TW201430484A

TW201430484A - 光學鄰近修正方法

Info

Publication number: TW201430484A
Application number: TW102102628A
Authority: TW
Inventors: Hui-Fang Kuo; Ming-Jui Chen; Cheng-Te Wang
Original assignee: United Microelectronics Corp
Priority date: 2013-01-24
Filing date: 2013-01-24
Publication date: 2014-08-01
Also published as: TWI588595B

Abstract

本發明提供一種光學鄰近修正(OPC)方法，包括下列步驟。提供一佈局圖案予一電腦系統，且將佈局圖案分類為至少一第一子佈局圖案以及至少一第二子佈局圖案。分別對第一子佈局圖案以及第二子佈局圖案進行至少一次光學鄰近修正運算以形成一已修正的第一子佈局圖案以及一已修正的第二子佈局圖案。比對已修正的第一子佈局圖案/已修正的第二子佈局圖案與佈局圖案以選取部分已修正的第一子佈局圖案/部分已修正的第二子佈局圖案為一第一選擇圖案/一第二選擇圖案，且再修正第一選擇圖案/第二選擇圖案，以形成一第三子佈局圖案/一第四子佈局圖案。

Description

光學鄰近修正方法

本發明係關於一種光學鄰近修正(optical proximity correction,OPC)方法，尤指一種根據原始佈局圖案調整已修正的佈局圖案之方法，其中已修正的佈局圖案係指已經由光學鄰近修正(OPC)方法修正的佈局圖案。

現行的半導體製程係先將積體電路(integrated circuits)的設計圖案形成於一光罩上，隨後將光罩上的圖案藉由曝光與顯影步驟，以一定比例轉移到半導體晶片上的目標層例如：光阻層中，並進一步配合相關的蝕刻製程，將元件逐步形成於半導體晶片上。

隨著積體電路之積集度的提升，元件尺寸縮小，在進行圖案轉移時，由於曝光(exposure)所能製作出的線段的臨界尺寸(critical dimension,CD)會受限於曝光機台(optical exposure tool)的解析度極限(resolution limit)，因此在對於這些高密度排列的光罩圖案進行曝光以形成光阻圖案時，非常容易產生光學鄰近效應(optical proximity effect)，使得形成於光阻層上的圖案因為過度曝光(overexpose)或是曝光不足(underexpose)，發生解析度減損(resolution loss)，導致光罩上的圖案與光阻層上的圖案不一致，最後造成光阻層上的圖案會與原始的設計尺寸差異甚遠。

對於因為光學鄰近效應所引起的圖案偏差，已有許多補償的方法，以改善圖案轉移後的品質，目前較為廣泛使用之方法為光學鄰近修正(optical proximity correction；OPC)，並已有各式商用光學鄰近修正(OPC)軟體，將光罩上的圖案經由理論圖案校正，以獲得晶圓上正確的圖案。此外，目前業界於32奈米(nanometer，nm)與22 nm的線寬技術中亦常採用雙重圖案化技術(DPT)作為曝光技術，以克服曝光機台(optical exposure tool)的解析度極限。雙重圖案化技術包含微影-蝕刻-微影-蝕刻(photolithography-etch-photolithography-etch，2P2E)或微影-微影-蝕刻(photolithography-photolithography-etch，2P1E)等的製作方式，其中第一次微影製程與第二次微影製程係藉由不同光罩分別形成不同圖案於目標層中，以共同完成預期的佈局圖案。

然而，在前述之雙重圖案化技術中，由於原始佈局圖案通常會被拆分為兩個不同的光罩，故各微影製程中預計形成之圖案的圖案密集度均已不同於原始佈局圖案的圖案密集度，因此，在對兩個光罩的圖案分別進行光學鄰近修正處理時，將可能導致光罩上的圖案過度修正，造成後續形成於目標層中的圖案無法合併形成正確的佈局圖案例如：形成非預期的橋接(bridge)。因此，如何改善光學鄰近修正(OPC)方法以獲得正確的光罩圖案實為相關技術者所欲改進之課題。

本發明之目的之一在於提供一種一種光學鄰近修正(optical proximity correction,OPC)方法，以提高光罩圖案的正確度，進而形成預期的佈局圖案。

本發明之一較佳實施例是提供一種光學鄰近修正(OPC)方法，包括下列步驟。首先，提供一佈局圖案予一電腦系統，且將佈局圖案分類為至少一第一子佈局圖案以及至少一第二子佈局圖案。接著，分別對第一子佈局圖案以及第二子佈局圖案進行至少一次光學鄰近修正運算以形成一已修正的第一子佈局圖案以及一已修正的第二子佈局圖案。隨後，比對已修正的第一子佈局圖案與佈局圖案以選取部分已修正的第一子佈局圖案為一第一選擇圖案，且再修正此第一選擇圖案，使已修正的第一子佈局圖案形成一第三子佈局圖案。另外，比對已修正的第二子佈局圖案與佈局圖案以選取部分已修正的第二子佈局圖案為一第二選擇圖案，且再修正第二選擇圖案，使已修正的第二子佈局圖案形成一第四子佈局圖案。最後，由電腦系統分別輸出第三子佈局圖案至一第一光罩以及第四子佈局圖案至一第二光罩。

本發明的特點在於，對已經過光學鄰近修正運算之佈局圖案(亦即已修正的子佈局圖案)再進行一檢測步驟，也就是說，將已修正的佈局圖案與原始的佈局圖案進行比對，並根據各圖案之間距或圖案密集度選取過度修正的圖案；接著，再修改被選取的圖案例如：減少被選取的圖案所具有的光學鄰近修正運算之修正值。據此，可避免光學鄰近修正運算的誤修正，提高光罩圖案的正確度，以形成預期的佈局圖案。

10，12，14，16，17，18，20，22，24，26‧‧‧步驟

100，200‧‧‧佈局圖案

102，202‧‧‧第一子佈局圖案

102’，202’‧‧‧已修正的第一子佈局圖案

104，204‧‧‧第二子佈局圖案

104’，204’‧‧‧已修正的第二子佈局圖案

106，206”‧‧‧第一選擇圖案

108，210‧‧‧第三子佈局圖案

110，208”‧‧‧第二選擇圖案

112，212‧‧‧第四子佈局圖案

206，208，206’，208’‧‧‧圖案

D‧‧‧緻密區

I‧‧‧孤立區

D1，D2，D3，D4‧‧‧間距

P1，P2‧‧‧原始圖案

P1’，P2’‧‧‧修正圖案

Y‧‧‧方向

第1圖繪示了本發明之一較佳實施例之光學鄰近修正(optical proximity correction,OPC)方法的流程圖。

第2圖至第8圖繪示了本發明之一較佳實施例之光學鄰近修正(optical proximity correction,OPC)方法的示意圖。

第9圖至第13圖繪示了本發明之另一較佳實施例之光學鄰近修正(optical proximity correction,OPC)方法的示意圖。

為使熟習本發明所屬技術領域之一般技藝者能更進一步了解本發明，下文特列舉本發明之較佳實施例，並配合所附圖式，詳細說明本發明的構成內容及所欲達成之功效。

請參考第1圖。第1圖繪示了本發明之一較佳實施例之光學鄰近修正(optical proximity correction,OPC)方法的流程圖。如第1圖所示，首先，進行步驟10，提供一佈局圖案予一電腦系統(圖未示)之一資料庫中。佈局圖案係指後續欲轉移至一光罩或半導體晶片上的一目標層(圖未示)例如：光阻層之理想圖案，其包含任何用以構成積體電路(integrated circuits，IC)的特徵圖案例如摻雜區圖案、元件圖案、電路的佈局圖案(layout)等。在本實施例中，此佈局圖案包含構成閘極圖案或金屬內連線圖案的至少一線段。此外，為了達成較高的積集度，佈局圖案中各圖案的間距需持續縮小，而現有的曝光機台將可能無法直接完整形成佈局圖案，此時，雙重圖案化技術(DPT)將可被應用以解決上述問題。於是，進行步驟12，利用此電腦系統將佈局圖案分類為一第一子佈局圖案以及至少一第二子佈局圖案。第一子佈局圖案以及第二子佈局圖案的圖案會大體上平行於一相同方向且彼此交替排列(alternatively)，且第一子佈局圖案之各圖案的間距和第二子佈局圖案之各圖案的間距均會大於曝光機台的曝光極限亦即曝光技術可曝的最小圖案距離。

接下來，進行步驟14，分別對第一子佈局圖案以及第二子佈局圖案進行至少一次光學鄰近修正運算(OPC)，以分別形成一已修正的第一子佈局圖案以及一已修正的第二子佈局圖案。光學鄰近修正(OPC)可包括先收集第一子佈局圖案/第二子佈局圖案中各幾何圖案的寬度、疏密度以及相對位置，然後，比對資料庫中的修正基準，且計算出各幾何圖案的修正值，以對各幾何圖案中的各線段之線寬、直線末端以及轉角處進行修正。一般來說，修正的方式包括調整線段之線寬，或是於直線末端或轉角處加入輔助圖案例如邊角截線(serif)或鎚頭狀(hammerhead)的圖案，以避免後續行程的光罩圖案轉移至半導體晶片上的目標層例如：光阻層時，目標層上形成的圖案發生偏差(deviation)，例如直角轉角圓形化(right-angled corner rounded)、直線末端緊縮(line end shortened)以及直線線寬增加或縮減(line width increase/decrease)等。

值得注意的是，由於第一子佈局圖案以及第二子佈局圖案係僅分別包含部分佈局圖案，而不同於完整的原始佈局圖案，也就是說，經過光學鄰近修正運算校正後，已修正的第一子佈局圖案以及已修正的第二子佈局圖案所具有的修正效果將不同於相對應的已修正的佈局圖案所具有的修正效果。因此，為進一步確認已修正的第一子佈局圖案以及已修正的第二子佈局圖案之正確性，本實施例將再進行一第一檢測步驟，如步驟16所示，比對已修正的第一子佈局圖案與佈局圖案以及比對已修正的第二子佈局圖案與佈局圖案以檢查已修正的第一子佈局圖案以及已修正的第二子佈局圖案與原始佈局圖案之差異程度，確認已修正的第一子佈局圖案以及已修正的第二子佈局圖案是否過度修正，若是，如步驟17所示，則選取具有較大差異度的部分已修正的第一子佈局圖案以及/或具有較大差異度的部分已修正的第二子佈局圖案分別為一第一選擇圖案以及/或一第二選擇圖案。舉例來說，透過模擬方式比對已修正的第一子佈局圖案與未經過光學鄰近修正運算的第二子佈局圖案(亦即原始佈局圖案中的第二子佈局圖案)，隨後，計算已修正的第一子佈局圖案之圖案與相鄰之未經過光學鄰近修正運算的第二子佈局圖案之圖案的間距，且選取間距小於一固定值或是部分重疊第二子佈局圖案的已修正的第一子佈局圖案的圖案定義為一第一選擇圖案，此外，也可以相同方式選出第二選擇圖案。

隨後，如步驟i8所示，再分別修正第一選擇圖案以及/或第二選擇圖案，減少光學鄰近修正運算(OPC)對子佈局圖案的過度修正，使已修正的第一子佈局圖案形成一第三子佈局圖案以及/或使已修正的第二子佈局圖案形成一第四子佈局圖案。舉例來說，第一選擇圖案以及第二選擇圖案可被完全回復為未經過光學鄰近修正運算之部分第一子佈局圖案以及部分第二子佈局圖案，或直接減少第一選擇圖案/第二選擇圖案的修正量使第一選擇圖案/第二選擇圖案的邊界接近原始第一子佈局圖/原始第二子佈局圖的邊界。

之後，進行步驟20，亦即進行一第二檢測步驟，檢查完成光學鄰近修正運算以及第一檢測步驟的子佈局圖案，例如：第三子佈局圖案以及/或第四子佈局圖案是否符合製程規則檢測(process rule check；PRC)的規則，以進一步確認此子佈局圖案的正確性。舉例來說，透過電腦系統的模擬方式，輸入一製程規則，利用製程規則檢測來檢測第三子佈局圖案以及第四子佈局圖中各線段的直線末端和轉角處，以判斷這些幾何圖案是否符合所設計之積體電路佈局圖案的臨界線寬(critical dimension)和臨界間距(critical space)的限制或其他因應製程設計之規則。當第三子佈局圖案以及第四子佈局圖案完全符合製程規則檢測的規則時，則可將第三子佈局圖案以及第四子佈局圖案輸出，以分別製作成一第一光罩與一第二光罩；然而，若第三子佈局圖案以及第四子佈局圖案有部份或全部不符合製程規則檢測的規則時，則可將第三子佈局圖案以及/或第四子佈局圖案再次利用電腦系統以前述步驟進行部分或全部的再修正。最後，如步驟22所示，由電腦系統分別輸出第三子佈局圖案至一第一光罩以及/或第四子佈局圖案至一第二光罩。

同樣地，當完成如步驟16所示的第一檢測步驟，若已修正的第一子佈局圖案以及/或已修正的第二子佈局圖案未過度修正時，則可進行類似步驟20所示的第二檢測步驟，亦即如步驟24所示，檢查已修正的第一子佈局圖案以及/或已修正的第二子佈局圖案是否符合製程規則檢測(process rule check；PRC)的規則。若是，如步驟26所示，則可將已修正的第一子佈局圖案以及/或已修正的第二子佈局圖案輸出，以分別製作成一第一光罩以及/或一第二光罩。若否，則可將已修正的第一子佈局圖案以及/或已修正的第二子佈局圖案，再次利用電腦系統以前述步驟進行部分或全部的再修正。

為更詳細說明上述步驟，請參考第2圖至第8圖，第2圖至第8圖繪示了本發明之一較佳實施例之光學鄰近修正(optical proximity correction,OPC)方法的示意圖。如第2圖所示，首先，提供一佈局圖案100予例如一電腦系統(圖未示)之一儲存媒介中，再利用電腦系統將佈局圖案100分類為第一子佈局圖案102(以斜線標記)以及第二子佈局圖案104(以圓點標記)。基本上，第一子佈局圖案102中的各個圖案以及第二子佈局圖案104中的各個圖案會大體上平行於一相同方向Y，而且彼此交替排列(alternatively)，此外，第一子佈局圖案102之各個圖案的間距和第二子佈局圖案104之各個圖案的間距均會大於曝光機台的曝光極限亦即曝光技術可曝的最小圖案距離。

接著，分別對第一子佈局圖案102以及第二子佈局圖案104進行至少一次光學鄰近修正運算(OPC)，以形成已修正的第一子佈局圖案102’以及已修正的第二子佈局圖案104’，如第3圖以及第4圖所示，其中修正圖案P1’/P2’之一線段與原始圖案P1/P2之一線段的間距D1/D2亦即光學鄰近修正運算所提供的修正值係與鄰近圖案的分布情形呈正相關。以如第3圖所示之原始圖案P1與修正圖案P1’的間距D1為例，在第一子佈局圖案102中，原始圖案P1之右上側無相鄰圖案，而原始圖案P1之右下側有相鄰圖案，因此在修正後，修正圖案P1’右上側的間距D1將實質上大於修正圖案P1’右下側的間距D1。同樣的，如第4圖所示，修正圖案P2’左上側的間距D2將實質上大於修正圖案P2’左下側的間距D2。

然後，如第5圖所示，利用電腦系統比對已修正的第一子佈局圖案102’與未修正之第二子佈局圖案104，計算已修正的第一子佈局圖案102’之圖案與第二子佈局圖案104之圖案的間距D3，將間距D3小於一固定值例如：二分之一臨界間距(critical space)的已修正的第一子佈局圖案102’的圖案選取為第一選擇圖案106。此外，也可檢查已修正的第一子佈局圖案102’之一圖案是否重疊第二子佈局圖案104之一圖案，且將重疊第二子佈局圖案104之圖案的已修正的第一子佈局圖案102’的圖案選取為第一選擇圖案106。

隨後，如第6圖所示，再修正已修正的第一子佈局圖案102’中的部分圖案，亦即第一選擇圖案106，例如：縮減第一選擇圖案106的修正幅度，較佳者，將第一選擇圖案106的修正幅度修正為鄰接第一選擇圖案106之已修正第一子佈局圖案102’的部分圖案的修正幅度，且維持已修正的第一子佈局圖案102’中其他圖案的原始修正值，使已修正的第一子佈局圖案102’形成一第三子佈局圖案108。

此外，同樣地，如第7圖所示，利用電腦系統比對已修正的第二子佈局圖案104’與未修正之第一子佈局圖案102，計算已修正的第二子佈局圖案104’之圖案與第一子佈局圖案102之圖案的間距D4，將間距D4小於一固定值例如：二分之一臨界間距(critical space)的已修正的第二子佈局圖案104’的圖案選取為第二選擇圖案110。此外，也可檢查已修正的第二子佈局圖案104’之一圖案是否重疊第一子佈局圖案102之一圖案，且將重疊第一子佈局圖案102之圖案的已修正的第二子佈局圖案104’的圖案選取為第二選擇圖案110。

隨後，如第8圖所示，再修正已修正的第二子佈局圖案104’中的部分圖案，亦即第二選擇圖案110，例如：縮減第二選擇圖案110的修正幅度，較佳者，將第二選擇圖案110的修正幅度修正為鄰接第二選擇圖案110之已修正第二子佈局圖案104’的部分圖案的修正幅度，且維持已修正的第二子佈局圖案104’中其他圖案的原始修正值，以形成一第四子佈局圖案112。

隨後，進行製程規則檢測(PRC)檢測，且將符合製程規則檢測(PRC)規則之第三子佈局圖案108以及第四子佈局圖案112由電腦系統分別輸出並製作成一第一光罩(圖未示)以及一第二光罩(圖未示)。

在其他實施例中，亦可直接比對已修正的第一子佈局圖案102’以及已修正的第二子佈局圖案104’，計算已修正的第一子佈局圖案102’之圖案與已修正的第二子佈局圖案104’之圖案的間距，並將間距小於一固定值例如：二分之一臨界間距(critical space)的已修正的第一子佈局圖案102’之該圖案與已修正的第二子佈局圖案104’之該圖案分別定義為第一選擇圖案與該第二選擇圖案。此外，檢查已修正的第一子佈局圖案102’之一圖案是否重疊已修正的第二子佈局圖案104’之一圖案，且將彼此重疊的已修正的第一子佈局圖案102’之該圖案與已修正的第二子佈局圖案的該圖案分別定義為第一選擇圖案與第二選擇圖案。隨後，相同地，再修正第一選擇圖案與第二選擇圖案，例如：縮減第一選擇圖案與第二選擇圖案的修正幅度，使已修正的第一子佈局圖案102’形成一第三子佈局圖案以及已修正的第二子佈局圖案104’形成一第四子佈局圖案。

檢查已修正的第一子佈局圖案以及已修正的第二子佈局圖案與原始佈局圖案之差異程度的方法不以上述實施例為限。請參考第9圖至第13圖，第9圖至第13圖繪示了本發明之另一較佳實施例之光學鄰近修正(optical proximity correction,OPC)方法的示意圖。如第9圖所示，首先，提供一佈局圖案200予一電腦系統(圖未示)之一儲存媒介中，然後，依幾何圖案的分佈密度情形，將佈局圖案200分類為至少一緻密區(dense region)D以及至少一孤立區(isolated region)I，更詳細地說，可將單位面積中圖案密集度較大的區域定義為緻密區D，而單位面積中圖案密度較小的區域則可被定義為孤立區I，也就是說，緻密區D的佈局圖案200之圖案密集度係實質上大於孤立區I的佈局圖案200之圖案密集度，亦即緻密區D中的圖案彼此間距較小，而孤立區I中的圖案則彼此間距較大。而為了達成較高的積集度，緻密區D中圖案的間距需不停減小，將造成現有的曝光機台無法形成緻密區D中的圖案。

此時，雙重圖案化技術(DPT)可被應用以解決上述問題，其係利用此電腦系統將佈局圖案200分類為一第一子佈局圖案202(以斜線標記)以及至少一第二子佈局圖案204(以圓點標記)。第一子佈局圖案202之各圖案間的間距和第二子佈局圖案204之各圖案間的間距均會大於曝光機台的曝光極限亦即曝光技術可曝的最小圖案距離。之後，如第10圖以及第11圖所示，以將佈局圖案200分類為緻密區D以及孤立區I的方法，同樣地將第一子佈局圖案202以及第二子佈局圖案204分別分類為至少一緻密區D以及至少一孤立區I。

接下來，比對第一子佈局圖案202中孤立區I的圖案與佈局圖案200中緻密區D的圖案，且選擇出相同的圖案例如：圖案206，此圖案206在第一子佈局圖案202中與相鄰圖案之間距係實質上大於其相對應圖案206’在原始佈局圖案200中與相鄰圖案之間距，而此差異將可能造成非預期的修正量於後續形成的已修正的第一子佈局圖案中。另外，在其他實施例中，也可將第一子佈局圖案202中孤立區I的圖案僅與對應第一子佈局圖案202且位於緻密區D的佈局圖案比對，而未比對對應第二子佈局圖案204且位於緻密區D的佈局圖案，以節省電腦系統的負荷及運算時間。

同樣地，比對第二子佈局圖案204中孤立區I的圖案與佈局圖案200中緻密區D的圖案，且選擇出相同的圖案例如：圖案208。此圖案208在第二子佈局圖案204中與相鄰圖案之間距係實質上大於其相對應圖案208’在原始佈局圖案200中與相鄰圖案之間距，而此差異將可能造成非預期的修正量於後續形成的已修正的第二子佈局圖案中。此外，也可將第二子佈局圖案204中孤立區I的圖案僅與對應第二子佈局圖案204且位於緻密區D的佈局圖案比對，而未比對對應第一子佈局圖案202且位於緻密區D的佈局圖案，以縮減電腦系統的負荷及運算時間。

之後，分別對第一子佈局圖案202以及第二子佈局圖案204進行至少一次光學鄰近修正運算以形成一已修正的第一子佈局圖案202’以及一已修正的第二子佈局圖案204’。值得注意的是，第一子佈局圖案202/第二子佈局圖案204中的圖案206/208係位於孤立區I，然而在佈局圖案200中相對應的原始圖案206’/208’係位於緻密區D，也就是說，經過光學鄰近修正運算校正後，圖案206/208所具有的修正效果將不同於原始圖案206’/208’所需的修正效果。據此，對應圖案206的部分已修正的第一子佈局圖案202’定義為第一選擇圖案206”以及對應圖案208的部分已修正的第二子佈局圖案204’定義為第二選擇圖案208”。

如第12圖所示，再修正第一選擇圖案206”，在本實施例中，縮減第一選擇圖案206”的修正幅度，使第一選擇圖案206”的邊界靠近第一子佈局圖案202中圖案206的邊界，較佳者，將第一選擇圖案206”的修正幅度修正為鄰接第一選擇圖案206”之已修正第一子佈局圖案202’的部分圖案的修正幅度，且維持已修正的第一子佈局圖案202’中其他圖案的原始修正值，使已修正的第一子佈局圖案202’形成一第三子佈局圖案210。

如第13圖所示，再修正第二選擇圖案208”，在本實施例中，縮減第二選擇圖案208”的修正幅度，使第二選擇圖案208”的邊界靠近第二子佈局圖案204中圖案208的邊界，較佳者，將第二選擇圖案208”的修正幅度修正為鄰接第二選擇圖案208”之已修正第二子佈局圖案204’的部分圖案的修正幅度，且維持已修正的第二子佈局圖案204’中其他圖案的原始修正值，以形成一第四子佈局圖案212。隨後，進行製程規則檢測(PRC)檢測，且將符合製程規則檢測(PRC)規則之第三子佈局圖案210以及第四子佈局圖案212由電腦系統分別輸出並製作成一第一光罩(圖未示)以及一第二光罩(圖未示)。

10，12，14，16，17，18，20，22，24，26‧‧‧步驟

Claims

一種光學鄰近修正(optical proximity correction,OPC)方法，包含：提供一佈局圖案予一電腦系統；將該佈局圖案分類為至少一第一子佈局圖案以及至少一第二子佈局圖案；分別對該第一子佈局圖案以及該第二子佈局圖案進行至少一次光學鄰近修正運算以形成一已修正的第一子佈局圖案以及一已修正的第二子佈局圖案；比對該已修正的第一子佈局圖案與該佈局圖案以選取部分該已修正的第一子佈局圖案為一第一選擇圖案；修正該第一選擇圖案，使該已修正的第一子佈局圖案形成一第三子佈局圖案；比對該已修正的第二子佈局圖案與該佈局圖案以選取部分該已修正的第二子佈局圖案為一第二選擇圖案；修正該第二選擇圖案，使該已修正的第二子佈局圖案形成一第四子佈局圖案；以及由該電腦系統分別輸出該第三子佈局圖案至一第一光罩以及該第四子佈局圖案至一第二光罩。
如請求項1所述之光學鄰近修正方法，其中選取部分該已修正的第一子佈局圖案的方法包括：比對該已修正的第一子佈局圖案與該第二子佈局圖案；以及計算該已修正的第一子佈局圖案之一圖案與該第二子佈局圖案之一圖案的間距，且將間距小於一固定值的該已修正的第一子佈局圖案的該圖案定義為該第一選擇圖案。
如請求項1所述之光學鄰近修正方法，其中選取部分該已修正的第一子佈局圖案的方法包括：比對該已修正的第一子佈局圖案與該第二子佈局圖案；以及檢查該已修正的第一子佈局圖案之一圖案是否重疊該第二子佈局圖案之一圖案，且將重疊該第二子佈局圖案之該圖案的該已修正的第一子佈局圖案的該圖案定義為該第一選擇圖案。
如請求項1所述之光學鄰近修正方法，其中選取部分該已修正的第二子佈局圖案的方法包括：比對該已修正的第二子佈局圖案與該第一子佈局圖案；以及計算該已修正的第二子佈局圖案之圖案與該第一子佈局圖案之圖案的間距，且將間距小於一固定值的該已修正的第二子佈局圖案的該圖案定義為該第二選擇圖案。
如請求項1所述之光學鄰近修正方法，其中選取部分該已修正的第二子佈局圖案的方法包括：比對該已修正的第二子佈局圖案與該第一子佈局圖案；以及檢查該已修正的第二子佈局圖案之一圖案是否重疊該第一子佈局圖案之一圖案，且將重疊該第一子佈局圖案之該圖案的該已修正的第二子佈局圖案的該圖案定義為該第二選擇圖案。
如請求項1所述之光學鄰近修正方法，其中選取部分該已修正的第一子佈局圖案以及部分該已修正的第二子佈局圖案的方法包括：比對該已修正的第一子佈局圖案以及該已修正的第二子佈局圖案；以及計算該已修正的第一子佈局圖案之一圖案與該已修正的第二子佈局圖案之一圖案的間距，將間距小於一固定值的該已修正的第一子佈局圖案之該圖案與該已修正的第二子佈局圖案之該圖案分別定義為該第一選擇圖案與該第二選擇圖案。
如請求項1所述之光學鄰近修正方法，其中選取部分該已修正的第一子佈局圖案以及部分該已修正的第二子佈局圖案的方法包括：比對該已修正的第一子佈局圖案以及該已修正的第二子佈局圖案；以及檢查該已修正的第一子佈局圖案之一圖案是否重疊該已修正的第二子佈局圖案之一圖案，且將彼此重疊的該已修正的第一子佈局圖案之該圖案以及該已修正的第二子佈局圖案的該圖案分別定義為該第一選擇圖案與該第二選擇圖案。
如請求項1所述之光學鄰近修正方法，其中選取部分該已修正的第一子佈局圖案的方法包括：將該佈局圖案分類為至少一緻密區以及至少一孤立區；將該第一子佈局圖案分類為至少一緻密區以及至少一孤立區；以及比對該第一子佈局圖案中該孤立區的至少一圖案與該佈局圖案中該緻密區的至少一圖案，選出一相同圖案，且將對應該相同圖案的部分該已修正的第一子佈局圖案定義為該第一選擇圖案。
如請求項8所述之光學鄰近修正方法，其中比對該第一子佈局圖案中該孤立區的至少一圖案與該佈局圖案中該緻密區的至少一圖案包括僅比對該第一子佈局圖案中該孤立區的圖案與對應該第一子佈局圖案且位於該緻密區的該佈局圖案。
如請求項1所述之光學鄰近修正方法，其中選取部分該已修正的第二子佈局圖案的方法包括：將該佈局圖案分類為至少一緻密區以及至少一孤立區；將該第二子佈局圖案分類為至少一緻密區以及至少一孤立區；以及比對該第二子佈局圖案中該孤立區的至少一圖案與該佈局圖案中該緻密區的至少一圖案，選出一相同圖案，且將對應該相同圖案的部分該已修正的第二子佈局圖案定義為該第二選擇圖案。
如請求項10所述之光學鄰近修正方法，其中比對該第二子佈局圖案中該孤立區的至少一圖案與該佈局圖案中該緻密區的至少一圖案包括僅比對該第二子佈局圖案中該孤立區的圖案與對應該第二子佈局圖案且位於該緻密區的該佈局圖案。