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HINTERGRUND DER ERFINDUNG
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1. Gebiet der Erfindung
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Die
Erfindung betrifft mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlagen,
wie sie zur Herstellung hochintegrierter elektrischer Schaltkreise
und anderer mikrostrukturierter Bauelemente verwendet werden.
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2. Beschreibung des Standes
der Technik
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Integrierte
elektrische Schaltkreise und andere mikrostrukturierte Bauelemente
werden üblicherweise hergestellt, indem auf ein geeignetes
Substrat, bei dem es sich beispielsweise um einen Silizium-Wafer
handeln kann, mehrere strukturierte Schichten aufgebracht werden.
Zur Strukturierung der Schichten werden diese zunächst
mit einem Photolack bedeckt, der für Licht eines bestimmten
Wellenlängenbereiches, z. B. Licht im tiefen ultravioletten Spektralbereich,
empfindlich ist. Anschließend wird der so beschichtete
Wafer in einer Projektionsbelichtungsanlage belichtet. Dabei wird
ein Muster aus beugenden Strukturen, das in einer Maske enthalten ist,
mit Hilfe eines Projektionsobjektivs auf den Photolack abgebildet.
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Nach
dem Entwickeln des Photolacks wird der Wafer einem Ätzprozeß unterzogen,
wodurch die oberste Schicht entsprechend dem Muster auf der Maske
strukturiert wird. Dieser Prozeß wird so oft wiederholt,
bis alle Schichten auf dem Wafer aufgebracht sind.
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Eines
der im Vordergrund stehenden Ziele bei der Entwicklung mikrolithographischer
Projektionsbelichtungsanlagen besteht darin, Strukturen mit zunehmend
kleineren Abmessungen auf dem Wafer erzeugen zu können,
um auf diese Weise die Integrationsdichte der herzustellenden Bauelemente
zu erhöhen. Durch Anwendung unterschiedlichster Maßnahmen
ist es inzwischen möglich, Strukturen auf dem Wafer zu
erzeugen, deren Abmessungen kleiner sind als die Wellenlänge
des eingesetzten Projektionslichts.
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Eine
dieser Maßnahmen besteht darin, in einen Zwischenraum zwischen
dem Projektionsobjektiv und dem Wafer eine Immersionsflüssigkeit
einzubringen. Dies ermöglicht z. B. die Verwendung von Projektionsobjektiven
mit besonders hoher numerischer Apertur, die auch mehr als 1.0 betragen
kann.
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Bei
sehr hohen numerischen Aperaturen, wie sie insbesondere durch einen
Immersionsbetrieb ermöglicht werden, gewinnt ein Effekt
an Bedeutung, der mit dem vektoriellen Charakter des elektrischen Feldes
zusammenhängt und deswegen gelegentlich auch als "Vektoreffekt"
bezeichnet wird. Dieser Vektoreffekt beruht auf der Erkenntnis,
daß die Interferenzerscheinungen, die in der Bildebene
des Projektionsobjektivs letztlich zu der gewünschten Abbildung der
Maske führen, um so ausgeprägter sind, je größer
die Übereinstimmung der Polarisationsrichtungen des interferierenden
Lichts ist. Eine vollständige destruktive Interferenz zwischen
zwei ebenen Wellen ist beispielsweise nur dann möglich,
wenn diese gleich polarisiert sind. Die Polarisationsrichtungen der
interferierenden Lichtstrahlen haben deswegen einen maßgeblichen
Einfluß auf den erzielbaren Kontrast, der sich wiederum
auf die Größe und Genauigkeit der abgebildeten
Strukturen auswirkt.
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Bei
einem Lichtstrahl, der senkrecht zu seiner Einfallsebene polarisiert
ist (s-Polarisation), sind deswegen die Interferenzerscheinungen
unabhängig von den Winkeln, unter denen die unterschiedlichen Beugungsordnungen
auf den Fotolack auftreffen, am stärksten. Bei parallel
zur Einfallsebene polarisiertem Projektionslicht (p-Polarisation)
hingegen können unterschiedliche Beugungsordnungen nicht
mehr vollständig interferieren, da die Beugungsordnungen
unterschiedliche Polarisationsrichtungen haben. Die Interferenzerscheinungen
werden dabei um so schwächer, je größer
die Winkel zur optischen Achse sind, unter denen die Beugungsordnungen
auf den Fotolack auftreffen. Deswegen besteht insbesondere bei besonders
hochaperturigen Projektionsobjektiven die Notwendigkeit, durch den
Vektoreffekt hervorgerufene Kontrastabsenkungen durch gezielte Beeinflussung
der Polarisation des zur Projektion beitragenden Lichts zu vermeiden.
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Aus
der
US 6,774,984 B2 ist
eine Projektionsbelichtungsanlage bekannt, bei der die Maske mit radial
polarisiertem Licht (p-Polarisation) beleuchtet wird. Diese Polarisationsrichtung
ist deswegen günstig, weil viele Antireflexionsschichten,
die auf optischen Elementen aufgebracht sind, bei radial polarisiertem
Licht ein besonders geringes Reflexionsvermögen haben.
Um dennoch in der Bildebene des Projektionsobjektivs die gewünschte
s-Polarisation zu erhalten, ist in einer Pupillenebene des Projektionsobjektivs
ein Polarisationsrotator angeordnet, der die radiale Polarisationsverteilung
in eine tangentiale Polarisationsverteilung (s-Polarisation) umwandelt.
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Aus
der
US 6,930,758 B2 ist
eine Projektionsbelichtungsanlage bekannt, bei der ebenfalls in einer
Pupillenebene des Projektionsobjektivs ein Polarisationsrotator
angeordnet ist, der eine tangentiale Polarisationsverteilung erzeugt.
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ZUSAMMENFASSUNG DER ERFINDUNG
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Aufgabe
der vorliegenden Erfindung ist es, ein Verfahren zum Betreiben einer
mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage anzugeben, mit dem
sich auf einer lichtempfindlichen Schicht, die in einer Bildebene
des Projektionsobjektivs angeordnet ist, ein besonders hoher Kontrast
erzielen läßt.
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Gelöst
wird diese Aufgabe erfindungsgemäß durch ein Verfahren
mit folgenden Schritten:
- a) Beleuchten einer
alternierenden Phasenverschiebungsmaske mit Projektionslicht, das
eine annähernd kohärente Beleuchtungswinkelverteilung
mit einem Kohärenzparameter σ < 0.3 und einen definierten und homogenen
Polarisationszustand hat;
- b) Abbilden der Phasenmaske auf eine lichtempfindliche Schicht
mit Hilfe eines Projektionsobjektivs, das eine Pupillenebene hat;
- c) Umwandeln des definierten Polarisationszustands in einen
s-Polarisationszustand in oder zumindest in der Nähe der
Pupillenebene des Projektionsobjektivs.
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Die
Erfindung beruht auf der Erkenntnis, daß man einen besonders
hohen Kontrast bei Verwendung von alternierenden Phasenverschiebungsmasken
(alternate Phase shift masks, altPSM), erzielen läßt.
Dies hängt u. a. damit zusammen, daß bei diesen
Masken keine nullte Beugungsordnung ausbreitungsfähig ist,
sondern lediglich die +1. und –1. Beugungsordnung zur Abbildung
beiträgt. Da derartige Masken üblicherweise mit
annähernd kohärenter Beleuchtungswinkelverteilung
(d. h. mit einem Kohärenzparameter σ < 0.3) beleuchtet
werden, werden in einer Pupillenebene des Projektionsobjektivs Paare einander
gegenüberliegender Pole ausgeleuchtet, deren Lage in der
Pupillenebene des Projektionsobjektivs von der Richtung der abgebildeten
Strukturen abhängt. Wird eine solche alternierende Phasenverschiebungsmaske
mit Projektionslicht beleuchtet, das einen definierten und homogenen
Polarisationszustand hat, so hat das gebeugte Licht an jedem Ort in
der Pupillenebene des Projektionsobjektivs ebenfalls einen definierten
Polarisationszustand.
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Unter
diesen Umständen kann es weder zu einer Überlagerung
unterschiedlicher Polarisationszustände, noch zum Auftreten
von unpolarisiertem Licht in der Pupillenebene des Projektionsobjektivs kommen.
Dadurch wird es möglich, für beliebig orientierte
Anordnungen von Strukturen auf der Phasenverschiebungsmaske mit
einer polarisationsumwandelnden Einrichtung, z. B. einem an sich
bekannten Polarisationsrotator, eine tangentiale Polarisationsverteiung
in der Pupillenebene zu erzeugen. Innerhalb gewisser Grenzen kann
dabei sogar der Kohärenzparameter σ verändert
werden, ohne daß die nahezu perfekte Interferenzfähigkeit
in der Bildebene des Projektionsobjektivs davon beeinträchtigt
wird.
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Vorteilhafte
Ausgestaltungen der Erfindung sind Gegenstand der Unteransprüche.
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KURZE BESCHREIBUNG DER ZEICHUNGEN
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Weitere
Merkmale und Vorteile der Erfindung ergeben sich aus der nachfolgenden
Beschreibung eines Ausführungsbeispiels anhand der Zeichnungen.
Darin zeigen:
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1 eine
schematische und nicht maßstäbliche Darstellung
einer erfindungsgemäßen mikrolithographischen
Projektionsbelichtungsanlage;
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2 eine
schematische Darstellung einer tangentialen Polarisationsverteilung;
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3 eine
perspektivische Darstellung einer die Polarisationsrichtung rotierenden
Einrichtung;
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4a Strukturen
auf einer abzubildenden Maske;
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4b die
Ausleuchtung einer Pupillenebene des Beleuchtungssystems der in
der 1 gezeigten Projektionsbelichtungsanlage bei der
Abbildung der in der 4a gezeigten Strukturen;
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4c die
Ausleuchtung einer Pupillenebene des Projektionsobjektivs der in
der 1 gezeigten Belichtungsanlage bei der Abbildung
der in der 4a gezeigten Strukturen;
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5a–5c den 4a bis 4c entsprechenden
Darstellungen, jedoch für eine orthogonale Strukturrichtung;
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6a–6d den 4a bis 4c entsprechende
Darstellungen für eine Maske mit unterschiedlichen Strukturrichtungen,
wobei die 6c zusätzlich die Ausleuchtung
der Pupillenebene unmittelbar vor einer polarisationsumwandelnden
Einrichtung zeigt;
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7a–7d den 6a bis 6d entsprechende
Darstellungen, wobei die Strukturen mit zirkular polarisiertem Licht
beleuchtet werden.
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BESCHREIBUNG BEVORZUGTER AUSFÜHRUNGSBEISPIELE
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Die 1 zeigt
einen Meridionalschnitt durch eine insgesamt mit 10 bezeichnete
mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage in stark schematisierter
Darstellung. Die Projektionsbelichtungsanlage 10 weist
ein Beleuchtungssystem 12 zur Erzeugung eines Projektionslichtbündels 14 auf.
Die Wellenlänge des Projektionslichts beträgt
bei dem hier gezeigten Ausführungsbeispiel λ =
193 nm; andere Wellenlängen, z. B. λ = 248 nm
oder λ = 157 nm, sind ebenso möglich. Das Beleuchtungssystem 12 richtet
das Projektionslichtbündel 14 auf eine in einer Maskenebene 16 angeordnete
Maske 18.
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Das
Beleuchtungssystem 12 enthält eine Lichtquelle 20 und
eine mit 22 angedeutete Beleuchtungsoptik. Die Beleuchtungsoptik 22 ermöglicht
es, eine Pupillenebene 24 des Beleuchtungssystems 12 in
unterschiedlicher Weise auszuleuchten. Da jedem Ort in der Pupillenebene 24 eindeutig
ein bestimmter Winkel in der Maskenebene 16 zugeordnet
ist, bestimmt die Ausleuchtung der Pupillenebene 24 die Beleuchtungswinkelverteilung
in der Maskenebene 18. Wird wie in der 1 gezeigt
nur ein auf der optischen Achse OA liegender Bereich in der Pupillenebene 24 ausgeleuchtet,
so trifft das Projektionslicht senkrecht auf die Maske 18.
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Zur
variablen Ausleuchtung der Pupillenebene
24 kann die Beleuchtungsoptik
22 beispielsweise austauschbare
diffraktive optische Elemente oder Mikrolinsen-Arrays enthalten.
Daneben kann die Beleuchtungsoptik
22 auch ein Paar zueinander
entlang der optischen Achse verfahrbarer Axikonelemente und/oder
ein Zoomobjektiv enthalten. Da derartige Beleuchtungsoptiken im
Stand der Technik bekannt sind, siehe z. B. die
US 6 285 443 A , deren Inhalt hiermit
vollumfänglich zum Gegenstand der vorliegenden Anmeldung
gemacht wird, kann auf die Erläuterung weiterer Einzelheiten
hierzu verzichtet werden.
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Bei
dem dargestellten Ausführungsbeispiel ist in der Pupillenebene 24 des
Beleuchtungssystems 12 ein Polarisator 25 angeordnet,
der gewährleistet, daß das aus dem Polarisator 25 austretende Licht
linear und homogen, d. h. über die gesamte Pupillenebene 24 hinweg
mit der gleichen Polarisationsrichtung, polarisiert ist. Der Polarisator 25 kann
dabei so ausgelegt oder, z. B. durch Verdrehbarkeit in einem Halter,
so gehalten sein, daß die Polarisationsrichtung veränderbar
ist. Bei Beleuchtungssystemen, welche den Polarisationszustand erhalten,
kann auf den Polarisator 25 verzichtet werden, da das von
der Lichtquelle 20 erzeugte Licht bereits linear polarisiert ist.
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Zur
Projektionsbelichtungsanlage 10 gehört ferner
ein Projektionsobjektiv 26, das eine Vielzahl von Linsen
enthält, von denen der Übersichtlichkeit halber
in der 1 lediglich einige beispielhaft angedeutet und
mit L1 bis L7 bezeichnet sind. Das Projektionsobjektiv 26 dient
dazu, die in der Maskenebene 16 angeordnete Maske 18 verkleinert
auf eine lichtempfindliche Schicht 28 abzubilden, bei der
es sich z. B. um einen auf einen Wafer 30 aufgebrachten
Photolack handeln kann. Die Schicht 28 ist dabei in einer Bildebene 32 des
Projektionsobjektivs 26 angeordnet.
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In
einer Pupillenebene 34 des Projektionsobjektivs 26 ist
eine polarisationsumwandelnde Einrichtung 36 angeordnet,
die einen definierten und homogenen, im dargestellten Ausführungsbeispiel
linearen, Polarisationszustand in einen s-Polarisationszustand umwandelt.
Ein s-Polarisationszustand zeichnet sich dadurch aus, daß die
Polarisationsrichtung eines Lichtstrahls senkrecht zu einer Ebene
verläuft, die durch die optische Achse OA und die Aus breitungsrichtung
des betreffenden Lichtstrahls aufgespannt wird. Als Polarisationsrichtung
bezeichnet man die Richtung, in welcher der elektrische Feldvektor
oszilliert. Dieser Vektor spannt mit der Ausbreitungsrichtung des
Lichtstrahls dessen Schwingungsebene auf.
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Die 2 zeigt
in einer schematischen Darstellung eine Polarisationsverteilung,
die von der polarisationsumwandelnden Einrichtung 36 erzeugt wird.
Darin ist erkennbar, daß im s-Polarisationszustand die
durch Doppelpfeile 30 angedeuteten Polarisationsrichtungen
der Lichtstrahlen tangential bezüglich der optischen Achse
OA verlaufen. Deswegen spricht man in diesem Zusammenhang häufig auch
von tangentialer Polarisation.
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Die
3 zeigt
in einer perspektivischen Darstellung eine Ausführungsform
einer polarisationsumwandelnden Einrichtung
36, wie sie
aus der
US 2006/0055909
A1 bekannt ist. Die polarisationsumwandelnde Einrichtung
36 enthält
einen optisch aktiven Kristall, dessen Dicke vom Azimuthwinkel θ abhängt.
Die Polarisationsrichtung eines Lichtstrahls wird beim Durchtritt
durch den optisch aktiven Kristall gedreht, wobei der Drehwinkel
von der Dicke des durchtretenden Materials abhängt. Wegen
Einzelheiten zu dieser polarisationsumwandelnden Einrichtung
36 wird
auf die vorstehend erwähnte
US 2006/0055909 A1 verwiesen.
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Alternativ
hierzu kann auch eine Anordnung von optisch doppelbrechenden Halbwellenlängenplättchen
verwendet wer den, wie sie beispielsweise in der
US 6,930,758 B2 beschrieben
ist. Ähnliche Anordnungen sind, wenngleich zur Erzeugung
einer radialen Polarisationsverteilung, in der
US 6,191,880 B1 beschrieben.
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Im
Folgenden wird die Funktion der in der 1 gezeigten
Projektionsbelichtungsanlage 10 mit Bezug auf die 4 bis 6 beschrieben.
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Unterstellt
wird im folgenden, daß es sich bei der Maske
18 um
eine alternierende Phasenverschiebungsmaske (alternating Phase shift
mask, altPSM, auch als Levenson- oder Levenson-Shibuay-Maske bezeichnet)
handelt. Derartige Masken zeichnen sich dadurch aus, daß es
benachbarte lichtdurchlässige Bereiche gibt, die einen
Phasensprung von 180° relativ zueinander erzeugen. An der
Grenze zwischen solchen benachbarten Bereichen kann sich auch ein
absorbierender Bereich (z. B. Chrom) befinden. Eine abzubildende
Linie kann z. B. durch zwei aneinander angrenzende Bereiche mit 180° Phasenverschiebung
erzeugt werden. In der Bildebene
32 des Projektionsobjektivs
26 führt
dies zu destruktiver Interferenz und damit zu einem scharf berandeten
Abbild der Struktur. Alternierende Phasenverschiebungsmasken sind
beispielsweise in der
US
2007/0087273 A1 , der
US 2003/0134207 A1 und der
US 6,416,909 B1 beschrieben.
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Alternierende
Phasenverschiebungsmasken werden stets mit einer annähernd
kohärenten Beleuchtungswinkelverteilung betrieben, die
man häufig auch als "kleines konventionelles Beleuchtungssetting"
bezeichnet. Der Kohärenzparameter σ ist dabei
vorzugsweise kleiner als 0.3, weiter vorzugsweise kleiner als 0.2,
und insbesondere vorzugsweise kleiner als 0.1. Der auch als partieller
Kohärenzfaktor bezeichnete Kohärenzparameter σ ist definiert
als das Verhältnis des Radius der Quelle zum Radius der
in der Pupillenebene 22 ausgeleuchteten Fläche.
Anschaulich gesprochen bedeutet ein kleiner Kohärenzparameter,
daß die Maske 18 mit annähernd parallelem
und senkrecht auf die Maske 18 auftreffendem Licht beleuchtet
wird, ähnlich wie dies in der 1 angedeutet
ist. Auf diese Weise läßt sich ein sehr hoher
Abbildungskontrast in der Bildebene 32 des Projektionsobjektivs 26 erzielen.
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Eine
Besonderheit der alternierenden Phasenverschiebungsmasken besteht
darin, daß nur die +1. und –1. Beugungsordnungen
ausbreitungsfähig sind, während die nullte Beugungsordnung
unterdrückt wird. In der 1 sind die
Beugungsordnungen mit S+1 und S–1 angedeutet.
In der Pupillenebene 34 des Projektionsobjektivs 26 werden
deswegen für jede Strukturrichtung zwei Pole in der Pupillenebene 34 des
Projektionsobjektivs 26 ausgeleuchtet, deren Größe
unter anderem von dem Kohärenzparameter σ abhängt.
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Im
Folgenden wird zunächst unterstellt, daß auf der
alternierenden Phasenverschiebungsmaske 18 nur Strukturen
STX enthalten sind, die parallel zu einer X-Richtung ausgerichtet
sind, wie dies in der 4a angedeutet ist.
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Die 4b zeigt
einen axialen Pol P in der Pupillenebene 24 des Beleuchtungssystems 12,
wie er bei einem kohärenten Beleuchtungssetting mit kleinem
Kohärenzparameter σ erzeugt wird. Je kleiner der
Durchmesser des Pols P ist, desto kleiner ist der Kohärenzparameter σ und
desto senkrechter treffen die Lichtstrahlen des Projektionslichtbündels 14 auf
die Maske 18. Die polarisationsumwandelnde Einrichtung 36 ist
dabei so eingestellt, daß die durch einen Doppelpfeil in
dem Pol P angedeutete Polarisationsrichtung senkrecht zur Erstreckungsrichtung
der Strukturen STX verläuft.
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Die 4c zeigt
die Ausleuchtung der Pupillenebene 34 des Projektionsobjektivs 26.
Erkennbar sind zwei einander in der X-Richtung gegenüberliegende
Pole PX1 und PX2.
Unter der Annahme, daß die Polarisationsrichtung durch
dazwischen angeordnete optische Elemente nicht verändert
wurde, ist das die Pole PX1 und PX2 durchtretende Licht entlang der Y-Richtung
polarisiert. Wie ein Vergleich mit der 2 zeigt,
stellt dies eine zumindest annähernd tangentiale Polarisation
dar. Tangential polarisiertes Licht kann in der Bildebene 32 das
Projektionsobjektiv 26 optimal interferieren, da es keine
Komponente entlang der Z-Richtung hat. Somit ergeben sich für die
Abbildung der Strukturen STX optimale Kontrastverhältnisse
in der Bildebene 32, wenn die polarisationsumwandelnde
Einrichtung 36 in den Polen PX1 und
PX2 den Polarisationszustand nicht verändert.
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Die 5a bis 5c zeigen
die entsprechenden Verhältnisse, wenn abzubildende Strukturen
STY entlang der Y-Richtung ausgerichtet sind. Bei unverändert
entlang der Y-Richtung ausgerichteter Polarisation im Beleuchtungssystem 12 sind
auch die Pole PY1, PY2 von
Licht ausgeleuchtet, das in X-Richtung polarisiert ist. Die Pole
PY1, PY2 sind nun jedoch
um 90° verdreht, d. h. entlang der Y-Richtung einander
gegenüberliegend angeordnet. Die gepunktet in der 5c angedeuteten
Polarisationsrichtungen entsprechen einer radialen Polarisation
(p-Polarisation), die nur eine teilweise Interferenz in der Bildebene 32 des
Projektionsobjektivs 26 und damit keinen optimalen Kontrast
ermöglicht. Die polarisationsumwandelnde Einrichtung 36 stellt
nun für diese beiden Pole PY1,
PY2 sicher, daß die Polarisationsrichtung
um 90° gedreht wird, damit auch in diesen Polen ein s-Polarisationszustand
hergestellt wird. Das derart wieder annähernd tangential
polarisierte Licht kann optimal in der Bildebene 32 des
Projektionsobjektivs 26 interferieren.
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Die 6a bis 6d zeigen
die Verhältnisse für eine Maske 18, bei
der insgesamt drei unterschiedliche Strukturrichtungen vorkommen
(siehe 6a). Jeder Strukturrichtung
ist ein Paar von Polen in der Pupillenebene 34 des Projektionsobjektivs 26 zugeordnet,
wie dies in der 6c erkennbar ist. Die polarisationsumwandelnde
Einrichtung 36 dreht die Polarisationsrichtung in den einzelnen
Polen derart, daß stets ein s-Polarisations zustand, d.
h. tangentiale Polarisation, erzielt wird (siehe 6d).
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Möglich
wird dies, weil das auf die polarisationsumwandelnde Einrichtung 36 auftreffende
Licht an jedem Ort einen definierten Polarisationszustand hat. Die
polarisationsumwandelnde Einrichtung 36 kann dann so ausgelegt
werden, daß es den definierten Polarisationszustand in
einen s-Polarisationszustand umwandeln kann. Bei einer Überlagerung
von mehreren definierten Polarisationszuständen an einem
Ort oder bei gänzlich unpolarisiertem Licht wäre eine
derartige Umwandlung in einen s-Polarisationszustand nicht möglich.
Der definierte Polarisationszustand in der Pupillenebene 34 des
Projektionsobjektivs 26 ist wiederum eine Folge des definierten
homogenen Polarisationszustands, den das zur Beleuchtung verwendete
Lichtbündel 14 hat.
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Die
Verwendung einer alternierenden Phasenverschiebungsmaske ist deswegen
so vorteilhaft, weil dort keine nullte Beugungsordnung ausbreitungsfähig
ist. Der Vorteil einer hochgradig tangentialen Polarisation würde
durch die zusätzliche nullte Beugungsordnung erheblich
beeinträchtigt. Die für hohen Kontrast erforderliche Überlagerung
von gleich polarisierten Beugungsordnungen in der Bildebene erforderte
nämlich in diesem Fall, daß auch die nullte Beugungsordnung
parallel zu den Polarisationsrichtungen der +1. und der –1.
Beugungsordnung polarisiert ist. Dies läßt sich
aber nur für eine Strukturrichtung, nie jedoch gleichzeitig
für zwei orthogonale Strukturrichtungen erzielen.
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Die 7a bis 7d zeigen
in an die 6a bis 6d angelehnten
Darstellungen ein anderes Ausführungsbeispiel. Hier ist
angenommen, daß der Polarisator 25 in der Pupillenebene 24 des Beleuchtungssystems 12 kein
linear polarisiertes, sondern zirkular polarisiertes Licht erzeugt.
In der 7b ist dies durch einen Pfeil 40 angedeutet.
Die Verwendung von zirkular polarisiertem Licht ist deswegen vorteilhaft,
weil dieses keine Polarisationsvorzugsrichtung hat. Polarisationsvorzugsrichtungen führen
häufig zu unerwünschten Polarisationsabhängigkeiten
des Transmissionsgrades der Maske und anderer optischer Elemente.
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Die 7c zeigt,
wie dieser zirkulare Polarisationszustand in den Polen erhalten
bleibt, die in der Pupillenebene 34 des Projektionsobjektivs 26 bei Projektion
einer alternierenden phasenverschiebenden Maske ausgeleuchtet wird,
die unterschiedliche Strukturrichtungen (vgl. 7a)
enthält. Die polarisationsumwandelnde Einrichtung 36 muß zusätzlich
ein Element enthalten, welches den zirkularen Polarisationszustand
in einen linearen Polarisationszustand überführt.
Hierbei kann es sich beispielsweise um ein geeignet angeordnetes
Viertelwellenlängenplättchen handeln. Dies würde
den in der 7c dargestellten zirkularen
Polarisationszustand in einen linearen Polarisationszustand umwandeln,
wie dies in der 6c darge stellt ist. Ein polarisationsdrehendes Element
erzeugt daraus schließlich den s-Polarisationszustand,
wie dies in der 7d angedeutet ist.
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ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
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Zitierte Patentliteratur
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- - US 6774984
B2 [0008]
- - US 6930758 B2 [0009, 0033]
- - US 6285443 A [0027]
- - US 2006/0055909 A1 [0032, 0032]
- - US 6191880 B1 [0033]
- - US 2007/0087273 A1 [0035]
- - US 2003/0134207 A1 [0035]
- - US 6416909 B1 [0035]