KR100882260B1 - 패턴 분해된 피처들을 위한 모델-기반 ｏｐｃ를 수행하는장치 및 방법 - Google Patents
패턴 분해된 피처들을 위한 모델-기반 ｏｐｃ를 수행하는장치 및 방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR100882260B1 KR100882260B1 KR1020070093322A KR20070093322A KR100882260B1 KR 100882260 B1 KR100882260 B1 KR 100882260B1 KR 1020070093322 A KR1020070093322 A KR 1020070093322A KR 20070093322 A KR20070093322 A KR 20070093322A KR 100882260 B1 KR100882260 B1 KR 100882260B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- pattern
- correction process
- error
- optical proximity
- modified
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 146
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims abstract description 38
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims abstract description 36
- 238000012937 correction Methods 0.000 claims abstract description 31
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 19
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims description 14
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 claims description 12
- 238000003860 storage Methods 0.000 claims description 9
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 4
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 claims description 2
- 238000004590 computer program Methods 0.000 claims 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 16
- 230000015654 memory Effects 0.000 description 14
- 238000013461 design Methods 0.000 description 13
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 11
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 7
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 3
- 238000004040 coloring Methods 0.000 description 3
- 238000011960 computer-aided design Methods 0.000 description 3
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- 238000012795 verification Methods 0.000 description 3
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 230000003750 conditioning effect Effects 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 230000000593 degrading effect Effects 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- 230000005381 magnetic domain Effects 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 230000037452 priming Effects 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/36—Masks having proximity correction features; Preparation thereof, e.g. optical proximity correction [OPC] design processes
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
- G03F1/70—Adapting basic layout or design of masks to lithographic process requirements, e.g., second iteration correction of mask patterns for imaging
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70425—Imaging strategies, e.g. for increasing throughput or resolution, printing product fields larger than the image field or compensating lithography- or non-lithography errors, e.g. proximity correction, mix-and-match, stitching or double patterning
- G03F7/70433—Layout for increasing efficiency or for compensating imaging errors, e.g. layout of exposure fields for reducing focus errors; Use of mask features for increasing efficiency or for compensating imaging errors
- G03F7/70441—Optical proximity correction [OPC]
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70425—Imaging strategies, e.g. for increasing throughput or resolution, printing product fields larger than the image field or compensating lithography- or non-lithography errors, e.g. proximity correction, mix-and-match, stitching or double patterning
- G03F7/70466—Multiple exposures, e.g. combination of fine and coarse exposures, double patterning or multiple exposures for printing a single feature
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70425—Imaging strategies, e.g. for increasing throughput or resolution, printing product fields larger than the image field or compensating lithography- or non-lithography errors, e.g. proximity correction, mix-and-match, stitching or double patterning
- G03F7/70475—Stitching, i.e. connecting image fields to produce a device field, the field occupied by a device such as a memory chip, processor chip, CCD, flat panel display
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06T—IMAGE DATA PROCESSING OR GENERATION, IN GENERAL
- G06T7/00—Image analysis
- G06T7/0002—Inspection of images, e.g. flaw detection
- G06T7/0004—Industrial image inspection
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Quality & Reliability (AREA)
- Computer Vision & Pattern Recognition (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
- Accessory Devices And Overall Control Thereof (AREA)
Abstract
이미징될 피처들을 포함한 타겟 회로 패턴을 다수 패턴들로 분해하는 방법이 개시된다. 상기 공정은 프린트될 상기 피처들을 제 1 패턴 및 제 2 패턴으로 분리하는 단계; 제 1 패턴 및 제 2 패턴 상에 제 1 광 근접성 보정 공정을 수행하는 단계; 제 1 패턴 및 제 2 패턴의 이미징 성능을 결정하는 단계; 제 1 패턴과 제 1 패턴의 이미징 성능 간의 제 1 오차, 및 제 2 패턴과 제 2 패턴의 이미징 성능 간의 제 2 오차를 결정하는 단계; 수정된 제 1 패턴을 생성하기 위해, 제 1 패턴을 조정하는데 제 1 오차를 이용하는 단계; 수정된 제 2 패턴을 생성하기 위해, 제 2 패턴을 조정하는데 제 2 오차를 이용하는 단계; 및 수정된 제 1 패턴 및 수정된 제 2 패턴에 제 2 광 근접성 보정 공정을 적용하는 단계를 포함한다.
Description
본 출원서는 2006 년 9 월 13 일에 출원된 US 가출원 제 60/844,074호에 대한 우선권을 주장하며, 본 명세서에서는 그 전문이 인용참조된다.
본 명세서는, 일반적으로 마스크 디자인에 광 근접성 보정(optical proximity correction: OPC)을 수행하는 것에 관한 것이며, 특히 다수 패턴들로 분해(decompose)되었고 (더블-패터닝(DPT)이라고도 칭하는) 다중 노광 공정을 이용하여 이미징(imaging)될 마스크 디자인에 OPC를 수행하는 방법에 관한 것이다.
리소그래피 장치는, 예를 들어 집적 회로(IC)의 제조시 사용될 수 있다. 이러한 경우, 마스크는 IC의 개별층에 대응하는 회로 패턴을 포함할 수 있으며, 이 패턴은 방사선 감응재(레지스트)층으로 코팅된 기판(실리콘 웨이퍼) 상의 (예를 들어, 1 이상의 다이를 포함하는) 타겟부 상으로 이미징될 수 있다. 일반적으로, 단일 웨이퍼는 투영 시스템을 통해 한번에 하나씩 연속적으로 조사되는 인접한 타겟부들의 전체적인 네트워크를 포함할 것이다. 일 형태의 리소그래피 투영 장치에서 는, 전체 마스크 패턴을 타겟부 상으로 한번에 노광함으로써 각각의 타겟부가 조사되는데; 이러한 장치를 통상적으로 웨이퍼 스테퍼(wafer stepper)라 칭한다. 통상적으로 스텝-앤드-스캔 장치(step-and-scan apparatus)라 칭해지는 대안적인 장치에서는, 투영 빔 하에서 주어진 기준 방향("스캐닝" 방향)으로 마스크 패턴을 점진적으로 스캐닝하면서, 이 방향과 평행하게(같은 방향으로 평행하게) 또는 역-평행하게(반대 방향으로 평행하게) 기판 테이블을 동기적으로 스캐닝함으로써 각각의 타겟부가 조사된다. 일반적으로 투영 시스템은 배율 인자(Ｍ)(일반적으로 < 1)를 갖기 때문에, 기판 테이블이 스캐닝되는 속력(Ｖ)은 마스크 테이블이 스캐닝되는 속력의 인자(Ｍ) 배가 될 것이다. 본 명세서에 서술된 바와 같은 리소그래피 디바이스들에 관련된 더 많은 정보는, 예를 들어 본 명세서에서 인용참조되는 US 제 6,046,792호로부터 얻을 수 있다.
리소그래피 투영 장치를 사용하는 제조 공정에서, 마스크 패턴은 방사선 감응재(레지스트)층에 의해 전체적으로 또는 부분적으로 덮여 있는 기판 상에 이미징된다. 이러한 이미징 단계에 앞서, 기판은 전처리(priming), 레지스트 코팅 및 소프트 베이크(soft bake)와 같은 다양한 과정들을 거칠 수 있다. 노광 이후, 기판은 노광후 베이크(post-exposure bake: PEB), 현상, 하드 베이크(hard bake) 및 이미징된 피처들의 측정/검사와 같은 다른 과정들을 거칠 수 있다. 이러한 일련의 과정들은 디바이스, 예컨대 IC의 개별층을 패터닝하는 기초로서 사용된다. 그 후, 이러한 패터닝된 층은 그 모두가 개별층을 마무리하도록 의도된, 에칭, 이온-주입(도핑), 금속화(metallization), 산화, 화학-기계적 폴리싱 등과 같은 다양한 공정들 을 거칠 수 있다. 여러 층이 요구된다면, 각각의 새로운 층에 대해 전체 과정 또는 그 변형이 반복되어야 할 것이다. 최후에는, 디바이스들의 어레이가 기판(웨이퍼) 상에 존재하게 될 것이다. 그 후, 이 디바이스들은 다이싱(dicing) 또는 소잉(sawing)과 같은 기술에 의해 서로 분리되며, 개개의 디바이스들은 캐리어에 장착되며 핀 등에 연결될 수 있다.
간명함을 위해, 투영 시스템은 이후에 "렌즈"라고 언급될 수 있다; 하지만, 이 용어는 예를 들어 굴절 광학기, 반사 광학기 및 카타디옵트릭 시스템(catadioptric system)을 포함하는 다양한 타입의 투영 시스템들을 포괄하는 것으로서 폭넓게 해석되어야 한다. 또한, 방사선 시스템은 방사선 투영 빔을 지향, 성형 또는 제어하기 위해 이러한 설계 유형 중의 어느 하나에 따라 작동하는 구성요소들을 포함할 수 있으며, 이후 이러한 구성요소들은 집합적으로 또는 개별적으로 "렌즈"라고 언급될 수도 있다. 또한, 상기 리소그래피 장치는 2 이상의 기판 테이블 (및/또는 2 이상의 마스크 테이블)을 갖는 형태로 구성될 수 있다. 이러한 "다수 스테이지" 디바이스에서는 추가 테이블들이 병행하여 사용될 수 있으며, 또는 1 이상의 테이블이 노광에 사용되고 있는 동안 1 이상의 다른 테이블에서는 준비 작업 단계가 수행될 수 있다. 트윈 스테이지 리소그래피 장치는, 예를 들어 본 명세서에서 인용참조되는 US 제 5,969,441호에 개시되어 있다.
앞서 언급된 포토리소그래피 마스크들은 실리콘 웨이퍼 상으로 집적화되어야 할 회로 구성요소에 대응하는 기하학적인 패턴들을 포함한다. 이러한 마스크를 생성하는데 사용되는 패턴들은 CAD(컴퓨터 지원 설계: computer-aided design) 프로 그램들을 사용하여 생성되며, 이 프로세스는 흔히 EDA(전자 설계 자동화: electronic design automation)라고 칭해진다. 대부분의 CAD 프로그램은 기능성 마스크를 생성하기 위해 사전설정된 설계 규칙의 세트를 따른다. 이러한 규칙들은 처리 및 설계 제한들에 의해 설정된다. 예를 들어, 설계 규칙은 회로 디바이스들(예컨대, 게이트들, 캐패시터들 등) 또는 상호연결 라인들 사이의 간격 공차(space tolerance)를 정의하여, 상기 회로 디바이스들 또는 라인들이 원하지 않는 방식으로 서로 상호작용하지 않을 것을 보장한다. 설계 규칙 제한들은 통상적으로 "임계 치수(CD)"라고도 칭해진다. 회로의 임계 치수는 하나의 라인 또는 홀의 최소폭, 또는 두 라인 또는 두 홀 간의 최소 간격으로서 정의될 수 있다. 따라서, CD는 설계된 회로의 전체 크기 및 밀도를 결정한다.
물론, 집적 회로 제작의 목적들 중 하나는, 원래 회로 설계를 (마스크를 통해) 웨이퍼 상에 충실하게 재현(reproduce)하는 것이다. 일반적으로 관심을 받는 한가지 기술은 더블-패터닝 또는 DPT이다. 일반적으로 말하면, 더블-패터닝은 밀집한 회로 패턴(dense circuit pattern)을 2 개의 분리된 덜-밀집한 패턴들로 쪼개는 노광 방법이다. 그 후, 2 개의 분리된 마스크들을 이용하여 간이화한 패턴들이 타겟 웨이퍼 상에 개별적으로 프린트된다(이때, 마스크들 중 하나는 덜-밀집한 패턴들 중 하나를 이미징하는데 이용되고, 다른 마스크는 다른 덜-밀집한 패턴을 이미징하는데 이용된다). 또한, 예를 들어 이미징된 웨이퍼가 2 개의 마스크들 중 어느 하나에 바탕을 둔 절반인 피처 피치(feature pitch)를 갖도록 제 1 패턴의 라인들 사이에 제 2 패턴이 프린트된다. 이 기술은 리소그래피 공정의 복잡성을 효과적으 로 낮춰서, 달성가능한 분해능을 개선하고 다른 경우에 가능한 것보다 훨씬 작은 피처들로 프린트할 수 있게 한다.
하지만, 아래에서 더 설명되는 바와 같이 타겟 패턴을 2 개의 분리된 마스크들로 분리하는 방식을 결정하는 것이 가능한 한편, 각각의 마스크들의 표준 OPC 처리들은 흔히 만족스러운 이미징 성능을 얻기에 부족하다. 이는 부분적으로, 예를 들어 32 nm 모드에서와 같이 점점 더 작은 CD들을 갖는 피처들의 이미싱시 일어나는 더 강한 근접성 효과들 때문이다. 정말로, 개별적인 마스크들에 대한 표준 OPC 처리들은 붕괴된 윤곽(broken contour) 또는 라인 단절(line break)들을 나타내는 최종 이미징된 패턴을 발생시킬 것이다.
따라서, 본 발명의 목적은 더블-패터닝 공정에서 다수 패턴들/마스크들로 분해되었던 마스크 디자인에 OPC를 적용하는 장치 및 방법을 제공하는 것이며, 이는 앞서 언급된 문제점들을 극복한다.
앞서 언급된 바와 같이, 본 발명의 목적은 더블-패터닝 공정에서 이용될 타겟 패턴의 분해를 수행하는 개선된 공정을 제공하는 것이며, 이는 개선된 이미징 결과들을 제공한다.
더 명확하게는, 본 발명은 이미징될 피처들을 포함한 타겟 회로 패턴을 다수 패턴들로 분해하는 방법에 관한 것이다. 이 공정은 프린트될 피처들을 제 1 패턴 및 제 2 패턴으로 분리하는 단계; 제 1 패턴 및 제 2 패턴 상에 제 1 광 근접성 보정 공정을 수행하는 단계; 제 1 패턴 및 제 2 패턴의 이미징 성능을 결정하는 단계; 제 1 패턴과 제 1 패턴의 이미징 성능 간의 제 1 오차, 및 제 2 패턴과 제 2 패턴의 이미징 성능 간의 제 2 오차를 결정하는 단계; 수정된 제 1 패턴을 생성하기 위해 제 1 패턴을 조정하는데 제 1 오차를 이용하는 단계; 수정된 제 2 패턴을 생성하기 위해 제 2 패턴을 조정하는데 제 2 오차를 이용하는 단계 및 수정된 제 1 패턴 및 수정된 제 2 패턴에 제 2 광 근접성 보정 공정을 적용하는 단계를 포함한다.
본 발명의 공정은 주어진 타겟 패턴을 다수 패턴들로 분해하게 하며, 이는 더블-패터닝과 같은 다수 조명 공정시 이미징되는 경우에 허용가능한 오차 기준 내에서 원하는 타겟 패턴을 정확하게 재현한다. 앞서 언급된 공정은 분해된 패턴들 사이의 스티칭 영역(stitching area)에서 일어나는 붕괴된 라인들 및 단절들을 제거하는 것이 중요하다.
본 명세서에서는, IC의 제조에 있어서의 특정 사용예에 대하여 언급되지만, 본 발명은 다수의 다른 가능한 적용예들을 갖는다는 것을 명확히 이해하여야 한다. 예를 들어, 이는 집적 광학 시스템, 자기 도메인 메모리용 안내 및 검출 패턴, 액정 디스플레이, 박막 자기 헤드 등의 제조시에 채택될 수 있다. 당업자라면, 이러한 대안적인 적용예와 관련하여, 본 명세서의 "레티클", "웨이퍼" 또는 "다이"와 같은 어떠한 용어의 사용도 각각 "마스크", "기판" 또는 "타겟부"와 같은 좀 더 일반적인 용어와 동의어로 대체되는 것으로 간주되어야 한다.
또 다른 목적들 및 장점들과 함께 본 발명 자체는 첨부한 도면들 및 다음의 상세한 설명을 참조하여 더 훌륭하게 이해할 수 있다.
본 명세서는 타겟 패턴을 더블-패터닝 공정에서 사용하기 위한 다수 마스크 패턴들로 분해하여 발생한 마스크 패턴들에 OPC 처리들을 적용하는 방법을 예시한다. 본 발명의 OPC 공정을 설명하기 이전에, 분해 공정의 간단한 개요가 제공된다.
타겟 패턴을 2 개의 분리된 패턴들로 분리하는(컬러링(coloring) 한다고도 함) 다양한 기술들이 알려져 있으며, 이는 2 개의 분리된 마스크들을 생성하기 위해 기초로서 이용된다. 이러한 한가지 방법은 컬러링 라인 방법(CLN)으로서 언급된다. 도 1 내지 도 3은 컬러링 라인 방법의 예시적인 공정을 나타낸다. 도 1을 참조하면, 예를 들어 피처들이 분리된 마스크들에 할당될 것을 식별하는 피치에 기초하여 타겟 패턴(10)이 먼저 채색(color)된다. 주어진 예시에서, 제 1 마스크(16)에 짧은 피처들(12)이 할당되고, 제 2 마스크(18)에 긴 피처들(14)이 할당된다. 나타낸 바와 같이, 결과적인 마스크들에서의 피처들 간의 결과적인 피치는 원래 타겟 마스크에서의 피처들 간의 피치의 2 배이며, 이는 그로 인해 피처들의 적절한 이미징을 허용한다. 타겟 패턴이 분리된 마스크들/패턴들로 분해된 이후에, 도 1에 나타낸 개별적인 마스크들(20 및 22)에 OPC가 적용될 수 있다.
일단 OPC 처리가 적용되면, 웨이퍼는 먼저 제 1 마스크(20)를 이용한 후 제 2 마스크(22)를 이용하는 2 가지 노광을 거치며(하지만, 노광의 순서는 역일 수도 있음), 그 후 도 2에 나타낸 바와 같이 웨이퍼 내에 원하는 패턴을 생성하기 위해 에칭된다(참조 번호 24 참조). 결과적인 이미지는 제 1 및 제 2 노광 공정의 "OR" 조합을 나타낸다. 도 3을 참조하면, 더블 노광 공정 이후에 평균 세기 변조(average intensity modulation)는 실질적으로 평탄하다는 것을 유의한다.
또한, 타겟 패턴을 다수 패턴들로 분해하거나 쪼개는 다양한 방법들 및 기술들이 존재한다는 것을 유의한다. 첫째로, 분해 공정을 수행하는 룰-기반 기술(rule-based technique) 및 모델-기반 기술(model-based technique)이 존재한다. 둘째, 또한 주어진 패턴에 대한 분해 공정을 수행하는 많은 선택 사항들이 존재한다. 도 4는 동일한 패턴의 분해에 관하여 다수의 상이한 예시들을 나타낸다. 도 4를 참조하면, "스플리트 1"은 수평 라인(45)의 중심에서 분해되는 수직 라인들(41 및 43)을 갖는 H-형 피처를 예시한다. "스플리트 2"는 수평 라인(45)이 수직 라인(43)의 안쪽 에지에 접촉하는 지점에서 분해되는 H-형 피처를 예시한다. "스플리트 3"은 수평 라인(45)이 수직 라인(43)의 바깥쪽 에지에 접촉하는 지점에서 분해되는 H-평 피처를 예시한다.
일단 타겟 패턴이 2 이상의 패턴들로 분해되면, 개별적인 패턴들에 OPC 기술 들이 적용될 수 있다. 하지만, 현재 공정들은 OPC 처리를 분해된 패턴들에 직접 적용시킨다. 도 5는 도 4의 "스플리트 1"에 나타낸 분해된 패턴 예시에 대한 OPC 기술들의 적용을 예시한다. 나타낸 바와 같이, 분해된 피처 41에 대응하는 분해된 피처는 OPC 처리를 거친다(참조 번호 51 참조). OPC 처리시, 피처 41의 형상이 수정된다는 것을 유의한다. 또한, OPC 처리는 마스크 패턴에 대한 어시스트 피처(assist feature: 52)(또는 스캐터 바 피처(scatter bar feature))의 추가를 포함할 수 있다. 그 다음, OPC 처리된 패턴(51)이 마스크를 생성하는데 이용되며, 이는 OPC 처리된 피처(51)로부터 발생하는 프린트된 윤곽을 결정하도록 조명(또는 시뮬레이트)된다.
앞서 언급된 예시를 계속하여, 결과적인 프린트된 윤곽(55)이 도 5에 예시된다. 나타낸 바와 같이, 피처는 이미징 이전에 OPC로 처리되었지만, 피처에 대응하는 결과적인 프린트된 윤곽은 짧아진 상호연결부를 나타낸다. 또한, OPC로 처리되었던 분리된 마스크 패턴 내에 배치된 맞은편 피처(43)도 짧아진 상호연결부를 나타낸다. 그 결과, 다수 이미징 공정의 조합된 결과는 도 5에 나타낸 바와 같이 바람직하지 않은 라인 단절을 나타내므로 원하는 윤곽(57)을 생성하지 않는 최종 윤곽(59)을 생성한다. 이 문제는, 이 작동 모드에서 더 작은 임계 치수 요건들과 연계된 더 강한 광 근접성 효과들로 인해, 32 nm 모드에서 더 중요해진다는 것을 유의한다. 본 발명의 공정은 앞서 언급된 논점들을 제거한다.
도 6은 본 발명에 따른 타겟 패턴을 다수 패턴들로 분해하고, 분해된 패턴들에 OPC 처리들을 적용하는 공정을 나타내는 예시적인 흐름도이다. 도 6을 참조하 면, 공정에서 제 1 단계(단계 61)는 원래 타겟(타겟 패턴이라고도 칭함)을 정의하는 것이다. 그 후, 타겟 패턴은 패턴들을 분해하는 여하한의 적절한 룰-기반 또는 모델-기반 기술을 이용하여 다수 패턴들(63 및 64)로 분해된다(단계 62). 전형적으로, 비-임계 피처들이 어느 하나의 마스크 패턴 내에 배치될 수 있기 때문에, 분해 공정은 주어진 타겟 패턴 내의 밀집하게 이격된 피처들 상에 포커스한다는 것을 유의한다. 다음 단계(단계 65)는 각각의 분해된 패턴들에 OPC 처리를 적용하고, 스티칭 영역들(즉, 타겟 패턴 내에서의 피처들은 서로 접촉하지만, 도 4에 나타낸 수평 피처(45)와 같은 분해된 패턴들에서는 서로 분리되는 영역들) 내의 타겟 패턴에 대한 분해된 패턴들의 결과적인 윤곽의 오차를 결정하는 것이다. 오차 결정은, 예를 들어 각각의 분해된 패턴의 이미징 성능을 시뮬레이트한 후, 시뮬레이트된 분해된 윤곽과 원하는 분해된 윤곽 간의 차이 또는 오차를 결정하기 위해 분해된 패턴과 시뮬레이션 결과를 비교함으로써 수행된다. 분해된 패턴들에 OPC를 적용하기 위해 룰-기반 또는 모델-기반 OPC 처리와 같은 여하한의 적절한 OPC 처리가 이용될 수 있다는 것을 유의한다. 또한, OPC로 처리된 분해된 패턴들의 이미징 성능을 결정하기 위해 여하한의 적절한 시뮬레이션 프로그램이 이용될 수 있다.
다음 단계(단계 67)에서, 각각의 스티칭 영역들에서의 오차는 새로운 분해된 패턴들을 생성하기 위해 원래 분해된 패턴들을 조정하는 기초로서 이용되며, 이는 원하는 타겟 패턴들이 된다. 더 명확하게는, 새로운 분해된 패턴을 형성하기 위해 대응하는 스티칭 영역 내에서 원래 분해된 패턴에 오차의 양(예를 들어, 나타낸 짧아진 피처의 양)이 추가된다. 이는, 예를 들어 상응하여 크기가 정해지는 다각형을 이용하여 오차 영역의 크기에 접근한 후, 오차를 나타내는 다각형을 디자인의 적절한 영역 내의 원래 분해된 패턴들에 추가함으로써 성취될 수 있다. 유의되는 바와 같이, 이 새롭게 형성된 패턴들은 분해된 패턴들에 대한 타겟 디자인이 된다.
그 다음, 새롭게 형성된 분해된 패턴들이 OPC 처리를 거친다(단계 69). 단계 65에 나타낸 바와 같이, 단계 69에서 OPC 처리를 적용하기 위해 여하한의 적절한 OPC 처리가 이용될 수 있다. 단계 65 및 단계 69에 동일한 OPC가 이용되는 것이 바람직하다. 일단 새롭게 형성된 분해된 패턴들에 OPC 처리가 적용되면, 결과적인 패턴들(71 및 73)은 다수 조명 공정에서 이용될 최종 패턴들을 나타낸다. 선택적인 단계(단계 75)에서, 단계 69의 결과로서 생성된 패턴들은 두 마스크들의 조합된 노광으로부터 발생한 이미징이 허용가능한 오차 공차 내에서 원하는 타겟 패턴을 생성한다는 것을 확인하기 위해, 2 개의 마스크들의 이미징 성능을 시뮬레이트하는 검증 공정(verification process)을 거칠수 있다는 것을 유의한다. 또한, 이 검증 공정은 적절한 시뮬레이션 공정을 통해 수행될 수도 있다.
도 7 및 도 8은 앞서 언급된 공정의 예시를 제공한다. 먼저 도 7을 참조하면, H-형 피처인 원래 패턴 또는 타겟 패턴으로 시작하여, 이 레이아웃은 수평 연결 피처의 중심에 있는 스티칭 영역을 이용하여 2 개의 피처들로 쪼개진다. 도 7에 나타낸 레이아웃 1 및 레이아웃 2는 원래 분해된 패턴들을 나타낸다. 그 다음, 레이아웃 1 및 레이아웃 2에 OPC 처리가 적용된 후, 각각의 레이아웃 1 및 레이아웃 2에 대한 예상되는 프린트된 윤곽을 생성하기 위해 시뮬레이션 공정이 실행된다. 그 후, 스티칭 영역에서의 프린트된/시뮬레이트된 윤곽과 원래 분해된 패턴 간의 오차를 결정하기 위해, 결과적인 프린트된/시뮬레이트된 윤곽이 원래 분해된 패턴들과 비교된다. 오차 결정은 원래 분해된 패턴들과 프린트된/시뮬레이트된 윤곽 간의 1 차원 비교, 또는 2 차원 비교에 기초하지만 그에 제한되지는 않는다는 것을 유의한다. 그 후, 각각의 스티칭 영역에서의 오차는 오차의 양 또는 값을 나타내는 다각형으로 전환되고, 각각의 스티칭 영역에 대응하는 주어진 다각형은 새로운 분해된 패턴을 생성하기 위해 대응하는 스티칭 영역 내의 원래 분해된 패턴들에 추가되며, 이는 타겟 디자인이 된다. 물론, 이미징 오차 및 원래 분해된 패턴들의 대응하는 조정을 결정하는 다른 방법들도 가능하다.
그 후, 도 8을 참조하면 새롭게 생성된 분해된 패턴들로 시작하여, 이 패턴들은 OPC 처리, 바람직하게는 원래 분해된 피처들에 수행된 것과 동일한 OPC 공정을 거친다. 이 OPC 공정으로부터 발생한 패턴들은 더블 패터닝 공정에서 이용될 패턴들을 나타낸다. 그 후, 이 패턴들은 원래 H-형 타겟 피처를 생성하기 위해 다수 조명 공정에서 웨이퍼를 이미징하는데 이용된다. 도 8에 나타낸 바와 같이, 결과적인 이미징된 패턴은 여하한의 붕괴된 윤곽들을 갖지 않으며, H-형 패턴이 정확하게 재현된다. 또한, 선택적인 검증 단계가 실제 이미징 이전에 수행되는 경우, 도 8에 나타낸 OPC된 패턴들은 결과적인 이미징된 웨이퍼가 원하는 결과들을 생성하는지를 결정하기 위해 시뮬레이션 공정을 거칠 수 있다는 것을 유의한다.
도 9 및 도 10은 본 발명의 공정을 이미징될 타겟 패턴에 적용하는 또 다른 예시를 나타낸다. 도 10을 참조하면, 타겟 패턴(101)이 2 개의 분리된 패턴들로 분해되고, OPC 처리를 거친다(패턴들(102 및 103) 참조). 패턴들(102 및 103)의 연속 적인 노광으로부터 발생한 이미지는 스티칭 영역에서의 타겟 패턴과 시뮬레이트된 패턴 간의 결과적인 오차를 결정하기 위해 시뮬레이트된다(예를 들어, 도 9의 영역들(104) 참조). 이 오차의 양은 결정된 후, 새로운 분해된 패턴들(105 및 106)을 생성하기 위해 오차의 양에 의해 스티칭 영역에서 피처들을 연장하는데 이용된다. 그 후, 패턴들(105 및 106)은 OPC 처리를 거친 후(패턴들(107 및 108) 참조), 실제 이미징 공정에서 타겟 피처를 이미징하는데 이용된다. 또한, 최종 패터닝 결과들이 도 10에 예시되어 있다. 최종적으로, 도 11은 종래의 이미징 공정으로부터 발생한 이미징과 본 발명의 공정으로부터 발생한 이미징 간의 비교를 예시한다. 회색 윤곽(111)은 본 발명의 이미징 결과들을 나타내고, 검은 실선 윤곽(112)은 종래 공정의 이미징 결과를 나타낸다. 나타낸 바와 같이, 검은 실선 윤곽은 결과적인 패턴 도처에 다수의 바람직하지 않은 단절들을 갖는다.
도 12는 앞서 설명된 공정을 수행하는데 조력할 수 있는 컴퓨터 시스템(100)을 예시하는 블록도이다. 컴퓨터 시스템(100)은 정보를 전달하는 버스(102) 또는 다른 통신 기구, 및 정보를 처리하는 버스(102)와 커플링된 프로세서(104)를 포함한다. 또한, 컴퓨터 시스템(100)은 프로세서(104)에 의해 실행될 정보 및 명령어들을 저장하는 랜덤 액세스 메모리(random access memory: RAM) 또는 다른 동적 저장 디바이스(dynamic storage device)와 같은, 버스(102)에 커플링된 주 메모리(main memory: 106)를 포함한다. 또한, 주 메모리(106)는 프로세서(104)에 의해 실행될 명령어들의 실행시 임시 변수(temporary variable)들 또는 다른 매개 정보(intermediate information)를 저장하는데 사용될 수도 있다. 또한, 컴퓨터 시스 템(100)은 프로세서(104)에 대한 정적 정보 및 명령어들을 저장하는, 버스(102)에 커플링된 판독 전용 메모리(read only memory: ROM)(108) 또는 다른 정적 저장 디바이스를 포함한다. 자기 디스크 또는 광학 디스크와 같은 저장 디바이스(110)는 정보 및 명령어들을 저장하기 위해 제공되며 버스(102)에 커플링된다.
컴퓨터 시스템(100)은 버스(102)를 통해, 정보를 컴퓨터 사용자에게 보여주는 음극선관(cathode ray tube: CRT) 또는 평판(flat panel) 또는 터치 패널 디스플레이(touch panel display)와 같은 디스플레이(112)에 커플링될 수 있다. 영숫자(alphanumeric) 또는 다른 키들을 포함하는 입력 디바이스(114)는 정보 및 명령 선택(command selection)들을 프로세서(104)로 전달하기 위해 버스(102)에 커플링된다. 또 다른 형태의 사용자 입력 디바이스는 방향 정보 및 명령 선택들을 프로세서(104)로 전달하고, 디스플레이(112) 상의 커서의 움직임을 제어하는 마우스, 트랙볼(trackball) 또는 커서 방향키와 같은 커서 제어부(cursor control: 116)이다. 이 입력 디바이스는, 통상적으로 디바이스가 평면에서의 위치를 특정화하도록 허용하는 2 개의 축선인 제 1 축선(예를 들어, x) 및 제 2 축선(예를 들어, y)으로 2 자유도를 갖는다. 또한, 입력 디바이스로서 터치 패널(스크린) 디스플레이가 사용될 수도 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 주 메모리(106)에 포함된 1 이상의 명령어들의 1 이상의 시퀀스들을 실행하는 프로세서(104)에 응답하여 컴퓨터 시스템(100)에 의해 개시된 공정이 수행될 수 있다. 이러한 명령어들은 저장 디바이스(110)와 같은 또 다른 컴퓨터 판독가능한 매체로부터 주 메모리(106)로 판독될 수 있다. 주 메모리(106) 내에 포함된 명령어들의 시퀀스들의 실행은 프로세서(104)가 본 명세서에 설명된 공정 단계들을 수행하게 한다. 또한, 주 메모리(106) 내에 포함된 명령어들의 시퀀스들을 실행하기 위해 다중 처리 구성(multi-processing arrangement)의 1 이상의 프로세서가 채택될 수도 있다. 대안적인 실시예들에서 하드웨어에 내장된 회로(hard-wired circuitry)는 본 발명을 구현하는 소프트웨어 명령어들과 조합하거나 그를 대신하여 사용될 수 있다. 따라서, 본 발명의 실시예들은 하드웨어 회로와 소프트웨어의 여하한의 특정 조합에 제한되지 않는다.
본 명세서에서 사용된 "컴퓨터 판독가능한 매체"라는 용어는 실행을 위해 프로세서(104)에 명령어를 제공하는데 관여하는 여하한의 매체를 칭한다. 이러한 매체는 제한하는 것은 아니지만 비휘발성 매체(non-volatile media), 휘발성 매체 및 전송 매체를 포함하는 다수의 형태를 취할 수 있다. 비휘발성 매체는, 예를 들어 저장 디바이스(110)와 같은 광학 또는 자기 디스크를 포함한다. 휘발성 매체는 주 메모리(106)와 같은 동적 메모리를 포함한다. 전송 매체는 버스(102)를 포함하는 와이어(wire)들을 포함하여, 동축 케이블(coaxial cable), 구리선 및 광섬유(fiber optics)를 포함한다. 또한, 전송 매체는 무선 주파수(radio frequency: RF) 및 적외선(infrared: IR) 데이터 통신시 발생되는 파들과 같이 음파(acoustic wave) 또는 광파의 형태를 취할 수도 있다. 컴퓨터 판독가능한 매체의 보편적인 형태들은, 예를 들어 플로피 디스크(floppy disk), 플렉서블 디스크(flexible disk), 하드 디스크, 자기 테이프, 여하한의 다른 자기 매체, CD-ROM, DVD, 여하한의 다른 광학 매체, 펀치 카드(punch card), 종이 테이프(paper tape), 홀(hole)들의 패턴을 이 용하는 여하한의 다른 물리적 매체, RAM, PROM, EPROM, FLASH-EPROM, 및 여하한의 다른 메모리 칩 또는 카트리지(cartridge), 본 명세서에 설명된 반송파(carrier wave), 또는 컴퓨터가 판독할 수 있는 여하한의 다른 매체를 포함한다.
다양한 형태의 컴퓨터 판독가능한 매체는 실행을 위해 1 이상의 명령어들의 1 이상의 시퀀스들을 프로세서(104)로 전달하는데 관련될 수 있다. 예를 들어, 명령어들은 초기에 원격 컴퓨터(remote computer)의 자기 디스크 상에 지원(bear)될 수 있다. 상기 원격 컴퓨터는 그 동적 메모리로 명령어들을 로딩(load)할 수 있으며, 모뎀을 이용하여 전화선을 통해 명령어들을 보낼 수 있다. 컴퓨터 시스템(100)으로의 모뎀 로컬(modem local)은 전화선 상의 데이터를 수신할 수 있으며, 상기 데이터를 적외선 신호로 전환하기 위해 적외선 송신기를 사용할 수 있다. 버스(102)에 커플링된 적외선 검출기는 적외선 신호로 전달된 데이터를 수신할 수 있으며, 상기 데이터를 버스(102)에 놓을 수 있다. 버스(102)는 프로세서(104)가 명령어들을 검색(retrieve)하고 실행하는 주 메모리(106)로 상기 데이터를 전달한다. 주 메모리(106)에 의해 수신된 명령어들은 프로세서(104)에 의한 실행 이전 또는 이후에 저장 디바이스(110)에 선택적으로 저장될 수 있다.
또한, 컴퓨터 시스템(100)은 바람직하게 버스(102)에 커플링된 통신 인터페이스(118)를 포함한다. 통신 인터페이스(118)는 로컬 네트워크(122)에 연결되는 네트워크 링크(120)에 커플링하는 쌍방향 데이터 통신(two-way data communication)을 제공한다. 예를 들어, 통신 인터페이스(118)는 종합 정보 통신망(integrated services digital network: ISDN) 카드 또는 전화선의 대응하는 형태로 데이터 통 신 연결을 제공하는 모뎀일 수 있다. 또 다른 예시로서, 통신 인터페이스(118)는 호환성 랜(compatible LAN)에 데이터 통신 연결을 제공하는 근거리 통신망(local area network: LAN) 카드일 수 있다. 또한, 무선 링크가 구현될 수도 있다. 여하한의 이러한 구현에서, 통신 인터페이스(118)는 다양한 형태의 정보를 표현한 디지털 데이터 스트림들을 전달하는 전기적, 전자기적 또는 광학적 신호들을 송신하고 수신한다.
통상적으로, 네트워크 링크(120)는 1 이상의 네트워크를 통해 다른 데이터 디바이스에 데이터 통신을 제공한다. 예를 들어, 네트워크 링크(120)는 로컬 네트워크(122)를 통해 호스트 컴퓨터(host computer: 124), 또는 인터넷 서비스 제공사업자(internet service provider: ISP)(126)에 의해 작동되는 데이터 장비로의 연결을 제공할 수 있다. 그 결과 ISP(126)는, 이하 통상적으로 "인터넷(128)"이라고 칭하는 월드와이드 패킷 데이터 통신 네트워크를 통해 데이터 통신 서비스를 제공한다. 로컬 네트워크(122) 및 인터넷(128)은 디지털 데이터 스트림을 전달하는 전기적, 전자기적 또는 광학적 신호를 사용한다. 다양한 네트워크를 통한 신호 및 컴퓨터 시스템(100)에 또한 그로부터 디지털 데이터를 전달하는 통신 인터페이스(118)를 통한 네트워크 링크(120) 상의 신호는 정보를 전달하는 반송파의 예시적인 형태이다.
컴퓨터 시스템(100)은 네트워크(들), 네트워크 링크(120) 및 통신 인터페이스(118)를 통해 프로그램 코드를 포함하는 메시지를 송신하고 데이터를 수신할 수 있다. 인터넷 예시에서 서버(130)는 인터넷(128), ISP(126), 로컬 네트워크(122) 및 통신 인터페이스(118)를 통해 응용 프로그램에 대한 요청된 코드를 전송할 수 있다. 본 발명에 따르면, 예를 들어 하나의 이러한 다운로드된 응용이 실시예의 개시된 공정에 대해 제공된다. 수신된 코드는 수신되고, 및/또는 저장 디바이스(110) 또는 추후 실행을 위한 다른 비휘발성 저장소에 저장됨에 따라 프로세서(104)에 의해 실행될 수 있다. 이러한 방식으로 컴퓨터 시스템(100)은 반송파의 형태로 응용 코드를 얻을 수 있다.
도 13은 본 발명의 공정을 이용하여 디자인된 마스크들을 이미징하기에 적절한 리소그래피 투영 장치를 개략적으로 도시한다. 상기 장치는:
- 방사선의 투영 빔(PB)을 공급하는 방사선 시스템(Ex, IL)(이러한 특별한 경우, 방사선 시스템은 방사선 소스(LA)도 포함한다);
- 마스크(MA)(예를 들어, 레티클)를 지지하는 마스크 홀더가 제공되고, 아이템(PL)에 대하여 마스크를 정확히 위치시키는 제 1 위치설정 수단에 연결된 제 1 대상물 테이블(마스크 테이블)(MT);
- 기판(W)(예를 들어, 레지스트-코팅된 실리콘 웨이퍼)을 유지하는 기판 홀더가 제공되고, 아이템(PL)에 대하여 기판을 정확히 위치시키는 제 2 위치설정 수단에 연결된 제 2 대상물 테이블(기판 테이블)(WT); 및
- 기판(W)의 (예를 들어, 1 이상의 다이를 포함하는) 타겟부(C) 상으로 마스크(MA)의 조사된 부분을 이미징하는 투영 시스템("렌즈")(PL)(예를 들어, 굴절, 카톱트릭(catoptric) 또는 카타디옵트릭(catadioptric) 광학 시스템)을 포함한다.
본 명세서에 서술된 바와 같이, 상기 장치는 투과형(즉, 투과 마스크를 갖는 다)으로 구성된다. 하지만, 일반적으로 상기 장치는 예를 들어 (반사 마스크를 갖는) 반사형으로 구성될 수도 있다. 대안적으로, 상기 장치는 마스크의 사용의 대안예로서 또 다른 종류의 패터닝 수단을 채택할 수 있다; 예시들은 프로그램가능한 거울 어레이 또는 LCD 매트릭스를 포함한다.
상기 소스(LA)(예를 들어, 수은 램프 또는 엑시머 레이저(excimer laser))는 방사선 빔을 생성한다. 상기 빔은 곧바로 또는, 예를 들어 빔 익스팬더(Ex)와 같은 컨디셔닝 수단을 거친 다음에 조명 시스템(일루미네이터)(IL)으로 공급된다. 상기 일루미네이터(IL)는 빔 내의 세기 분포의 외반경 및/또는 내반경 크기(통상적으로, 각각 외측-σ 및 내측-σ라 함)를 설정하는 조정 수단(AM)을 포함할 수 있다. 또한, 이는 일반적으로 인티그레이터(IN) 및 콘덴서(CO)와 같은 다양한 다른 구성요소들을 포함할 것이다. 이러한 방식으로, 마스크(MA)에 입사하는 빔(PB)은 그 단면에 원하는 균일성 및 세기 분포를 갖는다.
도 13과 관련하여, 상기 소스(LA)는 (흔히 상기 소스(LA)가, 예를 들어 수은 램프인 경우에서처럼) 리소그패피 투영 장치의 하우징 내에 놓이지만, 그것이 리소그래피 투영 장치로부터 멀리 떨어져 있으며, 그것이 만들어 낸 방사선 빔은 (예를 들어, 적절한 지향 거울의 도움으로) 장치 내부로 들어올 수도 있다는 것을 유의하여야 한다; 이 후자의 시나리오는 흔히 상기 소스(LA)가 (예를 들어, KrF, ArF 또는 F2 레이징(lasing)에 기초한) 엑시머 레이저인 경우이다. 본 발명은 이들 시나리오들을 모두 포함한다.
이후, 상기 빔(PB)은 마스크 테이블(MT) 상에 유지되어 있는 마스크(MA)를 통과(intercept)한다. 마스크(MA)를 가로질렀으면, 상기 빔(PB)은 렌즈(PL)를 통과하여 기판(W)의 타겟부(C) 상에 상기 빔(PB)을 포커스한다. 제 2 위치설정 수단(및 간섭계 측정 수단(IF))의 도움으로 기판 테이블(WT)은, 예를 들어 상기 빔(PB)의 경로 내에 상이한 타겟부(C)를 위치시키도록 정확하게 이동될 수 있다. 이와 유사하게, 제 1 위치설정 수단은 예를 들어 마스크 라이브러리(mask library)로부터의 마스크(MA)의 기계적인 회수 후에 또는 스캔하는 동안, 상기 빔(PB)의 경로에 대해 마스크(MA)를 정확히 위치시키도록 사용될 수 있다. 일반적으로, 대상물 테이블(MT, WT)들의 이동은, 장-행정모듈(long-stroke module)(개략 위치설정) 및 단-행정 모듈(short-stroke module)(미세 위치설정)의 도움을 받아 실현될 것이며, 이는 도 13에 명확히 도시되지는 않는다. 하지만, (스텝-앤드-스캔 툴(step-and-scan tool)과는 대조적으로) 웨이퍼 스테퍼의 경우 마스크 테이블(MT)은 단지 단-행정 액추에이터에만 연결되거나 고정될 수 있다.
서술된 툴은 다음의 두가지 상이한 모드로 사용될 수 있다:
- 스텝 모드에서, 마스크 테이블(MT)은 기본적으로 정지 상태로 유지되며, 전체 마스크 이미지가 한번에 (즉, 단일 "플래시(flash)"로) 타겟부(C) 상으로 투영된다. 그 후, 상이한 타겟부(C)가 상기 빔(PB)에 의해 조사될 수 있도록 기판 테이블(WT)이 x 및/또는 y 방향으로 시프트된다;
- 스캔 모드에서는 주어진 타겟부(C)가 단일 "플래시"로 노광되지 않는 것을 제외하고는 기본적으로 동일한 시나리오가 적용된다. 그 대신에, 마스크 테이 블(MT)은 v의 속도로 주어진 방향(소위 "스캔 방향", 예를 들어 y 방향)으로 이동가능하며, 투영 빔(PB)이 마스크 이미지 전체에 걸쳐 스캐닝하도록 유도된다; 동시발생적으로, 기판 테이블(WT)은 속도 V = Mv로 동일한 방향 또는 그 반대 방향으로 동시에 이동하며, 여기서 M은 렌즈(PL)의 배율(통상적으로, M = 1/4 또는 1/5)이다. 이러한 방식으로, 분해능을 떨어뜨리지 않고도 비교적 넓은 타겟부(C)가 노광될 수 있다.
본 발명은 상세하게 서술되고 예시되었지만, 단지 설명 및 예시의 방식으로만 존재하고 제한하려는 것이 아니며, 본 발명의 범위는 첨부된 청구항들의 용어들에 의해서만 제한된다는 것을 분명히 이해하여야 한다.
도 1 및 도 2는 패턴 분해 공정의 일 예시를 나타내는 도면;
도 3은 도 1 및 도 2에 나타낸 더블 노광 공정의 결과적인 이미지의 평균 이미지 세기의 그래프;
도 4는 주어진 패턴 피처가 분리된 피처들로 쪼개질 수 있는 방식에 관한 예시들을 나타내는 도면;
도 5는 도 4의 "스플리트 1"에 나타낸 분해된 패턴 예시에 대한 OPC 기술들의 적용을 예시하는 도면;
도 6은 본 발명에 따른 타겟 패턴을 다수 패턴들로 분해하고, 분해된 패턴들에 OPC 처리들을 적용하는 공정을 나타내는 예시적인 흐름도;
도 7 내지 도 11은 도 6의 흐름도에서 설명하는 공정의 예시들을 나타내는 도면;
도 12는 본 발명의 일 실시예에 따른 최적화된 단-범위 플레어 모델 파라미터(short-range flare model parameter)들을 얻는 공정을 수행할 수 있는 컴퓨터 시스템을 나타내는 예시적인 블록도; 및
도 13은 본 발명의 일 실시예의 도움으로 디자인된 마스크와 함께 사용하기에 적절한 예시적인 리소그래피 투영 장치를 개략적으로 도시하는 도면이다.
Claims (16)
- 웨이퍼 상에 프린트될 피처들을 포함한 타겟 회로 패턴을 다수 패턴들로 분해(decompose)하는 방법에 있어서:프린트될 상기 피처들을 제 1 패턴 및 제 2 패턴으로 분리하는 단계;상기 제 1 패턴 및 상기 제 2 패턴 상에 제 1 광 근접성 보정 공정(optical proximity correction process)을 수행하는 단계;상기 제 1 패턴 및 상기 제 2 패턴의 이미징 성능(imaging performance)을 결정하는 단계;상기 제 1 패턴과 상기 제 1 패턴의 이미징 성능 간의 제 1 오차, 및 상기 제 2 패턴과 상기 제 2 패턴의 이미징 성능 간의 제 2 오차를 결정하는 단계;수정된 제 1 패턴을 생성하기 위해, 상기 제 1 패턴을 조정하는데 상기 제 1 오차를 이용하는 단계;수정된 제 2 패턴을 생성하기 위해, 상기 제 2 패턴을 조정하는데 상기 제 2 오차를 이용하는 단계; 및상기 수정된 제 1 패턴 및 상기 수정된 제 2 패턴에 제 2 광 근접성 보정 공정을 적용하는 단계를 포함하여 이루어지는 타겟 회로 패턴 분해 방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 피처들은 룰-기반 분해 공정(rule-based decomposition process)을 이 용하여 상기 제 1 패턴 및 상기 제 2 패턴으로 분리되는 것을 특징으로 하는 타겟 회로 패턴 분해 방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 피처들은 모델-기반 분해 공정(model-based decomposition process)을 이용하여 상기 제 1 패턴 및 상기 제 2 패턴으로 분리되는 것을 특징으로 하는 타겟 회로 패턴 분해 방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 제 1 광 근접성 보정 공정 및 상기 제 2 광 근접성 보정 공정은 동일한 공정들인 것을 특징으로 하는 타겟 회로 패턴 분해 방법.
- 제 4 항에 있어서,상기 제 1 광 근접성 보정 공정 및 상기 제 2 광 근접성 보정 공정은 룰-기반 보정 공정을 이용하는 것을 특징으로 하는 타겟 회로 패턴 분해 방법.
- 제 4 항에 있어서,상기 제 1 광 근접성 보정 공정 및 상기 제 2 광 근접성 보정 공정은 모델-기반 보정 공정을 이용하는 것을 특징으로 하는 타겟 회로 패턴 분해 방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 제 1 오차 및 상기 제 2 오차는 상기 제 1 패턴 및 상기 제 2 패턴과 연계된 스티칭 영역(stitching area)들에서 결정되는 것을 특징으로 하는 타겟 회로 패턴 분해 방법.
- 웨이퍼 상에 프린트될 피처들을 포함한 타겟 회로 패턴을 다수 패턴들로 분해하는 컴퓨터 프로그램을 저장하는 컴퓨터 판독가능한 저장 매체에 있어서:실행시, 컴퓨터가프린트될 상기 피처들을 제 1 패턴 및 제 2 패턴으로 분리하는 단계;상기 제 1 패턴 및 상기 제 2 패턴 상에 제 1 광 근접성 보정 공정을 수행하는 단계;상기 제 1 패턴 및 상기 제 2 패턴의 이미징 성능을 결정하는 단계;상기 제 1 패턴과 상기 제 1 패턴의 이미징 성능 간의 제 1 오차, 및 상기 제 2 패턴과 상기 제 2 패턴의 이미징 성능 간의 제 2 오차를 결정하는 단계;수정된 제 1 패턴을 생성하기 위해, 상기 제 1 패턴을 조정하는데 상기 제 1 오차를 이용하는 단계;수정된 제 2 패턴을 생성하기 위해, 상기 제 2 패턴을 조정하는데 상기 제 2 오차를 이용하는 단계; 및상기 수정된 제 1 패턴 및 상기 수정된 제 2 패턴에 제 2 광 근접성 보정 공정을 적용하는 단계를 수행하게 하는 컴퓨터 판독가능한 저장 매체.
- 제 8 항에 있어서,상기 피처들은 룰-기반 분해 공정을 이용하여 상기 제 1 패턴 및 상기 제 2 패턴으로 분리되는 것을 특징으로 하는 컴퓨터 판독가능한 저장 매체.
- 제 8 항에 있어서,상기 피처들은 모델-기반 분해 공정을 이용하여 상기 제 1 패턴 및 상기 제 2 패턴으로 분리되는 것을 특징으로 하는 컴퓨터 판독가능한 저장 매체.
- 제 8 항에 있어서,상기 제 1 광 근접성 보정 공정 및 상기 제 2 광 근접성 보정 공정은 동일한 공정들인 것을 특징으로 하는 컴퓨터 판독가능한 저장 매체.
- 제 11 항에 있어서,상기 제 1 광 근접성 보정 공정 및 상기 제 2 광 근접성 보정 공정은 룰-기반 보정 공정을 이용하는 것을 특징으로 하는 컴퓨터 판독가능한 저장 매체.
- 제 11 항에 있어서,상기 제 1 광 근접성 보정 공정 및 상기 제 2 광 근접성 보정 공정은 모델-기반 보정 공정을 이용하는 것을 특징으로 하는 컴퓨터 판독가능한 저장 매체.
- 제 8 항에 있어서,상기 제 1 오차 및 상기 제 2 오차는 상기 제 1 패턴 및 상기 제 2 패턴과 연계된 스티칭 영역들에서 결정되는 것을 특징으로 하는 컴퓨터 판독가능한 저장 매체.
- 디바이스 제조 방법에 있어서:(a) 방사선-감응재(radiation-sensitive material)층에 의해, 전체적으로 또는 부분적으로 덮이는 기판을 제공하는 단계;(b) 이미징 시스템을 사용하여 방사선 투영 빔을 제공하는 단계;(c) 상기 투영 빔의 단면에 패턴들을 부여하기 위해 마스크들 상의 패턴들을 이용하는 단계;(d) 상기 방사선-감응재층의 타겟부 상에 상기 패턴들을 갖는 방사선 빔을 투영하는 단계를 포함하여 이루어지고,단계 (c)에서, 마스크 상에 패턴을 제공하는 단계는:프린트될 피처들을 제 1 패턴 및 제 2 패턴으로 분리하는 단계;상기 제 1 패턴 및 상기 제 2 패턴 상에 제 1 광 근접성 보정 공정을 수행하는 단계;상기 제 1 패턴 및 상기 제 2 패턴의 이미징 성능을 결정하는 단계;상기 제 1 패턴과 상기 제 1 패턴의 이미징 성능 간의 제 1 오차, 및 상기 제 2 패턴과 상기 제 2 패턴의 이미징 성능 간의 제 2 오차를 결정하는 단계;수정된 제 1 패턴을 생성하기 위해, 상기 제 1 패턴을 조정하는데 상기 제 1 오차를 이용하는 단계;수정된 제 2 패턴을 생성하기 위해, 상기 제 2 패턴을 조정하는데 상기 제 2 오차를 이용하는 단계; 및상기 수정된 제 1 패턴 및 상기 수정된 제 2 패턴에 제 2 광 근접성 보정 공정을 적용하는 단계를 포함하는 디바이스 제조 방법.
- 포토리소그래피 공정(photolithography process)에서 이용될 마스크들을 생성하는 방법에 있어서:프린트될 피처들을 제 1 패턴 및 제 2 패턴으로 분리함으로써, 웨이퍼 상에 프린트될 피처들을 포함한 타겟 회로 패턴을 다수 패턴들로 분해하는 단계;상기 제 1 패턴 및 상기 제 2 패턴 상에 제 1 광 근접성 보정 공정을 수행하는 단계;상기 제 1 패턴 및 상기 제 2 패턴의 이미징 성능을 결정하는 단계;상기 제 1 패턴과 상기 제 1 패턴의 이미징 성능 간의 제 1 오차, 및 상기 제 2 패턴과 상기 제 2 패턴의 이미징 성능 간의 제 2 오차를 결정하는 단계;수정된 제 1 패턴을 생성하기 위해, 상기 제 1 패턴을 조정하는데 상기 제 1 오차를 이용하는 단계;수정된 제 2 패턴을 생성하기 위해, 상기 제 2 패턴을 조정하는데 상기 제 2 오차를 이용하는 단계;상기 수정된 제 1 패턴 및 상기 수정된 제 2 패턴에 제 2 광 근접성 보정 공정을 적용하는 단계; 및상기 제 2 광 근접성 보정 공정 이후에 상기 수정된 제 1 패턴에 대응하는 제 1 마스크를 생성하고, 상기 제 2 광 근접성 보정 공정 이후에 상기 수정된 제 2 패턴에 대응하는 제 2 마스크를 생성하는 단계를 포함하여 이루어지는 마스크 생성 방법.
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US84407406P | 2006-09-13 | 2006-09-13 | |
| US60/844,074 | 2006-09-13 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20080024457A KR20080024457A (ko) | 2008-03-18 |
| KR100882260B1 true KR100882260B1 (ko) | 2009-02-06 |
Family
ID=38870358
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020070093322A KR100882260B1 (ko) | 2006-09-13 | 2007-09-13 | 패턴 분해된 피처들을 위한 모델-기반 ｏｐｃ를 수행하는장치 및 방법 |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (3) | US8111921B2 (ko) |
| EP (1) | EP1901122B1 (ko) |
| JP (1) | JP4922112B2 (ko) |
| KR (1) | KR100882260B1 (ko) |
| CN (1) | CN101276141B (ko) |
| SG (1) | SG141386A1 (ko) |
| TW (1) | TWI382282B (ko) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100990880B1 (ko) | 2008-11-12 | 2010-11-01 | 주식회사 동부하이텍 | 핫 스팟 라이브러리 생성 방법 |
Families Citing this family (55)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| SG141355A1 (en) * | 2006-09-13 | 2008-04-28 | Asml Masktools Bv | A method for performing pattern decomposition based on feature pitch |
| JP4779003B2 (ja) * | 2007-11-13 | 2011-09-21 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． | フルチップ設計のパターン分解を行うための方法 |
| US7861196B2 (en) * | 2008-01-31 | 2010-12-28 | Cadence Design Systems, Inc. | System and method for multi-exposure pattern decomposition |
| DE102008019341B4 (de) * | 2008-04-15 | 2020-09-24 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Verfahren zur Analyse von Masken für die Photolithographie |
| JP5341399B2 (ja) * | 2008-06-03 | 2013-11-13 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | パターン検証方法、パターン検証装置、プログラム、及び半導体装置の製造方法 |
| US8069423B2 (en) | 2008-08-11 | 2011-11-29 | Cadence Design Systems, Inc. | System and method for model based multi-patterning optimization |
| US8209656B1 (en) * | 2008-10-14 | 2012-06-26 | Cadence Design Systems, Inc. | Pattern decomposition method |
| NL2003919A (en) * | 2008-12-24 | 2010-06-28 | Asml Netherlands Bv | An optimization method and a lithographic cell. |
| WO2010085714A2 (en) * | 2009-01-22 | 2010-07-29 | Mentor Graphics Corporation | Pre-opc layout editing for improved image fidelity |
| JP4989687B2 (ja) * | 2009-06-30 | 2012-08-01 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | パターン形状評価方法およびパターン形状評価装置 |
| EP2317388A3 (en) * | 2009-10-28 | 2014-05-14 | Imec | Method and system for wafer inspection |
| US8296695B1 (en) * | 2010-06-11 | 2012-10-23 | Altera Corporation | Method and apparatus for performing fast incremental resynthesis |
| US8404403B2 (en) | 2010-06-25 | 2013-03-26 | Intel Corporation | Mask design and OPC for device manufacture |
| US8365108B2 (en) * | 2011-01-06 | 2013-01-29 | International Business Machines Corporation | Generating cut mask for double-patterning process |
| NL2008311A (en) * | 2011-04-04 | 2012-10-08 | Asml Netherlands Bv | Integration of lithography apparatus and mask optimization process with multiple patterning process. |
| US8533638B2 (en) * | 2011-04-05 | 2013-09-10 | Nanya Technology Corporation | Post-optical proximity correction photoresist pattern collapse rule |
| US8473874B1 (en) | 2011-08-22 | 2013-06-25 | Cadence Design Systems, Inc. | Method and apparatus for automatically fixing double patterning loop violations |
| US8516402B1 (en) | 2011-08-22 | 2013-08-20 | Cadence Design Systems, Inc. | Method and apparatus for automatically fixing double patterning loop violations |
| KR101603859B1 (ko) * | 2011-12-30 | 2016-03-16 | 인텔 코포레이션 | 프로세스 최적화를 위한 위상 조정 기법들 |
| US8683394B2 (en) * | 2012-01-31 | 2014-03-25 | Mentor Graphics Corporation | Pattern matching optical proximity correction |
| US8782571B2 (en) * | 2012-03-08 | 2014-07-15 | Globalfoundries Inc. | Multiple patterning process for forming trenches or holes using stitched assist features |
| US8745552B2 (en) * | 2012-05-31 | 2014-06-03 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | EDA tool and method, and integrated circuit formed by the method |
| US8677289B1 (en) * | 2012-09-14 | 2014-03-18 | Nanya Technology Corporation | Method of generating assistant feature |
| US8741507B1 (en) | 2013-01-16 | 2014-06-03 | United Microelectronics Corp. | Method for separating photomask pattern |
| US8701052B1 (en) | 2013-01-23 | 2014-04-15 | United Microelectronics Corp. | Method of optical proximity correction in combination with double patterning technique |
| TWI588595B (zh) * | 2013-01-24 | 2017-06-21 | 聯華電子股份有限公司 | 光學鄰近修正方法 |
| EP2871588A1 (en) * | 2013-11-12 | 2015-05-13 | Synopsys, Inc. | Method for circuit design pattern recognition in a circuit description, system and computer program product |
| US9122835B2 (en) | 2014-01-09 | 2015-09-01 | United Microelectronics Corp. | Method for generating layout of photomask |
| KR102253129B1 (ko) | 2014-02-07 | 2021-05-18 | 삼성전자주식회사 | 더블 패터닝 공정을 위한 디자인 레이아웃 디콤포지션 방법 |
| US9448467B2 (en) * | 2014-02-18 | 2016-09-20 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Mask shift resistance-inductance method for multiple patterning mask design and a method for performing the same |
| KR102274837B1 (ko) | 2014-09-04 | 2021-07-08 | 삼성전자주식회사 | 쿼드러플 패터닝 기술 공정을 위한 레이아웃 분리 방법 및 이를 사용한 반도체 장치 제조 방법 |
| KR102219460B1 (ko) | 2014-09-04 | 2021-02-24 | 삼성전자주식회사 | 반도체 장치의 레이아웃 분리 방법 및 이를 사용한 반도체 장치 제조 방법 |
| CN105679656B (zh) * | 2014-11-21 | 2019-09-17 | 联华电子股份有限公司 | 图案验证方法 |
| TWI585512B (zh) * | 2015-03-12 | 2017-06-01 | 力晶科技股份有限公司 | 提升圖案精密度的方法 |
| CN106154756B (zh) | 2015-04-07 | 2020-10-09 | 联华电子股份有限公司 | 照明系统以及使用其形成鳍状结构的方法 |
| US9524361B2 (en) | 2015-04-20 | 2016-12-20 | United Microelectronics Corp. | Method for decomposing a layout of an integrated circuit |
| CN106292174B (zh) * | 2016-09-27 | 2019-12-20 | 上海华力微电子有限公司 | 一种提高光学临近修正准确性的方法 |
| TWI745351B (zh) | 2017-02-24 | 2021-11-11 | 聯華電子股份有限公司 | 半導體佈局圖案分割方法 |
| US10176966B1 (en) | 2017-04-13 | 2019-01-08 | Fractilia, Llc | Edge detection system |
| US11380516B2 (en) | 2017-04-13 | 2022-07-05 | Fractilia, Llc | System and method for generating and analyzing roughness measurements and their use for process monitoring and control |
| US10522322B2 (en) | 2017-04-13 | 2019-12-31 | Fractilia, Llc | System and method for generating and analyzing roughness measurements |
| CN109309091A (zh) | 2017-07-28 | 2019-02-05 | 联华电子股份有限公司 | 图案化方法 |
| US10762595B2 (en) | 2017-11-08 | 2020-09-01 | Steelcase, Inc. | Designated region projection printing of spatial pattern for 3D object on flat sheet in determined orientation |
| KR102545141B1 (ko) | 2017-12-01 | 2023-06-20 | 삼성전자주식회사 | 반도체 소자 및 그의 제조 방법 |
| US10387602B2 (en) | 2018-01-25 | 2019-08-20 | United Microelectronics Corp. | Method for generating masks for manufacturing of a semiconductor structure and method for manufacturing a semiconductor structure using the same |
| US10444622B2 (en) | 2018-02-09 | 2019-10-15 | United Microelectronics Corp. | Method for generating masks for manufacturing of a semiconductor structure |
| EP3640735A1 (en) * | 2018-10-18 | 2020-04-22 | ASML Netherlands B.V. | Methods and apparatus for inspection of a structure and associated apparatuses |
| TWI679490B (zh) * | 2018-11-13 | 2019-12-11 | 華邦電子股份有限公司 | 產生雙圖案光罩的處理方法以及其記錄媒體 |
| KR102656552B1 (ko) * | 2018-12-28 | 2024-04-12 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 패치 경계에서 패터닝 디바이스 패턴을 생성하는 방법 |
| US11237485B2 (en) * | 2020-01-21 | 2022-02-01 | Applied Materials, Inc. | System, software application, and method for lithography stitching |
| CN113296369B (zh) * | 2021-05-14 | 2022-09-23 | 长鑫存储技术有限公司 | 用于光学临近修正的图形量测方法及装置 |
| CN115373227A (zh) * | 2021-05-21 | 2022-11-22 | 联华电子股份有限公司 | 光掩模修正方法和装置以及布局机器学习模型的训练方法 |
| US12106962B2 (en) | 2021-06-07 | 2024-10-01 | United Microelectronics Corp. | Patterning method and overlay measurement method |
| CN114953794B (zh) * | 2022-05-20 | 2024-08-20 | 中国航空制造技术研究院 | 一种飞行器智能蒙皮线路制造方法 |
| WO2024112680A2 (en) * | 2022-11-22 | 2024-05-30 | Psiquantum, Corp. | Optical proximity correction device and method of performing optical proximity correction |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100721205B1 (ko) | 2006-04-21 | 2007-05-23 | 주식회사 하이닉스반도체 | 이중 노광을 위한 패턴 분할 및 광 근접 효과 보정 방법 |
| KR100735535B1 (ko) | 2006-07-10 | 2007-07-04 | 삼성전자주식회사 | 마스크 제작 방법 |
Family Cites Families (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1997033205A1 (en) | 1996-03-06 | 1997-09-12 | Philips Electronics N.V. | Differential interferometer system and lithographic step-and-scan apparatus provided with such a system |
| DE69735016T2 (de) | 1996-12-24 | 2006-08-17 | Asml Netherlands B.V. | Lithographisches Gerät mit zwei Objekthaltern |
| US6430737B1 (en) * | 2000-07-10 | 2002-08-06 | Mentor Graphics Corp. | Convergence technique for model-based optical and process correction |
| US7425391B2 (en) * | 2001-10-02 | 2008-09-16 | Guobiao Zhang | Highly-corrected mask |
| SG144749A1 (en) * | 2002-03-25 | 2008-08-28 | Asml Masktools Bv | Method and apparatus for decomposing semiconductor device patterns into phase and chrome regions for chromeless phase lithography |
| US6842889B2 (en) * | 2002-08-06 | 2005-01-11 | Micron Technology, Inc. | Methods of forming patterned reticles |
| JP3875158B2 (ja) * | 2002-08-09 | 2007-01-31 | 株式会社東芝 | 露光装置判定システム、露光装置判定方法、露光装置判定プログラム及び半導体装置の製造方法 |
| US7147975B2 (en) * | 2003-02-17 | 2006-12-12 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Photomask |
| JP2005227666A (ja) * | 2004-02-16 | 2005-08-25 | Toshiba Corp | マスクデータ補正方法と半導体装置の製造方法 |
| JP4266189B2 (ja) * | 2004-07-09 | 2009-05-20 | 株式会社東芝 | 半導体集積回路パターンの検証方法、フォトマスクの作成方法、半導体集積回路装置の製造方法、及び半導体集積回路パターンの検証方法を実現するためのプログラム |
| KR100634437B1 (ko) | 2004-10-05 | 2006-10-16 | 삼성전자주식회사 | 반도체 소자 제조용 마스크 및 그 제조방법 |
| US7350183B2 (en) | 2004-11-05 | 2008-03-25 | International Business Machines Corporation | Method for improving optical proximity correction |
-
2007
- 2007-09-12 JP JP2007237170A patent/JP4922112B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2007-09-13 TW TW096134260A patent/TWI382282B/zh not_active IP Right Cessation
- 2007-09-13 US US11/898,646 patent/US8111921B2/en active Active
- 2007-09-13 SG SG200708778-6A patent/SG141386A1/en unknown
- 2007-09-13 CN CN2007103051838A patent/CN101276141B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2007-09-13 EP EP07253652.7A patent/EP1901122B1/en not_active Not-in-force
- 2007-09-13 KR KR1020070093322A patent/KR100882260B1/ko not_active IP Right Cessation
-
2012
- 2012-01-25 US US13/358,497 patent/US8391605B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2013
- 2013-03-05 US US13/786,249 patent/US8644589B2/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100721205B1 (ko) | 2006-04-21 | 2007-05-23 | 주식회사 하이닉스반도체 | 이중 노광을 위한 패턴 분할 및 광 근접 효과 보정 방법 |
| KR100735535B1 (ko) | 2006-07-10 | 2007-07-04 | 삼성전자주식회사 | 마스크 제작 방법 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100990880B1 (ko) | 2008-11-12 | 2010-11-01 | 주식회사 동부하이텍 | 핫 스팟 라이브러리 생성 방법 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP1901122A3 (en) | 2011-12-21 |
| EP1901122B1 (en) | 2014-05-07 |
| KR20080024457A (ko) | 2008-03-18 |
| US8391605B2 (en) | 2013-03-05 |
| SG141386A1 (en) | 2008-04-28 |
| US8111921B2 (en) | 2012-02-07 |
| US20080069432A1 (en) | 2008-03-20 |
| CN101276141A (zh) | 2008-10-01 |
| JP4922112B2 (ja) | 2012-04-25 |
| US8644589B2 (en) | 2014-02-04 |
| TWI382282B (zh) | 2013-01-11 |
| JP2008096991A (ja) | 2008-04-24 |
| US20120122023A1 (en) | 2012-05-17 |
| CN101276141B (zh) | 2011-04-13 |
| TW200821768A (en) | 2008-05-16 |
| EP1901122A2 (en) | 2008-03-19 |
| US20130182940A1 (en) | 2013-07-18 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR100882260B1 (ko) | 패턴 분해된 피처들을 위한 모델-기반 ｏｐｃ를 수행하는장치 및 방법 | |
| US8132130B2 (en) | Method, program product and apparatus for performing mask feature pitch decomposition for use in a multiple exposure process | |
| JP4751866B2 (ja) | ターゲットパターンを複数のパターンに分解するための方法、そのコンピュータプログラムを記憶するコンピュータ読取可能記憶媒体、デバイス製造方法、およびマスクを生成するための方法 | |
| JP4617272B2 (ja) | 二重露光リソグラフィを実行するための方法、プログラム製品及びデバイス製造方法 | |
| KR100860088B1 (ko) | 다중 노광 리소그래피 프로세스에 사용하기 위한 모델 기반기하학적 분해를 위한 방법, 프로그램물 및 장치 | |
| JP5032948B2 (ja) | Ｄｐｔプロセスで用いられるパターン分解を行うための方法、プログラムおよび装置 | |
| US7617476B2 (en) | Method for performing pattern pitch-split decomposition utilizing anchoring features | |
| JP4700664B2 (ja) | アンカーリングフィーチャを利用したパターンピッチ分割分解を行うための方法 | |
| KR100875232B1 (ko) | 개선된 ｃｐｌ 마스크 및 상기 마스크를 생성하는 방법 및 프로그램물 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant | ||
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20130125 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20140117 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20150123 Year of fee payment: 7 |
|
| LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |