KR101429629B1 - 계측 방법 및 장치, 리소그래피 시스템, 및 리소그래피 처리 셀 - Google Patents

계측 방법 및 장치, 리소그래피 시스템, 및 리소그래피 처리 셀 Download PDF

Info

Publication number
KR101429629B1
KR101429629B1 KR1020127001018A KR20127001018A KR101429629B1 KR 101429629 B1 KR101429629 B1 KR 101429629B1 KR 1020127001018 A KR1020127001018 A KR 1020127001018A KR 20127001018 A KR20127001018 A KR 20127001018A KR 101429629 B1 KR101429629 B1 KR 101429629B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
substrate
image
radiation
focus
asymmetry
Prior art date
Application number
KR1020127001018A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20120018227A (ko
Inventor
휴고 크라머
보프 아리에 덴
헨리쿠스 메겐스
헨드릭 스마일드
아드리아누스 쉘레켄스
마이클 쿠비스
Original Assignee
에이에스엠엘 네델란즈 비.브이.
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. filed Critical 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이.
Publication of KR20120018227A publication Critical patent/KR20120018227A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101429629B1 publication Critical patent/KR101429629B1/ko

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G03F7/70605—Workpiece metrology
    • G03F7/70616—Monitoring the printed patterns
    • G03F7/70641—Focus
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
    • G01B11/00—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques
    • G01B11/24—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring contours or curvatures
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
    • G01B11/00—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques
    • G01B11/30—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring roughness or irregularity of surfaces
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/17—Systems in which incident light is modified in accordance with the properties of the material investigated
    • G01N21/47—Scattering, i.e. diffuse reflection
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
    • G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70058—Mask illumination systems
    • G03F7/70191—Optical correction elements, filters or phase plates for controlling intensity, wavelength, polarisation, phase or the like
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G03F7/70605—Workpiece metrology
    • G03F7/70616—Monitoring the printed patterns
    • G03F7/70625—Dimensions, e.g. line width, critical dimension [CD], profile, sidewall angle or edge roughness
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G03F7/70605—Workpiece metrology
    • G03F7/70616—Monitoring the printed patterns
    • G03F7/70633—Overlay, i.e. relative alignment between patterns printed by separate exposures in different layers, or in the same layer in multiple exposures or stitching
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
    • H01L21/0273—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers
    • H01L21/0274—Photolithographic processes
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
    • G01B11/00—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques
    • G01B11/02—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring length, width or thickness
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
    • G01B11/00—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques
    • G01B11/22—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring depth
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G03F7/70605—Workpiece metrology
    • G03F7/70608—Monitoring the unpatterned workpiece, e.g. measuring thickness, reflectivity or effects of immersion liquid on resist
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G03F7/70605—Workpiece metrology
    • G03F7/70616—Monitoring the printed patterns
    • G03F7/7065—Defects, e.g. optical inspection of patterned layer for defects

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Immunology (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Biochemistry (AREA)
  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Pathology (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)

Abstract

기판상에서의 리소그래피 공정에 사용되는 리소그래피 장치의 초점을 판정하는 방법에서, 리소그래피 공정은 기판상에 구조체를 형성하는 데에 사용되며, 구조체는 기판상에서의 리소그래피 장치의 초점의 함수로서 변화하는 프린트된 프로파일의 비대칭을 갖는 하나 이상의 특징적 요소를 포함한다. 구조적 구조체의 제1 이미지는 제1 방사 빔으로 구조체를 조명하는 동안에 형성 및 검출되며, 제1 이미지는 비-0차 회절 방사선의 제1 부분을 사용하여 형성된다. 주기적 구조체의 제2 이미지는 제2 방사 빔으로 구조체를 조명하면서 형성 및 검출된다. 제2 이미지는 회절 스펙트럼에서 제1 부분과 대칭적으로 대면하는 비-0차 회절 방사선의 제2 부분을 사용하여 형성된다. 기판상에서의 초점을 표시를 나타내기 위해 및/또는 주기적 구조체의 프로파일에서의 비대칭을 판정하기 위해, 스펙트럼의 측정된 제1 및 제2 부분의 세기의 비가 판정 및 사용된다. 동일한 장치에서, 검출된 부분에 대한 세기 편차는 구조체에서의 공정에 의해 생기는 편차의 측정값으로 판정된다. 바람직하지 않은 공정을 가진 구조체의 영역이 식별되고 구조체의 측정값으로부터 배제될 수 있다.

Description

계측 방법 및 장치, 리소그래피 시스템, 및 리소그래피 처리 셀{METROLOGY METHOD AND APPARATUS, LITHOGRAPHIC SYSTEM, AND LITHOGRAPHIC PROCESSING CELL}
본 발명은 리소그래피 기술에 의해 디바이스를 제조하는 데에 사용할 수 있는 방법 및 스케터로미터(scatterometer)에 관한 것이다.
리소그래피 장치(lithographic apparatus)는 원하는 패턴을 기판(substrate), 일반적으로는 기판의 타겟(target) 부분에 형성하는 기계 장치이다. 리소그래피 장치는, 예를 들어 집적 회로(IC)의 제조에 사용할 수 있다. 이 경우, IC를 구성하는 각각의 층에 형성할 회로 패턴을 만들기 위해, 마스크(mask) 또는 레티클(reticle)이라고도 부르는 패터닝(patterning) 디바이스를 사용할 수 있다. 이 패턴을 기판(예를 들어, 실리콘 웨이퍼)상의 타겟 부분(예를 들어, 하나 또는 여러 개의 다이 중의 일부를 포함)에 전사할 수 있다. 패턴의 전사는 기판상에 제공되는 방사선 감응 재료(radiation-sensitive material)를 포함하는 층(레지스트 층)상에 상을 형성(imaging)하는 것에 이루어지는 것이 전형적이다. 일반적으로, 하나의 기판에는 연속으로 패턴화되는 망의 형태로 된 이웃하는 타겟 부분이 포함될 것이다. 일반적인 리소그래피 장치는 소위 스테퍼(stepper)와 스캐너(scanner)를 포함한다. 스테퍼는 타겟 부분에 있는 패턴 전체를 일시에 노광하는 방식으로 각각의 타겟 부분을 조사(irradiate)한다. 스캐너는 패턴을 방사 빔으로 소정의 방향("스캔" 방향)으로 주사함으로써 각각의 타겟 부분을 조사하는데, 스캔 방향에 평행한 방향 또는 역-평행 방향으로 기판을 주사하면서 타겟 부분을 조사한다. 이러한 패터닝 디바이스에 의해 기판에 패턴을 전사하는 것은 패턴을 기판상에 임프린트(imprint)하는 것에 의해서도 가능하다.
리소그래피 공정(lithographic process)를 모니터링하기 위해서는, 패턴화된 기판의 파라미터(parameter)를 측정(measure)할 필요가 있다. 이러한 파라미터의 예로서는, 기판 내에 또는 기판상에 형성된 연속하는 층들 사이의 오버레이 오차(overlay error)가 있다. 리소그래피 공정에서 형성되는 미세(microscopic) 구조를 측정하기 위한 기술이 많이 있으며, 그 중에는 주사 전자 현미경 및 다양한 전용 도구를 사용하는 방법 등이 있다. 전용 검사 도구 중 하나로서 스케터로미터(scatterometer)가 있다. 이 스케터로미터는 방사 빔을 기판 표면상의 타겟에 쏘아, 이로부터 산란되거나 반사되는 빔의 특성을 측정한다. 기판으로부터 반사 또는 산란되기 이전과 이후의 빔의 특성을 비교함으로써, 기판의 특성을 판정할 수 있다. 예를 들어 주지된 기판 특성에 관한 주지의 측정값을 갖는 라이브러리에 기억되어 있는 데이터와 반사된 빔을 비교함으로써, 기판의 특성을 판정할 수 있다. 스케터로미터로서, 크게 2가지 타입이 알려져 있다. 그중 하나인 분광 스케터로미터(spectroscopic scatterometer)는 기판상에 광대역 방사 빔을 쏘고, 특정의 좁은 각도 범위 내에서 산란하는 방사 빔의 스펙트럼(파장의 함수로서의 세기)을 측정한다. 다른 하나인 각도 분해 스케터로미터(angular resolved scatterometer)는 단색 방사 빔을 사용하여, 산란되는 방사 빔의 세기를 각도의 함수로서 측정하는 것이다.
스케터로미터는 리소그래피 장치의 여러 상이한 실시예를 측정하는 데에 사용될 수 있는데, 그 중에는 노광 이전의 기판의 위치결정 오차(positioning error) 및 노광 효율 등이 있다. 스케터로미터에 의해 측정될 수 있는, 리소그래피 장치(구체적으로는, 리소그래피 장치가 수행하는 노광 작용)의 2가지 중요한 파라미터는 집광(focus) 및 방사선량(dose)이다. 리소그래피 장치는 이하에 설명하는 방사 소스(radiation source) 및 투영 시스템(projection system)을 구비하는 노광 장치를 포함한다. 방사 소스는 방사 빔을 제공하는 것이며, 투영 시스템은 방사 빔을 집광해서 그 빔에 패턴을 부여하여 기판 표면상의 레지스트에 투광되는 패턴화된 방사 빔을 생성하는 것이다. 기판을 노광하기 위해 기판상에 투영되는 방사선량은 노광 장치의 여러 부분에 의해 제어된다. 방사선을 기판의 정확한 부분에 집광하는 것은 주로 리소그래피 장치의 투영 시스템이다. 패턴화된 방사선 내의 패턴의 이미지는 노광이 이루어지는 기판의 표면에서 집광되는 것이 중요하다. 이에 의해, 가장 선명한(즉, 가장 집광된) 이미지가 노광이 이루어질 기판의 표면상에 생길 것이며, 가장 선명한 패턴이 그 표면상에 노출될 것이다. 이에 따라, 더 소형의 제품 패턴이 프린트될 수 있다.
방사선의 집광 및 방사선량은 기판상에 노출되는 패턴 또는 구조체의 여러 파라미터에 직접적으로 영향을 미친다. 스케터로미터를 사용하여 측정될 수 있는 파라미터는 기판상에 프린트된 패턴 내의 구조체의 물리적 특성이다. 이러한 파라미터로서는 선폭(critical dimension: CD) 또는 측벽 각도(sidewall angle: SWA) 등이 있다. 선폭은 줄(bar)(즉, 프린트된 패턴 내에 있는 측정된 구조체가 무엇인지에 따라, 스페이스, 도트 또는 홀이 될 수 있음) 등의 구조체의 실질적인 평균 폭이다. 측벽 각도는 기판의 표면과 구조체의 상승(또는 하강) 부분의 일부 사이의 각도이다.
스크라이브 레인 구조체가 집광 측정을 위한 제품 마스크와 함께 사용되는 경우에는, 마스크 형상 보정(마스크의 휘어짐을 보정하기 위한 초점 보정)이 적용될 수 있다.
타겟의 크기를 방사 빔 스폿보다 더 작게 할 수 있는, 스케터로미터를 사용하여 집광을 측정하는 방법을 제공하는 것이 바람직하다.
위치 결정, 오버레이 계측, CD 계측, 및 집광량 계측을 위한 마커를 작게 하면, 계측을 위한 고정 설비 비용이 감소한다. 타겟이 작을수록 에칭 공정의 마이크로 로딩(micro-loading)과 비등각 증착(non-conformal deposition) 및 화학적 기계적 연마와 같은 다른 공정 영향이 더 민감하게 된다. 리소그래피의 복잡한 공정, 특히 반응성 이온 에칭(RIE)이나 플라즈마 에칭 등의 에칭 공정은 에칭 레이트의 환경(제품) 의존성(에칭 근접성)을 야기한다. 이러한 마이크로미터(마이크로미터 이하) 단위에서의 마이크로 로딩 및 공정 영향은 반도체 디바이스의 생산에 바람직하지 않으며, 제품 피처와 상이한 또는 타겟의 폭과 상이한 소형의 타겟에 대한 계측을 어렵게 할 수 있다. 특히, 타겟 에지에서의 비균일에 의해, 광학 계측에서의 동공 검출(pupil-detection)과 함께, 검출용 빔이 타겟보다 큰 오버필 조명(overfill illumniation)의 경우에 계측 문제가 생길 수 있다.
계측 타겟에서의 마이크로 로딩 및 공정 영향은, 웨이퍼의 처리를 마친 층 내에서 일어날 수 있는, 오버레이 회절 격자의 바닥-격자에 대한 로컬 에칭 레이트 등의 특성과 관련되어 있어서 검출이 어렵다.
이러한 계측 타겟에서의 마이크로 로딩 및 공정 영향을 검출하기 위해서는 주사 전자 현미경(SEM) 또는 광학 현미경 등과 같은 추가의 측정 기술의 사용을 필요로 한다. 그러나 이들 기술은 측정을 마친 구조체의 프로파일 비대칭에 대하여 민감도가 제한되어 있다. 광학 현미경 및 탑다운 방식의 SEM의 구체적인 단점은 다음과 같다:
i. 이들 기술은 "검사" 측정을 필요로 한다.
ii. 이들 기술은 대부분 검사를 마친 계측 타겟을 사용하는 실제의 계측 측정과는 상이한 측정 도구를 필요로 한다.
iii. 이들 기술은 계측 타겟 내의 프로파일 비대칭에 관한 제한된 정보 및 이들의 변형 정보만을 제공할 수 있을 뿐이다.
iv. 이들 기술은 실제 타겟의 측정을 향상시키는 데에 사용할 수 없으며, 계측 타겟이 측정에 사용될 수 있는지 여부를 판정하는 데에만 사용될 뿐이다.
마이크로 로딩 및 공정 영향을 검출 및 고려하기 위한 다른 방법으로는 투과 전자 현미경(TEM) 및 단면 SEM이 있다. 이들 기술은 구조화된 계층의 프로파일 정보를 얻을 수 있다. 그러나 상기 언급한 기술은 단면의 뷰(cross-sectional view)를 위해 관련 구조체의 라인을 따라 웨이퍼를 절단하여야 하기 때문에 시간이 많이 들고 파괴적인 기술이다. 또한, 단일의 국소적인 단면만이 제시될 수 있기 때문에, TEM 및 단면 SEM에 의해서는, 웨이퍼 필드에서의 2차원 정보를 국소적으로 추출할 수 없다.
상단 층이 없이 새롭게 에칭된 구조체에 대한 원자력 현미경(AFM) 등의 주사형 프로브 현미경(SPM) 기술은 다른 검사 기술이 될 수 있다. 그러나, 이 기술은 속도가 느리고, 웨이퍼의 생산을 중단시킨다. 측정은 완성되지 않은 타겟에서 수행되는 반면, 완성된 층 구조체에서의 영향을 알고 싶어할 수 있다.
또한, 동공 검출에 의한 회절 기반의 재구성이 공정 영향을 관측하기 위한 기술이 될 수 있다. 그러나 재구성과 조합한 회절 기반의 동공 검출은 조명 스폿 크기(수십 미크론) 정도의 대규모의 공정 영향만을 조사할 수 있다. 동공 검출의 경우, 미크론 단위 이하의 크기에서의 국소적인 정보는 거의 얻을 수 없다[타겟 전체 또는 구조체 전체가 완전하게 재구성되지 않는다면, 예를 들어 반복적인 해법 루프 내에서의 전자기 해법기(electro-magnetic solver)를 사용하는 것은, 예를 들어 격자 구조체 내에서의 각각의 개별 라인의 측벽 각도를 설명하는 실행할 수 없는 개수의 적응 파라미터(fit parameter)를 필요로 함]. 또한, 검사 정보를 찾기 위해 필요한 재구성은 시간을 많이 필요로 한다.
이러한 계측 타겟에서의 마이크로 로딩 및 공정 영향을 검출하는 방법을 제공하는 것이 바람직하다.
본 발명의 하나의 관점에 의하면, 기판상에서의 리소그래피 공정에서 사용되는 리소그래피 장치의 초점을 판정하는 방법을 제공한다. 본 방법은,
리소그래피 공정을 사용하여 기판상에 구조체(structure)를 형성하는 구조체 형성 단계로서, 구조체가 기판상에서의 리소그래피 장치의 초점에 따른 비대칭(asymmetry)을 갖는 프로파일을 포함하는 하나 이상의 특징적 요소(feature)를 구비하는, 구조체 형성 단계;
제1 방사 빔으로 구조체를 조명하면서 주기적 구조체의 제1 이미지를 형성 및 검출하는 과정을 포함하는 제1 측정 단계로서, 제1 이미지가 0차 회절 방사선(zero order diffracted radiation)을 배제하고 비-0차(non-zero order) 회절 방사선의 제1 부분을 사용하여 형성되는, 제1 측정 단계;
제2 방사 빔으로 구조체를 조명하면서 주기적 구조체의 제2 이미지를 형성 및 검출하는 과정을 포함하는 제2 측정 단계로서, 제2 이미지가 회절 스펙트럼 내의 제1 부분에 대칭적으로 대면하는 비-0차 회절 방사선의 제2 부분을 사용하여 형성되는, 제2 측정 단계; 및
제1 측정 단계와 제2 측정 단계에서 검출된 제1 이미지 및 제2 이미지를 사용하여, 주기적 구조체의 프로파일의 비대칭을 판정하고 및/또는 기판상의 초점의 표시(indication)를 제공하는 단계를 포함한다.
회절 스펙트럼의 "대칭적으로 대면하는" 부분이라는 것은 경면 반사 광선(0차 회절 광선)에 대한 동일 각도에서 회절된, 그라나 방향은 반대인 광선을 의미하는 것으로 이해하면 된다. 비-0차 회절 방사선의 대칭적으로 대면하는 제1 및 제2 부분은, 예를 들어 +1차 및 -1차 회절 방사선(또는 그 반대로)을 실질적으로 포함할 수 있다. 실제의 시스템에서, 각도의 범위는 하나의 각도 외의 다른 각도도 허용될 것이다. 각도의 범위가 0차(zero order)에 대해 대칭적인 경우, 이들의 세기에서의 불균등은 회절 구조체에서의 비대칭의 결과인 것으로 가정된다. 0차 회절 광선은 기판 표면에 대해 법선을 이루지 않아도 되지만, 각도를 이루며 입사될 수 있다. 이미지에 기여하는 회절 차수는 광선이 검출되는 각도를 변화시키는 대신에 또는 이에 추가로, 조명의 각도를 변화시킴으로써 변경될 수 있다.
일실시예에서, 측정 단계에서 사용되는 광학 시스템에서, 제1 및 제2 방사 빔은, 광학 시스템에 대하여 대칭적으로 축을 벗어난, 주기적 구조체에의 입사각을 가지며, 제1 및 제2 이미지는 주기적 구조체에 의해 광학 축 상에 그 중심이 위치하는 더 좁은 범위의 각도로 회절되는 방사선을 사용하여 형성 및 검출된다.
본 발명의 관점에 의하면, 기판상에서의 리소그래피 공정에서 사용되는 리소그래피 장치의 초점을 판정하도록 구성된 각도 분해 스케터로미터(angularly resolved scatterometer)가 제공되며, 리소그래피 공정은 기판상에 구조체를 형성하는 데에 사용되며, 구조체는 기판상에서의 리소그래피 장치의 초점에 따른 비대칭을 갖는 프로파일을 포함하는 하나 이상의 특징적 요소를 구비한다. 스케터로미터는,
제1 및 제2 측정 단계에서 사용하기 위해 제1 및 제2 방사 빔을 기판까지 전달하도록 구성된 조명 장치;
제1 및 제2 측정 단계 중에, 기판으로부터 회절된 방사선을 사용하여 기판의 제1 및 제2 이미지를 형성 및 검출하도록 구성된 검출 장치; 및
검출 장치 내에 배치된 조리개(stop) 장치를 포함하며,
조명 장치와 조리개 장치는 제1 및 제2 이미지에 기여하는 비-0차 회절 방사선을 조절(stop)하는 데에 효과적이고, 제1 및 제2 이미지는 비-0차 회절 방사선의 제1 및 제2 부분을 사용하여 형성되며, 제1 및 제2 부분은 회절된 방사선의 회절 스펙트럼에서 서로 대칭적으로 대면하고,
스케터로미터는, 제1 및 제2 이미지로부터 특징적 요소에 대한 프로파일 비대칭을 판정하고 및/또는 판정된 비대칭과 기판상에서의 초점의 표시를 나타내기 위해 각각의 특징적 요소에 대한 초점과 비대칭 간의 관계를 사용하도록 구성된 계산 장치를 포함한다.
본 발명은 리소그래피 시스템을 제공한다. 리소그래피 시스템은 리소그래피 장치를 포함하며, 리소그래피 장치는,
패턴을 조명하도록 구성된 조명 광학 시스템;
패턴의 이미지를 기판상에 투영하도록 구성된 투영 광학 시스템; 및
상기 언급한 것과 같은 본 발명에 의한 각도 분해 스케터로미터를 포함한다.
본 발명은 리소그래피 셀(lithographic cell)을 제공한다. 리소그래피 셀은,
방사선 감응 층으로 기판을 코팅하도록 구성된 코팅기(coater);
코팅기에 의해 코팅된 기판의 방사선 감응 층에 이미지를 노광시키도록 구성된 리소그래피 장치;
리소그래피 장치에 의해 노광된 이미지를 현상하도록 구성된 현상기(developer); 및
상기 언급한 것과 같은 본 발명에 의한 각도 분해 스케터로미터를 포함한다.
본 발명의 다른 관점에 의하면, 기판상에서의 구조체의 공정 편차를 검출하는 방법이 제공된다. 본 방법은, 기판에 방사 빔을 투사하여 구조체를 조명하고 이미지를 형성하는 단계; 회절된 방사선의 하나의 차수를 제외한 나머지가 검출되지 않도록 하면서 이미지의 일부분을 선택적으로 검출하는 단계; 구조체에서의 회절 효율에서의 편차에 대응하는, 검출된 부분에 대한 세기 편차를 판정하는 단계; 및 판정된 세기 편차를 사용하여 구조체에서의 공정에 의해 생기는 편차를 식별하는 단계를 포함한다.
본 발명의 하나의 관점에 의하면, 기판상에서의 구조체의 공정에 의해 생기는 편차를 판정하도록 구성된 각도 분해 스케터로미터가 제공된다. 각도 분해 스케터로미터는 방사 빔을 생성하도록 구성된 조명 장치; 기판에 방사 빔을 투사하여 구조체를 조명하도록 구성된 투사 장치; 기판으로부터 회절된 방사선을 사용하여 구조체의 이미지를 형성 및 검출하도록 구성된 검출 장치; 회절된 방사선의 하나의 차수를 제외한 나머지가 검출 장치에 의해 검출되지 않도록 조절하는 조리개 장치; 및 구조체에서의 회절 효율의 편차에 대응하는, 검출된 방사선에 대한 세기 편차를 판정하고, 판정된 세기 편차를 사용하여 구조체에서의 공정에 의해 생기는 편차를 식별하는 계산 장치를 포함한다.
본 발명의 하나의 관점에 의하면, 리소그래피 시스템이 제공된다. 리소그래피 시스템은, 리소그래피 리소그래피 장치를 포함하며, 리소그래피 장치는, 패턴을 조명하도록 구성된 조명 광학 시스템; 패턴의 이미지를 기판상에 투영하도록 구성된 투영 광학 시스템; 및 각도 분해 스케터로미터를 포함하며, 각도 분해 스케터로미터는, 방사 빔을 생성하도록 구성된 조명 장치; 기판에 방사 빔을 투사하여 구조체를 조명하도록 구성된 투사 장치; 기판으로부터 회절된 방사선을 검출하고 이미지를 형성하도록 구성된 검출 장치; 기판과 검출 장치 사이에 위치하며, 회절된 방사선의 하나의 차수를 제외한 나머지가 검출 장치에 의해 검출되지 않도록 조절하는 조리개 장치; 및 구조체에서의 회절 효율의 편차에 대응하는, 검출된 방사선에 대한 세기 편차를 판정하고, 판정된 세기 편차를 사용하여 구조체에서의 공정에 의해 생기는 편차를 식별하도록 구성된 계산 장치를 포함한다.
본 발명의 하나의 관점에 의하면, 리소그래피 셀(lithographic cell)을 제공한다. 리소그래피 셀은, 방사선 감응 층으로 기판을 코팅하도록 구성된 코팅기(coater); 코팅기에 의해 코팅된 기판의 방사선 감응 층에 이미지를 노광시키도록 구성된 리소그래피 장치; 리소그래피 장치에 의해 노광된 이미지를 현상하도록 구성된 현상기(developer); 및 각도 분해 스케터로미터를 포함하며, 각도 분해 스케터로미터는, 방사 빔을 생성하도록 구성된 조명 장치; 기판에 방사 빔을 투사하여 구조체를 조명하도록 구성된 투사 장치; 기판으로부터 회절된 방사선을 검출하고 이미지를 형성하도록 구성된 검출 장치; 기판과 검출 장치 사이에 위치하며, 회절된 방사선의 하나의 차수를 제외한 나머지가 검출 장치에 의해 검출되지 않도록 조절하는 조리개 장치; 및 구조체에서의 회절 효율의 편차에 대응하는, 검출된 방사선에 대한 세기 편차를 판정하고, 판정된 세기 편차를 사용하여 구조체에서의 공정에 의해 생기는 편차를 식별하도록 구성된 계산 장치를 포함한다.
본 발명의 다양한 실시예의 구조와 동작 및 다른 특징과 장점에 대하여, 첨부 도면을 참조하여 이하에 구체적으로 설명한다. 본 발명은 본 명세서에 개시된 특정의 실시예에 한정되지 않는다. 이들 실시예는 본 명세서에서 예시에 불과하다. 추가의 실시예에 대해서는 본 명세서에 포함된 내용으로부터 당업자에게 명백할 것이다.
본 명세서에 첨부되고 명세서의 일부를 이루는 도면은 본 발명을 예시하며, 상세한 설명과 함께, 본 발명의 원리를 설명하고 당업자가 본 발명을 실시할 수 있도록 한다.
도 1은 리소그래피 장치를 나타낸다.
도 2는 리소그래피 셀 또는 클러스터를 나타낸다.
도 3은 제1 스케터로미터를 나타낸다.
도 4는 제2 스케터로미터를 나타낸다.
도 5는 본 발명의 실시예에 따른 스케터로미터를 나타낸다.
도 6은 도 5의 스케터로미터의 일부의 동작의 일부를 나타낸다.
도 7은 도 5의 스케터로미터의 동작의 다른 부분을 나타낸다.
도 8은 본 발명의 실시예에 따른 방법의 단계를 나타내는 플로차트이다.
도 9의 (a)는 측정한 타겟의 이미지를 나타낸다.
도 9의 (b)는 도 5에 나타낸 스케터로미터의 이미지 검출기에 의해 측정된 도 9의 (a)에 나타낸 이미지의 일부를 확대한 것이다.
도 10의 (a)는 도 5에 나타낸 스케터로미터의 스케터로미터 스펙트럼 검출기에 의해 측정된 스펙트럼을 나타낸다.
도 10의 (b)는 측정된 스펙트럼과의 비교를 위한 대조용 스펙트럼을 나타낸다.
도 11은 수직 라인으로 구성된 10㎛ 타겟(적층된 x-격자)의 하나의 1차 회절에 기초한 암시야 이미지를 나타낸다.
도 12는 패턴화되지 않은 환경, 라인, 격자에 이웃하는 패턴화되지 않은 사각형("토처"라고도 함), 비대칭 콘택 홀 및 격자에 이웃하는 패턴화되지 않은 사각형을 가진 콘택 홀을 가진 10㎛ 타겟에 대한 암시야 이미지의 수평 단면을 나타낸다.
도 13은 (a) 이상적인 형태의 규칙적인 격자, (b) 에칭 로딩, (c)CMP 디싱, 및 (d)리소 비최적 어레이 에지 보상 등의 공정 영향의 예를 나타낸다.
도 14는 본 발명의 실시예에 따른 방법의 단계를 나타내는 플로차트이다.
도 15는 계측 목적을 위한 관심 영역(ROI)의 선택을 나타낸다.
본 발명의 특징과 장점에 대해서는, 도면을 참조하여 이하에 개시된 상세한 설명으로부터 명백할 것이다. 유사한 참조 부호는 전 도면에서 대응하는 구성요소를 나타낸다. 도면에서, 유사한 참조 부호는 동일하거나, 기능적으로 유사하거나 및/또는 구조적으로 유사한 구성요소를 나타낸다. 도면에서, 어느 구성요소가 처음 언급된 도면은 대응하는 참조 부호에서의 맨 왼쪽 숫자로 표시된다.
본 명세서는 본 발명의 특징을 포함하는 하나 이상의 실시예를 개시한다. 개시된 실시예는 본 발명의 예시에 불과하다. 본 발명의 범위는 개시된 실시예에 한정되는 것이 아니다. 본 발명은 첨부된 청구범위에 의해 정해진다.
개시된 실시예 및 명세서에서의 "실시예", "실시형태", "일실시예" 등의 용어는 개시된 실시예가 특정의 요소, 구조 또는 특징을 포함할 수 있지만, 모든 실시예가 그 특정의 요소, 구조 또는 특징을 필수적으로 포함하여야 하는 것은 아니라는 것을 의미한다. 또한, 이러한 표현이 반드시 동일한 실시예를 의미하는 것은 아니다. 또한, 특정의 요소, 구조 또는 특징이 실시예와 관련해서 기재된 경우에, 다른 실시예와 관련해서 이러한 요소, 구조 또는 특징이 명시적으로 개시되었는지 여부에 관계없이 당업자의 지식 내에서 유효하다는 것을 이해할 수 있을 것이다.
본 발명의 실시예는 하드웨어, 펌웨어, 소프트웨어 또는 이들의 임의의 조합으로 구현될 수 있다. 본 발명의 실시예는 하나 이상의 프로세서에 의해 판독되어 실행될 수 있는 기계 판독가능한 매체에 기억된 명령어로서 구현될 수도 있다. 기계 판독가능한 매체는 기계(예를 들어, 컴퓨팅 장치)에 의해 판독가능한 형태로 정보를 기억 또는 전송할 수 있는 것이면 어떠한 메커니즘도 포함할 수 있다. 예를 들어, 기계 판독가능한 매체로는, 판독전용 메모리(ROM); 랜덤 액세스 메모리(RAM); 자기 디스크 기억 매체; 광학 기억 매체; 플래시 메모리 장치; 전기, 광학, 음향 또는 그외 다른 형태의 전파 신호(예를 들어, 반송파, 적외선 신호, 디지털 신호 등) 등을 예로 들 수 있다. 또한, 펌웨어, 소프트웨어, 루틴, 명령어 등은 소정의 동작을 수행하는 것으로 본 명세서에 개시될 수 있다. 그러나, 이러한 설명은 설명의 편의를 위한 것이며, 이러한 동작은 사실상 컴퓨팅 장치, 프로세서, 컨트롤러, 또는 그외 다른 장치가 펌웨어, 소프트웨어, 루틴, 명령어 등을 실행하는 것이라는 것을 이해하여야 한다.
본 발명의 실시예를 구체적으로 설명하기 전에, 본 발명의 실시예가 구현될 수 있는 환경의 예를 제시하는 것이 바람직할 것이다.
도 1은 리소그래피 장치(lithographic apparatus)를 개략적으로 나타내고 있다. 리소그래피 장치는 방사 빔(B)(radiation beam)[예를 들어, 자외선(UV) 방사 또는 원자외선(DUV) 방사]을 조절하도록 구성된 조명 시스템("일루미네이터"라고도 함)(IL); 패터닝 디바이스(예를 들어, 마스크)(MA)를 지지하도록 구성되고 또한 특정의 파라미터에 따라 패터닝 디바이스를 정확하게 위치 결정하도록 구성된 제1 위치결정 장치(PM)에 연결된 지지 구조체(예를 들어, 마스크 테이블)(MT); 기판(예를 들어, 레지스트로 코팅된 웨이퍼)(W)을 유지하도록 구성되고 또한 특정의 파라미터에 따라 기판을 정확하게 위치 결정하도록 구성된 제2 위치결정 장치(PW)에 연결된 기판 테이블(예를 들어, 웨이퍼 테이블)(WT); 및 패터닝 디바이스(MA)에 의해 방사 빔(B)에 부여된 패턴을 기판(W)의 타겟 부분(C)(예를 들어, 하나 이상의 다이를 포함)상에 투영하도록 구성된 투영 시스템(예를 들어, 굴절 투영 렌즈 시스템)(PL)을 포함한다.
조명 시스템(illumination system)은 방사선(radiation)을 유도(directing), 정형(shaping) 또는 제어하기 위한, 굴절형(refractive), 반사형(reflective), 자기형(magnetic), 전자기형(electromagnetic), 정전형(electrostatic) 또는 그외 다른 유형의 광학 부품, 또는 이들의 임의의 조합 등의 다양한 종류의 광학적 구성요소를 포함할 수 있다.
지지 구조체(support structure)는 패터닝 디바이스를 지지한다. 즉, 패터닝 디바이스의 무게를 지탱하는 것이다. 지지 구조체는 패터닝 디바이스의 배향, 리소그래피 장치의 설계, 및 예를 들어 패터닝 디바이스가 진공 환경에서 유지되고 있는지 여부 등의 조건에 따라 그에 맞는 방식으로 패터닝 디바이스를 유지한다. 지지 구조체는 기계 방식, 진공 방식, 정전 방식 또는 그외 다른 클램핑 기술을 사용하여 패터닝 디바이스를 유지할 수 있다. 지지 구조체는 필요에 따라 고정되거나 이동가능한 프레임 또는 테이블이 될 수 있다. 지지 구조체는 패터닝 디바이스를, 예를 들면 투영 시스템에 대하여 원하는 위치에 정확하게 배치되도록 하는 것이 가능하다. 본 명세서에서 사용되고 있는 "레티클" 또는 "마스크"라는 용어는 모두 "패터닝 디바이스"라고 하는 더 일반적인 용어와 동일한 의미로서 고려될 수 있다.
본 명세서에서 사용되고 있는 "패터닝 디바이스"라고 하는 용어는 기판의 다겟 부분 내에 패턴을 형성하는 등 방사 빔의 단면에 패턴을 부여하기 위해 사용될 수 있는 것이면 어떠한 디바이스도 가능한 것으로 넓게 해석되어야 한다. 또한, 방사 빔에 부여되는 패턴은, 예를 들어 그 패턴이 위상 편이 요소(phase-shifting feature) 또는 소위 어시스트 요소(assist feature)를 포함하는 경우에는, 기판의 타겟 부분에의 원하는 패턴과 정확하게 일치하지 않을 수도 있다. 통상적으로, 방사 빔에 부여된 패턴은 집적 회로 등의 타겟 부분 내에 만들어지는 디바이스 내의 특정의 기능 층에 대응할 것이다.
패터닝 디바이스는 투과형 또는 반사형으로 할 수 있다. 패터닝 디바이스의 예로서는, 마스크, 프로그램가능 미러 어레이(programmable mirror array), 및 프로그램가능 LCD 패널을 들 수 있다. 마스크는 리소그래피 분야에서는 주지되어 있으며, 바이너리(binary), 교대형 위상 편이(alternating phase-shift), 및 감쇠형 위상 편이(attenuated phase-shift) 등의 마스크 타입뿐만 아니라 다양한 하이브리드 마스크 타입을 포함한다. 프로그램가능 미러 어레이의 일례로서 소형의 미러(mirror)로 이루어진 매트릭스형 배치 구성을 채택한다. 소형 미러의 각각은 입사하는 방사 빔을 여러 방향으로 반사시키도록 개별적으로 경사지도록 될 수 있다. 경사진 미러는 미러 매트릭스에 의해 반사되는 방사 빔에 패턴을 부여한다.
본 명세서에서 사용되는 "투영 시스템"이란 용어는, 사용되는 노광 방사에 적절한 또는 액침 액(immersion liquid)의 사용이나 진공(vacuum)의 사용 등과 같은 다른 요인에 적절한, 굴절형, 반사형, 반사 굴절형, 자기형, 전자기형, 및 정전형 광학 시스템 또는 이들의 임의의 조합을 포함하는 임의의 타입의 투영 시스템을 포함하는 것으로 넓게 해석되어야 한다. 본 명세서에서 사용되는 "투영 렌즈"(projection lens)라는 용어는, "투영 시스템"이라고 하는 더 일반적인 용어와 동일 의미로서 고려되어도 된다.
본 명세서에서 설명하는 바와 같이, 리소그래피 장치는 투과형 타입(예를 들어, 투과형 마스크를 채택)의 장치이다. 이와 달리, 리소그래피 장치를 반사형 타입(예를 들어, 앞서 설명한 타입의 프로그램가능 미러 어레이를 채택한 것 또는 반사 마스크를 채택한 것)의 장치로 해도 된다.
리소그래피 장치는 2개(2단) 또는 그 이상의 기판 테이블(및/또는 둘 이상의 마스크 테이블)을 갖는 타입으로 해도 된다. 이와 같은 "다중 단"을 갖는 장치에서, 추가의 테이블을 병렬로 사용해도 되고, 또는 예비 공정을 하나 이상의 테이블에서 실행하면서, 다른 하나 이상의 테이블을 노광에 사용해도 된다.
리소그래피 장치는 투영 시스템과 기판 사이의 공간을 채우기 위해, 비교적 높은 굴절률을 갖는 액체, 예를 들어 물에 의해 기판의 적어도 일부를 덮은 타입으로 해도 된다. 리소그래피 장치 내의 다른 공간, 예를 들어 마스크와 투영 시스템 사이의 공간에, 액침 액을 추가하는 것도 가능하다. 액침 기술은 투영 시스템의 개구수(numerical aperture)를 증가시키는 것으로서 본 기술분야에 잘 알려져 있다. 본 명세서에서 사용되는 "액침"(immersion)이라는 용어는 기판 등의 구조체를 액체에 담그는 것이라기보다는 노광 중에 투영 시스템과 기판 사이에 액체가 위치하는 것을 의미한다.
도 1을 참조하면, 조명 시스템, 즉 일루미네이터(IL)는 방사 소스(radiation source)(SO)로부터 방사 빔을 수광한다. 예를 들어, 방사 소스가 엑시머 레이저인 경우에는, 방사 소스 및 리소그래피 장치를 별개의 구성 요소로 해도 된다. 이러한 경우에, 방사 소스는 리소그래피 장치의 일부를 형성하는 것으로 보지 않으며, 방사 빔이 방사 소스(SO)로부터 일루미네이터(IL)까지 전달되는데, 예를 들어 적절한 유도 미러 및/또는 빔 익스팬더(beam expander)를 구비하는 빔 전달 시스템(BD)(beam delivery system)에 의해 전달된다. 다른 경우로서, 예를 들어 방사 소스가 수은 램프인 경우에는, 방사 소스가 리소그래피 장치와 일체를 이루는 부분이 될 수 있다. 방사 소스(SO)와 일루미네이터(IL)는, 필요에 따라 빔 전달 시스템(BD)과 함께 방사 시스템을 구성할 수 있다.
일루미네이터(IL)는 방사 빔의 각도 세기 분포(angular intensity distribution)를 조절하는 조절기(adjuster)(AD)를 포함할 수 있다. 일반적으로, 일루미네이터의 동공 면 내의 세기 분포 중의 적어도 외측 및/또는 내측 반경 범위[통상, 시그마 외측(σ-outer) 및 시그마 내측(σ-inner)이라고 함]를 조절할 수 있다. 또한, 일루미네이터(IL)는 인테그레이터(integrator)(IN)와 집광기(condenser)(CO) 등의 다른 각종 구성요소를 포함할 수 있다. 일루미네이터를 사용하여 방사 빔을 조절함으로써, 방사 빔의 단면에서의 원하는 균일성과 세기 분포를 얻을 수 있다.
방사 빔(B)은 지지 구조체[예를 들어, 마스크 테이블(MT)]상에 유지되는 패터닝 디바이스[예를 들어, 마스크(MA)]에 입사하고, 패터닝 디바이스에 의해 패턴화된다. 방사 빔(B)이 마스크(MA)를 지나, 투영 시스템(PL)을 통과하면, 투영 시스템에 의해, 기판(W)의 타겟 부분(C)에 빔이 집광된다. 제2 위치결정 장치(positioner)(PW)와 위치 센서(IF)(예를 들어, 간섭 디바이스, 선형 부호화기, 2-D 부호화기 또는 용량형 센서)를 사용하여, 기판 테이블(WT)을 정확하게 이동시켜, 예를 들어 여러 타겟 부분(C)을 방사 빔(B)의 경로(path) 내에 위치시킬 수 있다. 마찬가지로, 제1 위치결정 장치(PM) 및 다른 위치 센서(도 1에는 명시적으로 도시되어 있지 않음)를 사용하여, 예를 들어 마스크 라이브러리로부터의 기계 검색 이후 또는 스캔 중에, 마스크(MA)를 방사 빔(B)의 경로에 대하여 정확하게 위치시킬 수 있다. 일반적으로, 마스크 테이블(MT)의 이동은 제1 위치결정 장치(PM)의 일부를 형성하는 장행정(long-stroke) 모듈(개략적인 위치 결정) 및 단행정(short-stroke) 모듈(미세한 위치 결정)을 사용하여 구현될 수 있다. 마찬가지로, 기판 테이블(WT)의 이동은 제2 위치결정 장치(PW)의 일부를 형성하는 장행정 모듈 및 단행정 모듈을 사용하여 구현될 수 있다. 스테퍼의 경우에(스캐너와는 대조적으로), 마스크 테이블(MT)은 단행정 액추에이터에만 연결되거나 고정될 수 있다. 마스크(MA)와 기판(W)은 각각 마스크 정렬 마크(M1, M2)와 기판 정렬 마크(P1, P2)를 사용하여 정렬될 수 있다. 도시된 바와 같이, 기판 정렬 마크는 특정의 타겟 부분에 위치하지만, 타겟 부분들 사이의 공간에 위치될 수도 있다(이들은 분리선 정렬 마크로서 알려져 있음). 마찬가지로, 하나 이상의 다이(die)가 마스크(MA) 상에 제공된 경우에, 마스크 정렬 마크는 다이와 다이 사이에 위치될 수 있다.
예시한 리소그래피 장치는 이하에 설명하는 모드 중 하나 이상의 모드에서 사용될 수 있다.
1. 단계적 모드(step mode)에서는, 마스크 테이블(MT)과 기판 테이블(WT)을 기본적으로 정지 상태로 유지하면서, 방사 빔에 부여되는 패턴 전체를 일시에 타겟 부분(C)에 투영한다(즉, 단일의 정적 노광). 이후, 기판 테이블(WT)을 X방향 및/또는 Y방향으로 이동시켜, 다른 타겟 부분(C)을 노광할 수 있다. 단계적 모드에서는, 노광 범위(exposure field)의 최대 크기에 의해, 단일의 정적 노광에서 결상되는 타겟 부분(C)의 크기가 제한된다.
2. 스캔 모드에서는, 마스크 테이블(MT)과 기판 테이블(WT)을 동시에 주사하면서, 방사 빔에 부여된 패턴이 타겟 부분(C)에 투영된다(즉, 단일의 동적 노광). 마스크 테이블(MT)에 대한 기판 테이블(WT)의 속도와 방향은 투영 시스템(PL)의 확대율(축소율) 및 상 반전 특성에 의해 정해질 수 있다. 스캔 모드에서, 노광 범위의 최대 크기에 의해 단일 동적 노광에서의 타겟 부분의 폭(비주사 방향)이 제한되고, 주사 이동의 길이에 의해 타겟 부분의 높이(주사 방향)가 결정된다.
3. 그외 다른 모드의 경우, 마스크 테이블(MT)이 기본적으로 프로그램가능한 패터닝 디바이스를 유지하는 고정 상태에서, 기판 테이블(TW)을 고정시키거나 이동시키면서, 방사 빔에 부여된 패턴을 타겟 부분(C)에 투영한다. 이 모드에서는, 일반적으로 펄스 방사 소스(pulsed radiation source)를 채택하고, 프로그램가능한 패터닝 디바이스는 기판 테이블(WT)의 이동 후에 또는 스캔 중의 연속하는 방사 펄스 사이에서, 필요에 따라 갱신을 한다. 이 동작 모드는 앞서 설명한 것과 같은 타입의 프로그램가능한 미러 어레이 등의 프로그램가능한 패터닝 디바이스를 사용하는 마스크 없는 리소그래피(maskless lithography)에 용이하게 적용할 수 있다.
앞서 설명한 모드를 조합한 것 및/또는 변형한 것이나, 또는 전혀 다른 모드를 채택해도 된다.
도 2에 나타낸 바와 같이, 리소그래피 장치(lithography apparatus: LA)는 리소 셀이나 클러스터라고도 부르는 리소그래피 셀(lithography cell: LC)의 일부를 형성하며, 리소그래피 셀은 노광 전 공정 및 노광 후 공정을 기판상에서 수행하기 위한 장치를 포함한다. 종래, 이들 장치는 레지스트 층을 침적하기 위한 스핀 코터(spin coater: SC), 노광을 마친 레지스트를 현상하기 위한 현상기(developer: DE), 냉각 플레이트(chill plate: CH), 및 베이크 플레이트(bake plate: BK)를 포함한다. 기판 핸들러 또는 로봇(RO)은 입출력 포트(I/O1, I/O2)로부터 기판을 집어서, 기판을 여러 공정 장치 사이로 이동시킨 후, 리소그래피 장치의 로딩 베이(loading bay: LB)로 운반한다. 이들 장치는 트랙(track)이라고도 부르는데, 트랙 제어 유닛(TCU)의 제어를 받는다. 이러한 트랙 제어 유닛은 감시 제어 시스템(supervisory control system: SCS)에 의해 제어되고, 감시 제어 시스템은 리소그래피 제어 유닛(LACU)을 통해 리소그래피 장치를 제어한다. 이와 같이, 다양한 장치를 동작시켜, 처리량과 공정 효율을 최대로 할 수 있다.
리소그래피 장치에 의해 기판이 정확하면서 일관되게 노광되도록 하기 위하여, 노광을 마친 기판을 검사하여, 후속하는 층간의 오버레이 오차, 선 두께, 임계 치수(CD) 등과 같은 특성을 측정하는 것이 바람직하다. 오차가 검출된 경우에는, 특히 동일 배치(batch) 내의 다른 기판이 아직 노광되지 않을 정도로 검사가 신속히 이루어질 수 있으면, 후속하는 기판의 노광에 대하여 조정을 행할 수 있다. 또한, 이미 노광을 마친 기판에 대해서는 박리하고 재가공하여 수율을 향상시키거나 폐기하여 결함이 있는 기판에 대한 노광을 하지 않도록 할 수 있다. 기판의 타겟 부분 중의 일부에만 결함이 있는 경우에는, 양호한 타겟 부분에 대해서만 노광을 수행하는 것으로 할 수 있다.
검사(inspection) 장치는 기판의 특성, 특히 각 기판의 특성이 어떻게 다른가 또는 동일 기판 내의 각 층의 특성이 어떻게 다른가를 판정하는 데에 사용된다. 검사 장치는 리소그래피 장치(LA) 또는 리소셀(LC)에 통합되거나, 독립된 디바이스로 해도 된다. 측정을 신속하게 하기 위해서는, 검사 장치가 노광을 마친 레지스트 층의 특성을 노광 직후에 측정하도록 하는 것이 바람직하다. 그러나, 레지스트 내의 잠상(latent image)은 콘트라스트(contrast)가 매우 낮다. 즉, 레지스트 내에서 방사에 의해 노광된 부분과 노광되지 않은 부분 간의 굴절률의 차가 매우 작고, 또한 모든 검사 장치가 잠상을 유효하게 측정하기 위한 충분한 감응도(sensitivity)를 갖는 것은 아니다. 따라서, 노광후 베이크 단계(post-exposure bake step: PEB) 이후에 측정을 행하는 것이 좋은데, 이러한 노광후 베이크 단계는 노광을 마친 기판상에서 행해지는 제1 단계이며, 레지스트의 노광을 마친 부분과 노광을 하지 않은 부분 간의 콘트라스트를 증가시킨다. 이 단계에서, 레지스트 내의 상을 반잠상(semi-latent)이라고 할 수 있다. 또한, 레지스트의 노광을 마친 부분과 노광을 하지 않은 부분 중의 어느 하나가 제거된 시점에서의 현상을 마친 레지스트 상을 측정하는 것이 가능하며, 또는 에칭 등의 패턴 전사 단계 후에 현상을 마친 레지스트 상을 측정하는 것도 가능하다. 에칭 등의 패턴 전사 단계 후에 상을 측정하는 것은, 결함이 있는 기판을 재가공할 수 있는 가능성이 제한될 수 있지만, 유용한 정보를 제공할 수 있다.
도 3은 본 발명에 사용될 수 있는 스케터로미터(scatterometer)(SM1)를 도시하고 있다. 스케터로미터는 기판(W) 상에 방사를 투영하는 광대역(백색 광) 방사 프로젝터(2)를 포함한다. 반사된 방사선은 분광계 검출기(4)에 도달하며, 경면 반사된 방사의 스펙트럼(10)(파장의 함수로서의 세기)을 측정한다. 이 데이터에 기초해서, 처리 유닛(processing unit: PU)에 의해, 예를 들어 엄밀 결합 파 분석(Rigorous Coupled Wave Analysis) 및 비선형 회귀(non-linear regression)에 의해 또는 도 3의 하부에 도시한 바와 같은 유사 스펙트럼(simulated spectra)의 라이브러리와의 비교에 의해, 검출된 스펙트럼을 만드는 구조 또는 프로파일을 재구성할 수 있다. 일반적으로, 재구성에 대하여, 구조의 일반적인 형상은 이미 알려져 있으며, 구조를 만드는 공정에 의해 일부 파라미터가 예상되기 때문에, 구조의 파라미터 중 몇 개의 파라미터만을 스케터로미터 데이터로부터 판정되는 것으로 할 수 있다. 이러한 스케터로미터는 법선 입사 스케터로미터(normal-incidence scatterometer) 또는 경사 입사(oblique-incidence) 스케터로미터로서 구성될 수 있다.
도 4에는 본 발명에 사용될 수 있는 다른 스케터로미터(SM2)를 도시하고 있다. 이 스케터로미터에서는, 방사 소스(2)로부터 사출된 방사선이 렌즈 시스템(12)에 의해 집광되는데, 간섭 필더(interference filter)(13) 및 편광자(polarizer)(17)를 통과하여 부분 반사 면(16)에서 반사되고 개구수(NA)가 큰, 바람직하게는 적어도 0.9, 더 바람직하게는 적어도 0.95인 개구수를 갖는 현미경 대물 렌즈(15)를 통해, 기판(W) 상에 집광된다. 액침 스케터로미터(immersion scatterometer)는 개구수가 1을 넘는 렌즈를 구비하는 것도 가능하다. 이후, 반사된 방사선은 부분 반사 면(16)을 통과하여 검출기(18)에 도달하고, 검출기(detector)(18)에서 산란 스펙트럼이 검출된다. 검출기는 대물 렌즈(15)의 초점 거리(focal length)에 위치하는 후위 투영 동공 면(back-projected pupil plane)(11) 내에 배치될 수 있지만, 동공 면은 보조 광학 부품(도시 안 됨)에 의해 검출기에 재결상된(re-imaged) 것을 사용해도 된다. 동공 면(pupil plane)이라는 것은 방사의 반경 방향의 위치에 의해 입사각이 정해지고, 방사의 각도 위치에 의해 방사선의 방위각(azimuthi angle)이 정해지는 면이다. 검출기로서는, 기판 타겟(30)의 2차원 각도 산란 스펙트럼을 측정할 수 있는 2차원 검출기인 것이 바람직하다. 검출기(18)는, 예를 들어 CCD 또는 CMOS 센서의 어레이로 해도 되고, 예를 들어 프레임당 40 밀리초(millisecond)의 인테그레이션 시간(integration time)을 사용할 수 있다.
예를 들어, 입사하는 방사선의 세기를 측정하기 위해 대조용 빔(reference beam)이 자주 사용된다. 방사선의 세기를 측정하기 위해서는, 방사 빔이 빔 스플리터(beam splitter)(16)에 입사하면, 그 일부가 대조용 빔으로서 빔 스플리터를 통과하여 기준 미러(14)에 도달한다. 이후, 대조용 빔은 동일 검출기(18)의 다른 부분에 투영된다.
일련의 간섭 필터(13)를 사용하여, 예를 들어 405-790nm 또는 그 이하, 예를 들어 200-300nm 정도의 범위 내에서 원하는 파장을 선택할 수 있다. 간섭 필터는 일련의 여러 필터를 구비하는 것이 아닌 동조가능한 것으로 해도 된다. 간섭 필터 대신에 격자(grating)를 사용할 수 있다.
검출기(18)는 단일 파장(또는 좁은 파장 범위)에서 산란 광의 세기를 측정하거나, 다수 파장에서 개별적으로 세기를 측정하거나, 어느 파장 범위 전체에서 세기를 측정하는 것이 가능하다. 또한, 검출기는 횡방향 자계(TM) 편광(transverse magnetic polarized light) 및 횡방향 전계(TE) 편광(transverse electric polarized light)의 세기를 별개로 측정할 수 있으며, 및/또는 TM 편광 및 TE 편광 간의 위상 차를 측정할 수도 있다.
에텐듀(etendue)가 크고 다중 파장의 혼합이 가능한 광대역 광원(즉, 광범위한 광 주파수 또는 파장, 이에 따라 색을 가지는 것)을 사용하는 것이 가능하다. 광대역 내의 다수의 파장은 δλ의 대역폭과 적어도 2δλ(즉, 대역폭의 2배)의 간격을 각각 갖는 것이 바람직하다. 방사 "소스"가 여러 개 있다는 것은 광섬유 묶음(fiber bundle)을 사용하여 분할된 확장 방사 소스의 여러 개의 부분이 될 수 있다는 것이다. 이에 의하면, 각도 분해 산란 스펙트럼을 다수 파장에서 병렬로 측정할 수 있다. 2D 스펙트럼보다 많은 정보를 포함하는 3D 스펙트럼(파장 및 2개의 서로 다른 각도)을 측정하는 것이 가능하다. 이에 의하면, 더 많은 정보를 측정할 수 있어서, 계측 공정의 안정성(robust)을 높일 수 있다. 이에 대해서는, 유럽특허 EP 1628164 A에 구체적으로 개시되어 있다.
기판(W) 상의 타겟(30)은, (a)격자가 프린트되고, 현상된 이후에 레지스트 실선(solid resist line)으로 된 줄(bar)이 형성되는 레지스트 층 격자(resist layer grating), 또는 (b)제품 층 격자(product layer grating), (c)제품 층 격자 위에 중첩되거나 인터리브된 레지스트 격자를 포함하는 오버레이 타겟 구조체 내의 복합 격자 스택이 될 수 있다. 줄은 에칭에 의해 기판에 형성해도 된다. 이 패턴은 리소그래피 투영 장치, 특히 투영 시스템(PL) 내의 색 수차(chromatic aberration)에 대하여 감응성을 가지며, 조명 대칭성 및 이러한 수차의 존재가 프린트된 격자 내에 다양하게 나타난다. 따라서, 프린트된 격자의 스케터로미터 데이터를 사용하여 격자를 재구성할 수 있다. 선폭 및 형상 등의 격자 파라미터는 프린트 단계 및/또는 다른 스케터로미터 공정의 정보로부터, 처리 유닛(PU)에 의해 수행되는 재구성 공정에 제공될 수 있다.
동시 계류중인 미국 가 특허출원 61/141,410호(2008년 12월 30일 출원)에는, 타겟에서의 라인 구조체의 서로 다른 좌측 벽 각도 및 우측 벽 각도(SWA) 등의, 프린트된 타겟의 프로파일에서의 비대칭에 기인하여 생기는, 산란된 광의 높은 차수에서의 비대칭을 사용하여 집광(focus)을 측정하는 방법이 개시되어 있다. 상기 특허문헌의 내용을 본 명세서에 참조에 의해 포함한다.
2009년 5월 12일에 출원된 동기 계류중인 미국 가 특허출원 61/177,468호에는, 스케터로메트리 스펙트럼(scatterometry spectra) 및 초점에서 측정된 비대칭 간의 관계를 판정하는 방법이 개시되어 있다. 상기 특허문헌의 내용을 본 명세서에 참조에 의해 포함한다. 상기 문헌에서의 방법에서, 2개의 주기적 구조체(periodic structure)는 리소그래피 장치에 의해 기판상에 형성되며, 각각의 구조체는 하나 이상의 특징적 요소(feature)를 포함하며, 이러한 특징적 요소는 서로 마주보는 측벽 각도 사이에, 구조체 상에서 리소그래피 장치의 집광의 상이한 함수로서 변화하는 비대칭이 존재한다. 각각의 특징적 요소에 대한 비대칭의 비율은 기판상에서의 집광을 위한 값을 판정하는 데에 사용될 수 있으며, 리소그래피 장치에 대한 처리 조건과는 독립적이다.
상기 언급한 방법들 중 어느 것에서도, 주기적 구조체를 포함하는 스케터로미터 타겟의 사이즈는 기판상의 방사 빔 스폿의 사이즈보다 크게 될 수 있다. 이에 의해, 타겟의 사이즈에 대한 제한을 낮출 수 있다.
본 발명의 실시예에 의하면, 리소그래피 장치에 의해 웨이퍼 상에 생성된 주기적 구조체로부터 이루어진 스케터로메트리 스펙트럼을 사용하여 리소그래피 장치의 집광을 판정하는 방법이 제공된다. 본 발명의 실시예에서, 격자(grating)는 별개의 측정 단계에서 2개의 서로 상이한 빔 프로파일을 갖는 빔에 의해 조명되는데, 주기적 구조체로부터 0차 회절 차수(zero order diffraction order)가 차단되는 암시야 측정(dark field measurement) 기술과 조합하여, 2개의 별개의 측정 단계에서 +1차 및 -1차 회절 패턴이 측정될 수 있다.
도 5를 참조하면, 도 5는 본 발명의 실시예에 따른 방법에서 사용될 수 있는 각도 분해 스케터로미터(angularly resolved scatterometer)를 나타낸다. 스케터로미터는 도 3 및 도 4에 나타낸 것과 동일한 라인을 따라 설계되므로, 대응하는 요소에 상응하는 부호를 붙인다. 도 5에 나타낸 것과 같은 스케터로미터는 도 3 및 도 4에 나타낸 스케터로미터와, 빔 정형 장치(beam shaping arrangement)(51)가 방사 소스(2)와 웨이퍼(W) 사이에 설치되어 있다는 점이 다르다. 또한, 검출기(18)는 별개의 스케터로미터 스펙트럼 검출기(18a)와 이미지 검출기(18b)로 나누어지며, 웨이퍼(W)로부터의 회절된 빔의 일부를 스케터로미터 센서(18a)로 향하게 하고 웨이퍼로부터 회절된 빔의 일부를 이미지 검출기(18b)로 향하게 하기 위해, 웨이퍼(W)로부터의 빔 경로에 프리즘 장치(prism arrangement)(53)가 제공된다. 웨이퍼(W)와 이미지 검출기(18b) 사이에는 공간 필터 또는 시야 조리개(field stop)(55)가 설치된다. 도 5에서, 빔 정형 장치(51)와 공간 필터 또는 시야 조리개(55)는 평면도로 나타내고 있다.
빔 정형 장치(51)는 웨이퍼(W) 상의 타겟(30)을 비법선 방향의 입사각(non-normal incident)으로 조명하도록 설계되어 있는데, 이러한 것은, 도 5의 빔 정형 장치(51)의 평면도로부터 잘 알 수 있는 바와 같이, 불투명한 판 내의 투명한 부분으로 나타낸 애퍼처(aperture)에 의해 가능하게 된다. 2009년 2월 11일에 제출된 동일 계류중인 미국 가 특허출원 61/151,665호에 상세하게 설명되어 있는 바와 같이, 0차 회절 차수가 시야 조리개(55)에 의해 차단되는 암시야 검출 방법이 사용될 수 있다. 상기 특허문헌의 내용을 본원에 참조에 의해 포함한다. 따라서, 이미지 검출기(18b)에 도달하게 되는 회절된 방사선만이 선택된 더 높은 차수의 회절 차수가 될 것이다. 특히, 도 5에 나타낸 단면 배열로 나타낸 방향에 따른, 광학 축을 따라 빔 정형 장치(51)를 180°회전시킴으로써, 또는 도 5의 회전 (b)으로 나타낸 바와 같이, 회전 축을 중심으로 웨이퍼(W)의 회전에 의해, 도 6에 나타낸 것과 같은 -1 회절 차수 또는 도 7에 나타낸 것과 같은 +1 회절 차수가 선택될 수 있다.
도 6 및 도 7을 참조하면, 도 6 및 도 7은 도 5에 나타낸 스케터로미터 내의 광학 경로를 단순화한 버전을 나타내는데, -1차의 회절 방사선이 도 6에 나타낸 것과 같이 이미지 검출기(18b)에 도달하거나, +1차의 회절 방사선이 도 7에 나타낸 것과 같이 이미지 검출기(18b)에 도달한다. 어느 경우에서나, 검출기(18b)에 의해 검출되는 이미지는 개별적인 격자 라인의 변조가 없다는 것을 나타낼 것이다. 대신에, -1차의 회절 차수에 대한 도 6의 경우에서의 동질의 세기 레벨 I1과 +1차의 회절 차수에 대한 도 7의 경우의 세기 레벨 I2가 측정될 것이며, 각각의 경우의 세기 레벨의 비 I1/I2는 특정의 타겟(30)에 대한 SWA 비대칭의 비에 비례한다. +1차 및 -1차의 회절 차수에 대한 세기 I1 및 I2를 측정함으로써, 프린트된 패턴에서의 비대칭을 판정하는 것이 가능하기 때문에, 비대칭과 초점 사이의 미리 정해진 관계를 사용하여, 웨이퍼(W) 상에 타겟(30)을 형성하는 데에 사용된 리소그래피 장치에 대한 초점을 판정할 수 있다.
도 8을 참조하면, 도 8은 본 발명의 실시예에 따른 공정의 단계를 나타낸다.
단계 S1에서, 웨이퍼(W) 상에 격자를 형성함에 있어서 리소그래피 장치를 사용하여 웨이퍼를 처리하여 타겟(30)을 생성한다.
단계 S2에서, 도 5 및 도 6에 나타낸 스케터로미터 구성을 사용하여, -1차 스케터로미터 스펙트럼이, 빔 정형 장치(51)와 웨이퍼(W)가 이들의 제1 비교 위치에 있는 제1 조명 모드를 사용하여 이미지 센서(18b)에 의해 측정된다.
단계 S3에서, 빔 정형 장치(51) 또는 웨이퍼(W)가 회전하여, +1차 스케터로미터 스펙트럼이 이미지 센서(18b)에 의해 측정될 수 있다.
단계 S4에서, 스펙트럼 I1 및 I2의 세기의 비가 처리 유닛(PU)에 의해 계산되어, 세기 차와 초점 사이의 미리 정해진 관계를 사용하여 웨이퍼의 초점을 판정할 수 있다. 이와 달리, I1 및 I2 사이의 정규화된 변화를 웨이퍼의 초점을 판정하는데에 사용될 수 있다.
예를 들어, I1 및 I2 사이의 관계와 웨이퍼 초점(f)은 다음의 식을 가질 수 있다.
Figure 112012003380843-pct00001
상기 식에서, C는 상수이고, f는 웨이퍼 초점이며, f0은 제로 비대칭에 대응하는 웨이퍼 초점 레벨이다. C와 f0는 실험 데이터 또는 시뮬레이션 데이터를 사용하여, 캘리브레이션에 의해 판정될 수 있다.
I1 및 I2로부터 먼저 타겟 비대칭을 판정하는 것도 가능하다. 초점은 타겟 비대칭으로부터 계산될 수 있다. 이와 달리, 비대칭은 리소그래피 장치의 초점을 직접 모니터링 및 제어하는 데에 사용된다.
임의 선택적인 단계 S5에서는, 스케터로메트리 스펙트럼을 처리하는 데에 타겟 비대칭이 사용된다.
도 9의 (a)는 단계 S2 또는 S3에서의 도 6 및 도 7의 이미지 센서(18b)에서 검출된 스펙트럼을 상세하게 나타낸다. 도 9의 (b)에서 확대해서 나타낸 것으로부터 알 수 있는 바와 같이, 스펙트럼의 사이즈는 일반적으로 10x10㎛ 격자에 대응하는 30x30 화소가 될 것이다. 따라서, 이 스펙트럼은 I1 및 I2의 값을 도출하기 위해 모니터링하는 것이 비교적 용이하다. 또한, 타겟(30)의 사이즈는 웨이퍼(W) 상의 방사 빔 스폿 사이즈에 의해 정해지지 않는다.
단계 S5의 처리 단계에서, 도 10의 (a)에 나타낸 측정된 스케터로메트리 스펙트럼은, 통상적으로 측정한 스펙트럼을 도 10의 (b)에 나타낸 것과 같은 일련의 대조용 스펙트럼과 비교하는 것에 의해, 층의 두께, 격자의 높이 등과 같은 기판 파라미터의 값을 도출하도록 처리될 것이며, 대조용 스펙트럼은 앞서 설명한 바와 같이 라이브러리에 기억된 스펙트럼 또는 모델화된 스펙트럼이 될 수 있다. 이러한 공정에서, 단계 S4에서 도출된 타겟 비대칭의 값은 주지의 파라미터로서 입력될 수 있다.
상기 설명한 암시야 측정 기술은 세기 I1 및 I2의 차이와 초기 캘리브레이션 단계에서의 초점 사이의 관계를 판정하기 위해서도 사용될 수 있다는 것을 알 수 있을 것이다. 이 초기 캘리브레이션 단계에서는, 상이한 초점 설정을 사용하여 생성된 다수의 격자가 캘리브레이션 웨이퍼 상에 생성되고, 본 발명에 따른 방법을 사용하여 회절 스펙트럼이 측정된다. 세기 차이와 초점 간의 관계를 판정하기 위해, 리소그래피 시뮬레이션이 사용될 수 있다. 이와 달리, 비대칭과 초점 간의 관계를 도출할 수 있다. 이러한 판정에도 리소그래피 시뮬레이션을 사용할 수 있다.
회절에 의해, 격자 주위의 제품 요소가 격자 이미지로 유출될 수 있다. 따라서, 시야 조리개(55)의 개구수(NA)를 신중하게 선택하여야 한다. NA는 가능한 크게 하여야 제품 영역과 격자 사이의 급격한 전이(sharp transition)가 가능하게 된다. 그러나, 이와 동시에 시야 조리개(55)는 0차 회절(zero order diffraction)을 차단하여야 한다. 빔 정형 장치(51)에 의해 형성된 애퍼처의 0차 회절된 이미지와 시야 조리개(55)의 개방된 영역은 서로 배타적이며, 격자 피치와 방사선 파장의 비에 비례하는 거리만큼 동공 면에서 이동된 애퍼처의 1차 회절된 이미지는 시야 조리개(55)의 개방 영역과 적어도 부분적으로 중첩된다. 격자 파라미터와 파장에 따라 달라지지만, 0.4보다 작은 개구수의 값이 적당하다는 것을 알게 되었다.
+1차 및 -1차 회절된 스펙트럼의 일부분의 측정은, 가장 밀집된 비-0차 회절 스펙트럼을 제공하며 초점에 대해 가장 민감하기 때문에, 본 발명에 따른 방법에 유리하다는 것을 알 수 있을 것이다. 그러나, 기본적으로, 다른 더 높은 차수의 회절 패턴을 본 발명에 따른 방법에 사용할 수 있다.
또한, 개시한 실시예에 조명 방향의 변화는 마스킹 장치(masking arrangement)(51)를 180°만큼 회전시킴으로써 달성된다. 이와 달리, 대물 렌즈(15)의 시야 내에 타겟 구조체를 유지하면서 기판을 조명 방향 회전에서의 변화를 달성하거나, 광학 시스템 전체를 회전시키는 것이 가능하다. 또한, 회전하는 단일의 마스크(51)를 제공하지 않고, 상보적인 한 쌍의 마스크(51)를 교체가능하게 설치하여 동일한 효과를 얻을 수 있다. 변형가능한 미러 어레이(deformable mirror array) 등의 프로그램가능한 조명 장치도 사용할 수 있다. 이러한 경우에, 조명 모드 사이에서의 임의의 비대칭이 구조체(30) 내의 비대칭으로 오인하지 않도록 하기 위해, 어느 정도의 캘리브레이션이 요구될 수 있다.
상기 언급한 특정의 실시예에서는, 축을 벗어난(off-axis) 방사선만이 투과되도록 마스킹 장치(51)가 설계되었지만, 다른 실시예에서는, 광학 축 및 그 둘레의 방사선만이 투과되도록 마스킹 장치(51)를 구성할 수 있으며, 공간 필터 또는 시야 조리개(55)가 하나의 측정 단계에서의 회절된 -1차 방사선 또는 다른 측정 단계에서의 +1차 방사선만이 이미지 검출기(18b)에 의해 검출되도록 구성될 수 있다. 마스크(51)와 관련해서 설명한 바와 같이, 회절 차수의 원하는 변화는 시야 조리개(55)를 회전시킴으로써 또는 상보의 패턴을 갖는 다른 시야 조리개로 대체함으로써, 또는 프로그램가능한 공간 광 변조기를 가진 고정형 시야 조리개로 교체함으로써 달성될 수 있다. 본 실시예에서 결상에 사용되는 광학 시스템은 시야 조리개에 의해 제한되는 넓은 입사 동공(entrance pupil)을 갖지만, 다른 실시예에서는 결상 시스템의 입사 동공 사이즈가 원하는 차수로 제한하기에 충분히 작게 할 수 있어서, 시야 조리개로서 작용할 수 있다.
본 발명의 실시예는 타겟 사이즈가 작은 경우의 회절에 따른 암시야 결상에 기초하며, 특정된 회절 차수, 파장 및 입사각에 대해 구조체의 국소적인 회절 효율(local diffraction efficiency)을 결상하는 능력을 사용한다.
본 실시예에서, 마커의 이미지, 구조(제품의), 또는 웨이퍼의 관심 영역이 결상 면에 투영되어 기록된다. 이미지는 하나의 회절 차수로만 형성되지만, 동등한 후 초점 면(back-focal plane)에서는 다른 회절 차수가 차단된다. 실제의 이미지가 투영되지는 않지만, 이미지 내의 그레이 스케일(grey scale) 등의 세기 값은 국소적인 회절 효율(diffraction efficiency)을 나타낸다. 국소적인 회절 효율은 트렌치의 에칭 깊이 등과 같은 마커의 국소적인 구조에 직접 관련된다. 이러한 10㎛ 사이즈 타겟의 암시야 이미지를 도 11에 나타내며, 이러한 이미지의 단면을 도 12에 나타낸다.
도 11은 수직 라인으로 이루어진 10㎛ 크기의 타겟(적층된 x-격자)의 하나의 1차 회절 차수에 기초한 암시야 이미지를 나타낸다. 수평 축은 x-화소 좌표이며 수직 축은 y-화소 좌표이다. 그레이 스케일은 검출된 세기이며, 단면 라인 AA로 나타낸다.
도 12는 도 11에 나타낸 라인 AA에 따른, 패턴화되지 않은 라인(12a, 12b), 격자에 인접한 패턴화되지 않은 사각형의 라인(12c)["토처"(torture)라고도 함], 비대칭 콘택 홀(12d), 격자에 인접한 패턴화되지 않은 사각형의 콘택 홀(12e)이 있는 환경을 가진 10㎛ 크기의 타겟에 대한, 암시야 이미지의 수평 단면이다. 도 12에서, 수평 축은 x-화소 좌표 X이고, 수직 축은 임의 단위(a.u.)의 검출된 세기 I이다. 도표에서의 피크는 스폿 에지 회절(122)과 라인 환경(124)에 대응한다.
도 12로부터 알 수 있는 바와 같이, 라인 환경(12b)을 가진 오버레이 격자는 최적의 동질적인 회절 효율을 가지며, x-화소 좌표(X)가 425에서 447의 범위에서의 플래토(plateau)는 격자의 동질적인 특성에 대응한다. 패턴화되지 않은 환경(12a)은 콘택 홀(12d)이며, 패턴화되지 않은 사각형(12c)(12e: 토처)을 갖는 환경은 오버레이 격자상의 마이크로 로딩의 효과를 갖는다. 이들은 에지(126) 쪽으로, 또는 토처된 라인(12c)의 경우에는, 패턴화되지 않은 사각형의 면(128)에서 향상된 회절 효율을 보여준다.
도 13은 본 발명의 실시예에 의해 검출될 수 있는 것으로서, (a)에칭된 하부 격자(1234) 상의 이상적인 형태의 규칙적인 레지스트 격자(132), (b)트렌치 깊이 변화(136)가 생기는 에칭 로딩, (c)CMP 디싱(138), 및 (d)리소 비최적 어레이 에지 보상에 의해 타겟 에지(140) 쪽으로 CD 변화가 생긴 것을 나타낸다.
도 14는 본 발명의 실시예에 따라 기판상의 구조체에서의 공정 변화를 검출하는 방법의 단계를 나타내는 플로차트이다. 이 방법은 도 5 내지 도 7을 참조하여 설명한 장치를 사용하여 수행될 수 있다.
회절된 방사선의 하나의 차수를 제외한 나머지가 검출되지 않도록 하면서, 구조체를 조명하고 이미지를 형성하도록 기판에 방사 빔을 투사한다(단계 142). 따라서, 회절된 방사선의 공간 주파수 스펙트럼 부분만이 검출기까지 투과된다. 하나의 회절 차수만이 전달된다. 바람직한 실시예에서, 이것은 +1차 또는 -1차의 회절 차수이지만, 이것은 0차, 2차, 3차 등의 다른 단일의 회절 차수가 될 수도 있다. 검출된 부분에서의 세기 변화는 구조체 전체의 회절 효율에서의 변화에 대응하도록 판정된다(단계 146). 따라서, 이미지는 스펙트럼 면 이미지 면에서 공간적으로 필터링되고, 회절된 방사선의 하나의 차수를 제외한 모두가 공간 주파수 필터링에 의해 검출된 이미지에 기여하지 않도록 된다. 다시 말해서, 이것은 이미지(예를 들어, 퓨리에 변환된 이미지)의 스펙트럼에서 수행되며, 공간 주파수 필터링이 적용된다. 공정에 의해 도출된 구조체에서의 변화를 판정된 세기 변화를 사용하여 식별한다(단계 148).
국소적인 회절 효율에서의 변화는 이미징 시스템의 점 퍼짐 함수(point-spread-function) 정도의 해상도로 이미지에 즉각적으로 가시화될 수 있다. 해상도는 λ=500nm의 파장과 NA=0.5의 개구수에 대해 λ/NA~1㎛를 얻을 수 있다. 국소적인 회절 효율은 바닥 격자의 에칭 깊이와 같은 격자의 국소적인 특성에 직접 관련된다.
국소적인 회절 효율에서의 변화에 대응하는 검출된 부분에 대한 판정된 세기 변화는 다음과 같은 여러 방식으로 처리될 수 있다.
1. 이미지의 수동 검사.
2. 예를 들어, 기본 성분 분석(PCA) 기반의 방법을 사용하여, 1차원 또는 2차원에서의 세기 프로파일의 자동화 알고리즘, 평균화 또는 비교. 더 높은 차수의 항은 예상된 상수 프로파일로부터의 편차에 대한 지시자이다.
3. 일련의 마커에 대한 평탄한 프로파일의 편차에 대한 통계적 분석. 지시자는 마커에 대한 세기의 분산(variance) 및 표준 편차(standard deviation)이다.
4. 연역적인 동일한 국소적인 특성을 가진 인근의 큰 회절 구조체와 마이크로 미터 단위의 작은 (격자) 구조체의 절대 회절 강도를 비교하는 것.
5. 계측 타겟의 바람직한 영역(일반적으로는 중심)의 회절 효율로부터 너무 큰 편차를 가진 영역을 제외한, 실제 타겟의 측정 분석에 대해 사용될 "관심 영역"(ROI: region of interest)을 정의하는 것[도 15를 참조하면, 점으로 표시한 원은 계측 목적을 위한 관심 영역(ROI)의 선택을 나타냄]. 이 단계를 도 14에 나타내며, 바람직하지 않은 공정 변화를 가진 구조체의 영역에 대응하는 검출된 부분의 바람직하지 않은 영역을 배제한, 검출된 부분의 관심 영역이 선택되고(단계 150), 선택된 관심 영역만이 구조체의 측정을 위해 사용되고, 바람직하지 않은 영역은 배제된다.
본 발명은 특별하게 설계된 회절 마커(diffraction marker)에 한정되지 않으며, 임의의 적절한, 1차원(선) 또는 2차원(구조체)을 포함하는 국소적으로 반복되는 구조체, 반복적인 제품 구조체 및 공정 세그먼트화한 이미지 기반의 오버레이 마크에 사용될 수 있다.
+1차 또는 -1차 회절 차수의 투과 및 검출에 추가로, 본 발명은 0차, 2차 또는 그 이상의, 실험적으로 구할 수 있다면 가장 민감한 것이 선택될 수 있는 차수 등의 다른 회절 차수에 의한 검출을 포함할 수 있다. 0차 검출은 피치가 작은, 격자와 같은 반복적인 구조에 바람직할 수 있다.
본 발명의 실시예에 의하면, 오버레이 검출, CD 재구성 및 스케터로메트리에 의한 집광량 측정과 관련된 마이크로 로딩 및 공정 영향 검사가 가능하다.
본 발명의 실시예에 의하면, 광학 현미경 또는 탑다운 방식의 SEM을 사용하여, 검사 단계를 추가하는 것보다 빠른 마이크로 로딩 및 공정 영향 검사가 가능하다.
본 발명의 실시예에 의하면, TEM 또는 단면 SEM에 비해 마이크로미터 단위에서의 마이크로 로딩 및 공정 영향의 비파괴 검사 및 가시화를 제공한다.
본 발명의 실시예에 의하면, 통계적으로 관련된 분포를 갖는, 단일 웨이퍼 상의 대규모 데이터량의 측정이 가능하다.
본 발명의 실시예에 의하면, 공정 영향을 검사하는 데에 사용되는 재구성 기반의 기술에 비해 모델을 구비하지 않아도 된다.
본 발명의 실시예에 의하면, 마이크로 로딩 및 다른 공정 관련 영향을 거치는 계측 타겟의 영역을 배제한 ROI를 정의함으로써, 오버레이, CD 또는 집광량 측정과 같은 암시야 모드에서 더 정확한 계측이 가능하다.
본 명세서에서는 특히 집적 회로(IC)를 제조하기 위한 리소그래피 장치의 사용에 대하여 기재하고 있지만, 본 명세서에서 개시하는 리소그래피 장치는, 집적 광학 시스템의 제조, 자기 영역(magnetic domain) 메모리용 가이던스 및 검출 패턴, 평면형 표시 장치, 액정 표시 장치(LCD), 박막 자기 헤드 등과 같은 다른 응용도 가능하다는 것을 이해하여야 한다. 이러한 대체 응용 예와 관련해서, 당업자라면, 본 명세서에서 "웨이퍼" 또는 "다이"라고 하는 용어를 사용하는 경우에는 항상 더 일반적인 용어인 "기판" 또는 "타겟 부분"과 각각 동의어인 것으로 이해하여야 한다. 본 명세서에서 사용되는 기판은, 예를 들어 트랙(통상, 기판에 레지스트 층을 도포하고, 노광된 레지스트를 현상하는 도구), 계측 도구 및/또는 검사 도구 내에서 노광의 전후에 처리하는 것이 가능하다. 이러한 것이 적용가능한 경우에는, 본 명세서의 개시는, 이와 같은 기판 처리 도구 및 다른 기판 처리 도구에 적용할 수 있다. 또한, 기판은, 예를 들어 다층 IC를 생성하기 위해 2회 이상 처리되는 경우가 있으며, 이에 따라 본 명세서에서 사용하는 기판이라고 하는 용어는 여러 번 처리된 층을 포함하는 기판도 의미하는 것으로 된다.
본 발명의 실시예의 사용에 대하여 광학 리소그래피와 관련해서 기재하고 있지만, 본 발명은 임프린트 리소그래프(imprint lithography)와 같은 다른 응용에도 사용할 수 있으며, 어느 경우에는 광학 리소그래피에 한정되는 것은 아니다. 임프린트 리소그래피에서는, 패터닝 디바이스 내의 토포그래피에 의해, 기판상에 만들어지는 패턴이 정의된다. 패터닝 디바이스의 토포그래피는 기판에 공급된 레지스트 층 중에 프레스 가공되고, 기판상에 전자 방사, 열, 압력, 또는 이들의 조합을 적용하는 것에 의해 레지스트를 경화시킨다. 패터닝 디바이스는 레지스트가 경화되고 레지스트 내에 패턴을 남긴 후에, 레지스트의 밖으로 이동시킨다.
본 명세서에서 사용되는 "방사" 및 "빔"이라고 하는 용어는 자외선(UV) 방사(예를 들어, 파장이 365nm, 355nm, 248nm, 193nm, 157nm 또는 126nm의 파장을 갖는 것), 극단 자외선(EUV) 방사(예를 들어, 5-20nm 범위의 파장을 가짐), 및 이온 빔이나 전자 빔 등의 입자 빔을 포함하는 여러 유형의 전자기 방사를 포함하는 의미로 사용된다.
"렌즈"라고 하는 용어는 문맥에 따라 굴절, 반사, 자기, 전자기, 및 정전형의 광학적 컴포넌트를 포함하는 다양한 유형의 광학적 구성요소 중의 하나 또는 이들의 조합을 의미할 수 있다.
이상, 본 발명의 구체적인 실시예를 설명하였지만, 본 발명은 위에서 설명한 것 이외의 태양으로 실시하는 것도 가능하다. 예를 들어, 본 발명은 앞서 개시한 방법을 나타내는 하나 이상의 기계 판독가능한 명령의 시퀀스를 포함하는 컴퓨터 프로그램 또는 이와 같은 컴퓨터 프로그램이 기억된 데이터 기록 매체(예를 들어, 반도체 메모리, 자기 디스크 또는 광 디스크)의 형태로 해도 된다.
< 맺는 말 >
발명의 내용 및 요약서 부분이 아닌 발명을 실시하기 위한 구체적인 설명은 청구범위를 해석하는 데에 사용하는 것으로 이해하여야 한다. 발명의 내용 및 요약서 부분은 발명자가 발명한 것으로 보는 본 발명의 하나 이상의 실시예를 개시할 수 있지만 모든 실시예를 개시한 것은 아니므로, 본 발명과 청구범위를 제한하는 것으로 해석되어서는 안 된다.
본 발명을 특정 기능 및 이들의 상관관계의 구현을 나타내는 기능적 블록을 사용하여 설명하였다. 이들 기능 블록의 경계는 설명의 편의를 위해 본 명세서에서 임의로 규정한 것이다. 특정의 기능 및 이들의 상관관계가 적절하게 수행되는 한, 대체가능한 경계를 규정하는 것이 가능하다.
특정의 실시예에 대한 이상의 설명은, 본 기술분야의 지식으로부터, 본 발명의 일반적인 개념을 벗어남이 없이, 과도한 실험을 하지 않고도, 이러한 특정의 실시예의 다양한 응용을 위해 용이하게 변경 및/또는 적응할 수 있는 본 발명의 일반적인 특징을 완전히 명시하고 있다. 따라서, 이러한 적응 및 변경은 본 명세서에서 제시하는 내용 및 안내에 기초하여, 개시된 실시예의 의미 및 등가의 범위 내에 속하는 것으로 해석된다. 본 명세서에서 사용되는 표현이나 용어는 설명의 목적을 위한 것이며 제한하기 위한 것이 아니라는 것을 이해하여야 한다. 따라서, 본 명세서에서 사용되는 표현이나 용어는 그 내용이나 안내의 관점에서 당업자에 의해 해석되는 것으로 이해하여야 한다.
본 발명의 범위는 상기 개시한 실시예에 의해 제한되어서는 안 되며, 이하의 청구범위와 그 등가의 범위에 의해서만 정의되어야 한다.

Claims (36)

  1. 기판상에서의 리소그래피 공정에 사용되는 리소그래피 장치의 초점(focus)을 판정하는 방법에 있어서,
    리소그래피 공정을 사용하여 상기 기판상에 구조체(structure)를 형성하는 구조체 형성 단계로서, 상기 구조체가 기판상에서의 리소그래피 장치의 초점에 따른 비대칭(asymmetry)을 갖는 프로파일(profile)을 포함하는 하나 이상의 특징적 요소(feature)를 구비하는, 구조체 형성 단계;
    제1 방사 빔으로 상기 구조체를 조명하면서 상기 구조체의 제1 이미지를 형성 및 검출하는 과정을 포함하는 제1 측정 단계로서, 상기 제1 이미지가 0차 회절 방사선(zero order diffracted radiation)을 배제하고 비-0차(non-zero order) 회절 방사선의 제1 부분을 사용하여 형성되는, 제1 측정 단계;
    제2 방사 빔으로 상기 구조체를 조명하면서 상기 구조체의 제2 이미지를 형성 및 검출하는 과정을 포함하는 제2 측정 단계로서, 상기 제2 이미지가 회절 스펙트럼(diffraction spectrum) 내의 상기 제1 부분에 대칭적으로 대면하는(symmetrically opposite) 비-0차 회절 방사선의 제2 부분을 사용하여 형성되는, 제2 측정 단계; 및
    상기 구조체의 프로파일의 비대칭을 판정하는 것, 및 기판상의 초점의 표시(indication)를 제공하는 것 중 하나 또는 양자 모두를 위해, 상기 제1 측정 단계와 제2 측정 단계에서 검출된 제1 이미지 및 제2 이미지를 이용하는 단계
    를 포함하고,
    상기 제1 방사 빔과 상기 제2 방사 빔 간의 전환은, 상기 기판과 방사 소스 사이에 제공되는, 애퍼처를 구비한 빔 정형 장치의 회전 또는 상기 기판의 회전에 의해 이루어지는 방법.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 비-0차 회절 방사선의 제1 부분 및 제2 부분은 +1차 및 -1차 차수의 각각의 적어도 일부분의 서로 상이한 부분인 것인, 방법.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 비대칭은 상기 제1 이미지 및 제2 이미지의 선택된 부분의 세기(intensity)를 측정함으로써 판정되는, 방법.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 구조체의 영역은 상기 기판상의 방사 빔의 영역보다 작은, 방법.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 제1 측정 단계 및 제2 측정 단계는 서로 다른 초점 값을 사용하여 상기 리소그래피 장치에 의해 형성된 구조체에 대해 여러 번 반복되며, 상기 구조체는 상기 기판상에서의 리소그래피 장치의 초점에 따른 비대칭을 갖는 프로파일을 포함하는 하나 이상의 특징적 요소를 각각 구비하고, 반복되는 상기 제1 및 제2 측정 단계에서 검출된 이미지는 상기 기판상에서의 비대칭과 초점 간의 관계를 판정하는 데에 사용되는, 방법.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 기판상에서의 비대칭과 초점 간의 관계를 판정하기 위해 리소그래피 시뮬레이션(lithographic simulation)을 사용하는, 방법.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 제1 측정 단계 및 제2 측정 단계는 서로 다른 초점 값을 사용하여 상기 리소그래피 장치에 의해 형성된 구조체에 대해 여러 번 반복되며, 상기 구조체는 상기 기판상에서의 리소그래피 장치의 초점에 따른 비대칭을 갖는 프로파일을 포함하는 하나 이상의 특징적 요소를 각각 구비하고, 반복되는 상기 제1 및 제2 측정 단계에서 검출된 이미지는 상기 제1 이미지 및 제2 이미지의 선택된 부분의 세기와 상기 기판상에서의 초점 간의 관계를 판정하는 데에 사용되는, 방법.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 제1 이미지 및 제2 이미지의 선택된 부분의 세기와 상기 기판상에서의 초점 간의 관계를 판정하기 위해 리소그래피 시뮬레이션을 사용하는, 방법.
  9. 제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 비-0차 회절 방사선의 대칭적으로 대면하는 제1 부분 및 제2 부분은 +1차 및 -1차 회절 방사선을 포함하는, 방법.
  10. 제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제1 측정 단계 및 제2 측정 단계에서 사용되는 광학 시스템에서, 상기 제1 및 제2 방사 빔은, 상기 광학 시스템에 대하여 대칭적으로 축을 벗어난, 상기 구조체에의 입사각을 가지며, 상기 제1 및 제2 이미지는 상기 구조체에 의해, 광학 축 상에 중심을 두고 상기 입사각의 범위보다 더 좁은 각도 범위로 회절되는 방사선을 사용하여 형성 및 검출되는, 방법.
  11. 기판상에서의 리소그래피 공정에서 사용되는 리소그래피 장치의 초점을 판정하도록 구성된 각도 분해 스케터로미터(angularly resolved scatterometer)에 있어서,
    상기 리소그래피 공정은 기판상에 구조체를 형성하는 데에 사용되며, 상기 구조체는 상기 기판상에서의 리소그래피 장치의 초점에 따른 비대칭을 갖는 프로파일을 포함하는 하나 이상의 특징적 요소를 구비하고,
    상기 스케터로미터는,
    제1 및 제2 측정 단계에서 사용하기 위한 기판에 제1 방사 빔 및 제2 방사 빔을 전달하도록 구성된 조명 장치;
    상기 제1 및 제2 측정 단계 중에, 상기 기판으로부터 회절된 방사선을 사용하여 상기 기판의 제1 및 제2 이미지를 형성 및 검출하도록 구성된 검출 장치; 및
    상기 검출 장치 내에 배치된 조리개(stop) 장치를 포함하며,
    상기 조명 장치와 상기 조리개 장치는 상기 제1 및 제2 이미지에 기여하는 비-0차 회절 방사선을 조절(stop)하는 데에 효과적이고, 상기 제1 및 제2 이미지는 비-0차 회절 방사선의 제1 및 제2 부분을 사용하여 형성되며, 상기 제1 및 제2 부분은 회절된 방사선의 회절 스펙트럼에서 서로 대칭적으로 대면하고,
    상기 스케터로미터는, 상기 제1 및 제2 이미지로부터 특징적 요소에 대한 프로파일 비대칭을 판정하는 것, 및 기판상에서의 초점의 표시를 제공하도록 판정된 비대칭과 각각의 특징적 요소에 대한 초점과 비대칭 간의 관계를 이용하는 것 중 하나 또는 양자 모두를 위해 동작하도록 구성된 계산 장치를 더 포함하며,
    상기 제1 방사 빔과 상기 제2 방사 빔 간의 전환은, 상기 기판과 방사 소스 사이에 제공되는, 애퍼처를 구비한 빔 정형 장치의 회전 또는 상기 기판의 회전에 의해 이루어지는 스케터로미터.
  12. 제11항에 있어서,
    상기 구조체는 미리결정된 주기(periodicity)를 가지며, 상기 검출 장치는 +1차 및 -1차 차수를 회절된 방사선의 제1 부분 및 제2 부분으로서 측정하도록 구성된, 스케터로미터.
  13. 제11항에 있어서,
    상기 비대칭은 상기 구조체의 제1 및 제2 이미지의 세기를 측정함으로써 판정되는, 스케터로미터.
  14. 제11항에 있어서,
    상기 계산 장치는, 상기 구조체의 영역이 상기 제1 및 제2 이미지에 나타낸 기판의 영역보다 작은 경우에, 상기 제1 및 제2 이미지의 선택된 부분을 비교하도록 된, 스케터로미터.
  15. 제11항에 있어서,
    상기 계산 장치는 서로 다른 초점 값을 사용하여 형성된 다수의 구조체의 각각에 대한 제1 및 제2 이미지의 각각의 일부분을 선택 및 비교하도록 구성되어 있으며, 각각의 구조체는 리소그래피 장치의 초점에 따른 비대칭을 갖는 프로파일을 포함하는 하나 이상의 특징적 요소를 구비하고, 상기 제1 및 제2 이미지의 선택된 부분을 사용하여 상기 기판상에서의 비대칭과 초점 간의 관계를 판정하도록 된, 스케터로미터.
  16. 제15항에 있어서,
    상기 기판상에서의 비대칭과 초점 간의 관계를 판정하기 위해 리소그래피 시뮬레이션을 사용하는, 스케터로미터.
  17. 제11항 내지 제14항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 계산 장치는 서로 다른 초점 값을 사용하여 형성된 다수의 구조체의 각각에 대한 제1 및 제2 이미지의 각각의 일부분을 선택 및 비교하도록 구성되어 있으며, 각각의 구조체는 리소그래피 장치의 초점에 따른 비대칭을 갖는 프로파일을 포함하는 하나 이상의 특징적 요소를 구비하고, 상기 제1 이미지 및 제2 이미지의 선택된 부분을 사용하여, 상기 기판상에서의 초점과 검출된 부분의 세기간의 관계를 판정하도록 된, 스케터로미터.
  18. 제17항에 있어서,
    상기 기판상에서의 초점과 검출된 부분의 세기간의 관계를 판정하기 위해 리소그래피 시뮬레이션을 사용하는, 스케터로미터.
  19. 제11항 내지 제16항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 비-0차 회절 방사선의 대칭적으로 대면하는 제1 부분 및 제2 부분은 +1차 및 -1차 회절 방사선을 포함하는, 스케터로미터.
  20. 제11항 내지 제16항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제1 및 제2 측정 단계에서 사용되는 광학 시스템에서, 상기 제1 및 제2 방사 빔은, 상기 광학 시스템에 대하여 대칭적으로 축을 벗어난, 상기 구조체에의 입사각을 가지며, 상기 제1 및 제2 이미지는 상기 구조체에 의해, 광학 축 상에 중심을 두고 상기 입사각의 범위보다 더 좁은 각도 범위로 회절되는 방사선을 사용하여 형성 및 검출되는, 스케터로미터.
  21. 리소그래피 시스템에 있어서,
    리소그래피 시스템은 리소그래피 장치를 포함하며,
    상기 리소그래피 장치는,
    패턴을 조명하도록 구성된 조명 광학 시스템;
    상기 패턴의 이미지를 기판상에 투영하도록 구성된 투영 광학 시스템; 및
    제11항 내지 제16항 중 어느 한 항에 의한 각도 분해 스케터로미터
    를 포함하는 것을 특징으로 하는 리소그래피 시스템.
  22. 리소그래피 셀(lithographic cell)에 있어서,
    방사선 감응 층(radiation sensitive layer)으로 기판을 코팅하도록 구성된 코팅기(coater);
    상기 코팅기에 의해 코팅된 기판의 방사선 감응 층에 이미지를 노광시키도록 구성된 리소그래피 장치;
    상기 리소그래피 장치에 의해 노광된 이미지를 현상하도록 구성된 현상기(developer); 및
    제11항 내지 제16항 중 어느 한 항에 의한 각도 분해 스케터로미터
    를 포함하는 것을 특징으로 하는 리소그래피 셀.
  23. 삭제
  24. 삭제
  25. 삭제
  26. 삭제
  27. 삭제
  28. 삭제
  29. 삭제
  30. 삭제
  31. 삭제
  32. 삭제
  33. 삭제
  34. 삭제
  35. 삭제
  36. 삭제
KR1020127001018A 2009-07-31 2010-07-27 계측 방법 및 장치, 리소그래피 시스템, 및 리소그래피 처리 셀 KR101429629B1 (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US23033109P 2009-07-31 2009-07-31
US61/230,331 2009-07-31
PCT/EP2010/060894 WO2011012624A1 (en) 2009-07-31 2010-07-27 Metrology method and apparatus, lithographic system, and lithographic processing cell

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020137023683A Division KR101461457B1 (ko) 2009-07-31 2010-07-27 계측 방법 및 장치, 리소그래피 시스템, 및 리소그래피 처리 셀

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20120018227A KR20120018227A (ko) 2012-02-29
KR101429629B1 true KR101429629B1 (ko) 2014-08-12

Family

ID=42830753

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020127001018A KR101429629B1 (ko) 2009-07-31 2010-07-27 계측 방법 및 장치, 리소그래피 시스템, 및 리소그래피 처리 셀
KR1020137023683A KR101461457B1 (ko) 2009-07-31 2010-07-27 계측 방법 및 장치, 리소그래피 시스템, 및 리소그래피 처리 셀

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020137023683A KR101461457B1 (ko) 2009-07-31 2010-07-27 계측 방법 및 장치, 리소그래피 시스템, 및 리소그래피 처리 셀

Country Status (7)

Country Link
US (2) US9081303B2 (ko)
JP (2) JP5545782B2 (ko)
KR (2) KR101429629B1 (ko)
CN (1) CN102498441B (ko)
IL (3) IL217288A (ko)
NL (1) NL2005162A (ko)
WO (1) WO2011012624A1 (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20170094429A (ko) * 2014-12-19 2017-08-17 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 비대칭 측정 방법, 검사 장치, 리소그래피 시스템 및 디바이스 제조 방법

Families Citing this family (587)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL2004094A (en) * 2009-02-11 2010-08-12 Asml Netherlands Bv Inspection apparatus, lithographic apparatus, lithographic processing cell and inspection method.
KR101429629B1 (ko) 2009-07-31 2014-08-12 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 계측 방법 및 장치, 리소그래피 시스템, 및 리소그래피 처리 셀
JP2013502592A (ja) * 2009-08-24 2013-01-24 エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． メトロロジ方法および装置、リソグラフィ装置、リソグラフィプロセシングセル、およびメトロロジターゲットを備える基板
JP5661194B2 (ja) 2010-11-12 2015-01-28 エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． メトロロジ方法及び装置、リソグラフィシステム並びにデバイス製造方法
WO2012062501A1 (en) * 2010-11-12 2012-05-18 Asml Netherlands B.V. Metrology method and apparatus, and device manufacturing method
US9568872B2 (en) * 2011-01-12 2017-02-14 Nova Measuring Instruments Ltd. Process control using non-zero order diffraction
NL2008317A (en) 2011-03-24 2012-09-25 Asml Netherlands Bv Substrate and patterning device for use in metrology, metrology method and device manufacturing method.
US8681413B2 (en) 2011-06-27 2014-03-25 Kla-Tencor Corporation Illumination control
NL2008936A (en) 2011-07-28 2013-01-29 Asml Netherlands Bv Illumination source for use in inspection methods and/or lithography inspection and lithographic apparatus and inspection method.
NL2009079A (en) 2011-08-23 2013-02-27 Asml Netherlands Bv Metrology method and apparatus, and device manufacturing method.
EP2579100A3 (en) 2011-10-03 2017-12-06 ASML Holding N.V. Inspection apparatus, lithographic apparatus, and device manufacturing method
NL2009508A (en) 2011-10-24 2013-04-25 Asml Netherlands Bv Metrology method and apparatus, and device manufacturing method.
NL2010401A (en) 2012-03-27 2013-09-30 Asml Netherlands Bv Metrology method and apparatus, lithographic system and device manufacturing method.
NL2010458A (en) 2012-04-16 2013-10-17 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus, substrate and device manufacturing method background.
NL2010717A (en) 2012-05-21 2013-11-25 Asml Netherlands Bv Determining a structural parameter and correcting an asymmetry property.
JP6077647B2 (ja) * 2012-05-29 2017-02-08 エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． メトロロジー方法及び装置、基板、リソグラフィシステム並びにデバイス製造方法
US9466100B2 (en) * 2012-06-06 2016-10-11 Kla-Tencor Corporation Focus monitoring method using asymmetry embedded imaging target
SG11201407782QA (en) 2012-06-12 2015-01-29 Asml Netherlands Bv Photon source, metrology apparatus, lithographic system and device manufacturing method
NL2010905A (en) 2012-06-22 2013-12-24 Asml Netherlands Bv Method of determining focus, inspection apparatus, patterning device, substrate and device manufacturing method.
CN104471484B (zh) 2012-07-05 2018-02-06 Asml荷兰有限公司 用于光刻术的量测
US10132763B2 (en) * 2012-07-23 2018-11-20 Asml Netherlands B.V. Inspection method and apparatus, lithographic system and device manufacturing method
KR20140014509A (ko) * 2012-07-24 2014-02-06 삼성전자주식회사 노광 장치의 높이 센서 및 이를 이용한 웨이퍼 고저 측량 방법
JP5992103B2 (ja) * 2012-07-30 2016-09-14 エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． 位置測定装置、位置測定方法、リソグラフィ装置およびデバイス製造方法
NL2011181A (en) 2012-08-16 2014-02-18 Asml Netherlands Bv Method and apparatus for measuring asymmetry of a microstructure, position measuring method, position measuring apparatus, lithographic apparatus and device manufacturing method.
NL2011816A (en) 2012-11-30 2014-06-04 Asml Netherlands Bv Method of determining dose and focus, inspection apparatus, patterning device, substrate and device manufacturing method.
NL2011706A (en) * 2012-11-30 2014-06-04 Asml Netherlands Bv Method and apparatus for determining lithographic quality of a structure.
CN104076613B (zh) * 2013-03-27 2016-12-28 上海微电子装备有限公司 基于圆形掩模的步进扫描光刻机及其曝光方法
CN105308508B (zh) 2013-06-12 2018-08-10 Asml荷兰有限公司 确定与临界尺寸相关的性质的方法、检查装置和器件制造方法
NL2013210A (en) * 2013-08-07 2015-02-10 Asml Netherlands Bv Metrology method and apparatus, lithographic system and device manufacturing method.
WO2015031337A1 (en) 2013-08-27 2015-03-05 Kla-Tencor Corporation Removing process-variation-related inaccuracies from scatterometry measurements
CN104423173B (zh) * 2013-08-27 2016-09-28 上海微电子装备有限公司 套刻测量装置和方法
NL2013513A (en) 2013-10-17 2015-04-20 Asml Netherlands Bv Photon source, metrology apparatus, lithographic system and device manufacturing method.
NL2013625A (en) 2013-10-30 2015-05-04 Asml Netherlands Bv Inspection apparatus and methods, substrates having metrology targets, lithographic system and device manufacturing method.
US10042268B2 (en) 2013-11-26 2018-08-07 Asml Netherlands B.V. Method, apparatus and substrates for lithographic metrology
KR101872752B1 (ko) * 2013-12-13 2018-06-29 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 방사선 소스, 계측 장치, 리소그래피 시스템 및 디바이스 제조 방법
US9924585B2 (en) 2013-12-13 2018-03-20 Asml Netherlands B.V. Radiation source, metrology apparatus, lithographic system and device manufacturing method
US10712118B2 (en) 2013-12-16 2020-07-14 Ravin Crossbows, Llc Crossbow
US10254073B2 (en) 2013-12-16 2019-04-09 Ravin Crossbows, Llc Crossbow
US10254075B2 (en) 2013-12-16 2019-04-09 Ravin Crossbows, Llc Reduced length crossbow
WO2015090838A1 (en) 2013-12-19 2015-06-25 Asml Netherlands B.V. Inspection methods, substrates having metrology targets, lithographic system and device manufacturing method
CN106164775B (zh) * 2014-02-03 2019-07-19 Asml荷兰有限公司 量测方法和设备、衬底、光刻系统和器件制造方法
WO2015121045A1 (en) 2014-02-17 2015-08-20 Asml Netherlands B.V. Method of determining edge placement error, inspection apparatus, patterning device, substrate and device manufacturing method
US10331043B2 (en) 2014-02-21 2019-06-25 Asml Netherlands B.V. Optimization of target arrangement and associated target
US9784690B2 (en) * 2014-05-12 2017-10-10 Kla-Tencor Corporation Apparatus, techniques, and target designs for measuring semiconductor parameters
CN106462078B (zh) 2014-05-13 2018-10-02 Asml荷兰有限公司 衬底和量测用图案形成装置、量测方法及器件制造方法
SG11201609566VA (en) 2014-06-02 2016-12-29 Asml Netherlands Bv Method of designing metrology targets, substrates having metrology targets, method of measuring overlay, and device manufacturing method
WO2016000914A1 (en) 2014-06-30 2016-01-07 Asml Netherlands B.V. Method of determining dose, inspection apparatus, patterning device, substrate and device manufacturing method
CN106662824B (zh) 2014-07-09 2018-07-24 Asml荷兰有限公司 检查装置、检查方法和设备制造方法
NL2015160A (en) 2014-07-28 2016-07-07 Asml Netherlands Bv Illumination system, inspection apparatus including such an illumination system, inspection method and manufacturing method.
KR101960403B1 (ko) * 2014-08-28 2019-03-20 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 검사 장치, 검사 방법 및 제조 방법
KR102574171B1 (ko) 2014-08-29 2023-09-06 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 메트롤로지 방법, 타겟 및 기판
WO2016030227A1 (en) 2014-08-29 2016-03-03 Asml Netherlands B.V. Method for controlling a distance between two objects, inspection apparatus and method
WO2016029478A1 (zh) 2014-08-30 2016-03-03 华为技术有限公司 通信终端
WO2016034428A2 (en) 2014-09-01 2016-03-10 Asml Netherlands B.V. Method of measuring a property of a target structure, inspection apparatus, lithographic system and device manufacturing method
WO2016045945A1 (en) 2014-09-26 2016-03-31 Asml Netherlands B.V. Inspection apparatus and device manufacturing method
WO2016050453A1 (en) 2014-10-03 2016-04-07 Asml Netherlands B.V. Focus monitoring arrangement and inspection apparatus including such an arragnement
WO2016078862A1 (en) 2014-11-21 2016-05-26 Asml Netherlands B.V. Metrology method and apparatus
EP3224676A1 (en) 2014-11-26 2017-10-04 ASML Netherlands B.V. Metrology method, computer product and system
JP6500107B2 (ja) 2014-12-15 2019-04-10 エーエスエムエル ホールディング エヌ．ブイ． 光学瞳対称化のための方法および装置
WO2016124345A1 (en) 2015-02-04 2016-08-11 Asml Netherlands B.V. Metrology method, metrology apparatus and device manufacturing method
CN107430350B (zh) 2015-02-04 2019-10-18 Asml荷兰有限公司 计量方法和设备、计算机程序和光刻系统
NL2016121A (en) 2015-02-06 2016-09-29 Asml Netherlands Bv A method and apparatus for improving measurement accuracy
US9927722B2 (en) 2015-02-25 2018-03-27 Asml Netherlands B.V. Method and apparatus for inspection and metrology
KR102030100B1 (ko) 2015-03-05 2019-10-08 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 검사와 계측을 위한 방법 및 장치
WO2016142214A2 (en) 2015-03-11 2016-09-15 Asml Netherlands B.V. Method and apparatus for inspection and metrology
US9766554B2 (en) * 2015-03-16 2017-09-19 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Method and apparatus for estimating focus and dose of an exposure process
CN104655019B (zh) * 2015-03-23 2018-05-29 京东方科技集团股份有限公司 关键尺寸测量方法和系统
CN107430352B (zh) * 2015-03-25 2020-01-21 Asml荷兰有限公司 量测方法、量测设备和器件制造方法
NL2016509A (en) 2015-04-03 2016-10-10 Asml Netherlands Bv Inspection apparatus for measuring properties of a target structure, methods of operating an optical system, method of manufacturing devices.
JP6524256B2 (ja) * 2015-04-21 2019-06-05 エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． メトロロジ方法及び装置、コンピュータプログラム、並びにリソグラフィシステム
KR102076021B1 (ko) 2015-05-04 2020-03-02 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 검사와 계측을 위한 방법 및 장치
TWI715582B (zh) 2015-05-19 2021-01-11 美商克萊譚克公司 用於疊對測量之形貌相位控制
KR102066588B1 (ko) 2015-06-12 2020-01-15 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 검사 장치, 검사 방법, 리소그래피 장치, 패터닝 디바이스 및 제조 방법
WO2016202695A1 (en) 2015-06-17 2016-12-22 Asml Netherlands B.V. Recipe selection based on inter-recipe consistency
NL2016925A (en) 2015-06-18 2016-12-22 Asml Netherlands Bv Method of metrology, inspection apparatus, lithographic system and device manufacturing method
CN107850856B (zh) 2015-07-17 2020-06-26 Asml荷兰有限公司 用于检查和量测的方法及设备
WO2017016839A1 (en) 2015-07-24 2017-02-02 Asml Netherlands B.V. Inspection apparatus, inspection method, lithographic apparatus and manufacturing method
WO2017024158A1 (en) * 2015-08-06 2017-02-09 Kla-Tencor Corporation Focus metrology and targets which utilize transformations based on aerial images of the targets
US10216096B2 (en) * 2015-08-14 2019-02-26 Kla-Tencor Corporation Process-sensitive metrology systems and methods
WO2017029110A1 (en) 2015-08-20 2017-02-23 Asml Netherlands B.V. Metrology method and apparatus, substrates for use in such methods, lithographic system and device manufacturing method
NL2017300A (en) 2015-08-27 2017-03-01 Asml Netherlands Bv Method and apparatus for measuring a parameter of a lithographic process, substrate and patterning devices for use in the method
WO2017055075A1 (en) 2015-09-28 2017-04-06 Asml Netherlands B.V. Hierarchical representation of two-dimensional or three-dimensional shapes
US10394136B2 (en) 2015-09-30 2019-08-27 Asml Netherlands B.V. Metrology method for process window definition
NL2017466A (en) 2015-09-30 2017-04-05 Asml Netherlands Bv Metrology method, target and substrate
WO2017055072A1 (en) 2015-10-02 2017-04-06 Asml Netherlands B.V. Metrology method and apparatus, computer program and lithographic system
CN108292106B (zh) 2015-10-09 2021-05-25 Asml荷兰有限公司 用于检查及量测的方法和设备
KR102170137B1 (ko) 2015-11-27 2020-10-27 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 메트롤로지 타겟, 방법 및 장치, 컴퓨터 프로그램 및 리소그래피 시스템
NL2017766A (en) 2015-12-09 2017-06-14 Asml Holding Nv A flexible illuminator
US11016397B2 (en) 2015-12-17 2021-05-25 Asml Netherlands B.V. Source separation from metrology data
WO2017102428A1 (en) 2015-12-18 2017-06-22 Asml Netherlands B.V. Focus monitoring arrangement and inspection apparatus including such an arrangement
CN108369389B (zh) 2015-12-21 2021-06-18 Asml荷兰有限公司 用于测量光刻设备的聚焦性能的方法和图案形成装置及设备、器件制造方法
NL2017844A (en) 2015-12-22 2017-06-28 Asml Netherlands Bv Focus control arrangement and method
WO2017108411A1 (en) 2015-12-23 2017-06-29 Asml Netherlands B.V. Metrology method and apparatus
KR102190305B1 (ko) * 2015-12-23 2020-12-14 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 메트롤로지 방법, 메트롤로지 장치 및 디바이스 제조 방법
WO2017114672A1 (en) 2015-12-31 2017-07-06 Asml Netherlands B.V. Metrology by reconstruction
KR102160223B1 (ko) 2015-12-31 2020-09-28 에이에스엠엘 홀딩 엔.브이. 검사 시스템에서의 포커싱을 위한 디바이스 및 방법
JP6644898B2 (ja) 2016-02-19 2020-02-12 エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． 構造を測定する方法、検査装置、リソグラフィシステム、デバイス製造方法、およびそれらで使用する波長選択フィルタ
KR102188711B1 (ko) 2016-02-26 2020-12-09 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 구조체를 측정하는 방법, 검사 장치, 리소그래피 시스템 및 디바이스 제조 방법
WO2017148665A1 (en) 2016-03-01 2017-09-08 Asml Netherlands B.V. Metrology apparatus, method of measuring a structure and lithographic apparatus
US20170256465A1 (en) 2016-03-01 2017-09-07 Asml Netherlands B.V. Method and apparatus to determine a patterning process parameter
KR102173439B1 (ko) * 2016-03-03 2020-11-04 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 계측 방법 및 리소그래피 방법, 리소그래피 셀 및 컴퓨터 프로그램
WO2017148759A1 (en) 2016-03-04 2017-09-08 Asml Netherlands B.V. Method for characterizing distortions in a lithographic process, lithographic apparatus, lithographic cell and computer program
WO2017153130A1 (en) 2016-03-07 2017-09-14 Asml Netherlands B.V. Illumination system and metrology system
WO2017153171A1 (en) 2016-03-11 2017-09-14 Asml Netherlands B.V. Method of calculating corrections for controlling a manufacturing process, metrology apparatus, device manufacturing method and modeling method
WO2017178220A1 (en) * 2016-04-11 2017-10-19 Asml Netherlands B.V. Metrology target, method and apparatus, target design method, computer program and lithographic system
US10942460B2 (en) 2016-04-12 2021-03-09 Asml Netherlands B.V. Mark position determination method
CN109073987B (zh) 2016-04-15 2021-01-12 Asml荷兰有限公司 用于调节光刻设备的致动的方法
CN111736436B (zh) 2016-04-22 2023-08-18 Asml荷兰有限公司 堆叠差异的确定和使用堆叠差异的校正
WO2017186483A1 (en) 2016-04-29 2017-11-02 Asml Netherlands B.V. Method and apparatus for determining the property of a structure, device manufacturing method
CN109154786B (zh) 2016-05-17 2020-12-04 Asml荷兰有限公司 基于贯穿波长的相似性的度量强健性
WO2017202602A1 (en) 2016-05-23 2017-11-30 Asml Netherlands B.V. Selection of substrate measurement recipes
KR20190015553A (ko) 2016-06-09 2019-02-13 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 계측 장치
WO2017215944A1 (en) 2016-06-15 2017-12-21 Asml Netherlands B.V. Substrate measurement recipe configuration to improve device matching
CN109075090B (zh) * 2016-06-27 2020-11-06 科磊股份有限公司 用于测量图案放置及图案大小的设备及方法及其计算机程序
WO2018001751A1 (en) 2016-06-30 2018-01-04 Asml Holding N.V. Method and device for pupil illumination in overlay and critical dimension sensors
WO2018001747A1 (en) 2016-07-01 2018-01-04 Asml Netherlands B.V. Illumination system for a lithographic or inspection apparatus
IL263765B2 (en) 2016-07-15 2023-04-01 Asml Netherlands Bv Method and device for designing a target field for metrology
JP6716779B2 (ja) 2016-07-21 2020-07-01 エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． ターゲットの測定方法、基板、計測装置およびリソグラフィ装置
US10712672B2 (en) 2016-07-22 2020-07-14 Asml Netherlands B.V. Method of predicting patterning defects caused by overlay error
EP3279736A1 (en) 2016-08-01 2018-02-07 ASML Netherlands B.V. Device and method for processing a radiation beam with coherence
JP6744984B2 (ja) 2016-08-11 2020-08-19 エーエスエムエル ホールディング エヌ．ブイ． 波面の可変コレクタ
US10578982B2 (en) 2016-08-17 2020-03-03 Asml Netherlands B.V. Substrate measurement recipe design of, or for, a target including a latent image
CN109643068B (zh) 2016-08-23 2021-10-01 Asml荷兰有限公司 量测设备和用于测量结构的方法和光刻系统
CN109923476B (zh) 2016-09-01 2021-11-19 Asml荷兰有限公司 量测目标测量选配方案的自动选择
EP3290911A1 (en) 2016-09-02 2018-03-07 ASML Netherlands B.V. Method and system to monitor a process apparatus
WO2018046278A1 (en) 2016-09-06 2018-03-15 Asml Holding N.V. Method and device for focusing in an inspection system
EP3291008A1 (en) 2016-09-06 2018-03-07 ASML Netherlands B.V. Method and apparatus to monitor a process apparatus
EP3293574A1 (en) 2016-09-09 2018-03-14 ASML Netherlands B.V. Metrology method, apparatus and computer program
EP3293575A1 (en) 2016-09-12 2018-03-14 ASML Netherlands B.V. Differential target design and method for process metrology
KR102326190B1 (ko) 2016-09-12 2021-11-15 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 정정 유도 방법 및 장치, 구조체의 속성을 결정하는 방법 및 장치, 디바이스 제조 방법
CN109690412B (zh) 2016-09-12 2021-11-19 Asml荷兰有限公司 确定结构的特性的方法、检查设备以及器件制造方法
EP3299890A1 (en) 2016-09-27 2018-03-28 ASML Netherlands B.V. Metrology recipe selection
WO2018059824A1 (en) 2016-09-27 2018-04-05 Asml Netherlands B.V. Metrology recipe selection
EP3309616A1 (en) 2016-10-14 2018-04-18 ASML Netherlands B.V. Method of inspecting a substrate, metrology apparatus, and lithographic system
US10775323B2 (en) * 2016-10-18 2020-09-15 Kla-Tencor Corporation Full beam metrology for X-ray scatterometry systems
EP3321736A1 (en) 2016-11-10 2018-05-16 ASML Netherlands B.V. Measurement system, lithographic system, and method of measuring a target
EP3321738A1 (en) 2016-11-10 2018-05-16 ASML Netherlands B.V. Method of measuring a parameter of a device manufacturing process, metrology apparatus, substrate, target, device manufacturing system, and device manufacturing method
EP3321737A1 (en) 2016-11-10 2018-05-16 ASML Netherlands B.V. Method for determining an optimized set of measurement locations for measurement of a parameter of a lithographic process, metrology system
CN110140087B (zh) * 2016-11-10 2021-08-13 Asml荷兰有限公司 使用叠层差异的设计和校正
US11187995B2 (en) 2016-11-23 2021-11-30 Asml Netherlands B.V. Metrology using a plurality of metrology target measurement recipes
CN110036347B (zh) * 2016-12-02 2022-01-21 Asml荷兰有限公司 改变蚀刻参数的方法
EP3333632A1 (en) 2016-12-08 2018-06-13 ASML Netherlands B.V. Metrology apparatus
EP3333633A1 (en) 2016-12-09 2018-06-13 ASML Netherlands B.V. Methods and apparatus for predicting performance of a measurement method, measurement method and apparatus
US10983005B2 (en) 2016-12-15 2021-04-20 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Spectroscopic overlay metrology
EP3336605A1 (en) 2016-12-15 2018-06-20 ASML Netherlands B.V. Method of measuring a structure, inspection apparatus, lithographic system and device manufacturing method
EP3336607A1 (en) 2016-12-16 2018-06-20 ASML Netherlands B.V. Method of measuring a property of a substrate, inspection apparatus, lithographic system and device manufacturing method
EP3336606A1 (en) 2016-12-16 2018-06-20 ASML Netherlands B.V. Method for monitoring a characteristic of illumination from a metrology apparatus
EP3796088A1 (en) 2019-09-23 2021-03-24 ASML Netherlands B.V. Method and apparatus for lithographic process performance determination
EP3343294A1 (en) 2016-12-30 2018-07-04 ASML Netherlands B.V. Lithographic process & apparatus and inspection process and apparatus
US10209627B2 (en) * 2017-01-06 2019-02-19 Kla-Tencor Corporation Systems and methods for focus-sensitive metrology targets
CN108333880B (zh) * 2017-01-19 2020-08-04 上海微电子装备（集团）股份有限公司 光刻曝光装置及其焦面测量装置和方法
EP3358413A1 (en) 2017-02-02 2018-08-08 ASML Netherlands B.V. Metrology method, apparatus and computer program
WO2018141503A1 (en) 2017-02-02 2018-08-09 Asml Netherlands B.V. Metrology method and apparatus and associated computer product
US10139205B2 (en) 2017-02-15 2018-11-27 Ravin Crossbows, Llc High impact strength nock assembly
USD839374S1 (en) 2017-02-15 2019-01-29 Ravin Crossbow, LLC Nock for an archery arrow
US10990018B2 (en) 2017-02-22 2021-04-27 Asml Netherlands B.V. Computational metrology
KR102384553B1 (ko) * 2017-03-23 2022-04-08 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 구조체의 비대칭 모니터링
EP3388896A1 (en) 2017-04-14 2018-10-17 ASML Netherlands B.V. Method of measuring
KR102336379B1 (ko) 2017-04-14 2021-12-08 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 측정 방법
IL270171B2 (en) 2017-04-28 2023-12-01 Asml Netherlands Bv Method and apparatus for metrology and related computer software
WO2018202388A1 (en) 2017-05-03 2018-11-08 Asml Netherlands B.V. Metrology parameter determination and metrology recipe selection
JP2020518845A (ja) 2017-05-04 2020-06-25 エーエスエムエル ホールディング エヌ．ブイ． 光学メトロロジの性能を測定するための方法、基板、及び装置
KR20200004381A (ko) * 2017-05-08 2020-01-13 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 구조체를 측정하는 방법, 검사 장치, 리소그래피 시스템 및 디바이스 제조 방법
EP3401733A1 (en) 2017-05-08 2018-11-14 ASML Netherlands B.V. Method of measuring a structure, inspection apparatus, lithographic system and device manufacturing method
WO2018215177A1 (en) 2017-05-24 2018-11-29 Asml Netherlands B.V. Method of measuring a parameter of interest, inspection apparatus, lithographic system and device manufacturing method
CN108962776B (zh) * 2017-05-26 2021-05-18 台湾积体电路制造股份有限公司 半导体装置及其制造方法和覆盖误差的测量方法
US11092902B2 (en) 2017-06-21 2021-08-17 Asml Netherlands B.V. Method and apparatus for detecting substrate surface variations
US10274836B2 (en) * 2017-06-23 2019-04-30 International Business Machines Corporation Determination of lithography effective dose uniformity
EP3422102A1 (en) 2017-06-26 2019-01-02 ASML Netherlands B.V. Methods and patterning devices and apparatuses for measuring focus performance of a lithographic apparatus, device manufacturing method
EP3422103A1 (en) 2017-06-26 2019-01-02 ASML Netherlands B.V. Method of determining a performance parameter of a process
EP3422105A1 (en) 2017-06-30 2019-01-02 ASML Netherlands B.V. Metrology parameter determination and metrology recipe selection
WO2019015995A1 (en) 2017-07-18 2019-01-24 Asml Netherlands B.V. METHODS AND APPARATUS FOR MEASURING A PARAMETER OF A CHARACTERISTIC MANUFACTURED ON A SEMICONDUCTOR SUBSTRATE
EP3432072A1 (en) 2017-07-18 2019-01-23 ASML Netherlands B.V. Methods and apparatus for measurement of a parameter of a feature fabricated on a semiconductor substrate
EP3435161A1 (en) * 2017-07-24 2019-01-30 ASML Netherlands B.V. Determining an edge roughness parameter of a periodic structure
CN110945436B (zh) 2017-07-25 2022-08-05 Asml荷兰有限公司 用于参数确定的方法及其设备
CN107449740A (zh) * 2017-07-26 2017-12-08 嘉兴申宁精密科技有限公司 一种用于测量样品的衍射结构的装置及方法
EP3435162A1 (en) 2017-07-28 2019-01-30 ASML Netherlands B.V. Metrology method and apparatus and computer program
EP3441819A1 (en) 2017-08-07 2019-02-13 ASML Netherlands B.V. Computational metrology
KR102352673B1 (ko) 2017-08-07 2022-01-17 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 컴퓨테이션 계측법
EP3444674A1 (en) 2017-08-14 2019-02-20 ASML Netherlands B.V. Method and apparatus to determine a patterning process parameter
EP3444676A1 (en) 2017-08-15 2019-02-20 ASML Netherlands B.V. Metrology method, apparatus and computer program
EP3447580A1 (en) 2017-08-21 2019-02-27 ASML Netherlands B.V. Method of calibrating focus measurements, measurement method and metrology apparatus, lithographic system and device manufacturing method
WO2019038054A1 (en) 2017-08-23 2019-02-28 Asml Netherlands B.V. METHOD FOR DETERMINING A PARAMETER OF A PATTERN TRANSFER PROCESS, DEVICE MANUFACTURING METHOD
EP3451060A1 (en) 2017-08-28 2019-03-06 ASML Netherlands B.V. Substrate, metrology apparatus and associated methods for a lithographic process
IL312300A (en) 2017-09-01 2024-06-01 Asml Netherlands Bv Optical systems, metrology instruments and related methods
EP3451061A1 (en) 2017-09-04 2019-03-06 ASML Netherlands B.V. Method for monitoring a manufacturing process
EP3454123A1 (en) 2017-09-06 2019-03-13 ASML Netherlands B.V. Metrology method and apparatus
EP3454124A1 (en) 2017-09-07 2019-03-13 ASML Netherlands B.V. Method to determine a patterning process parameter
CN111051994B (zh) 2017-09-11 2022-06-10 Asml荷兰有限公司 用于测量光刻装置的焦点性能的方法和图案化设备与装置、器件制造方法
EP3454127A1 (en) 2017-09-11 2019-03-13 ASML Netherlands B.V. Methods and patterning devices and apparatuses for measuring focus performance of a lithographic apparatus, device manufacturing method
IL273145B2 (en) 2017-09-11 2024-03-01 Asml Netherlands Bv Lithographic processes in meteorology
EP3462239A1 (en) 2017-09-27 2019-04-03 ASML Netherlands B.V. Metrology in lithographic processes
EP3457211A1 (en) 2017-09-13 2019-03-20 ASML Netherlands B.V. A method of aligning a pair of complementary diffraction patterns and associated metrology method and apparatus
EP3457212A1 (en) 2017-09-18 2019-03-20 ASML Netherlands B.V. Method of controlling a patterning process, device manufacturing method
IL272780B2 (en) 2017-09-22 2023-11-01 Asml Netherlands Bv A method for determining a parameter for building processes
EP3460574A1 (en) 2017-09-22 2019-03-27 ASML Netherlands B.V. Method to determine a patterning process parameter
KR102388682B1 (ko) 2017-09-28 2022-04-19 에이에스엠엘 홀딩 엔.브이. 계측 방법 및 디바이스
CN111527373B (zh) 2017-10-05 2022-06-21 Asml荷兰有限公司 用于确定衬底上的一个或更多个结构的特性的量测系统和方法
EP3480554A1 (en) 2017-11-02 2019-05-08 ASML Netherlands B.V. Metrology apparatus and method for determining a characteristic of one or more structures on a substrate
TW201923332A (zh) 2017-10-10 2019-06-16 荷蘭商Ａｓｍｌ荷蘭公司 度量衡方法和設備、電腦程式及微影系統
EP3470923A1 (en) 2017-10-10 2019-04-17 ASML Netherlands B.V. Metrology method
EP3470924A1 (en) 2017-10-11 2019-04-17 ASML Netherlands B.V. Method of optimizing the position and/or size of a measurement illumination spot relative to a target on a substrate, and associated apparatus
EP3474074A1 (en) 2017-10-17 2019-04-24 ASML Netherlands B.V. Scatterometer and method of scatterometry using acoustic radiation
WO2019081211A1 (en) 2017-10-26 2019-05-02 Asml Netherlands B.V. METHOD FOR DETERMINING A VALUE OF A PARAMETER OF INTEREST, METHOD FOR CLEANING A SIGNAL CONTAINING INFORMATION REGARDING THIS PARAMETER OF INTEREST
EP3477391A1 (en) 2017-10-26 2019-05-01 ASML Netherlands B.V. Method of determining a value of a parameter of interest, method of cleaning a signal containing information about a parameter of interest
WO2019086221A1 (en) 2017-10-31 2019-05-09 Asml Netherlands B.V. Metrology apparatus, method of measuring a structure, device manufacturing method
EP3477392A1 (en) 2017-10-31 2019-05-01 ASML Netherlands B.V. Metrology apparatus, method of measuring a structure, device manufacturing method
EP3480659A1 (en) 2017-11-01 2019-05-08 ASML Netherlands B.V. Estimation of data in metrology
KR102648880B1 (ko) 2017-11-07 2024-03-15 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 관심 특성을 결정하는 계측 장치 및 방법
EP3499312A1 (en) 2017-12-15 2019-06-19 ASML Netherlands B.V. Metrology apparatus and a method of determining a characteristic of interest
EP3489756A1 (en) 2017-11-23 2019-05-29 ASML Netherlands B.V. Method and apparatus to determine a patterning process parameter
EP3492984A1 (en) 2017-12-04 2019-06-05 ASML Netherlands B.V. Measurement method, inspection apparatus, patterning device, lithographic system and device manufacturing method
EP3492985A1 (en) 2017-12-04 2019-06-05 ASML Netherlands B.V. Method of determining information about a patterning process, method of reducing error in measurement data, method of calibrating a metrology process, method of selecting metrology targets
CN111433678B (zh) 2017-12-04 2023-02-17 Asml荷兰有限公司 测量方法、图案化设备以及设备制造方法
EP3495888A1 (en) 2017-12-06 2019-06-12 ASML Netherlands B.V. Method for controlling a lithographic apparatus and associated apparatuses
EP3495889A1 (en) 2017-12-07 2019-06-12 ASML Netherlands B.V. Method for controlling a manufacturing apparatus and associated apparatuses
WO2019115218A1 (en) 2017-12-12 2019-06-20 Asml Netherlands B.V. Apparatus and method for determining a condition associated with a pellicle
EP3499311A1 (en) 2017-12-14 2019-06-19 ASML Netherlands B.V. Method for controlling a manufacturing apparatus and associated aparatuses
KR102517966B1 (ko) 2017-12-19 2023-04-03 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 컴퓨테이션 기법 기반 정정 및 제어
CN111512237B (zh) 2017-12-22 2023-01-24 Asml荷兰有限公司 基于缺陷概率的过程窗口
JP7186230B2 (ja) 2017-12-28 2022-12-08 エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． 装置の構成要素から汚染粒子を除去する装置および方法
WO2019129465A1 (en) 2017-12-28 2019-07-04 Asml Netherlands B.V. A metrology apparatus for and a method of determining a characteristic of interest of a structure on a substrate
EP3528048A1 (en) 2018-02-15 2019-08-21 ASML Netherlands B.V. A metrology apparatus for and a method of determining a characteristic of interest of a structure on a substrate
WO2019129485A1 (en) 2017-12-29 2019-07-04 Asml Netherlands B.V. Method and device for determining adjustments to sensitivity parameters
WO2019129468A1 (en) 2017-12-29 2019-07-04 Asml Netherlands B.V. Method of processing data, method of obtaining calibration data
EP3514628A1 (en) 2018-01-18 2019-07-24 ASML Netherlands B.V. Method of measuring a target, and metrology apparatus
CN111615667A (zh) 2018-01-17 2020-09-01 Asml荷兰有限公司 测量目标的方法和量测设备
CN110068446B (zh) * 2018-01-23 2020-11-13 舜宇光学（浙江）研究院有限公司 基于图像的衍射光学元件的衍射效率测试方法
KR102454303B1 (ko) 2018-01-24 2022-10-12 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 컴퓨테이션 계측법 기반 샘플링 스킴
JP7326292B2 (ja) * 2018-01-26 2023-08-15 エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． 基板上のターゲット構造の位置を決定するための装置及び方法
EP3518040A1 (en) 2018-01-30 2019-07-31 ASML Netherlands B.V. A measurement apparatus and a method for determining a substrate grid
WO2019149586A1 (en) 2018-01-30 2019-08-08 Asml Netherlands B.V. Method of patterning at least a layer of a semiconductor device
EP3521930A1 (en) 2018-02-02 2019-08-07 ASML Netherlands B.V. Method of optimizing a metrology process
EP3521929A1 (en) 2018-02-02 2019-08-07 ASML Netherlands B.V. Method of determining an optimal focus height for a metrology apparatus
EP3528047A1 (en) 2018-02-14 2019-08-21 ASML Netherlands B.V. Method and apparatus for measuring a parameter of interest using image plane detection techniques
EP3531205A1 (en) 2018-02-22 2019-08-28 ASML Netherlands B.V. Control based on probability density function of parameter
KR102499656B1 (ko) 2018-02-23 2023-02-14 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 패턴의 시맨틱 분할을 위한 딥 러닝
KR102481755B1 (ko) 2018-02-23 2022-12-29 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 가이드 패터닝 디바이스 검사
WO2019166190A1 (en) 2018-02-27 2019-09-06 Stichting Vu Metrology apparatus and method for determining a characteristic of one or more structures on a substrate
EP3531191A1 (en) 2018-02-27 2019-08-28 Stichting VU Metrology apparatus and method for determining a characteristic of one or more structures on a substrate
EP3547029A1 (en) 2018-03-29 2019-10-02 ASML Netherlands B.V. Control method for a scanning exposure apparatus
WO2019185230A1 (en) 2018-03-29 2019-10-03 Asml Netherlands B.V. Control method for a scanning exposure apparatus
EP3547030A1 (en) 2018-03-29 2019-10-02 ASML Netherlands B.V. Method for evaluating control strategies in a semicondcutor manufacturing process
US11372338B2 (en) 2018-03-29 2022-06-28 Asml Netherlands B.V. Method for evaluating control strategies in a semiconductor manufacturing process
EP3553602A1 (en) * 2018-04-09 2019-10-16 ASML Netherlands B.V. Model based reconstruction of semiconductor structures
EP3553603A1 (en) 2018-04-13 2019-10-16 ASML Netherlands B.V. Metrology method and apparatus, computer program and lithographic system
EP3557327A1 (en) 2018-04-18 2019-10-23 ASML Netherlands B.V. Method of determining a value of a parameter of interest of a target formed by a patterning process
WO2019211827A1 (en) * 2018-04-30 2019-11-07 B. G. Negev Technologies And Applications Ltd., At Ben-Gurion University Scatterometry with high harmonic generation (hhg) sources
EP3570109A1 (en) 2018-05-14 2019-11-20 ASML Netherlands B.V. Illumination source for an inspection apparatus, inspection apparatus and inspection method
TWI723396B (zh) 2018-05-24 2021-04-01 荷蘭商Ａｓｍｌ荷蘭公司 判定基板之堆疊組態之方法
EP3575874A1 (en) 2018-05-29 2019-12-04 ASML Netherlands B.V. Metrology method, apparatus and computer program
EP3575875A1 (en) 2018-05-31 2019-12-04 ASML Netherlands B.V. Measurement apparatus and method of measuring a target
EP3579052A1 (en) 2018-06-08 2019-12-11 ASML Netherlands B.V. Metrology apparatus and method for determining a characteristic of one or more structures on a substrate
CN116758012A (zh) 2018-06-08 2023-09-15 Asml荷兰有限公司 确定与在衬底上的结构相关的感兴趣的特性的方法、掩模版、衬底
EP3614207A1 (en) 2018-08-21 2020-02-26 ASML Netherlands B.V. Metrology apparatus
IL279368B2 (en) 2018-06-13 2024-06-01 Asml Netherlands Bv Metrological device
EP3582009A1 (en) 2018-06-15 2019-12-18 ASML Netherlands B.V. Reflector and method of manufacturing a reflector
KR20230137490A (ko) 2018-06-19 2023-10-04 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 제조 장치 및 연계된 장치를 제어하는 방법
EP3584637A1 (en) 2018-06-19 2019-12-25 ASML Netherlands B.V. Method for controlling a manufacturing apparatus and associated apparatuses
EP3588190A1 (en) 2018-06-25 2020-01-01 ASML Netherlands B.V. Method for performing a manufacturing process and associated apparatuses
EP3598235A1 (en) 2018-07-18 2020-01-22 ASML Netherlands B.V. Metrology apparatus and method for determining a characteristic relating to one or more structures on a substrate
CN112543892A (zh) 2018-07-26 2021-03-23 Asml荷兰有限公司 针对模拟系统的用于确定晶片的层的蚀刻轮廓的方法
NL2021852A (en) 2018-08-01 2018-11-09 Asml Netherlands Bv Metrology apparatus and method for determining a characteristic of one or more structures on a substrate
EP3605230A1 (en) 2018-08-01 2020-02-05 Stichting VU Metrology apparatus and method for determining a characteristic of one or more structures on a substrate
EP3611569A1 (en) 2018-08-16 2020-02-19 ASML Netherlands B.V. Metrology apparatus and photonic crystal fiber
EP3611570A1 (en) 2018-08-16 2020-02-19 ASML Netherlands B.V. Method for controlling a manufacturing process and associated apparatuses
TWI749355B (zh) 2018-08-17 2021-12-11 荷蘭商Ａｓｍｌ荷蘭公司 用於校正圖案化程序之度量衡資料之方法及相關的電腦程式產品
EP3614194A1 (en) 2018-08-24 2020-02-26 ASML Netherlands B.V. Matching pupil determination
CN112639622B (zh) 2018-09-04 2024-03-19 Asml荷兰有限公司 量测设备
EP3620857A1 (en) 2018-09-04 2020-03-11 ASML Netherlands B.V. Metrology apparatus
EP3623868A1 (en) 2018-09-12 2020-03-18 ASML Netherlands B.V. Metrology apparatus and method for determining a characteristic of one or more structures on a substrate
EP3623869A1 (en) 2018-09-14 2020-03-18 ASML Netherlands B.V. Method for measuring a parameter of a structure formed using a lithographic process
CN112740109B (zh) 2018-09-19 2024-04-30 Asml荷兰有限公司 用于位置量测的量测传感器
EP3627226A1 (en) 2018-09-20 2020-03-25 ASML Netherlands B.V. Optical system, metrology apparatus and associated method
EP3629086A1 (en) 2018-09-25 2020-04-01 ASML Netherlands B.V. Method and apparatus for determining a radiation beam intensity profile
EP3629087A1 (en) 2018-09-26 2020-04-01 ASML Netherlands B.V. Method of manufacturing devices
US11087065B2 (en) 2018-09-26 2021-08-10 Asml Netherlands B.V. Method of manufacturing devices
TW202020577A (zh) 2018-09-28 2020-06-01 荷蘭商Ａｓｍｌ荷蘭公司 基於晶圓量測判定熱點排序
WO2020074412A1 (en) 2018-10-08 2020-04-16 Asml Netherlands B.V. Metrology method, patterning device, apparatus and computer program
EP3637187A1 (en) 2018-10-12 2020-04-15 ASML Netherlands B.V. Method for measuring focus performance of a lithographic apparatus
EP3647874A1 (en) 2018-11-05 2020-05-06 ASML Netherlands B.V. Optical fibers and production methods therefor
US11999645B2 (en) 2018-10-24 2024-06-04 Asml Netherlands B.V. Optical fibers and production methods therefor
EP3647871A1 (en) 2018-10-31 2020-05-06 ASML Netherlands B.V. Method of determing a value of a parameter of interest of a patterning process, device manufacturing method
WO2020094385A1 (en) 2018-11-08 2020-05-14 Asml Netherlands B.V. Prediction of out of specification based on spatial characteristic of process variability
EP3650941A1 (en) 2018-11-12 2020-05-13 ASML Netherlands B.V. Method of determining the contribution of a processing apparatus to a substrate parameter
EP3654103A1 (en) 2018-11-14 2020-05-20 ASML Netherlands B.V. Method for obtaining training data for training a model of a semicondcutor manufacturing process
EP3654104A1 (en) 2018-11-16 2020-05-20 ASML Netherlands B.V. Method for monitoring lithographic apparatus
WO2020099050A1 (en) 2018-11-16 2020-05-22 Asml Netherlands B.V. Method for monitoring lithographic apparatus
EP3657256A1 (en) 2018-11-20 2020-05-27 ASML Netherlands B.V. Methods and patterning devices and apparatuses for measuring focus performance of a lithographic apparatus, device manufacturing method
EP3657257A1 (en) 2018-11-26 2020-05-27 ASML Netherlands B.V. Method for of measuring a focus parameter relating to a structure formed using a lithographic process
US12044980B2 (en) 2018-12-03 2024-07-23 Asml Netherlands B.V. Method of manufacturing devices
WO2020115125A1 (en) 2018-12-04 2020-06-11 Asml Netherlands B.V. A target for measuring a parameter of a lithographic process
EP3663856A1 (en) 2018-12-07 2020-06-10 ASML Netherlands B.V. Method for adjusting a target feature in a model of a patterning process based on local electric fields
CN113196173A (zh) 2018-12-14 2021-07-30 Asml荷兰有限公司 用于对图像图案分组以确定图案化过程中晶片行为的设备和方法
WO2020126266A1 (en) 2018-12-18 2020-06-25 Asml Netherlands B.V. Method of measuring a parameter of a patterning process, metrology apparatus, target
EP3671346A1 (en) 2018-12-18 2020-06-24 ASML Netherlands B.V. Method of measuring a parameter of a patterning process, metrology apparatus, target
CN113196177B (zh) 2018-12-20 2024-04-30 Asml荷兰有限公司 量测传感器、照射系统、和产生具有能够配置的照射斑直径的测量照射的方法
WO2020135988A1 (en) 2018-12-28 2020-07-02 Asml Netherlands B.V. Determining pattern ranking based on measurement feedback from printed substrate
US11892776B2 (en) 2018-12-31 2024-02-06 Asml Netherlands B.V. Imaging via zeroth order suppression
US20220082944A1 (en) 2018-12-31 2022-03-17 Asml Netherlands B.V. Method for metrology optimization
CN113227908B (zh) 2018-12-31 2024-08-02 Asml荷兰有限公司 量测方法
EP3715951A1 (en) 2019-03-28 2020-09-30 ASML Netherlands B.V. Position metrology apparatus and associated optical elements
WO2020141050A1 (en) 2018-12-31 2020-07-09 Asml Netherlands B.V. Position metrology apparatus and associated optical elements
KR20210091803A (ko) 2018-12-31 2021-07-22 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 오버레이 계측을 위한 방법 및 그 장치
CN113260926A (zh) 2019-01-03 2021-08-13 Asml荷兰有限公司 用于测量光刻设备的聚焦性能的方法、图案形成装置和设备、以及器件制造方法
US11333982B2 (en) 2019-01-28 2022-05-17 Kla Corporation Scaling metric for quantifying metrology sensitivity to process variation
EP3703114A1 (en) 2019-02-26 2020-09-02 ASML Netherlands B.V. Reflector manufacturing method and associated reflector
EP3702840A1 (en) 2019-03-01 2020-09-02 ASML Netherlands B.V. Alignment method and associated metrology device
EP3705945A1 (en) 2019-03-08 2020-09-09 ASML Netherlands B.V. Methods and apparatus for estimating substrate shape
WO2020193010A1 (en) 2019-03-22 2020-10-01 Asml Netherlands B.V. Method for controlling a lithographic apparatus and associated apparatuses
EP3764164A1 (en) 2019-07-11 2021-01-13 ASML Netherlands B.V. Method for controlling a lithographic apparatus and associated apparatuses
EP3715944A1 (en) 2019-03-25 2020-09-30 ASML Netherlands B.V. Frequency broadening apparatus and method
KR102636261B1 (ko) 2019-03-25 2024-02-13 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 주파수 확장 장치 및 방법
EP3948373A1 (en) 2019-04-03 2022-02-09 ASML Netherlands B.V. Optical fiber
EP3719551A1 (en) 2019-04-03 2020-10-07 ASML Netherlands B.V. Optical fiber
CN113678063A (zh) 2019-04-04 2021-11-19 Asml荷兰有限公司 光刻工艺的子场控制和相关设备
EP3734366A1 (en) 2019-05-03 2020-11-04 ASML Netherlands B.V. Sub-field control of a lithographic process and associated apparatus
CN113795792A (zh) 2019-05-06 2021-12-14 Asml荷兰有限公司 暗场显微镜
CN113811821B (zh) 2019-05-13 2024-05-28 Asml荷兰有限公司 用于同时获取物体的多个不同图像的检测设备
EP3739389A1 (en) 2019-05-17 2020-11-18 ASML Netherlands B.V. Metrology tools comprising aplanatic objective singlet
EP3751342A1 (en) 2019-06-13 2020-12-16 Stichting VU Metrology method and method for training a data structure for use in metrology
US20220299888A1 (en) 2019-06-17 2022-09-22 Asml Netherlands B.V. Metrology method and apparatus for of determining a complex-valued field
EP3754427A1 (en) 2019-06-17 2020-12-23 ASML Netherlands B.V. Metrology method and apparatus for of determining a complex-valued field
CN114008533A (zh) 2019-06-20 2022-02-01 Asml荷兰有限公司 用于图案化过程建模的方法
EP3767347A1 (en) 2019-07-17 2021-01-20 ASML Netherlands B.V. Mounted hollow-core fibre arrangement
KR20220008912A (ko) 2019-06-21 2022-01-21 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 장착된 중공 코어 섬유 배열체
KR20220016950A (ko) 2019-07-02 2022-02-10 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 계측 방법 및 연관된 계측, 그리고 리소그래피 장치
JP7482910B2 (ja) 2019-07-03 2024-05-14 エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． 半導体製造プロセスにおいて堆積モデルを適用する方法
WO2021001129A1 (en) 2019-07-04 2021-01-07 Asml Netherlands B.V. Sub-field control of a lithographic process and associated apparatus
EP3767391A1 (en) 2019-07-17 2021-01-20 ASML Netherlands B.V. Sub-field control of a lithographic process and associated apparatus
CN114080536A (zh) 2019-07-08 2022-02-22 Asml荷兰有限公司 量测方法和相关的计算机产品
EP3611567A3 (en) 2019-07-23 2020-05-13 ASML Netherlands B.V. Improvements in metrology targets
CN114174909A (zh) 2019-07-24 2022-03-11 Asml荷兰有限公司 辐射源
EP3796080A1 (en) 2019-09-18 2021-03-24 ASML Netherlands B.V. Radiation source
US11581264B2 (en) * 2019-08-21 2023-02-14 Micron Technology, Inc. Electronic devices comprising overlay marks, memory devices comprising overlay marks, and related methods
EP3783439A1 (en) 2019-08-22 2021-02-24 ASML Netherlands B.V. Metrology device and detection apparatus therefor
US20220283515A1 (en) 2019-08-30 2022-09-08 Asml Holding N.V. Metrology system and method
EP3786713A1 (en) 2019-09-02 2021-03-03 ASML Netherlands B.V. Metrology method and device for determining a complex-valued field
WO2021043516A1 (en) 2019-09-03 2021-03-11 Asml Netherlands B.V. Assembly for collimating broadband radiation
EP3792673A1 (en) 2019-09-16 2021-03-17 ASML Netherlands B.V. Assembly for collimating broadband radiation
CN114342564A (zh) 2019-09-05 2022-04-12 Asml荷兰有限公司 改进的高次谐波生成装置
EP3790364A1 (en) 2019-09-05 2021-03-10 ASML Netherlands B.V. An improved high harmonic generation apparatus
EP3792693A1 (en) 2019-09-16 2021-03-17 ASML Netherlands B.V. Sub-field control of a lithographic process and associated apparatus
CN114514465A (zh) 2019-09-18 2022-05-17 Asml荷兰有限公司 中空芯部光纤中的改进的宽带辐射生成
EP3796089A1 (en) 2019-09-18 2021-03-24 ASML Holding N.V. A method for filtering an image and associated metrology apparatus
EP3805857A1 (en) 2019-10-09 2021-04-14 ASML Netherlands B.V. Improved broadband radiation generation in hollow-core fibres
EP3798729A1 (en) 2019-09-26 2021-03-31 ASML Netherlands B.V. Method for inferring a processing parameter such as focus and associated appratuses and manufacturing method
WO2021063728A1 (en) 2019-10-02 2021-04-08 Asml Netherlands B.V. Process monitoring and tuning using prediction models
EP3839621A1 (en) 2019-12-16 2021-06-23 ASML Netherlands B.V. An illumination source and associated metrology apparatus
EP3809203A1 (en) 2019-10-17 2021-04-21 ASML Netherlands B.V. Methods of fitting measurement data to a model and modeling a performance parameter distribution and associated apparatuses
CN114830026A (zh) 2019-10-17 2022-07-29 Asml荷兰有限公司 照射源和相关的量测设备
CN114585970A (zh) 2019-10-17 2022-06-03 Asml荷兰有限公司 将测量数据拟合至模型和对性能参数分布建模的方法以及相关联的设备
EP3816721A1 (en) 2019-10-29 2021-05-05 ASML Netherlands B.V. Method and apparatus for efficient high harmonic generation
US12025925B2 (en) 2019-11-01 2024-07-02 Asml Netherlands B.V. Metrology method and lithographic apparatuses
WO2021089319A1 (en) 2019-11-05 2021-05-14 Asml Netherlands B.V. Measuring method and measuring apparatus
EP3869270A1 (en) 2020-02-18 2021-08-25 ASML Netherlands B.V. Assemblies and methods for guiding radiation
CN114641732A (zh) 2019-11-07 2022-06-17 Asml控股股份有限公司 用于清洁光刻设备的部分的系统
CN114641729A (zh) 2019-11-11 2022-06-17 Asml荷兰有限公司 用于光刻系统的校准方法
CN114766012A (zh) 2019-11-29 2022-07-19 Asml荷兰有限公司 用参数化模型预测过程信息的方法和系统
EP3828632A1 (en) 2019-11-29 2021-06-02 ASML Netherlands B.V. Method and system for predicting electric field images with a parameterized model
WO2021110391A1 (en) 2019-12-05 2021-06-10 Asml Netherlands B.V. Alignment method
WO2021115735A1 (en) 2019-12-12 2021-06-17 Asml Netherlands B.V. Alignment method and associated alignment and lithographic apparatuses
CN114868084A (zh) 2019-12-16 2022-08-05 Asml荷兰有限公司 量测方法和相关联的量测和光刻设备
EP3839635A1 (en) 2019-12-17 2021-06-23 ASML Netherlands B.V. Dark field digital holographic microscope and associated metrology method
CN114830043A (zh) 2019-12-17 2022-07-29 Asml荷兰有限公司 暗场数字全息显微镜和相关联的量测方法
US20230040124A1 (en) 2019-12-18 2023-02-09 Asml Netherlands B.V. Method for correcting measurements in the manufacture of integrated circuits and associated apparatuses
EP3851915A1 (en) 2020-01-14 2021-07-21 ASML Netherlands B.V. Method for correcting measurements in the manufacture of integrated circuits and associated apparatuses
CN114830038A (zh) 2019-12-19 2022-07-29 Asml荷兰有限公司 光学确定结构中不同层中金属特征之间的电接触
EP3839631A1 (en) 2019-12-19 2021-06-23 ASML Netherlands B.V. Determining relative positions of different layers in a structure
IL279727A (en) 2019-12-24 2021-06-30 Asml Netherlands Bv Method of determining information about pattern procedure, method of error reduction in measurement data, metrology process calibration method, method of selecting metrology targets
WO2021130315A1 (en) 2019-12-24 2021-07-01 Asml Netherlands B.V. Method of determining a value of a parameter of interest of a target formed by a patterning process
EP3865931A1 (en) 2020-02-12 2021-08-18 ASML Netherlands B.V. Method, assembly, and apparatus for improved control of broadband radiation generation
DK3851904T3 (da) 2020-01-15 2023-02-27 Asml Netherlands Bv Fremgangsmåde, anordning og apparat til forbedret styring af bredbåndsstrålingsgenerering
WO2021151565A1 (en) 2020-01-28 2021-08-05 Asml Netherlands B.V. Metrology method and associated metrology and lithographic apparatuses
EP3876037A1 (en) 2020-03-06 2021-09-08 ASML Netherlands B.V. Metrology method and device for measuring a periodic structure on a substrate
WO2021151754A1 (en) 2020-01-29 2021-08-05 Asml Netherlands B.V. Metrology method and device for measuring a periodic structure on a substrate
CN115023654A (zh) 2020-02-07 2022-09-06 Asml荷兰有限公司 工作台系统、工作台系统操作方法、检查工具、光刻设备、校准方法和装置制造方法
WO2021160365A1 (en) 2020-02-12 2021-08-19 Asml Netherlands B.V. Method for controlling a manufacturing process and associated apparatuses
EP3869271A1 (en) 2020-02-20 2021-08-25 ASML Netherlands B.V. Method for controlling a manufacturing process and associated apparatuses
US20230076218A1 (en) 2020-02-21 2023-03-09 Asml Netherlands B.V. Method for calibrating simulation process based on defect-based process window
EP3872567A1 (en) 2020-02-25 2021-09-01 ASML Netherlands B.V. Systems and methods for process metric aware process control
EP3879342A1 (en) 2020-03-10 2021-09-15 ASML Netherlands B.V. Method for inferring a local uniformity metric and associated appratuses
CN115210650A (zh) 2020-03-02 2022-10-18 Asml荷兰有限公司 用于推断局部均匀性度量的方法
EP3882701A1 (en) 2020-03-19 2021-09-22 ASML Netherlands B.V. Method for controlling a manufacturing process and associated apparatuses
CN115244467A (zh) 2020-03-03 2022-10-25 Asml荷兰有限公司 用于控制制造过程的方法和相关联的设备
EP3876036A1 (en) 2020-03-04 2021-09-08 ASML Netherlands B.V. Vibration isolation system and associated applications in lithography
EP3879343A1 (en) 2020-03-11 2021-09-15 ASML Netherlands B.V. Metrology measurement method and apparatus
EP3889681A1 (en) 2020-03-31 2021-10-06 ASML Netherlands B.V. An assembly including a non-linear element and a method of use thereof
WO2021224009A1 (en) 2020-05-07 2021-11-11 Asml Netherlands B.V. A substrate comprising a target arrangement, and associated at least one patterning device, lithographic method and metrology method
CN115668060A (zh) 2020-05-26 2023-01-31 Asml荷兰有限公司 用于优化采样方案的方法和相关设备
TWI792198B (zh) 2020-06-01 2023-02-11 荷蘭商Ａｓｍｌ控股公司 用於清潔微影設備之一部分之清潔工具及方法
WO2021250034A1 (en) 2020-06-09 2021-12-16 Asml Netherlands B.V. A target for measuring a parameter of a lithographic process
WO2021249711A1 (en) 2020-06-10 2021-12-16 Asml Netherlands B.V. Metrology method, metrology apparatus and lithographic apparatus
US20230259042A1 (en) 2020-06-24 2023-08-17 Asml Netherlands B.V. Metrology method and associated metrology and lithographic apparatuses
WO2022002599A1 (en) 2020-07-03 2022-01-06 Asml Netherlands B.V. Process window based on failure rate
WO2022008160A1 (en) 2020-07-06 2022-01-13 Asml Netherlands B.V. Illumination apparatus and associated metrology and lithographic apparatuses
CN115777084A (zh) 2020-07-09 2023-03-10 Asml荷兰有限公司 量测方法、设备和计算机程序
EP3945548A1 (en) 2020-07-30 2022-02-02 ASML Netherlands B.V. Method for classifying semiconductor wafers
EP3962241A1 (en) 2020-08-26 2022-03-02 ASML Netherlands B.V. An illumination source and associated metrology apparatus
US20230288818A1 (en) 2020-07-21 2023-09-14 ASML Netherlands B,V. An illumination source and associated metrology apparatus
EP3945367A1 (en) 2020-07-31 2022-02-02 ASML Netherlands B.V. Method for controlling a manufacturing process and associated apparatuses
WO2022017705A1 (en) 2020-07-22 2022-01-27 Asml Netherlands B.V. Method for controlling a manufacturing process and associated apparatuses
US20230305407A1 (en) 2020-07-28 2023-09-28 Asml Netherlands B.V. Methods and patterning devices and apparatuses for measuring focus performance of a lithographic apparatus, device manufacturing method
US20230341784A1 (en) 2020-08-11 2023-10-26 Asml Netherlands B.V. Method and apparatus for identifying contamination in a semiconductor fab
EP3961303A1 (en) 2020-08-27 2022-03-02 ASML Netherlands B.V. Method and apparatus for identifying contamination in a semiconductor fab
EP3958052A1 (en) 2020-08-20 2022-02-23 ASML Netherlands B.V. Metrology method for measuring an exposed pattern and associated metrology apparatus
EP3961304A1 (en) 2020-08-31 2022-03-02 ASML Netherlands B.V. Mapping metrics between manufacturing systems
EP3964809A1 (en) 2020-09-02 2022-03-09 Stichting VU Wavefront metrology sensor and mask therefor, method for optimizing a mask and associated apparatuses
EP3964892A1 (en) 2020-09-02 2022-03-09 Stichting VU Illumination arrangement and associated dark field digital holographic microscope
EP3988996A1 (en) 2020-10-20 2022-04-27 ASML Netherlands B.V. Hollow-core photonic crystal fiber based broadband radiation generator
WO2022048847A1 (en) 2020-09-03 2022-03-10 Asml Netherlands B.V. Hollow-core photonic crystal fiber based broadband radiation generator
EP3971555A1 (en) 2020-09-16 2022-03-23 ASML Netherlands B.V. Method of performing metrology
US20230280662A1 (en) 2020-09-16 2023-09-07 Asml Netherlands B.V. Method of performing metrology, method of training a machine learning model, method of providing a layer comprising a two-dimensional material, metrology apparatus
CN116209958A (zh) 2020-09-28 2023-06-02 Asml荷兰有限公司 目标结构以及相关联的方法和设备
WO2022063508A1 (en) 2020-09-28 2022-03-31 Asml Netherlands B.V. Metrology tool with position control of projection system
EP3978964A1 (en) 2020-10-01 2022-04-06 ASML Netherlands B.V. Achromatic optical relay arrangement
EP4002015A1 (en) 2020-11-16 2022-05-25 ASML Netherlands B.V. Dark field digital holographic microscope and associated metrology method
JP2023549656A (ja) 2020-11-17 2023-11-29 エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． メトロロジシステム及びリソグラフィシステム
CN116583785A (zh) 2020-11-24 2023-08-11 Asml荷兰有限公司 确定用于重叠特征标识的标记结构的方法
EP4006640A1 (en) 2020-11-26 2022-06-01 Stichting Nederlandse Wetenschappelijk Onderzoek Instituten Metrology apparatus and metrology methods based on high harmonic generation from a diffractive structure
WO2022111967A2 (en) 2020-11-27 2022-06-02 Asml Netherlands B.V. Metrology method and associated metrology and lithographic apparatuses
KR20230110738A (ko) 2020-11-30 2023-07-25 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 고차 고조파 생성에 기반한 계측 장치 및 관련 방법
EP4006641A1 (en) 2020-11-30 2022-06-01 Stichting Nederlandse Wetenschappelijk Onderzoek Instituten Metrology apparatus based on high harmonic generation and associated method
EP4009107A1 (en) 2020-12-01 2022-06-08 ASML Netherlands B.V. Method and apparatus for imaging nonstationary object
JP2023551776A (ja) 2020-12-08 2023-12-13 エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． メトロロジの方法及び関連装置
EP4012492A1 (en) 2020-12-10 2022-06-15 ASML Netherlands B.V. Hollow-core photonic crystal fiber based broadband radiation generator
JP2023553078A (ja) 2020-12-10 2023-12-20 エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． 中空コアフォトニック結晶ファイバに基づく広帯域放射生成器
EP4016186A1 (en) 2020-12-18 2022-06-22 ASML Netherlands B.V. Metrology method for measuring an etched trench and associated metrology apparatus
US20240004309A1 (en) 2020-12-21 2024-01-04 Asml Netherlands B.V. A method of monitoring a lithographic process
EP4017221A1 (en) 2020-12-21 2022-06-22 ASML Netherlands B.V. Methods and apparatus for controlling electron density distributions
EP4030236A1 (en) 2021-01-18 2022-07-20 ASML Netherlands B.V. A method of monitoring a lithographic process and associated apparatuses
EP4020084A1 (en) 2020-12-22 2022-06-29 ASML Netherlands B.V. Metrology method
EP4030230A1 (en) 2021-01-18 2022-07-20 ASML Netherlands B.V. Methods and apparatus for providing a broadband light source
IL303950A (en) 2020-12-23 2023-08-01 Asml Netherlands Bv Methods and devices for providing a broadband light source
CN112729113B (zh) * 2020-12-25 2022-03-18 长江存储科技有限责任公司 套合精度的测量方法及测量装置
EP4075340A1 (en) 2021-04-15 2022-10-19 ASML Netherlands B.V. Modular autoencoder model for manufacturing process parameter estimation
WO2022144203A1 (en) 2020-12-30 2022-07-07 Asml Netherlands B.V. Modular autoencoder model for manufacturing process parameter estimation
EP4075339A1 (en) 2021-04-15 2022-10-19 ASML Netherlands B.V. Modular autoencoder model for manufacturing process parameter estimation
EP4075341A1 (en) 2021-04-18 2022-10-19 ASML Netherlands B.V. Modular autoencoder model for manufacturing process parameter estimation
EP4030237A1 (en) 2021-01-19 2022-07-20 ASML Netherlands B.V. Metrology method and system and lithographic system
EP4036619A1 (en) 2021-01-27 2022-08-03 ASML Netherlands B.V. Hollow-core photonic crystal fiber
US20240053532A1 (en) 2021-01-27 2024-02-15 Asml Netherlands B.V. Hollow-core photonic crystal fiber
EP4036646A1 (en) 2021-01-29 2022-08-03 ASML Netherlands B.V. Metrology methods and appratuses
EP4040233A1 (en) 2021-02-03 2022-08-10 ASML Netherlands B.V. A method of determining a measurement recipe and associated metrology methods and appratuses
EP4067968A1 (en) 2021-03-29 2022-10-05 ASML Netherlands B.V. Methods and apparatuses for spatially filtering optical pulses
KR20230133870A (ko) 2021-02-04 2023-09-19 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 광학 펄스를 공간적으로 필터링하기 위한 방법 및 장치
EP4047400A1 (en) 2021-02-17 2022-08-24 ASML Netherlands B.V. Assembly for separating radiation in the far field
WO2022174991A1 (en) 2021-02-17 2022-08-25 Asml Netherlands B.V. Assembly for separating radiation in the far field
EP4057069A1 (en) 2021-03-11 2022-09-14 ASML Netherlands B.V. Methods and apparatus for characterizing a semiconductor manufacturing process
IL305428A (en) 2021-03-16 2023-10-01 Asml Netherlands Bv A radiation source based on hollow-core optical fibers
EP4086698A1 (en) 2021-05-06 2022-11-09 ASML Netherlands B.V. Hollow-core optical fiber based radiation source
EP4060408A1 (en) 2021-03-16 2022-09-21 ASML Netherlands B.V. Method and system for predicting process information with a parameterized model
EP4060403A1 (en) 2021-03-16 2022-09-21 ASML Netherlands B.V. Hollow-core photonic crystal fiber based multiple wavelength light source device
EP4063971A1 (en) 2021-03-22 2022-09-28 ASML Netherlands B.V. Digital holographic microscope and associated metrology method
IL305689A (en) 2021-03-22 2023-11-01 Asml Holding Nv Digital holographic microscope and associated metrological methods
EP4071553A1 (en) 2021-04-07 2022-10-12 ASML Netherlands B.V. Method of determining at least a target layout and associated metrology apparatus
JP2024514054A (ja) 2021-04-19 2024-03-28 エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． メトロロジツール較正方法及び関連するメトロロジツール
EP4080284A1 (en) 2021-04-19 2022-10-26 ASML Netherlands B.V. Metrology tool calibration method and associated metrology tool
EP4170421A1 (en) 2021-10-25 2023-04-26 ASML Netherlands B.V. A cleaning method and associated illumination source metrology apparatus
EP4330768A1 (en) 2021-04-26 2024-03-06 ASML Netherlands B.V. A cleaning method and associated illumination source metrology apparatus
JP2024519279A (ja) 2021-05-03 2024-05-10 エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． 広帯域放射を発生させるための光学素子
EP4105696A1 (en) 2021-06-15 2022-12-21 ASML Netherlands B.V. Optical element for generation of broadband radiation
CN117280281A (zh) 2021-05-04 2023-12-22 Asml荷兰有限公司 量测装置和光刻装置
EP4089484A1 (en) 2021-05-12 2022-11-16 ASML Netherlands B.V. System and method to ensure parameter measurement matching across metrology tools
US20240255279A1 (en) 2021-05-31 2024-08-01 Asml Netherlands B.V. Metrology measurement method and apparatus
IL308338A (en) 2021-05-31 2024-01-01 Asml Netherlands Bv Metrology method and integrated metrology tool
EP4187321A1 (en) 2021-11-24 2023-05-31 ASML Netherlands B.V. Metrology method and associated metrology tool
EP4134734A1 (en) 2021-08-11 2023-02-15 ASML Netherlands B.V. An illumination source and associated method apparatus
EP4356194A1 (en) 2021-06-14 2024-04-24 ASML Netherlands B.V. An illumination source and associated method apparatus
KR20240023593A (ko) 2021-06-18 2024-02-22 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 계측 방법 및 디바이스
EP4124909A1 (en) 2021-07-28 2023-02-01 ASML Netherlands B.V. Metrology method and device
EP4112572A1 (en) 2021-06-28 2023-01-04 ASML Netherlands B.V. Method of producing photonic crystal fibers
EP4113210A1 (en) 2021-07-01 2023-01-04 ASML Netherlands B.V. A method of monitoring a measurement recipe and associated metrology methods and apparatuses
CN117642701A (zh) 2021-07-16 2024-03-01 Asml荷兰有限公司 量测方法和设备
EP4374226A1 (en) 2021-07-20 2024-05-29 ASML Netherlands B.V. Methods and computer programs for data mapping for low dimensional data analysis
EP4130880A1 (en) 2021-08-03 2023-02-08 ASML Netherlands B.V. Methods of data mapping for low dimensional data analysis
KR20240036031A (ko) 2021-07-23 2024-03-19 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 계측 방법 및 계측 디바이스
EP4124911A1 (en) 2021-07-29 2023-02-01 ASML Netherlands B.V. Metrology method and metrology device
US20240302164A1 (en) 2021-08-02 2024-09-12 Asml Netherlands B.V. Optical element for use in metrology systems
WO2023012338A1 (en) 2021-08-06 2023-02-09 Asml Netherlands B.V. Metrology target, patterning device and metrology method
KR20240050358A (ko) 2021-08-18 2024-04-18 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 계측 방법 및 장치
US20240288747A1 (en) 2021-08-25 2024-08-29 Asml Netherlands B.V. Improved broadband radiation generation in photonic crystal or highly non-linear fibres
EP4163715A1 (en) 2021-10-05 2023-04-12 ASML Netherlands B.V. Improved broadband radiation generation in photonic crystal or highly non-linear fibres
EP4191337A1 (en) 2021-12-01 2023-06-07 ASML Netherlands B.V. A method of monitoring a lithographic process and associated apparatuses
KR20240056509A (ko) 2021-09-07 2024-04-30 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 리소그래피 공정을 모니터링하는 방법 및 관련된 장치
WO2023036521A1 (en) 2021-09-08 2023-03-16 Asml Netherlands B.V. Metrology method and associated metrology and lithographic apparatuses
EP4184426A1 (en) 2021-11-22 2023-05-24 ASML Netherlands B.V. Metrology method and device
KR20240067879A (ko) 2021-09-14 2024-05-17 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 계측 방법 및 장치
KR20240058872A (ko) 2021-09-15 2024-05-03 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 계측 데이터로부터의 소스 분리
WO2023046420A1 (en) 2021-09-22 2023-03-30 Asml Netherlands B.V. Source selection module and associated metrology and lithographic apparatuses
EP4155822A1 (en) 2021-09-28 2023-03-29 ASML Netherlands B.V. Metrology method and system and lithographic system
EP4163687A1 (en) 2021-10-06 2023-04-12 ASML Netherlands B.V. Fiber alignment monitoring tool and associated fiber alignment method
EP4167031A1 (en) 2021-10-18 2023-04-19 ASML Netherlands B.V. Method of determining a measurement recipe in a metrology method
EP4170429A1 (en) 2021-10-19 2023-04-26 ASML Netherlands B.V. Out-of-band leakage correction method and metrology apparatus
EP4170430A1 (en) 2021-10-25 2023-04-26 ASML Netherlands B.V. Metrology apparatus and metrology methods based on high harmonic generation from a diffractive structure
EP4174568A1 (en) 2021-11-01 2023-05-03 ASML Netherlands B.V. Hollow-core photonic crystal fiber based broadband radiation generator
EP4174577A1 (en) 2021-11-01 2023-05-03 ASML Netherlands B.V. Method of determining a performance parameter distribution
WO2023078619A1 (en) 2021-11-02 2023-05-11 Asml Netherlands B.V. Hollow-core photonic crystal fiber based broadband radiation generator
EP4174567A1 (en) 2021-11-02 2023-05-03 ASML Netherlands B.V. Hollow-core photonic crystal fiber based broadband radiation generator
EP4181018A1 (en) 2021-11-12 2023-05-17 ASML Netherlands B.V. Latent space synchronization of machine learning models for in-device metrology inference
EP4184250A1 (en) 2021-11-23 2023-05-24 ASML Netherlands B.V. Obtaining a parameter characterizing a fabrication process
EP4191338A1 (en) 2021-12-03 2023-06-07 ASML Netherlands B.V. Metrology calibration method
KR20240112971A (ko) 2021-12-09 2024-07-19 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 주변 패턴 및 공정 인식 메트롤로지
CN118401900A (zh) 2021-12-17 2024-07-26 Asml荷兰有限公司 用于不对称性引发的重叠误差的校正的机器学习模型
EP4202550A1 (en) 2021-12-22 2023-06-28 ASML Netherlands B.V. Substrate comprising a target arrangement, associated patterning device, lithographic method and metrology method
CN118511132A (zh) 2022-01-10 2024-08-16 Asml荷兰有限公司 机械控制的应力工程光学系统和方法
CN118591773A (zh) 2022-01-21 2024-09-03 Asml荷兰有限公司 用于检查光刻设备的部分的系统和方法
EP4224254A1 (en) 2022-02-04 2023-08-09 ASML Netherlands B.V. Metrology method and associated metrology device
EP4224255A1 (en) 2022-02-08 2023-08-09 ASML Netherlands B.V. Metrology method
WO2023151973A1 (en) 2022-02-10 2023-08-17 Asml Netherlands B.V. Systems and methods for generating sem-quality metrology data from optical metrology data using machine learning
WO2023160924A1 (en) 2022-02-22 2023-08-31 Asml Netherlands B.V. Method and apparatus for reflecting pulsed radiation
WO2023160925A1 (en) 2022-02-25 2023-08-31 Asml Netherlands B.V. Systems and methods for cleaning a portion of a lithography apparatus
EP4250010A1 (en) 2022-03-25 2023-09-27 ASML Netherlands B.V. Apparatus and methods for filtering measurement radiation
WO2023165783A1 (en) 2022-03-01 2023-09-07 Asml Netherlands B.V. Apparatus and methods for filtering measurement radiation
EP4242744A1 (en) 2022-03-09 2023-09-13 ASML Netherlands B.V. Method for correcting measurements in the manufacture of integrated circuits and associated apparatuses
EP4246231A1 (en) 2022-03-18 2023-09-20 Stichting VU A method for determining a vertical position of a structure on a substrate and associated apparatuses
WO2023174648A1 (en) 2022-03-18 2023-09-21 Stichting Vu Illumination arrangement for a metrology device and associated method
EP4246232A1 (en) 2022-03-18 2023-09-20 Stichting VU Illumination arrangement for a metrology device and associated method
EP4254068A1 (en) 2022-03-28 2023-10-04 ASML Netherlands B.V. Method for determining a spatial distribution of a parameter of interest over at least one substrate or portion thereof
EP4254266A1 (en) 2022-03-29 2023-10-04 ASML Netherlands B.V. Methods related to an autoencoder model or similar for manufacturing process parameter estimation
WO2023194036A1 (en) 2022-04-05 2023-10-12 Asml Netherlands B.V. Imaging method and metrology device
EP4296780A1 (en) 2022-06-24 2023-12-27 ASML Netherlands B.V. Imaging method and metrology device
EP4273622A1 (en) 2022-05-02 2023-11-08 ASML Netherlands B.V. Hollow-core optical fiber based radiation source
WO2023194049A1 (en) 2022-04-08 2023-10-12 Asml Netherlands B.V. Hollow-core optical fiber based radiation source
EP4261618A1 (en) 2022-04-14 2023-10-18 ASML Netherlands B.V. A method of determining a correction for control of a lithography and/or metrology process, and associated devices
WO2023208487A1 (en) 2022-04-25 2023-11-02 Asml Netherlands B.V. Source selection module and associated metrology apparatus
EP4279993A1 (en) 2022-05-18 2023-11-22 ASML Netherlands B.V. Source selection module and associated metrology apparatus
WO2023213527A1 (en) 2022-05-03 2023-11-09 Asml Netherlands B.V. Illumination mode selector and associated optical metrology tool
EP4276537A1 (en) 2022-05-09 2023-11-15 ASML Netherlands B.V. Illumination mode selector and associated optical metrology tool
WO2023222310A1 (en) 2022-05-16 2023-11-23 Asml Netherlands B.V. Method of optimizing maintenance of a lithographic apparatus
EP4279992A1 (en) 2022-05-18 2023-11-22 ASML Netherlands B.V. Method of optimizing maintenance of a lithographic apparatus
WO2023222349A1 (en) 2022-05-20 2023-11-23 Asml Netherlands B.V. Single pad overlay measurement
EP4279994A1 (en) 2022-05-20 2023-11-22 ASML Netherlands B.V. Illumination module and associated methods and metrology apparatus
WO2023222328A1 (en) 2022-05-20 2023-11-23 Asml Netherlands B.V. Illumination module and associated methods and metrology apparatus
WO2023222342A1 (en) 2022-05-20 2023-11-23 Asml Netherlands B.V. Measurement of fabrication parameters based on moiré interference pattern components
EP4303655A1 (en) 2022-07-04 2024-01-10 ASML Netherlands B.V. A membrane and associated method and apparatus
WO2023232360A1 (en) 2022-05-31 2023-12-07 Asml Netherlands B.V. Method for determining a failure event on a lithography system and associated failure detection module
WO2023232408A1 (en) 2022-05-31 2023-12-07 Asml Netherlands B.V. A membrane and associated method and apparatus
EP4328670A1 (en) 2022-08-23 2024-02-28 ASML Netherlands B.V. Method for parameter reconstruction of a metrology device and associated metrology device
WO2023232397A1 (en) 2022-06-02 2023-12-07 Asml Netherlands B.V. Method for aligning an illumination-detection system of a metrology device and associated metrology device
EP4296779A1 (en) 2022-06-21 2023-12-27 ASML Netherlands B.V. Method for aligning an illumination-detection system of a metrology device and associated metrology device
WO2023232478A1 (en) 2022-06-02 2023-12-07 Asml Netherlands B.V. Method for parameter reconstruction of a metrology device and associated metrology device
EP4289798A1 (en) 2022-06-07 2023-12-13 ASML Netherlands B.V. Method of producing photonic crystal fibers
EP4300193A1 (en) 2022-06-27 2024-01-03 ASML Netherlands B.V. Focus measurment and control in metrology and associated wedge arrangement
EP4300183A1 (en) 2022-06-30 2024-01-03 ASML Netherlands B.V. Apparatus for broadband radiation generation
EP4303658A1 (en) 2022-07-05 2024-01-10 ASML Netherlands B.V. Method of correction metrology signal data
WO2024012772A1 (en) 2022-07-14 2024-01-18 Asml Netherlands B.V. Metrology target and associated metrology method
EP4312005A1 (en) 2022-07-29 2024-01-31 Stichting VU Method and apparatuses for fourier transform spectrometry
EP4312079A1 (en) 2022-07-29 2024-01-31 ASML Netherlands B.V. Methods of mitigating crosstalk in metrology images
EP4318131A1 (en) 2022-08-01 2024-02-07 ASML Netherlands B.V. Sensor module, illuminator, metrology device and associated metrology method
WO2024033036A1 (en) 2022-08-08 2024-02-15 Asml Netherlands B.V. Metrology method and associated metrology device
EP4361726A1 (en) 2022-10-24 2024-05-01 ASML Netherlands B.V. Inference model training
WO2024033005A1 (en) 2022-08-09 2024-02-15 Asml Netherlands B.V. Inference model training
EP4321933A1 (en) 2022-08-09 2024-02-14 ASML Netherlands B.V. A radiation source
WO2024033035A1 (en) 2022-08-10 2024-02-15 Asml Netherlands B.V. Metrology method and associated metrology device
EP4332678A1 (en) 2022-09-05 2024-03-06 ASML Netherlands B.V. Holographic metrology apparatus and method
WO2024052057A1 (en) 2022-09-06 2024-03-14 Asml Netherlands B.V. Method for monitoring proper functioning of one or more components of a lithography system
CN115147596B (zh) * 2022-09-06 2023-04-07 南通鼎彩新材料科技有限公司 用于热收缩管生产工艺的辐照剂量控制方法及系统
WO2024052012A1 (en) 2022-09-07 2024-03-14 Asml Netherlands B.V. Metrology method and associated metrology device
EP4336262A1 (en) 2022-09-07 2024-03-13 ASML Netherlands B.V. Metrology method and associated metrology device
EP4336251A1 (en) 2022-09-12 2024-03-13 ASML Netherlands B.V. A multi-pass radiation device
WO2024056296A1 (en) 2022-09-13 2024-03-21 Asml Netherlands B.V. Metrology method and associated metrology device
EP4354224A1 (en) 2022-10-11 2024-04-17 ASML Netherlands B.V. Method for operating a detection system of a metrology device and associated metrology device
WO2024078813A1 (en) 2022-10-11 2024-04-18 Asml Netherlands B.V. An aberration correction optical system
EP4354200A1 (en) 2022-10-11 2024-04-17 ASML Netherlands B.V. An aberration correction optical system
EP4357853A1 (en) 2022-10-17 2024-04-24 ASML Netherlands B.V. Apparatus and methods for filtering measurement radiation
WO2024083559A1 (en) 2022-10-17 2024-04-25 Asml Netherlands B.V. Apparatus and methods for filtering measurement radiation
EP4361703A1 (en) 2022-10-27 2024-05-01 ASML Netherlands B.V. An illumination module for a metrology device
EP4372462A1 (en) 2022-11-16 2024-05-22 ASML Netherlands B.V. A broadband radiation source
EP4371949A1 (en) 2022-11-17 2024-05-22 ASML Netherlands B.V. A fiber manufacturing intermediate product and method of producing photonic crystal fibers
EP4371951A1 (en) 2022-11-17 2024-05-22 ASML Netherlands B.V. A method of producing photonic crystal fibers
EP4372463A1 (en) 2022-11-21 2024-05-22 ASML Netherlands B.V. Method and source modul for generating broadband radiation
EP4375744A1 (en) 2022-11-24 2024-05-29 ASML Netherlands B.V. Photonic integrated circuit for generating broadband radiation
WO2024115048A1 (en) 2022-12-02 2024-06-06 Asml Netherlands B.V. Method for labeling time series data relating to one or more machines
WO2024120709A1 (en) 2022-12-07 2024-06-13 Asml Netherlands B.V. Supercontinuum radiation source
WO2024153407A1 (en) 2023-01-16 2024-07-25 Asml Netherlands B.V. Focus metrology method and associated metrology device
EP4400913A1 (en) 2023-01-16 2024-07-17 ASML Netherlands B.V. Focus metrology method and associated metrology device
EP4407372A1 (en) 2023-01-30 2024-07-31 ASML Netherlands B.V. System and method for producing supercontinuum radiation
WO2024153591A1 (en) 2023-01-20 2024-07-25 Asml Netherlands B.V. Method and apparatus for patterning process performance determination
WO2024153392A1 (en) 2023-01-20 2024-07-25 Asml Netherlands B.V. System and method for producing supercontinuum radiation
WO2024160498A1 (en) 2023-01-30 2024-08-08 Asml Netherlands B.V. Method of performing a maintenance action on a lithographic apparatus
EP4414783A1 (en) 2023-02-09 2024-08-14 Stichting Nederlandse Wetenschappelijk Onderzoek Instituten Method for nonlinear optical measurement of parameter
WO2024170186A1 (en) 2023-02-13 2024-08-22 Asml Netherlands B.V. Reticle frontside potential control with clamp burl connection
WO2024170230A1 (en) 2023-02-13 2024-08-22 Asml Netherlands B.V. Metrology method and associated metrology tool
EP4414785A1 (en) 2023-02-13 2024-08-14 ASML Netherlands B.V. Metrology method with beams incident on a target at a plurality of different angles of incidence and associated metrology tool
EP4432007A1 (en) 2023-03-13 2024-09-18 ASML Netherlands B.V. Hollow-core optical fiber based radiation source
EP4431988A1 (en) 2023-03-13 2024-09-18 ASML Netherlands B.V. An illumination module for a metrology device

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008294094A (ja) * 2007-05-23 2008-12-04 Renesas Technology Corp 半導体集積回路装置の製造方法
WO2009078708A1 (en) * 2007-12-17 2009-06-25 Asml Netherlands B.V. Diffraction based overlay metrology tool and method

Family Cites Families (56)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3854539B2 (ja) * 2002-05-29 2006-12-06 株式会社日立ハイテクノロジーズ 半導体ウェハの微細パターンの寸法及び３次元形状測定方法とその測定装置
US5963329A (en) 1997-10-31 1999-10-05 International Business Machines Corporation Method and apparatus for measuring the profile of small repeating lines
JP2001174409A (ja) * 1999-12-15 2001-06-29 Internatl Business Mach Corp <Ibm> ２波長管、検査用照明装置、検査装置及び該方法
JP3368265B2 (ja) * 2000-03-02 2003-01-20 キヤノン株式会社 露光方法、露光装置、およびデバイス製造方法
IL138552A (en) * 2000-09-19 2006-08-01 Nova Measuring Instr Ltd Measurement of transverse displacement by optical method
KR100877022B1 (ko) * 2000-10-10 2009-01-07 가부시키가이샤 니콘 결상성능의 평가방법
JP2002131185A (ja) * 2000-10-20 2002-05-09 Nec Corp コマ収差の測定用マスク及びコマ収差の測定方法
US7515279B2 (en) 2001-03-02 2009-04-07 Nanometrics Incorporated Line profile asymmetry measurement
US6980300B1 (en) 2001-04-11 2005-12-27 Advanced Micro Devices, Inc. Method and apparatus for generating a polishing process endpoint signal using scatterometry
US6451700B1 (en) 2001-04-25 2002-09-17 Advanced Micro Devices, Inc. Method and apparatus for measuring planarity of a polished layer
WO2003001297A2 (en) * 2001-06-26 2003-01-03 Kla-Tencor Corporation Method for determining lithographic focus and exposure
US7382447B2 (en) * 2001-06-26 2008-06-03 Kla-Tencor Technologies Corporation Method for determining lithographic focus and exposure
US6773939B1 (en) 2001-07-02 2004-08-10 Advanced Micro Devices, Inc. Method and apparatus for determining critical dimension variation in a line structure
JP2003224057A (ja) * 2002-01-30 2003-08-08 Hitachi Ltd 半導体装置の製造方法
US7046376B2 (en) 2002-07-05 2006-05-16 Therma-Wave, Inc. Overlay targets with isolated, critical-dimension features and apparatus to measure overlay
US7352453B2 (en) * 2003-01-17 2008-04-01 Kla-Tencor Technologies Corporation Method for process optimization and control by comparison between 2 or more measured scatterometry signals
US6859746B1 (en) 2003-05-01 2005-02-22 Advanced Micro Devices, Inc. Methods of using adaptive sampling techniques based upon categorization of process variations, and system for performing same
US7508976B1 (en) 2003-12-29 2009-03-24 Nanometric Incorporated Local process variation correction for overlay measurement
JP4216220B2 (ja) * 2004-04-12 2009-01-28 株式会社 日立ディスプレイズ 液晶表示素子の製造方法
US7298496B2 (en) * 2004-05-21 2007-11-20 Zetetic Institute Apparatus and methods for overlay, alignment mark, and critical dimension metrologies based on optical interferometry
JP4658670B2 (ja) * 2004-05-26 2011-03-23 株式会社リコー 干渉露光装置および画像形成装置
US7791727B2 (en) * 2004-08-16 2010-09-07 Asml Netherlands B.V. Method and apparatus for angular-resolved spectroscopic lithography characterization
US7532307B2 (en) * 2005-06-30 2009-05-12 Asml Netherlands B.V. Focus determination method, device manufacturing method, and mask
US7528941B2 (en) * 2006-06-01 2009-05-05 Kla-Tencor Technolgies Corporation Order selected overlay metrology
US20080018897A1 (en) 2006-07-20 2008-01-24 Nanometrics Incorporated Methods and apparatuses for assessing overlay error on workpieces
US7532331B2 (en) * 2006-09-14 2009-05-12 Asml Netherlands B.V. Inspection method and apparatus, lithographic apparatus, lithographic processing cell and device manufacturing method
JP2008171960A (ja) * 2007-01-10 2008-07-24 Canon Inc 位置検出装置及び露光装置
US7858404B2 (en) * 2007-03-14 2010-12-28 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Measurement of overlay offset in semiconductor processing
US7570358B2 (en) * 2007-03-30 2009-08-04 Asml Netherlands Bv Angularly resolved scatterometer, inspection method, lithographic apparatus, lithographic processing cell device manufacturing method and alignment sensor
US8189195B2 (en) * 2007-05-09 2012-05-29 Asml Netherlands B.V. Inspection method and apparatus, lithographic apparatus, lithographic processing cell and device manufacturing method
CN100587608C (zh) * 2007-07-24 2010-02-03 上海微电子装备有限公司 一种用于光刻设备的对准系统
TWI347428B (en) * 2007-11-02 2011-08-21 Ind Tech Res Inst Overlay alignment structure and method for overlay metrology using the same
NL1036123A1 (nl) * 2007-11-13 2009-05-14 Asml Netherlands Bv Inspection method and apparatus, lithographic apparatus, lithographic processing cell and device manufacturing method.
NL1036857A1 (nl) * 2008-04-21 2009-10-22 Asml Netherlands Bv Inspection method and apparatus, lithographic apparatus, lithographic processing cell and device manufacturing method.
US20090296075A1 (en) 2008-05-29 2009-12-03 Nanometrics Incorporated Imaging Diffraction Based Overlay
NL1036905A1 (nl) * 2008-06-03 2009-12-04 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method.
JP2010079166A (ja) * 2008-09-29 2010-04-08 Casio Computer Co Ltd 音色指定装置、電子楽器及び音色指定処理のプログラム
JP2010087166A (ja) * 2008-09-30 2010-04-15 Toshiba Corp 露光装置の検査方法
US9182682B2 (en) * 2008-12-30 2015-11-10 Asml Netherlands B.V. Inspection method and apparatus, lithographic apparatus, lithographic processing cell and device manufacturing method
NL2004094A (en) * 2009-02-11 2010-08-12 Asml Netherlands Bv Inspection apparatus, lithographic apparatus, lithographic processing cell and inspection method.
NL2004656A (en) * 2009-05-12 2010-11-15 Asml Netherlands Bv Inspection method and apparatus, lithographic apparatus, lithographic processing cell and device manufacturing method.
US8848186B2 (en) * 2009-07-22 2014-09-30 Kla-Tencor Corporation Angle-resolved antisymmetric scatterometry
KR101429629B1 (ko) 2009-07-31 2014-08-12 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 계측 방법 및 장치, 리소그래피 시스템, 및 리소그래피 처리 셀
JP2013502592A (ja) * 2009-08-24 2013-01-24 エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． メトロロジ方法および装置、リソグラフィ装置、リソグラフィプロセシングセル、およびメトロロジターゲットを備える基板
US8896832B2 (en) * 2010-06-17 2014-11-25 Kla-Tencor Corp. Discrete polarization scatterometry
WO2012010458A1 (en) * 2010-07-19 2012-01-26 Asml Netherlands B.V. Method and apparatus for determining an overlay error
WO2012062501A1 (en) * 2010-11-12 2012-05-18 Asml Netherlands B.V. Metrology method and apparatus, and device manufacturing method
US9223227B2 (en) * 2011-02-11 2015-12-29 Asml Netherlands B.V. Inspection apparatus and method, lithographic apparatus, lithographic processing cell and device manufacturing method
NL2009004A (en) * 2011-07-20 2013-01-22 Asml Netherlands Bv Inspection method and apparatus, and lithographic apparatus.
NL2009079A (en) * 2011-08-23 2013-02-27 Asml Netherlands Bv Metrology method and apparatus, and device manufacturing method.
NL2009508A (en) * 2011-10-24 2013-04-25 Asml Netherlands Bv Metrology method and apparatus, and device manufacturing method.
NL2010401A (en) * 2012-03-27 2013-09-30 Asml Netherlands Bv Metrology method and apparatus, lithographic system and device manufacturing method.
NL2010717A (en) * 2012-05-21 2013-11-25 Asml Netherlands Bv Determining a structural parameter and correcting an asymmetry property.
JP6077647B2 (ja) * 2012-05-29 2017-02-08 エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． メトロロジー方法及び装置、基板、リソグラフィシステム並びにデバイス製造方法
NL2010905A (en) * 2012-06-22 2013-12-24 Asml Netherlands Bv Method of determining focus, inspection apparatus, patterning device, substrate and device manufacturing method.
NL2011181A (en) * 2012-08-16 2014-02-18 Asml Netherlands Bv Method and apparatus for measuring asymmetry of a microstructure, position measuring method, position measuring apparatus, lithographic apparatus and device manufacturing method.

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008294094A (ja) * 2007-05-23 2008-12-04 Renesas Technology Corp 半導体集積回路装置の製造方法
WO2009078708A1 (en) * 2007-12-17 2009-06-25 Asml Netherlands B.V. Diffraction based overlay metrology tool and method

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20170094429A (ko) * 2014-12-19 2017-08-17 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 비대칭 측정 방법, 검사 장치, 리소그래피 시스템 및 디바이스 제조 방법
KR101994385B1 (ko) 2014-12-19 2019-06-28 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 비대칭 측정 방법, 검사 장치, 리소그래피 시스템 및 디바이스 제조 방법

Also Published As

Publication number Publication date
KR20130106449A (ko) 2013-09-27
US9081303B2 (en) 2015-07-14
IL217288A (en) 2016-02-29
CN102498441A (zh) 2012-06-13
KR101461457B1 (ko) 2014-11-13
US20140139814A1 (en) 2014-05-22
JP2013501355A (ja) 2013-01-10
IL244012B (en) 2019-05-30
KR20120018227A (ko) 2012-02-29
JP5545782B2 (ja) 2014-07-09
NL2005162A (en) 2011-02-02
US8994944B2 (en) 2015-03-31
IL244012A0 (en) 2016-04-21
IL217288A0 (en) 2012-02-29
CN102498441B (zh) 2015-09-16
US20110027704A1 (en) 2011-02-03
JP2014030048A (ja) 2014-02-13
JP5695153B2 (ja) 2015-04-01
WO2011012624A1 (en) 2011-02-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101429629B1 (ko) 계측 방법 및 장치, 리소그래피 시스템, 및 리소그래피 처리 셀
US10591283B2 (en) Inspection method and apparatus, lithographic apparatus, lithographic processing cell and device manufacturing method
KR101129332B1 (ko) 검사 장치, 리소그래피 장치, 리소그래피 처리 셀 및 검사 방법
US7911612B2 (en) Inspection method and apparatus, lithographic apparatus, lithographic processing cell and device manufacturing method
US8891061B2 (en) Lithographic focus and dose measurement using a 2-D target
JP5391333B2 (ja) オーバレイ測定方法、リソグラフィ装置、検査装置、処理装置、及びリソグラフィ処理セル
US7710572B2 (en) Inspection method and apparatus, lithographic apparatus, lithographic processing cell and device manufacturing method
US8749775B2 (en) Inspection method and apparatus
JP5663027B2 (ja) 基板上のオブジェクトの概略構造を決定する方法、検査装置、コンピュータプログラム、及びコンピュータ可読媒体
US7724370B2 (en) Method of inspection, a method of manufacturing, an inspection apparatus, a substrate, a mask, a lithography apparatus and a lithographic cell
CN111065974B (zh) 用于在小量测目标上对准的拍频图案
US20110028004A1 (en) Inspection Method and Apparatus, Lithographic Apparatus, Lithographic Processing Cell and Device Manufacturing Method
US20240231247A1 (en) Metrology method and apparatus
NL2004995A (en) Method of determining overlay error and a device manufacturing method.

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
A107 Divisional application of patent
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20170728

Year of fee payment: 4