塊、成對型接觸窗100區塊及獨立型接觸窗104區塊分別的數量會有多個，相互參插。
於步驟S58，其進行接觸窗相位拆解。將接觸窗依照幾何尺寸，區分為陣列型接觸窗102區塊、成對型接觸窗100區塊及獨立型接觸窗104後，依照類型的分佈，分別將屬於相同區塊的接觸窗拆解成兩種接觸窗。以相位的方式來描述，其就是A相位接觸窗與B相位接觸窗。其相位拆解如圖4與圖5的方式，是彎折(zigzag)的交叉(stagger)配置方式將接觸窗拆解。
於步驟S60，其進行接觸窗相位衝突的檢查。如圖6A到 圖6C、圖7、圖8A到8B、圖9A到9C及圖10A到10B的檢查機制，檢查出拆解後的接觸窗分佈是否存在有衝突的接觸窗。於步驟S62，其進行接觸窗相位微調。當存在有衝突的接觸窗時，可以進行接觸窗相位的微調，例如切換接觸窗的當前相位。於實際上，例如對於獨立型接觸窗，因為在相位拆解時，其相位A或是取相位B的條件相對的限制性較弱，如此容易與其它以拆解的接觸窗產生衝突。因此通過相切換的微調，可以有小排除有衝突的接觸窗。
於步驟S64，其進行接觸窗統計分析。由於接觸窗是依照接觸窗的幾何形狀與大小進行個別的拆解。通過統計分析可以得知相位A與相位B的接觸窗數量。接觸窗數量會因為拆解策略的不同而有不同的接觸窗數量值。相位A與相位B的接觸窗數量在理想的狀態是相等，也就是都是佔有50%。不同接觸窗尺寸類別，也會有不同的拆解結果。如上等等的各種因素，通過統計分析的方式可以的得到平均值與標準偏差(standard deviation)STD值。
於步驟S66，其要確認拆解是符合條件，即是A/B=50% +/- 0.2%；及STD<10%。相位A與相位B相比的誤差，例如是0.2%，但不是唯一的限定。另外標準偏差STD值也是例如小10%，但不是唯一的限定。
如果步驟S66的檢驗是符合條件，則進入步驟S68，結束處理，以及輸出拆解後的整體相位A與相位B的接觸窗圖案。如果步驟S66的檢驗是不符合條件，則步驟S70先檢驗是否多次接 觸窗相位修正後仍不能符合條件。如過多次拆解失敗，則結束處理，其附帶可以回饋給設計人員做改變。如過還在失敗次數的上限內，則進入步驟S72，其可以較大幅度改變拆解策略而進行接觸窗相位切換修正。其後再進入步驟S60開始循環的步驟。
參閱圖12，於一實施例，本發明的所述方法可以用寫成軟體程式，其儲存於記錄媒體302。例如電腦系統300可以從記錄媒體302取得軟體程式，通過處理單元304處理上述方法。
綜上所述，本發明提出產生雙圖案光罩的處理方法，可以將一個原始光罩的接觸窗圖案分佈適當拆解成兩個次光罩，其兩個次光罩的接觸窗數量大致上是相等，而相鄰接觸窗之間的距離可以加大。
本發明提出產生雙圖案光罩的處理方法，於一實施例，是處理程式，其儲存於記錄媒體由處理系統來執行。
雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明的精神和範圍內，當可作些許的更動與潤飾，故本發明的保護範圍當視後附的申請專利範圍所界定者為準。

Claims (10)

  1. 一種產生雙圖案光罩的處理方法，由處理裝置執行，包括：取得接觸窗分佈圖案，該接觸窗分佈圖案包含多個接觸窗；將該多個接觸窗依照多個接觸窗尺寸分類成多種接觸窗群；對該多種接觸窗群分別的每一種的該多個接觸窗，辨識出陣列型、成對型、或是獨立型的多個接觸窗區塊；進行接觸窗相位拆解，其中針對屬於該陣列型、該成對型及該獨立型分別的該多個接觸窗，以最佳化參數分別拆解成為第一圖案群與第二圖案群；進入循環處理步驟，該循環處理步驟包括：依照接觸窗相位規則檢查，對該第一圖案群與該第二圖案群檢查是否有產生衝突處；如果有產生該衝突處，改變進行該第一圖案群與該第二圖案群的互換微調；對該第一圖案群與該第二圖案群進行統計分析，檢視該第一圖案群與該第二圖案群在允許的誤差範圍內是否一致，當一致時輸出該第一圖案群與該第二圖案群；以及當該第一圖案群與該第二圖案群不一致時，進行接觸窗相位切換修正，且回到該循環處理步驟繼續循環處理，其中如果循環次數超過一數量，則停止循環且發出失敗通知。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的產生雙圖案光罩的處理方法，其中對該第一圖案群與該第二圖案群進行統計分析的該步驟包括計算接觸窗相位拆解後的該第一圖案群與該第二圖案群分別的總接觸窗數量；依照統計的標準偏差值，對該多個接觸窗尺寸分別統計，得到該第一圖案群與該第二圖案群之間的比例；以及決定拆解成該第一圖案群與該第二圖案群後的整體的拆解效率，當該拆解效率在50-50%的合理範圍內且該標準偏差值(3sigma)小於設定值時，輸出該第一圖案群與該第二圖案群。
  3. 如申請專利範圍第1項所述的產生雙圖案光罩的處理方法，其中該陣列型是相鄰設定距離內三個或更多個尺寸相同接觸窗，以一維或是二維規則分佈，其中該成對型是相鄰設定距離內二個尺寸相同接觸窗，以接觸窗邊界互為平行且有一重疊的分佈；以及其中該獨立型是不屬於該陣列型或該成對型的接觸窗。
  4. 如申請專利範圍第1項所述的產生雙圖案光罩的處理方法，其中該成對型的該多個接觸窗區塊是該第一圖案群與該第二圖案群交換拆解。
  5. 如申請專利範圍第1項所述的產生雙圖案光罩的處理方法，其中該成對型的該多個接觸窗區塊是第一圖案群與該第二圖案群以彎折交叉拆解。
  6. 如申請專利範圍第1項所述的產生雙圖案光罩的處理方法，其中該獨立型該多個接觸窗區塊是獨立接觸窗。
  7. 一種產生雙圖案光罩的處理方法，包括：取得接觸窗分佈圖案，該接觸窗分佈圖案包含多個接觸窗，該多個接觸窗的尺寸以包含微影因素的修正；將該多個接觸窗依照多個接觸窗尺寸以及延伸方向分類成多種接觸窗群；對該多種接觸窗群分別的每一種的該多個接觸窗，辨識出陣列型、成對型、或是獨立型的多個接觸窗區塊；拆解該多個接觸窗，成為第一圖案群與第二圖案群，其中該第一圖案群與該第二圖案群之間是交叉配置，其中該第一圖案群的第一接觸窗數量與該第二圖案群的第二接觸窗數量在誤差範圍內是一致；以及分別檢查該第一圖案群與該第二圖案群是否有相鄰二接觸窗之間的距離小於最小距離；在維持符合拆解該多個接觸窗的條件下，如該相鄰二接觸窗之間的距離小於該最小距離，改變該相鄰二接觸窗其一的該第一圖案群或該第二圖案群的指定；以及輸出該第一圖案群或該第二圖案群，以進行製造對應的第一光罩與第二光罩。
  8. 如申請專利範圍第7項所述的產生雙圖案光罩的處理方法，其中該成對型的該多個接觸窗區塊是該第一圖案群與該第二圖案群交換拆解。
  9. 如申請專利範圍第7項所述的產生雙圖案光罩的處理方法，其中該成對型的該多個接觸窗區塊是第一圖案群與該第二圖案群以彎折交叉拆解。
  10. 一種記錄媒體，由處理系統執行，該記錄媒體包括所儲存的處理程式，以執行如申請專利範圍第1項所述產生雙圖案光罩的處理方法。
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