JP2008249872A - マスクパターン補正方法および半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】露光マスク上に形成されるマスクパターンのパターン補正方法において、前記マスクパターンに対して行う補正量を、前記マスクパターンが転写される活性領域のサイズごとに規定し、前記規定された補正量に基づいて、前記マスクパターンを補正する。
【選択図】 図4
Description
(1)活性領域と素子分離(STI)領域との段差は、混載するトランジスタの種類ごとに異なる。
(2)同一トランジスタ種であっても、活性領域とSTIの段差設計によっては、酸化膜形成工程で、活性領域のサイズの変化に応じた酸化量の変動が生じるため、段差も異なってくる。
前記マスクパターンに対して行う補正量を、前記マスクパターンが転写される活性領域のサイズごとに規定し、
前記規定された補正量に基づいて、前記マスクパターンを補正する、
ことを特徴とする。
前記マスクパターンに対して行う補正量を、前記マスクパターンが転写されるトランジスタの種別ごとに規定し、
前記規定された補正量に基づいて、前記マスクパターンを補正する、
ことを特徴とする。
露光マスク上に形成されるマスクパターンの補正量を、前記マスクパターンが転写される活性領域サイズごとに規定する工程と、
前記規定された補正量に基づいて前記マスクパターンを補正する工程と、
半導体基板上に、前記補正後のマスクパターンを露光する工程と、
を有する。
露光マスク上に形成されるマスクパターンの補正量を、前記マスクパターンにより形成されるトランジスタの種別ごとに規定する工程と、
前記補正量に基づいて、前記マスクパターンを補正する工程と、
半導体基板上に、前記補正後のマスクパターンを露光する工程と、
を有することを特徴とする。
(補正データ取得の具体例1)
デバイス評価マスクに、混載トランジスタ種別ごとに補正データ取得用のモニタパターンを搭載する。使用する測定モニタは、図6と図7の組み合わせ、かつ混載トランジスタの種別をすべて反映したものとなる。
(補正データ取得の具体例2)
OPCデータ取得用のテストマスクにおいて、各種のトランジスタごとに活性領域サイズに応じてデータ補正されたマスクパターンを形成し、ウェーハごとに、混載トランジスタの中の1種のモニタパターンを加工、形成して、エッチシフトを測定する。各ウェーハでは、図6と図7の組み合わせのみ(活性領域サイズごとの各L/Sモニタパターンでのエッチシフト量)が考慮される。この場合、ウェーハ測定枚数が混載されるトランジスタ種の数となるので、処理枚数は多くなるが、マスク数が少なくてすむ。
(補正データ取得の具体例3)
OPCデータ取得用テストマスクにおいて、イオン注入用レチクルも作製し、デバイスサンプルと同数のフルプロセスマスクセットで、混載トランジスタ種別ごとの補正データを取得する。使用する測定モニタは、図6と図7の組み合わせ、かつ混載トランジスタの種別をすべて反映したものとなる。
(付記1)
露光マスク上に形成されるマスクパターンのパターン補正方法において、
前記マスクパターンに対して行う補正量を、前記マスクパターンが転写される活性領域のサイズごとに規定し、
前記規定された補正量に基づいて、前記マスクパターンを補正する、
ことを特徴とするマスクパターン補正方法。
(付記2)
露光マスク上に形成されるマスクパターンのパターン補正方法において、
前記マスクパターンに対して行う補正量を、前記マスクパターンが転写されるトランジスタの種別ごとに規定し、
前記規定された補正量に基づいて、前記マスクパターンを補正する、
ことを特徴とするパターン補正方法。
(付記3)
前記マスクパターンに対する補正量を、前記活性領域サイズごとに規定する補正テーブルを作成する工程、
をさらに含み、前記補正テーブルを用いて前記マスクパターンを補正することを特徴とする付記1に記載のパターン補正方法。
(付記4)
前記マスクパターンに対する補正量を、前記トランジスタの種別ごとに規定する補正テーブルを作成する工程、
をさらに含み、前記補正テーブルを用いて前記マスクパターンを補正することを特徴とする付記2に記載のパターン補正方法。
(付記5)
前記マスクパターンを、前記活性領域を区画するように素子分離領域が形成されたウェーハ上に転写し、前記転写されたパターンのエッチングシフト量を実測して前記補正量とする、
ことを特徴とする付記1に記載のパターン補正方法。
(付記6)
前記マスクパターンをデバイス検証用マスクに組み込み、
前記デバイス検証用マスクを用いて露光を行って、前記マスクパターンをウェーハ上に転写、加工し、
前記加工後のパターンを測定することによって前記補正量を取得する、
ことを特徴とする付記1に記載のパターン補正方法。
(付記7)
前記マスクパターンを、前記トランジスタの種別中の1種に対して1枚のウェーハを使用して加工、形成し、前記ウェーハごとに加工後の前記パターンを測定することによって前記補正量を取得する、
ことを特徴とする付記2に記載のパターン補正方法。
(付記8)
前記マスクパターンの補正量を、前記マスクパターンの線幅(L)と、補正対象となる前記マスクパターンに隣接するパターンとの間隔(S)とによって規定するパターンテーブルを作成し、
前記パターンテーブルを、前記活性領域サイズをゲート幅(W)とソース・ドレイン幅(SD)で規定するテーブルに取り込むことによって、前記補正テーブルを作成する、
ことを特徴とする付記3に記載のパターン補正方法。
(付記9)
前記マスクパターンの補正は、前記活性領域サイズごとに規定される補正量を用いて、設計データに対してモデルベースの近接効果補正を行うことを特徴とする付記1に記載のパターン補正方法。
(付記10)
前記マスクパターンの補正は、前記活性領域サイズごとに規定される補正量を用いて、設計データに対してルールベースの近接効果補正を行い、その後、プロセス変動を含まないパラメータでモデルベースの近接効果補正を行うことを特徴とする付記1に記載のパターン補正方法。
(付記11)
前記トランジスタの種別は、前記トランジスタの動作電圧によって規定されることを特徴とする付記2に記載のパターン補正方法。
(付記12)
露光マスク上に形成されるマスクパターンの補正量を、前記マスクパターンが転写される活性領域サイズごとに規定する工程と、
前記規定された補正量に基づいて前記マスクパターンを補正する工程と、
半導体基板上に、前記補正後のマスクパターンを露光する工程と、
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
(付記13)
露光マスク上に形成されるマスクパターンの補正量を、前記マスクパターンにより形成されるトランジスタの種別ごとに規定する工程と、
前記補正量に基づいて、前記マスクパターンを補正する工程と、
半導体基板上に、前記補正後のマスクパターンを露光する工程と、
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
102 STI(素子分離領域)
103 ケート絶縁膜
104 ポリシリコン
105 反射防止膜
106 レジスト
108 ゲート電極
110 活性領域
Claims (10)
- 露光マスク上に形成されるマスクパターンのパターン補正方法において、
前記マスクパターンに対して行う補正量を、前記マスクパターンが転写される活性領域のサイズごとに規定し、
前記規定された補正量に基づいて、前記マスクパターンを補正する、
ことを特徴とするマスクパターン補正方法。 - 露光マスク上に形成されるマスクパターンのパターン補正方法において、
前記マスクパターンに対して行う補正量を、前記マスクパターンが転写されるトランジスタの種別ごとに規定し、
前記規定された補正量に基づいて、前記マスクパターンを補正する、
ことを特徴とするパターン補正方法。 - 前記マスクパターンに対する補正量を、前記活性領域サイズごとに規定する補正テーブルを作成する工程、
をさらに含み、前記補正テーブルを用いて前記マスクパターンを補正することを特徴とする請求項1に記載のパターン補正方法。 - 前記マスクパターンに対する補正量を、前記トランジスタの種別ごとに規定する補正テーブルを作成する工程、
をさらに含み、前記補正テーブルを用いて前記マスクパターンを補正することを特徴とする請求項2に記載のパターン補正方法。 - 前記マスクパターンを、前記活性領域を区画するように素子分離領域が形成されたウェーハ上に転写し、前記転写されたパターンのエッチングシフト量を実測して前記補正量とする、
ことを特徴とする請求項1に記載のパターン補正方法。 - 前記マスクパターンをデバイス検証用マスクに組み込み、
前記デバイス検証用マスクを用いて露光を行って、前記マスクパターンをウェーハ上に転写、加工し、
前記加工後のパターンを測定することによって前記補正量を取得する、
ことを特徴とする請求項1に記載のパターン補正方法。 - 前記マスクパターンを、前記トランジスタの種別中の1種に対して1枚のウェーハを使用して加工、形成し、前記ウェーハごとに加工後の前記パターンを測定することによって前記補正量を取得する、
ことを特徴とする請求項2に記載のパターン補正方法。 - 前記トランジスタの種別は、前記トランジスタの動作電圧によって規定されることを特徴とする請求項2に記載のパターン補正方法。
- 露光マスク上に形成されるマスクパターンの補正量を、前記マスクパターンが転写される活性領域サイズごとに規定する工程と、
前記規定された補正量に基づいて前記マスクパターンを補正する工程と、
半導体基板上に、前記補正後のマスクパターンを露光する工程と、
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 露光マスク上に形成されるマスクパターンの補正量を、前記マスクパターンにより形成されるトランジスタの種別ごとに規定する工程と、
前記補正量に基づいて、前記マスクパターンを補正する工程と、
半導体基板上に、前記補正後のマスクパターンを露光する工程と、
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
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