JP4643302B2 - マスクパターン作成方法、レイアウト作成方法、フォトマスクの製造方法、フォトマスク、及び半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Description
図1(a)は、本出願人が先に提案したダミーパターン配置方法の一例を示す図である(特願2004−360109)。図中の点線で囲まれたL/S形状のダミーパターン12がメインパターン(デバイスパターン)11の光コントラスト向上に対して有効であり、かつ比較的大きい凸型パターンに対してOPC処理を行わないで、微細パターンにのみOPC処理を行うことで、EBの露光時間、MDP処理時間を低減できる。
W/(λ/NA)≦0.32 …(1)
の関係を満たす場合である。
図6は、ライン先端部のリソグラフィ後のウェハ上でのレジスト仕上がり形状を示しており、図中の61は露光後のデバイスパターン、62は露光後のダミーパターンである。図6の実線がOPC後のマスクパターン平面形状であり、点線が設計パターンである。即ち、OPC後のマスクパターンから算出されたウェハ上でのレジスト仕上がり平面形状が示されている。
なお、本発明は上述した各実施形態に限定されるものではない。実施形態では、ダミーパターン又はデバイスパターンを形成するラインの端部を抽出したが、この代わりにスペースの端部を抽出し、このスペース端部を基に共有パターンの配置やレジスト寸法,エッチング寸法変換差の測定を行うようにしても良い。
12,32…ダミーパターン
13,33…デバイスパターン(露光後)
14,34…ダミーパターン(露光後)
51…ダミーパターン
52…共有ダミーパターン
61…デバイスパターン(露光後)
62…ダミーパターン(露光後)
71…デバイスパターン(エッチング後)
72…ダミーパターン(エッチング後)
Claims (5)
- マスクに形成すべきパターンに対応する半導体装置の設計データの中から、半導体基板上に解像されるがデバイス動作に影響を与えないダミーパターンを認識する工程と、
前記認識されたダミーパターンを形成するライン若しくはスペースの端部を抽出する工程と、
前記抽出された端部と該端部に隣接するダミーパターンとを接続するための共有ダミーパターンを新たに配置する工程と、
を含むことを特徴とするマスクパターン作成方法。 - 請求項1に記載のマスクパターン作成方法を用いて、マスク基板上にマスクパターンを形成することを特徴とするフォトマスクの製造方法。
- マスク基板上に半導体装置の回路パターンと半導体基板上に解像されるがデバイス動作に影響を与えないダミーパターンを有し、前記ダミーパターンを形成するライン若しくはスペースの端部が、共有パターンによって隣接するダミーパターンに接続されていることを特徴とするフォトマスク。
- 請求項3に記載のフォトマスクを用いて、前記半導体基板上のレジストに半導体装置のパターンを形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。
- 設計データの中から、半導体基板上に解像されるがデバイス動作に影響を与えないダミーパターンを認識する工程と、
前記認識されたダミーパターンを形成するライン若しくはスペースの端部を抽出する工程と、
前記抽出された端部と該端部に隣接するダミーパターンとを接続するための共有ダミーパターンを新たに配置する工程と、
前記共有ダミーパターンが配置されたレイアウトを新たな設計データとして登録する工程と、
を含むことを特徴とするレイアウト作成方法。
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