JP2007179056A - 減衰型の位相シフトマスクの製造方法およびこれにより得られるデバイス - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本発明は、デバイスのハイパーNAリソグラフプロセスに適した減衰型の位相シフトマスクと、こうしたマスクを製作する方法と、そして、こうしたマスクを用いたハイパーNAリソグラフプロセスに関する。減衰型の位相シフトマスクは、リソグラフシステムの開口数の効果を考慮して製作される。
【選択図】図5
Description
マスクまたはマスクブランクは、ハーフトーンスタック(stack)を備え、
マスクまたはマスクブランクは、軸外(off-axis)照射及び/又はハイパー開口数(NA)システムとの使用に適しており、
該方法は、位相シフトマスクまたはマスクブランクに関するマスク設定値を選択することと、
リソグラフプロセスに関するプロセスパラメータ値を選択することと、
プロセスパラメータは、少なくとも、軸外照射及び/又はハイパー開口数(NA)システムとの使用を含むものであり、
像性能パラメータを選択することと、
選択したマスク設定値および選択したプロセスパラメータ値を用いて、空間像(aerial image)シミュレーションを実施し、空間像シミュレーションから、像性能パラメータに関して対応する値を導出することと、
導出した像性能パラメータ値を、予め定めた像性能パラメータ基準値に関して評価することと、
もし前記導出した像性能パラメータが像性能パラメータ基準値を満足しない場合、導出した像性能パラメータに基づいてマスク設定値を調整することと、前記シミュレーションおよび前記評価することを繰り返すこととを含む。
マスクまたはマスクブランクは、ハーフトーンスタック(stack)を備え、
該方法は、位相シフトマスクまたはマスクブランクに関するマスク設定値を選択することと、
該マスク設定値は、ハーフトーンスタックでの吸収体材料および位相シフト材料の層数を含み、合計層数は3と等しいか又はそれ以上であり、
リソグラフプロセスに関するプロセスパラメータ値を選択することと、
偏光度を像性能パラメータとして選択することと、
選択したマスク設定値および選択したプロセスパラメータ値を用いて、空間像シミュレーションを実施し、空間像シミュレーションから、像性能パラメータに関して対応する値を導出することと、
導出した像性能パラメータ値を、予め定めた像性能パラメータ基準値に関して評価することと、
もし前記導出した像性能パラメータが像性能パラメータ基準値を満足しない場合、導出した像性能パラメータに基づいてマスク設定値を調整することと、前記シミュレーションおよび前記評価することを繰り返すこととを含む。
マスクまたはマスクブランクは、ハーフトーンスタック(stack)を備え、
マスクまたはマスクブランクは、軸外(off-axis)照射及び/又はハイパー開口数(NA)システムとの使用に適しており、
該方法は、位相シフトマスクまたはマスクブランクに関して選択したマスク設定値を受け取ることと、
リソグラフプロセスに関して選択したプロセスパラメータ値を受け取ることと、
プロセスパラメータは、少なくとも、軸外照射及び/又はハイパー開口数(NA)システムとの使用を含むものであり、
選択した像性能パラメータを受け取ることと、
選択したマスク設定値および選択したプロセスパラメータ値を用いて、空間像シミュレーションを実施し、空間像シミュレーションから、像性能パラメータに関して対応する値を導出することと、
導出した像性能パラメータ値を、予め定めた像性能パラメータ基準値に関して自動的に評価することと、
もし前記導出した像性能パラメータが像性能パラメータ基準値を満足しない場合、導出した像性能パラメータに基づいてマスク設定値を自動的に調整することと、前記シミュレーションおよび前記評価することを繰り返すこととを含む。
ハーフトーンスタックは、吸収体材料と位相シフト材料とを備え、あるいはこれらで構成され、
吸収体材料の厚さおよび位相シフト材料の厚さは、軸外照射を考慮して決定されている。
ハーフトーンスタックは、吸収体材料と位相シフト材料とを備え、あるいはこれらで構成され、
吸収体材料の厚さおよび位相シフト材料の厚さは、軸外照射を考慮して決定されている。
該方法は、上述のような軸外照射および組込み減衰型の位相シフトマスクを使用することを含む。
該システムは、位相シフトマスクまたはマスクブランクに関して選択したマスク設定値を受け取るため、リソグラフプロセスに関して選択したプロセスパラメータ値を受け取るため、プロセスパラメータ値は、軸外照射を少なくとも含むものであり、および、選択した像性能パラメータを受け取るための入力手段と、
入力された、選択したマスク設定値および選択したプロセスパラメータ値を用いて、空間像シミュレーションを実施し、空間像シミュレーションから、選択した像性能パラメータに関して対応する値を導出するための処理手段と、
導出した像性能パラメータ値を、予め定めた像性能パラメータ基準値に従って評価するための評価手段と、
もし前記導出した像性能パラメータが像性能パラメータ基準値を満足しない場合、導出した像性能パラメータに基づいてマスク設定値を調整するための調整手段とを備える。
110 透明基板
120 ハーフトーンスタック
130 吸収体材料
140 位相シフト材料
150 吸収体層
200 デバイス
210 感光層
220 基板
400 プロセスシステム
403 プロセッサ
405 メモリサブシステム
500 マスクブランク
Claims (20)
- リソグラフプロセスでの使用のための組込み減衰型の位相シフトマスク(100)またはマスクブランク(500)を設計するための方法(400)であって、
マスクまたはマスクブランクは、ハーフトーンスタック(120)を備え、
マスクまたはマスクブランクは、軸外照射及び/又はハイパーNAに適しており、
該方法は、位相シフトマスク(100)またはマスクブランク(500)に関するマスク設定値を選択すること(410)と、
リソグラフプロセスに関するプロセスパラメータ値を選択すること(420)と、
像性能パラメータを選択すること(430)と、
選択したマスク設定値を用いて、空間像シミュレーションを実施し、空間像シミュレーションから、像性能パラメータに関して対応する値を導出すること(440)と、
導出した像性能パラメータ値を、予め定めた像性能パラメータ基準値に関して評価すること(450)と、
前記導出した像性能パラメータが像性能パラメータ基準値を満足しない場合、導出した像性能パラメータに基づいてマスク設定値を調整すること(460)と、前記シミュレーションおよび前記評価することを繰り返すことと、
を含み、
プロセスパラメータ値を選択することは、1に等しい又はそれより大きい開口数を少なくとも含むプロセスパラメータを選択することを含み、
空間像シミュレーションを実施することは、1に等しい又はそれより大きい開口数を少なくとも含む選択したプロセスパラメータ値を用いて空間像シミュレーションを実施することを含むことを特徴とする方法。 - 像性能パラメータは、レジストでの像コントラスト、焦点深度、露光ラチチュード、マスクの偏光効果、マスクエラー増大因子、または、照射器偏光に対するライン幅感度のいずれかである請求項1記載の方法。
- 位相シフトマスク(100)またはマスクブランク(500)に関する設定値を選択すること(410)は、ハーフトーンスタック(120)の材料のタイプおよび数を選択することを含む請求項1または2記載の方法。
- ハーフトーンスタックの材料のタイプおよび数を選択することは、吸収体材料(130)および位相シフト材料(140)を選択することを含む請求項3記載の方法。
- 吸収体材料(130)は、金属、好ましくは、クロムまたはタンタルであり、
位相シフト材料(140)は、誘電体、好ましくは、酸化シリコンまたは酸窒化シリコンである請求項4記載の方法。 - 位相シフトマスクまたはマスクブランクに関するマスク設定値を選択すること(410)は、少なくとも12%の最大露光ラチチュードを提供するために、吸収体材料(130)及び/又は位相シフト材料(140)の厚さを選択することをさらに含む請求項3,4または5記載の方法。
- マスク設定値を調整すること(460)は、吸収体材料(130)及び/又は位相シフト材料(140)の選択した厚さを調整することを含む請求項6記載の方法。
- 透明基板(110)とハーフトーンスタック(120)を備えた、組込み減衰型の位相シフトマスク(100)であって、
ハーフトーンスタック(120)は、吸収体材料(130)と位相シフト材料(140)とを備え、あるいはこれらで構成され、
吸収体材料の厚さおよび位相シフト材料の厚さは、軸外照射を考慮して決定され、
吸収体材料の厚さおよび位相シフト材料の厚さは、1と等しい又はそれより大きい開口数を更に考慮して決定されていることを特徴とする位相シフトマスク。 - ハーフトーンスタック(120)は、吸収体材料(130)層と位相シフト材料(140)層からなる二層膜スタックとして構成される請求項8記載の位相シフトマスク。
- ハーフトーンスタック(120)は、吸収体材料(130)と位相シフト材料(140)の交互シーケンスからなる多層スタックとして構成される請求項8記載の位相シフトマスク。
- 吸収体材料(130)は、金属、好ましくは、クロムまたはタンタルであり、
位相シフト材料(140)は、誘電体、好ましくは、酸化シリコンまたは酸窒化シリコンである請求項8〜10のいずれかに記載の位相シフトマスク。 - 吸収体材料(130)は、25nm〜45nmの範囲、好ましくは25nm〜35nmの範囲、より好ましくは約30nmの厚さを有するタンタルであり、
位相シフト材料(140)は、135nm〜140nmの範囲、好ましくは約140nmの厚さを有する酸化シリコンである請求項11記載の位相シフトマスク。 - 吸収体材料(130)は、45nm〜70nmの範囲、好ましくは45nm〜60nmの範囲、より好ましくは約50nmの厚さを有するクロムであり、
位相シフト材料(140)は、90nm〜110nmの範囲、好ましくは約100nmの厚さを有する酸窒化シリコンである請求項11記載の位相シフトマスク。 - 請求項8〜13のいずれかに記載の組込み減衰型の位相シフトマスクを製造するためのマスクブランク。
- デバイスのリソグラフプロセス方法であって、
軸外照射と、請求項8〜13のいずれかに記載の組込み減衰型の位相シフトマスクとを使用することを含む方法。 - リソグラフプロセスは、1と等しい又はそれより大きい開口数を持つプロセスを含む請求項15記載の方法。
- 位相シフトマスク(100)またはマスクブランク(500)に関して選択したマスク設定値と、軸外照射を少なくとも含む、リソグラフプロセスに関して選択したプロセスパラメータ値と、選択した像性能パラメータとを受け取るための入力手段(409)と、
入力された、選択したマスク設定値および選択したプロセスパラメータ値を用いて、空間像シミュレーションを実施し、空間像シミュレーションから、選択した像性能パラメータに関して対応する値を導出するための処理手段(403)と、
導出した像性能パラメータ値を、予め定めた像性能パラメータ基準値に関して評価するための評価手段(412)と、
前記導出した像性能パラメータが像性能パラメータ基準値を満足しない場合、導出した像性能パラメータに基づいてマスク設定値を調整するための調整手段(414)とを備え、
選択したプロセスパラメータ値を受け取るための入力手段(409)は、1と等しい又はそれより大きい開口数を少なくとも含む選択したプロセスパラメータ値を受け取るように適合しており、
空間像シミュレーションを実施するための処理手段(403)は、1と等しい又はそれより大きい開口数を少なくとも含む選択したプロセスパラメータ値を用いて、空間像シミュレーションを実施するように適合していることを特徴とするプロセスシステム(400)。 - 請求項1〜7のいずれかに記載の組込み減衰型の位相シフトマスク及び/又はマスクブランクを設計する方法を実行するためのコンピュータプログラム製品。
- 請求項18記載のコンピュータプログラム製品を保存するマシン読み取り可能なデータストレージ装置。
- 請求項18記載のコンピュータプログラム製品の、ローカルエリアまたはワイドエリアの遠距離通信ネットワークでの伝送。
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