CN114641732A - 用于清洁光刻设备的部分的系统 - Google Patents

Abstract

所描述的系统包括清洁工具。所述清洁工具被配置为以第一配置插入光刻设备中，由所述光刻设备的工具处置器接合，并且用于清洁所述光刻设备的部分。所述清洁工具被配置为在由所述工具处置器接合之后从所述第一配置移动至扩展的第二配置，使得所述清洁工具在用于清洁所述光刻设备的所述部分时处于所述第二配置。所述系统包括容器，所述容器被配置为容纳处于所述第一配置的所述清洁工具并且装配至所述光刻设备中。所述清洁工具被配置为在所述容器中插入所述光刻设备中，由所述工具处置器从所述容器移出以用于所述清洁，并且在所述清洁之后借助于所述工具处置器返回至所述容器。

Description

用于清洁光刻设备的部分的系统

相关申请的交叉引用

本申请要求2019年11月7日递交的美国临时专利申请第62/931,864号的优先权，上述美国临时专利申请的全部内容以引用的方式并入本文中。

技术领域

本文中的描述总体上涉及用于清洁光刻设备的部分的系统和方法。

背景技术

光刻(例如，投影)设备可以用于例如制造集成电路(IC)。在这种情况下，图案形成装置(例如，掩模)可以包含或提供对应于IC(“设计布局”)的单独层的图案，并且可以通过诸如经由图案形成装置上的图案来照射已经涂覆有辐射敏感材料(“抗蚀剂”)层的衬底(例如，硅晶片)上的目标部分(例如，包括一个或更多个管芯)的方法将此图案转移至该目标部分上。通常，单个衬底包含多个相邻的目标部分，图案由光刻投影设备以一次一个目标部分的方式连续转移至所述多个相邻的目标部分。在一种类型的光刻投影设备中，在一个操作中将整个图案形成装置上的图案转移至一个目标部分上。这种设备通常被称作步进器。在通常被称作步进扫描设备的替代设备中，投影束在给定参考方向(“扫描”方向)上在整个图案形成装置上进行扫描，同时平行或反向平行于此参考方向同步地移动衬底。图案形成装置上的图案的不同部分被逐渐地转移至一个目标部分。通常，由于光刻投影设备将具有缩减比率M(例如，4)，所以衬底被移动的速度F将为投影束扫描图案形成装置的速度的1/M倍。可以例如从以引用的方式并入本文中的US 6,046,792搜集到关于如本文中描述的光刻装置的更多信息。

在将图案从图案形成装置转移至衬底之前，衬底可以经历各种工序，诸如，涂底料、抗蚀剂涂覆和软烘烤。在曝光之后，衬底可以经受其他工序(“曝光后工序”)，诸如曝光后烘烤(PEB)、显影、硬烘烤以及经转移图案的测量/检查。这一系列工序用作制造器件(例如，IC)的单独的层的基础。然后，衬底可以经历各种过程，诸如，蚀刻、离子注入(掺杂)、金属化、氧化、化学机械研磨等，这些过程都意图完成器件的单独的层。如果在器件中需要若干层，则针对每一层来重复整个工序或其变型。最终，在衬底上的每个目标部分中将存在器件。然后，通过诸如划片或锯切的技术来使这些器件彼此分离，据此，可以将单独的器件安装于载体上、连接至引脚等。

制造诸如半导体器件的器件通常涉及使用若干制作过程来处理衬底(例如，半导体晶片)以形成所述器件的各种特征和多个层。通常使用例如沉积、光刻、蚀刻、化学机械研磨、离子注入和/或其他过程来制造和处理此类层和特征。可以在衬底上的多个管芯上制作多个器件，并且然后将该多个器件分离成单独的器件。此器件制造过程可以被认为是图案形成过程。图案形成过程涉及使用光刻设备中的图案形成装置进行图案化步骤，诸如光学和/或纳米压印光刻，以将图案形成装置上的图案转移至衬底，并且图案形成过程通常但可选地涉及一个或更多个相关图案处理步骤，诸如通过显影装置进行抗蚀剂显影、使用烘烤工具来烘烤衬底、使用蚀刻装置而使用图案进行蚀刻等。通常在图案形成过程中涉及一个或更多个量测过程。

光刻是在诸如IC的器件的制造时的中心步骤，其中，形成于衬底上的图案定义器件的功能部件，诸如微处理器、存储器芯片等。相似的光刻技术也用于形成平板显示器、微机电系统(MEMS)和其他器件。

随着半导体制造过程继续进步，几十年来，功能部件的尺寸已经不断地减小，而每器件的诸如晶体管的功能部件的量已经在稳定地增加，这遵循通常被称作“摩尔定律”的趋势。在当前的先进技术下，使用光刻投影设备来制造器件的层，所述光刻投影设备使用来自深紫外照射源的照射将设计布局投影至衬底上，从而产生尺寸充分地低于100nm、即小于来自照射源(例如，193nm照射源)的辐射的波长的一半的单独的功能部件。

用于印刷具有小于光刻投影设备的经典分辨率极限的尺寸的特征的该过程根据分辨率公式CD＝k1×λ/NA而通常被称为低k₁光刻，其中，λ为所使用的辐射的波长(当前在大多数情况下为248nm或193nm)，NA为光刻投影设备中的投影光学器件的数值孔径，CD为“临界尺寸”(通常为所印刷的最小特征尺寸)，并且k₁为经验分辨率因子。通常，k₁越小，则在衬底上再生类似于由设计者规划的形状及尺寸以便实现特定电功能性及性能的图案变得越困难。为了克服这些困难，将复杂的微调步骤应用至光刻投影设备、设计布局或图案形成装置。这些步骤包括(例如，但不限于)NA和光学相干设定的优化、订制照射方案、相移图案形成装置的使用、设计布局中的光学邻近效应校正(OPC，有时也被称作“光学和过程校正”)，或通常被定义为“分辨率增强技术”(RET)的其他方法。如本文中使用的术语“投影光学器件”应该被广义地解释为涵盖各种类型的光学系统，包括例如折射型光学器件、反射型光学器件、孔径及反射折射型光学器件。术语“投影光学器件”也可以包括用于集体地或单个地引导、成形或控制投影辐射束的根据这些设计类型中的任一者而操作的部件。术语“投影光学器件”可以包括光刻投影设备中的任何光学部件，而不论光学部件位于光刻投影设备的光学路径上的何处。投影光学器件可以包括用于在来自源的辐射通过图案形成装置之前成形、调整和/或投影该辐射的光学部件，和/或用于在辐射通过图案形成装置之后成形、调整和/或投影该辐射的光学部件。投影光学器件通常排除源和图案形成装置。

发明内容

根据实施例，提供一种用于清洁光刻设备的部分的系统。所述系统包括清洁工具和/或其他部件。所述清洁工具被配置为以第一配置插入所述光刻设备中，由所述光刻设备的工具处置器接合，并且用于清洁所述光刻设备的所述部分。所述清洁工具被配置为在由所述工具处置器接合之后从所述第一配置移动至扩展的第二配置，使得所述清洁工具在用于清洁所述光刻设备的所述部分时处于所述第二配置。

在实施例中，所述系统还包括容器，所述容器被配置为容纳处于所述第一配置的所述清洁工具并且装配至所述光刻设备中。所述清洁工具被配置为插入所述光刻设备中，由所述工具处置器从所述容器移出以用于所述清洁，并且在所述清洁之后借助于所述工具处置器返回至所述容器。

在实施例中，所述清洁工具被配置为在所述清洁工具由所述工具处置器从所述容器移出以用于清洁时，从所述第一配置移动至所述第二配置。

在实施例中，所述清洁工具被配置为在所述清洁工具在清洁之后借助于所述工具处置器返回至所述容器时，从所述第二配置移动至所述第一配置。

在实施例中，所述容器包括一个或更多个收缩部件，所述一个或更多个收缩部件被配置为在所述清洁工具在所述清洁之后返回至所述容器时，促进所述清洁工具从所述第二配置收缩至所述第一配置。在实施例中，所述一个或更多个收缩部件包括所述容器中的脊部，所述脊部被配置为在所述清洁工具在所述清洁之后返回至所述容器时推压所述清洁工具。

在实施例中，所述光刻设备的所述部分包括掩模版台的掩模版夹具。

在实施例中，所述清洁工具包括清洁掩模版。

在实施例中，所述工具处置器包括掩模版处置器的转台夹紧器。

在实施例中，所述光刻设备被配置为用于深紫外(DUV)辐射。

在实施例中，所述第一配置包括相对于所述第二配置的收缩配置。

在实施例中，所述清洁工具包括由铰接接头联接的一个或更多个连杆，由铰接接头联接的所述一个或更多个连杆被配置为促进在所述第一配置与所述第二配置之间的扩展或收缩。在实施例中，所述清洁工具包括一个或更多个挠性部分，所述一个或更多个挠性部分被配置为促进在所述第一配置与所述第二配置之间的扩展或收缩。在实施例中，所述清洁工具包括一个或更多个旋转部分，所述一个或更多个旋转部分被配置为促进在所述第一配置与所述第二配置之间的扩展或收缩。

在实施例中，所述清洁工具包括一个或更多个工具处置器接合表面，所述一个或更多个工具处置器接合表面被配置为无论所述清洁工具是处于所述第一配置或所述第二配置，都保持处于与所述工具处置器对应的位置和定向上。

在实施例中，所述清洁工具包括一个或更多个清洁表面，所述一个或更多个清洁表面被配置为在所述清洁工具在所述第一配置与所述第二配置之间移动时相对于所述一个或更多个工具处置器接合表面移动。在实施例中，所述一个或更多个清洁表面被配置为在所述清洁工具处于所述第二配置时接触所述光刻设备的所述部分的一个或更多个目标表面以用于清洁。在实施例中，所述一个或更多个清洁表面被配置为在所述清洁工具处于所述第二配置时平行于所述一个或更多个目标表面。在实施例中，所述一个或更多个目标表面包括所述光刻设备的一个或更多个隔膜表面。

在实施例中，所述清洁工具包括：至少部分地由清洁材料覆盖的清洁表面；识别表面，所述识别表面位于所述清洁工具的相对于所述清洁表面的相反侧；以及位于所述清洁表面与所述识别表面之间的一个或更多个识别特征，所述一个或更多个识别特征通过所述识别表面是可见的。

在实施例中，所述清洁表面是不透明的，并且所述识别表面是透明的。

在实施例中，所述清洁工具包括位于所述清洁表面与所述识别表面之间的一个或更多个内表面。所述一个或更多个识别特征位于所述一个或更多个内表面上。

在实施例中，所述一个或更多个识别特征包括条形码和对准标记中的一个或两个。

在实施例中，所述清洁工具包括在所述清洁工具的内部位于所述清洁表面与所述识别表面之间的照射源。所述照射源被配置为提供照射使得所述一个或更多个识别特征通过所述识别表面是可见的。

在实施例中，所述照射源包括发光二极管(LED)。在实施例中，所述照射源包括照射引导件，所述照射引导件被配置为将来自所述LED的照射朝向所述一个或更多个识别特征引导并且引导通过所述识别表面。

在实施例中，所述照射源包括一个或更多个反射镜，所述一个或更多个反射镜被配置为将来自所述清洁工具下方的环境光通过所述清洁工具的内部朝向所述一个或更多个识别特征引导并且引导通过所述识别表面。

根据另一个实施例，提供一种用于利用清洁工具清洁光刻设备的部分的方法。所述方法包括：将所述清洁工具以第一配置插入所述光刻设备中；将所述清洁工具与所述光刻设备的工具处置器接合；将所述清洁工具从所述第一配置移动至扩展的第二配置；以及使用所述清洁工具以清洁所述光刻设备的所述部分。所述清洁工具在用于清洁所述光刻设备的所述部分时处于所述第二配置。

在实施例中，所述方法包括：在容器中容纳处于所述第一配置的所述清洁工具并且将在所述容器中的所述清洁工具插入所述光刻设备中，利用所述工具处置器从所述容器移出所述清洁工具以用于所述清洁，以及在所述清洁之后利用所述工具处置器将所述清洁工具返回至所述容器。

在实施例中，所述清洁工具被配置为在所述清洁工具由所述工具处置器从所述容器移出以用于清洁时，从所述第一配置移动至所述第二配置。

在实施例中，所述清洁工具被配置为在所述清洁工具在清洁之后借助于所述工具处置器返回至所述容器时，从所述第二配置移动至所述第一配置。

在实施例中，所述容器包括一个或更多个收缩部件。所述方法包括：在所述清洁工具在所述清洁之后被返回至所述容器时，利用收缩部件促进所述清洁工具从所述第二配置收缩至所述第一配置。

在实施例中，所述光刻设备的所述部分包括掩模版台的掩模版夹具。

在实施例中，所述清洁工具包括清洁掩模版。

在实施例中，所述工具处置器包括掩模版处置器的转台夹紧器。

在实施例中，所述光刻设备被配置为用于深紫外(DUV)辐射。

在实施例中，通过所述清洁工具中的由铰接接头联接的一个或更多个连杆促进所述移动，所述一个或更多个连杆被配置为促进在所述第一配置与所述第二配置之间的扩展或收缩。在实施例中，通过所述清洁工具的一个或更多个挠性部分促进所述移动，所述一个或更多个挠性部分被配置为促进在所述第一配置与所述第二配置之间的扩展或收缩。在实施例中，通过所述清洁工具的一个或更多个旋转部分促进所述移动，所述一个或更多个旋转部分被配置为促进在所述第一配置与所述第二配置之间的扩展或收缩。

在实施例中，所述方法包括：在所述清洁工具上提供至少部分地由清洁材料覆盖的清洁表面；在所述清洁工具上提供识别表面，所述识别表面位于所述清洁工具的相对于所述清洁表面的相反侧；在所述清洁工具上提供一个或更多个识别特征，所述一个或更多个识别特征在所述清洁工具的一个或更多个内表面上位于所述清洁表面与所述识别表面之间，所述一个或更多个识别特征通过所述识别表面是可见的；以及在所述清洁工具的内部中提供位于所述清洁表面与所述识别表面之间的照射源，所述照射源被配置为提供照射使得所述一个或更多个识别特征通过所述识别表面是可见的。

根据另一个实施例，提供一种计算机程序产品，所述计算机程序产品包括记录有指令的非暂时性计算机可读介质，所述指令在由计算机执行时实施以上所描述的方法中的任一种。

附图说明

并入本说明书中并构成本说明书的一部分的附图说明了一个或更多个实施例，并且连同本说明书一起解释这些实施例。现在将参见随附的示意性附图并仅作为示例来描述本发明的实施例，在附图中，对应的附图标记指示对应的部件，并且在附图中：

图1示意性地描绘根据实施例的光刻设备。

图2示意性地描绘根据实施例的光刻单元或簇的实施例。

图3A说明根据实施例的包括清洁工具、清洁工具容器、掩模版处置器的转台夹紧器、掩模版台的掩模版夹具和/或其他部件的光刻设备。

图3B为根据实施例的图3A中示出的光刻设备的一部分的放大视图。

图4说明根据实施例的图3A的光刻设备的掩模版处置器机器人夹紧器的夹持部分、清洁工具容器、清洁工具(例如，掩模版)和/或其他部件。

图5说明根据实施例的在无清洁工具容器或清洁工具的情况下的掩模版处置器机器人夹紧器的夹持部分。

图6说明根据实施例的夹紧在清洁工具容器中处于收缩配置的清洁工具的掩模版处置器的转台夹紧器。

图7说明根据实施例的将清洁工具移出清洁工具容器的掩模版处置器的转台夹紧器。

图8说明根据实施例的夹紧在容器中处于收缩配置的清洁工具的掩模版处置器的转台夹紧器的支脚的侧视图。

图9说明根据实施例的将清洁工具(处于扩展配置)的清洁表面移动为与目标表面接触的掩模版处置器的转台夹紧器，所述目标表面包括一个或更多个夹具、光刻设备的相关联的隔膜表面、和/或用于清洁的其他目标表面。

图10说明根据实施例的掩模版台、掩模版夹具和/或相关联的隔膜的俯视图。

图11说明根据实施例的清洁工具(例如，掩模版)的示例。

图12示出根据实施例的通过清洁工具(向上)看的转台夹紧器和转台夹紧器的支脚的视图。

图13说明根据实施例的清洁工具的分层版本的示例性实施例，该清洁工具具有在该清洁工具内部位于该清洁工具的清洁表面与识别表面之间的照射源。

图14说明根据实施例的用于清洁光刻设备的一部分的方法。

图15为根据实施例的示例性计算机系统的框图。

图16为根据实施例的类似于图1的光刻投影设备的示意图。

具体实施方式

通常，掩模或掩模版可以是覆盖有由不同的不透明材料限定的图案的透明材料块。各种掩模被馈送至光刻设备中并且用于形成半导体器件层。给定的掩模或掩模版上限定的图案对应于在半导体器件的一个或更多个层中产生的特征。多个掩模或掩模版经常在制造期间被自动地馈送至光刻设备中并且用于形成半导体器件的对应的层。光刻设备中的夹具(例如，掩模版台的掩模版夹具)在处理期间用于紧固掩模或掩模版。这些夹具需要周期性清洁。通常，清洁需要停止光刻设备和制造过程。由技术员手动地执行清洁并且清洁需要数个小时来完成。

有利地，本系统和方法提供被配置为用于在光刻设备继续操作的同时原位清洁光刻设备的夹具和/或相关联的隔膜的清洁工具。夹具包括被配置为支撑夹盘本体并且提供至夹盘本体的连接的若干部件。隔膜是夹具的与掩模版接触的部分。该清洁工具被配置为自动地插入光刻设备中并且由光刻设备处置，正如任何其他掩模或掩模版自动地插入光刻设备中并且由光刻设备处置一样。利用本清洁工具清洁光刻设备节省了与先前清洁方法相关联的数小时的停工时间。另外，在一些实施例中，本系统被配置为避免了通过从被清洁的(掩模版台掩模版)夹具和/或其关联的隔膜移除的材料污染光刻设备的其他部分(例如，掩模版处置器机器人夹紧器)，如下文中描述的。

在一些实施例中，清洁工具包括被配置为具有内部照射源的清洁掩模版。照射源被配置为照射内部清洁掩模版识别特征。识别特征被光刻设备的摄影机用于识别和追踪清洁掩模版的位置。有利地，照射源和内部识别特征允许清洁材料完全覆盖清洁掩模版的清洁表面，而不相对于摄影机遮蔽识别特征。另外，清洁掩模版的与清洁表面相反的外表面可以保持平滑以用于被光刻设备夹紧。

尽管在本文中可以特定地参考集成电路(IC)的制造，但是应该理解的是，本文中的描述具有许多其他可能的应用。例如，本文中的描述可以用于制造集成光学系统、用于磁畴存储器的引导及检测图案、液晶显示面板、薄膜磁头等。本领域技术人员将明白的是，在此类替代性应用的内容背景中，本文中对术语“掩模版”、“晶片”或“管芯”的任何使用应该被认为能够分别与更上位的术语“掩模”、“衬底”和“目标部分”互换。另外，可以认为本文中对术语“掩模版”或“掩模”的任何使用与更上位的术语“图案形成装置”同义。

作为引言，图1示意性地描绘了可以被包括于本系统和/或方法中和/或与本系统和/或方法相关联的光刻设备LA的实施例。该设备包括：照射系统(照射器)IL，该照射系统被配置为调节辐射束B(例如，UV辐射、DUV辐射或EUV辐射)；支撑结构(例如，掩模台)MT，该支撑结构被构造为支撑图案形成装置(例如，掩模)MA，并且连接至被配置为根据某些参数来准确地定位该图案形成装置的第一定位器PM；衬底台(例如，晶片台)WT(例如，WTa、WTb或此两者)，该衬底台被配置为保持衬底(例如，抗蚀剂涂覆晶片)W并且联接至被配置为根据某些参数来准确地定位该衬底的第二定位器PW；以及投影系统(例如，折射型投影透镜系统)PS，该投影系统被配置为将由图案形成装置MA赋予辐射束B的图案投影至衬底W的目标部分C(例如，包括一个或更多个管芯并且经常被称作场)上。投影系统被支撑于参考框架(RF)上。

如所描绘的，所述设备属于透射类型(例如，使用透射掩模)。可替代地，所述设备可以属于反射类型(例如，使用如上文所提及的类型的可编程反射镜阵列，或使用反射型掩模)。

照射器IL接收来自辐射源SO的辐射束。例如，当源为准分子激光其时，源和光刻设备可以是分立的实体。在此类情况下，不认为源形成光刻设备的部件，并且辐射束是借助于包括(例如)合适的引导镜和/或扩束器的束传送系统BD而从源SO传递至照射器IL。在其他情况下，例如，当源为汞灯时，源可以是设备的整体部件。源SO及照射器IL连同束传送系统BD在需要时可以被称作辐射系统。

照射器IL可以变更束的强度分布。照射器可以被配置以限制辐射束的径向范围，使得在照射器IL的光瞳平面中的环形区内的强度分布为非零的。另外或可替代地，照射器IL可以操作以限制束在光瞳平面中的分布，使得在光瞳平面中的多个同等间隔的区段中的强度分布为非零的。辐射束在照射器IL的光瞳平面中的强度分布可以被称作照射模式。

照射器IL可以包括被配置为调整束的(角度/空间)强度分布的调整器AD。通常，可以调整照射器的光瞳平面中的强度分布的至少外部径向范围和/或内部径向范围(通常分别被称作σ外部及σ内部)。照射器IL能够操作以改变束的角度分布。例如，照射器能够操作以变更光瞳平面中的强度分布为非零的区段的数目和角度范围。通过调整束在照射器的光瞳平面中的强度分布，可以实现不同的照射模式。例如，通过限制照射器IL的光瞳平面中的强度分布的径向和角度范围，强度分布可以具有多极分布，诸如(例如)偶极、四极或六极分布。可以例如通过将提供所述照射模式的光学器件插入照射器IL中或使用空间光调变器来获得期望的照射模式。

照射器IL能够操作以变更束的偏振并且能够操作以使用调整器AD来调整偏振。穿过照射器IL的光瞳平面的辐射束的偏振状态可以被称作偏振模式。使用不同的偏振模式可以允许在形成于衬底W上的图像中实现较大的对比度。辐射束可以是非偏振的。可替代地，照射器可以被配置以使辐射束线性地偏振。辐射束的偏振方向可以在整个照射器IL的光瞳平面上变化。辐射的偏振方向可以在照射器IL的光瞳平面中的不同的区中是不同的。可以依赖于照射模式来选择辐射的偏振状态。对于多极照射模式，辐射束的每个极的偏振可以大体上垂直于照射器IL的光瞳平面中的所述极的位置向量。例如，对于偶极照射模式，辐射可以在大体上垂直于将偶极的两个对置的区段二等分的线的方向上线性地偏振。辐射束可以在可以被称作X偏振状态和Y偏振状态的两个不同的正交方向中的一个上偏振。对于四极照射模式，每个极的区段中的辐射可以在大体上垂直于将所述区段二等分的线的方向上线性地偏振。此偏振模式可以被称作XY偏振。相似地，对于六极照射模式，每个极的区段中的辐射可以在大体上垂直于将所述区段二等分的线的方向上线性地偏振。此偏振模式可以被称作TE偏振。

另外，照射器IL通常包括各种其他部件，诸如，积光器IN和聚光器CO。照射系统可以包括用于引导、成形或控制辐射的各种类型的光学部件，诸如包括折射型、反射型、磁性型、电磁型、静电型或其他类型的光学部件或其任何组合。因此，照射器提供在横截面中具有期望的均匀性和强度分布的被调节的辐射束B。

支撑结构MT以依赖于图案形成装置的定向、光刻设备的设计和其他条件(诸如例如图案形成装置是否被保持于真空环境中)的方式来支撑图案形成装置。支撑结构可以使用机械、真空、静电或其他夹持技术来保持图案形成装置。支撑结构可以是例如框架或台，该框架或台可以视需要而固定或者是可移动的。支撑结构可以确保图案形成装置例如相对于投影系统处于期望的位置。

本文中使用的术语“图案形成装置”应该被广义地解释为指可以用于在衬底的目标部分中赋予图案的任何装置。在实施例中，图案形成装置是可以用于在辐射束的横截面中向辐射束赋予图案以在衬底的目标部分中产生图案的任何装置。应该注意的是，例如，如果被赋予辐射束的图案包括相移特征或所谓的辅助特征，则该图案可能不确切地对应于衬底的目标部分中的期望的图案。通常，被赋予辐射束的图案将对应于器件(诸如集成电路)的目标部分中产生的器件中的特定的功能层。

图案形成装置可以是透射型的或反射型的。图案形成装置的示例包括掩模、可编程反射镜阵列和可编程LCD面板。掩模在光刻中是公知的，并且包括诸如二元、交变相移和衰减相移的掩模类型，以及各种混合式掩模类型。可编程反射镜阵列的示例使用小型反射镜的矩阵配置，所述小型反射镜中的每一个都可以单独的地倾斜，以使入射辐射束在不同的方向上反射。倾斜的反射镜在由反射镜矩阵反射的辐射束中赋予图案。

本文中使用的术语“投影系统”应该被广义地解释为涵盖适于所使用的曝光辐射或适于诸如浸没液体的使用或真空的使用的其他因素的任何类型的投影系统，包括折射型、反射型、反射折射型、磁性型、电磁型及静电型光学系统，或其任何组合。可以认为本文中对术语“投影透镜”的任何使用都与更上位的术语“投影系统”同义。

投影系统PS具有可能非均匀的并且可能影响成像于衬底W上的图案的光学转移功能。对于非偏振辐射，可以由两个标量映射图来相当良好地描述这些效应，这两个标量映射图描述依据射出投影系统PS的辐射的光瞳平面中的位置而变化的该辐射的透射(变迹)和相对相位(像差)。可以将可以被称作透射映射图和相对相位映射图的这些标量映射图表达为基函数全集的线性组合。适宜的集合为泽尼克多项式，该泽尼克多项式形成单位圆上所定义的正交多项式的集合。每个标量映射图的确定可能涉及确定此展开式中的系数。由于泽尼克多项式在单位圆上是正交的，所以可以通过依次计算所测得的标量映射图与每个泽尼克多项式的内积并且将此内积除以所述泽尼克多项式的范数的平方来确定泽尼克系数。

透射映射图和相对相位映射图是场和系统依赖性的。即，通常，每个投影系统PS将针对每个场点(即，针对投影系统PS的图像平面中的每个空间位置)具有不同的泽尼克展开式。可以通过将例如来自投影系统PS的物体平面(即，图案形成装置MA的平面)中的类点源的辐射投影通过投影系统PS并且使用剪切干涉计来测量波前(即，具有相同的相位的点的轨迹)来确定投影系统PS在其光瞳平面中的相对相位。剪切干涉计是共同路径干涉计，并且因此，有利的是，无需次级参考束来测量波前。剪切干涉计可以包括：衍射光栅，例如投影系统的图像平面(即，衬底台WTa或WTb)中的二维栅格；以及检测器，该检测器被配置以检测与投影系统PS的光瞳平面共轭的平面中的干涉图案。干涉图案与辐射的相位相对于在剪切方向上的光瞳平面中的坐标的导数相关。检测器可以包括感测部件阵列，诸如(例如)电荷联接器件(CCD)。

光刻设备的投影系统PS可能不产生可见的条纹，并且因此，可以使用相位步进技术(诸如(例如)移动衍射光栅)来增强波前的确定的准确度。可以在衍射光栅的平面中并且在垂直于测量的扫描方向的方向上执行步进。步进范围可以是一个光栅周期，并且可以使用至少三个(均匀地分布的)相位步长。因此，例如，可以在y方向上执行三个扫描测量，在x方向上针对不同的位置执行每个扫描测量。衍射光栅的此步进将相位变化有效地变换成强度变化，从而允许确定相位信息。光栅可以在垂直于衍射光栅的方向(z方向)上步进以校准检测器。

可以在两个垂直方向上依次扫描衍射光栅，这两个垂直方向可以与投影系统PS的坐标系的轴线(x和y)重合，或者可以与这些轴线成诸如45度的角度。可以在整数个光栅周期(例如，一个光栅周期)上执行扫描。扫描对在一个方向上的相位变化求平均，从而允许重构在另一个方向上的相位变化。这允许依据两个方向来确定波前。

可以通过将例如来自投影系统PS的物体平面(即，图案形成装置MA的平面)中的类点源的辐射投影通过投影系统PS并且使用检测器来测量与投影系统PS的光瞳平面共轭的平面中的辐射强度以确定投影系统PS在该投影系统的光瞳平面中的透射(变迹)。可以使用与用于测量波前以确定像差的检测器相同的检测器。

投影系统PS可以包括多个光学(例如，透镜)部件并且可还包括调整机构，该调整机构被配置为调整光学部件中的一个或多个以校正像差(在整个场的整个光瞳平面上的相位变化)。为了实现此调整，调整机构能够操作而以一种或更多种不同的方式操控投影系统PS内的一个或更多个光学(例如，透镜)部件。投影系统可以具有坐标系，其中，所述投影系统的光轴在z方向上延伸。调整机构能够操作以进行以下各项的任何组合：使一个或更多个光学部件位移；使一个或更多个光学部件倾斜；和/或使一个或更多个光学部件变形。光学部件的位移可以在任何方向(x、y、z或其组合)上进行。光学部件的倾斜通常在垂直于光轴的平面外，通过围绕在x和/或y方向上的轴线旋转而进行，但对于非旋转对称的非球面光学部件可以使用围绕z轴的旋转。光学部件的变形可以包括低频形状(例如，像散)和/或高频形状(例如，自由形式的非球体)。可以例如通过使用一个或更多个致动器以对光学元件的一个或更多个侧施加力和/或通过使用一个或更多个加热元件以加热光学元件的一个或更多个选定区来执行光学元件的变形。通常，不可能调整投影系统PS以校正变迹(在整个光瞳平面上的透射变化)。可以在设计用于光刻设备LA的图案形成装置(例如，掩模)MA时使用投影系统PS的透射映射图。使用计算光刻技术，图案形成装置MA可以被设计为用于至少部分地校正变迹。

光刻设备可以属于具有两个(双平台)或更多个台(例如，两个或更多衬底台WTa、WTb、两个或更多个图案形成装置台、在没有专用于(例如)促进测量和/或清洁等的衬底的情况下在投影系统下方的衬底台WTa和台WTb)的类型。在这些“多平台”机器中，可以并行地使用额外的台，或可以对一个或更多个台进行预备步骤，同时将一个或更多个其他台用于曝光。例如，可以进行使用对准传感器AS的对准测量和/或使用水平传感器LS的水平(高度、倾角等)测量。

光刻设备也可以属于以下类型：其中，衬底的至少一部分可以由具有相对较高的折射率的液体(例如，水)覆盖，以填充投影系统与衬底之间的空间。也可以将浸没液体施加至光刻设备中的其他空间，例如位于图案形成装置与投影系统之间的空间。浸没技术在本领域中公知地用于增加投影系统的数值孔径。本文中使用的术语“浸没”不意味着诸如衬底的结构必须浸没于液体中，而是仅意味着液体在曝光期间位于投影系统与衬底之间。

在光刻设备的操作中，辐射束被调节并且由照射系统IL提供。辐射束B入射于被保持于支撑结构(例如，掩模台)MT上的图案形成装置(例如，掩模)MA上，并且由该图案形成装置形成图案。在已经横穿图案形成装置MA的情况下，辐射束B传递通过投影系统PS，投影系统PS将该束聚焦至衬底W的目标部分C上。借助于第二定位器PW和位置传感器IF(例如，干涉装置、线性编码器、2D编码器或电容式传感器)，可以准确地移动衬底台WT，例如以使不同的目标部分C定位于辐射束B的路径中。相似地，第一定位器PM和另一个位置传感器(另一个位置传感器未在图1中明确地描绘)可以用于例如在从掩模库机械获取之后或在扫描期间相对于辐射束B的路径来准确地定位图案形成装置MA。通常，可以借助于形成第一定位器PM的一部分的长行程模块(粗定位)和短行程模块(精定位)来实现支撑结构MT的移动。相似地，可以使用形成第二定位器PW的一部分的长行程模块和短行程模块来实现衬底台WT的移动。在步进器(相对于扫描仪)的情况下，支撑结构MT可以仅连接至短行程致动器，或者可以是固定的。可以使用图案形成装置对准标记M1、M2和衬底对准标记P1、P2来对准图案形成装置MA和衬底W。尽管如所说明的衬底对准标记占据了专用目标部分，但是所述衬底对准标记可以位于目标部分之间的空间中(这些标记被称为划线对准标记)。相似地，在多于一个管芯被提供于图案形成装置MA上的情形中，图案形成装置对准标记可以位于所述管芯之间。

所描绘的设备可以用于以下模式中的至少一者中：1.在步进模式中，在将被赋予辐射束的图案一次投影至目标部分C上时，使支撑结构MT和衬底台WT保持基本上静止(即，单次静态曝光)。然后，使衬底台WT在X和/或Y方向上移位，使得可以曝光不同的目标部分C。在步进模式中，曝光场的最大尺寸限制单次静态曝光中成像的目标部分C的尺寸。2.在扫描模式中，在将被赋予辐射束的图案投影至目标部分C上时，同步地扫描支撑结构MT和衬底台WT(即，单次动态曝光)。可以通过投影系统PS的放大率(缩小率)和图像翻转特性来确定衬底台WT相对于支撑结构MT的速度和方向。在扫描模式中，曝光场的最大尺寸限制单次动态曝光中的目标部分的宽度(在非扫描方向上)，而扫描运动的长度确定目标部分的高度(在扫描方向上)。3.在另一种模式中，在将被赋予辐射束的图案投影至目标部分C上时，使支撑结构MT保持基本上静止，从而保持可编程图案形成装置，并且移动或扫描衬底台WT。在此模式中，通常使用脉冲式辐射源，并且在衬底台WT的每次移动之后或在扫描期间的连续辐射脉冲之间根据需要来更新可编程图案形成装置。此操作模式可以易于应用于利用可编程图案形成装置(诸如上文所提及的类型的可编程反射镜阵列)的无掩模光刻。

也可以使用对上文所描述的使用模式的组合和/或变型或完全不同的使用模式。

可以在曝光之前或之后在例如轨道或涂覆显影系统(通常将抗蚀剂层施加至衬底并且显影被曝光的抗蚀剂的工具)或量测或检测工具中处理本文中提及的衬底。在适用的情况下，可以将本文中的披露内容应用于此类和其他衬底处理工具。另外，可以将衬底处理多于一次，例如以便产生多层IC，使得本文中使用的术语“衬底”也可以指已经包括多个被处理的层的衬底。

本文中使用的术语“辐射”和“束”涵盖所有类型的电磁辐射，包括紫外(UV)或深紫外(DUV)辐射(例如，具有365nm、248nm、193nm、157nm或126nm的波长)和极紫外(EUV)辐射(例如，具有在5nm至20nm的范围内的波长)，以及粒子束，诸如离子束或电子束。

图案形成装置上或由图案形成装置提供的各种图案可以具有不同过程窗口，即，将产生符合规格的图案所根据的处理变量的空间。关于潜在的系统性缺陷的图案规格的示例包括检查颈缩、线拉回、线薄化、CD、边缘放置、重叠、抗蚀剂顶部损耗、抗蚀剂底切和/或桥接。可以通过合并图案形成装置或其区域上的每个单独的图案的过程窗口(例如，使所述过程窗口重叠)来获得所述图案的过程窗口或其区域。图案组的过程窗口的边界包括单独的图案中的一些的过程窗口的边界。换句话说，这些单独的图案限制图案组的过程窗口。这些图案可以被称作“热点”或“过程窗口限制图案(PWLP)”，“热点”与“过程窗口限制图案(PWLP)”在本文中可以互换地使用。当控制图案形成过程的一部分时，有可能并且经济的是集中于热点。当热点没有缺陷时，最有可能的是，其他图案没有缺陷。

如图2中所示，光刻设备LA可以形成光刻单元LC(有时也被称作光刻元(lithocell)或簇)的一部分，光刻单元LC还包括用于对衬底执行曝光前过程和曝光后过程的设备。通常，这些设备包括用于沉积一个或更多个抗蚀剂层的一个或更多个旋涂器SC、用于显影被曝光的抗蚀剂的一个或更多个显影器、一个或更多个激冷板CH和/或一个或更多个烘烤板BK。衬底处置器或机器人RO从输入/输出端口I/O1、I/O2拾取一个或更多个衬底，在不同的过程设备之间移动衬底并且将衬底传送至光刻设备的装载台LB。经常被统称为轨道的这些设备由轨道控制单元TCU控制，轨道控制单元TCU自身由管理控制系统SCS控制，管理控制系统SCS也经由光刻控制单元LACU来控制光刻设备。因此，不同的设备可以被操作以使生产量和处理效率最大化。

为了正确且一致地曝光由光刻设备曝光的衬底和/或为了监测包括至少一个图案转移步骤(例如，光学光刻步骤)的图案形成过程(例如，器件制造过程)的一部分，需要检测衬底或其他物体来测量或确定一个或更多个特性，诸如对准、重叠(对准、重叠可以例如在上覆层中的结构之间或在已经例如通过双重图案形成过程而分别提供至该层的同一层中的结构之间)、线厚度、临界尺寸(CD)、焦点偏移、材料特性等。例如，(例如，本文中描述的)掩模版夹具上的污染物可能不利地影响重叠，这是因为在该污染物上夹持掩模版将会使掩模版失真。因此，定位有光刻单元LC的制造设施通常还包括量测系统，该量测系统测量已经在该光刻单元中处理的衬底W(图1)中的一些或全部或光刻单元中的其他物体。量测系统可以是光刻单元LC的一部分，例如，量测系统可以是光刻设备LA的一部分(诸如对准传感器AS(图1))。

例如，一个或更多个被测量的参数可以包括：形成于图案化的衬底中或上的连续层之间的对准、重叠、(例如)形成于图案化的衬底中或上的特征的临界尺寸(CD)(例如，临界线宽)、光学光刻步骤的聚焦或聚焦误差、光学光刻步骤的剂量或剂量误差、光学光刻步骤的光学像差等。可以对产品衬底自身的目标和/或对提供于衬底上的专用量测目标执行此测量。可以在抗蚀剂显影之后但在蚀刻之前、在蚀刻之后、在沉积之后和/或在其他时间执行测量。

存在用于对在图案形成过程中形成的结构进行测量的各种技术，包括使用扫描电子显微镜、以图像为基础的测量工具和/或各种特殊化工具。如上文中论述的，特殊化量测工具的快速且非侵入性形式是辐射束被引导至衬底的表面上的目标上并且测量散射的(衍射的/反射的)束的特性的量测工具。通过评估由衬底散射的辐射的一个或更多个特性，可以确定衬底的一个或更多个特性。这可以被称为以衍射为基础的量测。这种以衍射为基础的量测的一个此类应用是在目标内的特征不对称性的测量中。虽然此特征不对称性的测量可以用作例如重叠的量度，但是其他应用也是已知的。例如，可以通过比较衍射光谱的相反的部分(例如，比较周期性光栅的衍射光谱中的-1阶与+1阶)来测量不对称性。此量测可以如以上所描述地来完成，并且如例如全文以引用的方式并入本文中的美国专利申请公开案US2006-066855中所描述地来完成。以衍射为基础的量测的另一个应用是在目标内的特征宽度(CD)的量测中。

因此，在器件制作过程(例如，图案形成过程、光刻过程等)中，可以使衬底或其他物体在该过程期间或之后经受各种类型的测量。测量可以确定特定衬底是否有缺陷、可以建立对过程和用于过程中的设备的调整(例如，将衬底上的两个层对准或将图案形成装置对准至衬底)、可以测量过程和设备的性能，或可以用于其他目的。测量的示例包括光学成像(例如，光学显微镜)、非成像光学量测(例如，以衍射为基础的测量，诸如ASML YieldStar量测工具、ASML SMASH量测系统)、机械测量(例如，使用触控笔的剖面探测、原子力显微法(AFM))和/或非光学成像(例如，扫描电子显微法(SEM))。如全文以引用的方式并入本文中的美国专利第6,961,116号中描述的SMASH(智能型混合式对准传感器)系统使用自参考干涉计，该自参考干涉计产生对准标记物的两个重叠且相对旋转的图像、检测在使图像的傅里叶变换进行干涉的光瞳平面中的强度，并且从两个图像的衍射阶之间的相位差提取位置信息，该相位差表现为干涉阶中的强度变化。

可以将量测结果直接或间接地提供至管理控制系统SCS。如果检测到误差，则可以对后续衬底的曝光(尤其在可以足够迅速且快速地完成检测使得该批量的一个或更多个其他衬底仍待曝光的情况下)和/或对被曝光的衬底的后续曝光进行调整。此外，已经曝光的衬底可以被剥离和返工以改善良率，或被舍弃，由此避免对已知有缺陷的衬底执行进一步的处理。在衬底的仅一些目标部分有缺陷的情况下，可以仅对符合规格的那些目标部分执行进一步曝光。

在量测系统MET内，量测设备用于确定衬底的一个或更多个特性，并且尤其确定不同的衬底的一个或更多个特性如何变化或同一衬底的不同的层在不同的层间如何变化。如上文中提及的，量测设备可以集成至光刻设备LA或光刻单元LC中，或者可以是单独的装置。

为了实现量测，可以在衬底上提供一个或更多个目标。在实施例中，目标被专门设计并且可以包括周期性结构。在实施例中，目标是器件图案的一部分，例如是器件图案的周期性结构。在实施例中，器件图案是存储器器件的周期性结构(例如，双极晶体管(BPT)、位线接点(BLC)等结构)。

在实施例中，衬底上的目标可以包括一个或更多个一维周期性结构(例如，光栅)，该一维周期性结构被印刷为使得在显影之后，由固体抗蚀剂线形成周期性结构特征。在实施例中，目标可以包括一个或更多个二维周期性结构(例如，光栅)，该二维周期性结构被印刷为使得在显影之后，由抗蚀剂中的固体抗蚀剂导柱或通孔形成该一个或更多个周期性结构。栅条、柱或过孔可替代地被蚀刻至衬底中(例如，被蚀刻至衬底上的一个或更多个层中)。

在实施例中，图案形成过程的感兴趣的参数中的一个是重叠。可以使用暗场散射来测量重叠，其中，阻挡零阶衍射(对应于镜面反射)，并且仅处理高阶。可以在PCT专利申请公开案第WO2009/078708号和第WO2009/106279号中找到暗场量测的示例，所述专利申请公开案的全文以引用的方式并入本文中。美国专利申请公开案US2011-0027704、US2011-0043791和US2012-0242970中已经描述了该技术的进一步开发，所述专利申请公开案的全文以引用的方式并入本文中。使用衍射阶的暗场检测的以衍射为基础的重叠实现了对较小的目标的重叠测量。这些目标可以小于照射光点并且可以被衬底上的器件产品结构环绕。在实施例中，可以在一次辐射捕捉中测量多个目标。

随着光刻节点保持缩小，可以实施越来越复杂的晶片设计。可以由设计者使用各种工具和/或技术以确保复杂的设计被准确地转移至物理晶片。这些工具和技术可以包括掩模优化、源掩模优化(SMO)、OPC、用于控制的设计和/或其他工具和/或技术。例如，全文以引用的方式并入本文中的标题为“源、掩模和投影光学器件的优化流程(OptimizationFlows of Source，Mask and Projection Optics)”的美国专利第9,588,438号中描述了源掩模优化过程。

本系统和/或方法可以用作单机工具和/或技术，和/或结合其他半导体制造过程使用，以增强复杂的设计至物理晶片的准确的转移。

如上文中描述的，本系统包括被配置为在光刻设备继续操作时用于原位清洁光刻设备的一部分的清洁工具。例如，清洁工具可以仅替换插入光刻设备中的典型掩模版。光刻设备可以通过所替换阀掩模版的典型移动和/或位置移动清洁工具，使得光刻设备在操作期间无需对清洁工具的特殊调整。在一些实施例中，光刻设备的待清洁的部分包括掩模版台的掩模版夹具、相关联的隔膜和/或光刻设备的其他部分。清洁工具被配置为自动地插入光刻设备中并且由光刻设备处置(例如，移动、旋转等)，正如任何其他掩模或掩模版自动地插入光刻设备中并且由光刻设备处置一样。利用本清洁工具清洁光刻设备节省了与先前的清洁方法相关联的数小时停工时间。另外，本系统被配置为避免了通过从被清洁的(掩模版台掩模版)夹具移除的材料污染光刻设备的其他部分(例如，掩模版处置器机器人夹紧器)，如下文中描述的。清洁工具被配置为在容器中以收缩的第一配置插入光刻设备中，由光刻设备的工具处置器接合，并且用于清洁光刻设备的所述部分。清洁工具被配置为在由工具处置器接合之后在容器外部从收缩配置移动至扩展的第二配置，使得清洁工具在用于清洁光刻设备的所述部分时处于第二配置。

在一些实施例中，本系统包括清洁工具、被配置为容纳清洁工具的容器、和/或其他部件。作为非限制性示例，图3A和图3B说明光刻设备300(例如，相似于或相同于图1中示出的光刻设备)(的一部分)。图3A说明包括清洁工具302和清洁工具容器304和/或其他部件的本系统301；以及光刻设备300的包括工具处置器306、307、308、掩模版台310掩模版夹具312(仅一侧在图3A中可见)的各种部件，和/或其他部件。在一些实施例中，光刻设备300被配置为用于深紫外(DUV)光刻。在一些实施例中，清洁工具302包括清洁掩模版和/或其他部件。在一些实施例中，工具处置器306、307、308包括掩模版处置器的转台夹紧器306、掩模版处置器机器人夹紧器307(具有用于夹紧掩模版的相关联夹具等308)和/或其他部件。掩模版处置器机器人夹紧器307可以例如将掩模版从隔舱320移出(例如，在使用者将掩模版放置于隔舱320中之后)。例如，掩模版处置器的转台夹紧器306可以将掩模版从掩模版处置器机器人夹紧器307移动至掩模版夹具312。光刻设备300可以包括被配置为促进通过光刻设备300移动及控制清洁工具302和/或清洁工具容器304的各种其他机械部件322(平移机构、升降机构、旋转机构、马达、功率产生器和传输部件、结构部件等)。

清洁工具302被配置为在光刻设备300继续操作时用于原位清洁光刻设备300的夹具312和/或相关联的隔膜(例如，夹具的与掩模版的底面接触的隔膜)。容器304被配置为保持清洁工具302。清洁工具302及容器304被配置为自动地插入光刻设备300中并且由光刻设备300处置，正如任何其他掩模或掩模版316自动地插入光刻设备300中并且由光刻设备300处置一样。例如，清洁工具302和/或清洁工具容器304被设定大小和成形以使用典型插入方法在典型插入点318处插入光刻设备300中，正如任何其他掩模版316将插入设备300中一样。

图3B为设备300的一部分的放大视图。图3B示出清洁工具302、清洁工具容器304、掩模版处置器的转台夹紧器306、掩模版台310、掩模版台的掩模版夹具312(仅一侧在图3B中可见)、机械部件322、掩模版处置器机器人夹紧器307和/或其他部件。如图3B中所示，掩模版处置器的转台夹紧器306被配置为将清洁工具302和/或容器304从掩模版处置器机器人夹紧器307移动至掩模版台310掩模版夹具312，因此，清洁工具302可以用于在原位清洁夹具312。移动清洁工具302可以包括在水平、竖直和/或其他方向上将清洁工具朝向或远离夹具312移动。掩模版处置器的转台夹紧器306和/或掩模版处置器机器人夹紧器307可以包括各种马达、平移器、旋转部件、夹具、夹片、电源、功率传输部件、真空机构和/或促进清洁工具302和/或容器304的移动的其他部件。

由于掩模版处置器机器人夹紧器307内的体积约束，以及清洁掩模版台310掩模版夹具312所需的清洁表面的尺寸，清洁工具302被配置为具有大于容器304的内部体积和/或外部周边的用于清洁的扩展配置。例如，典型的掩模版装配在夹具312之间并且也装配在掩模版处置器机器人夹紧器307的夹持部分与转台夹紧器306内。然而，需要装配在夹紧器306和307的夹持部分内以用于被光刻设备300处置的清洁工具302也需要覆盖夹具312的至少一部分(而不是装配在它们之间)以用于清洁。

清洁工具302被配置为具有(第一)收缩配置，使得该清洁工具可以储存于容器304中(并且像任何其他掩模版一样移动通过设备300)。清洁工具302被配置为由掩模版处置器的转台夹紧器306从容器304移除以用于清洁。一旦由掩模版处置器的转台夹紧器306从容器304移除，清洁工具302就被配置为移动至(第二)扩展配置，该扩展配置具有适合于清洁工序的尺寸。换句话说，清洁工具302被配置为在清洁工具302由夹紧器306(工具处置器的一部分)从容器304移出以用于清洁时，从第一配置移动至第二配置。清洁工具302被配置为在容器304中返回至收缩配置，以用于被掩模版处置器机器人夹紧器307储存于光刻设备300中和/或从光刻设备300移除。容器304在清洁期间保持于掩模版处置器机器人夹紧器307中。清洁工具302被配置为在清洁之后由掩模版处置器的转台夹紧器306返回至容器304。换句话说，清洁工具302被配置为在清洁工具302在清洁之后由夹紧器306(工具处置器的另一部分)返回至容器304时从第二配置移动至第一配置。

图4说明掩模版处置器机器人夹紧器307的夹持部分400、清洁工具容器304、清洁工具(例如，掩模版)302和/或其他部件。如上文中描述的，掩模版处置器机器人夹紧器307被配置为在使用者将具有清洁工具302(或另一掩模版)的容器304放置于隔舱320(图3A)中之后，将具有清洁工具302的容器304从隔舱320移动至掩模版处置器的转台夹紧器306(图3A、图3B)。夹持部分400包括夹紧容器304的夹具308。容器304被配置为在清洁工具302处于(第一)收缩配置时容纳清洁工具302，并且装配至光刻设备300(图3A、图3B)(的隔舱)中。在图4中，清洁工具302在容器304内以收缩配置示出。在清洁工具302在容器304中呈收缩配置的情况下，清洁工具302可以像任何其他掩模版一样移动通过光刻设备300(图3A、图3B)。清洁工具302被配置为在容器304中插入光刻设备300中，由工具处置器(转台夹紧器)306从容器304移出以用于清洁，并且在清洁之后由工具处置器(转台夹紧器)306返回至容器304。

图5说明在没有清洁工具容器(例如，图4中示出的304)或清洁工具(例如，图4中示出的302)的情况下的掩模版处置器机器人夹紧器(例如，图3A和图3B中示出的307)的夹持部分400的两个视图500、502。视图502是夹持部分400的一个臂状物506的旋转505视图(用于提供对臂状物506的内部边缘的增强视图)。视图500和502说明夹持部分400的限制表面(banking surface)510。限制表面510可以是被配置为接触容器304和/或其他掩模版的夹持部分400的表面。清洁工具容器304被配置为保护掩模版处置器机器人夹紧器307的夹持部分400的限制表面510不与清洁工具(例如，掩模版)302的清洁表面接触。系统301(图3A、图3B和图4)被配置为使得掩模版处置器机器人夹紧器307的夹持部分400的限制表面510接触容器304的外表面。当清洁工具302在清洁之后返回至容器304时，由清洁工具302拾取的任何污染物都被保持在容器304内，而没有散布至设备300(图3A和图3B)的包括限制表面510的其他部分。这降低和/或大体上消除了污染设备300中的其他(例如，客户)掩模版和/或再污染掩模版台310(图3A)、夹具312(图3B)和/或其他部件的可能性。

返回至图4，在一些实施例中，清洁工具302包括一个或更多个工具处置器接合表面402和/或其他部件。接合表面402被配置为无论清洁工具302是处于收缩(例如，第一)配置或扩展(例如，第二)配置都保持在与工具处置器(例如，夹紧器306)对应的位置和定向上。在一些实施例中，清洁工具302包括一个或更多个清洁部分404，该一个或更多个清洁部分具有清洁表面(在部分404的下方或底部侧——在图4中不可见)。清洁部分404和/或清洁表面被配置为在清洁工具302在收缩(例如，第一)配置与扩展(例如，第二)配置之间移动时相对于工具处置器接合表面402移动。在一些实施例中，该移动可以是相对旋转和/或其他移动。在一些实施例中，清洁表面被配置为在清洁工具302处于扩展配置时接触光刻设备的所述部分的一个或更多个目标表面(例如，图3A和图3B中示出的夹具312和/或相关联的隔膜)以用于清洁。在一些实施例中，清洁表面被配置为在清洁工具302处于扩展配置时平行于一个或更多个目标表面。在一些实施例中，一个或更多个目标表面包括一个或更多个夹具312、光刻设备的相关联的隔膜表面、和/或其他目标表面。

图6和图7提供进一步的说明。图6说明夹紧容器304中的清洁工具302(呈收缩配置)的掩模版处置器的转台夹紧器306。图7说明将清洁工具302移出容器304的掩模版处置器的转台夹紧器306。响应于移出容器304，清洁工具302已经扩展至扩展配置。接合表面402被配置为无论清洁工具302是处于收缩(例如，如图6中所示)配置或扩展(例如，如图7中所示)配置，都保持在与夹紧器306的夹紧支脚600对应的位置和定向上。在此示例中，表面402保持彼此相距的对应于支脚600之间的距离的固定距离。表面402也保持垂直于支脚600以促进由支脚600进行的夹紧。清洁部分404具有清洁表面700(在部分404的下方或底部侧——如图7中所示)。清洁部分404和/或清洁表面700被配置为在清洁工具302在收缩(例如，图6)配置与扩展(例如，图7)配置之间移动时相对于工具处置器接合表面402移动(参见从图6至图7的转变)。在一些实施例中，清洁表面700可以固定至较大的掩模版结构(例如，通过涂覆、接合和/或其他操作)。在一些实施例中，清洁表面700可以是可移除的和/或可替换的独立的部件。在一些实施例中，清洁表面700被配置为在清洁工具302处于扩展配置(图7)时平行于光刻设备300(图3A和图3B)的一个或更多个目标表面。

在一些实施例中，如图7中所示，清洁工具302可以包括在清洁工具302的拐角处或附近的弹性体731和/或其他材料。弹性体731可以是联接至清洁工具302的弹性/阻尼材料。弹性体731可以在清洁期间限制清洁工具302的移动，利用掩模版缓冲器、掩模版处置器的转台夹紧器306的一部分、容器304的一部分来缓冲清洁工具302的冲击，和/或具有其他目的。

图8说明夹紧容器304中的清洁工具302(呈收缩配置)的掩模版处置器的转台夹紧器306的支脚600的侧视图。当从容器304移出清洁工具302时，清洁工具302扩展使得清洁工具302的尺寸820扩展822超出容器304的周边824。图9说明将清洁工具302(呈扩展配置)的清洁表面700移动为与目标表面接触的掩模版处置器的转台夹紧器306，所述目标表面包括一个或更多个夹具312、光刻设备的相关联的隔膜表面、和/或用于清洁的其他目标表面。如图9中所示，清洁工具302在被接触以进行清洁时可以大体上平行于夹具312。当与夹具312接触以进行清洁时，夹紧器306的质量和/或其他力可以帮助使清洁工具302保持与夹具312接触。

在一些实施例中，如图8和图9中所示，清洁工具302包括由铰接接头802联接的一个或更多个连杆800，该一个或更多个连杆被配置为促进在第一(收缩)配置与第二(扩展)配置之间的扩展或收缩。在一些实施例中，清洁工具302包括一个或更多个挠性部分，该一个或更多个挠性部分被配置为促进在第一配置与第二配置之间的扩展或收缩。在一些实施例中，清洁工具302包括一个或更多个旋转部分，该一个或更多个旋转部分被配置为促进在第一配置与第二配置之间的扩展或收缩。可以预期其他实施例。这些实施例可以实现允许清洁工具302从装配至容器304中的尺寸移动至适合于清洁掩模版台310掩模版夹具312和/或相关联的隔膜的尺寸的任何类型的扩展、收缩、变形、挠曲、形状改变和/或其他移动，如本文中描述的。当清洁工具302从容器304(图8)移动时，例如重力、弹簧、磁体和/或包括于清洁工具302中或作用于清洁工具302上的其他引起移动的机制可以使清洁工具302从收缩配置移动至扩展配置。

图10说明掩模版台310、掩模版夹具312和/或相关联的隔膜1052的俯视图1050、1060和1070。在一些实施例中，例如，夹具312和/或相关联的隔膜1052可以是由清洁工具302清洁的目标表面。通常，隔膜1052在印刷有条形码(和/或其他识别数据)的区域中与掩模版的底部接触。利用铬、MoSi或其他材料来施加印刷。当掩模版经由真空被夹持并且然后被扫描(例如，出于识别的目的)时，较高的接触压力可以启动掩模版材料与夹具312材料之间的分子水平键合。当分离时，掩模版材料的较小部分被拉出并且保持在隔膜1052的表面上。因此，需要清洁。实际上，掩模版处置器的转台夹紧器306(图10中未图示)将使处于其扩展形式的清洁工具(掩模版)302降低(例如，至页面中)至夹具312和/或相关联的隔膜1052上。

视图1060是视图1050的一部分的放大视图。视图1050和1060示出由夹具312保持的典型掩模版的尺寸1054。视图1070示出处于其扩展配置的清洁工具(例如，清洁掩模版)302(也在先前的附图中示出)的尺寸1072。尺寸1072足够大以接触夹具312和/或隔膜1052，以用于清洁。清洁工具302被配置为在尺寸1054与尺寸1072和/或其他尺寸之间扩展和收缩。在一些实施例中，如图10中所示，清洁工具302被配置为在单独的维度(例如，根据图10的定向为“x”或水平维度)上扩展。然而，在一些实施例中，清洁工具302可以被配置为在多于一个维度(例如，在“x”和“y”维度上)上扩展以适当地接合目标清洁表面。应该注意的是，在收缩的尺寸1054中，清洁工具302被配置为装配在容器304(如先前图中所示)中，因此清洁工具302可以在容器304中被装载至光刻设备300中以及移动通过光刻设备300，与典型的掩模版一样(例如，经由掩模版处置器的转台夹紧器306、掩模版处置器机器人夹紧器307、夹具308等)、和/或其他部件。

返回至图7，在一些实施例中，容器304包括托盘、平盘和/或其他结构。在一些实施例中，容器304的形状为大体上矩形或正方形，如图7中所示。在一些实施例中，容器具有被配置为使得容器304装配至如上文中描述的光刻设备300(图3A和图3B)中的长度722和/或宽度724。在一些实施例中，容器304具有基底表面720、侧壁726和/或其他部件。在一些实施例中，基底表面720可以是大体上平面的。在一些实施例中，如图7中所示，基底表面720可以被配置有一个或更多个不同的深度730。深度730可以容纳清洁工具302的一个或更多个实施例，例如使得容器304容纳清洁工具302。深度730可以被配置为使得容器304装配至光刻设备300中。在一些实施例中，容器304是由金属、聚合物、陶瓷和/或其他材料形成的。

在一些实施例中，容器304包括一个或更多个收缩部件702，该一个或更多个收缩部件被配置为在清洁工具302在清洁之后返回至容器304(例如，如图6中所示)时促进清洁工具302从扩展配置收缩至收缩配置。在一些实施例中，该一个或更多个收缩部件702包括容器304中的脊部，该脊部被配置为在清洁工具302在清洁之后返回至容器304时推压该清洁工具302。在一些实施例中，其他扩展构件包括但不限于由真空、气动、电机械致动的弹簧加载部件和/或其他构件。可以包括联接至容器304、清洁掩模版(工具)302和/或转台夹紧器306的磁体，并且所述磁体经由磁场提供原动力以扩展和/或收缩清洁掩模版302。应该注意的是，容器304的此描述不意图是限制性的。容器304可以具有任何形状、具有任何尺寸和/或特征，并且由允许其如本文中描述的起作用的任何材料制成。

图11说明清洁工具(例如，掩模版)302的示例。如上文中描述的，在一些实施例中，清洁工具302包括一个或更多个工具处置器接合表面和/或具有相对于彼此移动的清洁表面的清洁部分、由铰接接头联接的一个或更多个连杆、一个或更多个挠性部分、一个或更多个旋转部分，和/或被配置为促进在收缩(第一)配置与扩展(第二)配置之间扩展或收缩的其他部件。为了简单起见并且为了促进下文中的论述，图11将清洁工具说明为成形为矩形棱镜的单独的材料块。这不意图是限制性的。以下描述的原理和/或特征可以应用于图3A、图3B、图4和图6至图10中示出的清洁工具302的实施例，和/或可以被包括于清洁工具302的单独的实施例中。

在一些实施例中，清洁工具302的一个或更多个部分(例如，接合表面、清洁部分等)可以由透明或几乎透明的材料形成，诸如超低热膨胀石英(SFS)和/或其他材料。然而，该要求是用于光刻的。清洁掩模版(工具)302的制作可以利用任何数目种的材料，限制条件为：外部尺寸及品质遵循“用于硬质表面光学掩模衬底的SEMI标准P1(SEMI standard P1for Hard Surface Photomask Substrates)”。在一些实施例中，清洁工具302(如图11中所示)包括清洁表面1100(相似于和/或相同于以上所描述的清洁表面700)、识别表面1102、一个或更多个侧表面1104、和/或其他部件。识别表面是在清洁工具302相对于清洁表面1100的相反侧上，并且在如图11中所示的检视(识别)表面1102下方。在一些实施例中，清洁工具302还包括一个或更多个识别特征1106、1108。识别特征1106和1108可以包括预对准标记1106、条形码1108、和/或其他识别特征。清洁工具302被配置为使得识别特征1106和1108通过识别表面1102是可见的。

在一些实施例中，识别特征1106和1108可以位于清洁表面1100上，如图11中所示。在此类实施例中，清洁表面1100由清洁材料部分地覆盖。在一些实施例中，清洁材料包括一种或更多种不同的材料。用于清洁隔膜的材料可能依赖于待移除的污染物而变化。可以通过溅镀/气相沉积、接合和/或其他操作将清洁材料永久性施加至工具掩模版。用于光学器件/电子件/医疗器件的可商购的清洁材料也可以以被配置为能够移除和替换的方式接合或以其他方式附接。材料的示例包括但不限于编织聚酯、编织人造纤维、开孔或闭孔的聚乙烯发泡体等，和/或它们的某种组合。为了移除“松散”的粒子，可以使用双面胶带、聚酰亚胺胶带、阿基利斯(achillies)胶带等来利用“黏性”表面。清洁材料被配置为接触和清洁掩模版台310(图3A和图3B)掩模版夹具312(图3A和图3B)和/或如上文中描述的相关联的隔膜。在此类实施例中，清洁表面1100可以被配置为在清洁材料中具有对应于例如识别特征1106和1108的位置的间隙。可以通过在对应于识别特征1106和1108的位置的区域中切割和/或以其他方式移除清洁材料来产生所述间隙。清洁材料中的间隙可能会留下，这是因为清洁材料通常是不透明的或几乎不透明的，并且识别特征1106和1108被配置为由光刻设备300(图3A和图3B)中的摄影机使用照射读取，该照射从清洁工具302的清洁表面1100侧传递至清洁工具302中并且通过识别表面1102传递离开清洁工具302。在此实施例中，覆盖所有清洁表面1100的清洁材料将阻挡照射传递至清洁工具302中。(应该注意的是，或许有可能使用通孔来代替预对准标记1106，并且减轻对清洁材料中的间隙而不是对条形码1108的需要)。

在一些实施例中，大体上全部清洁表面1100可以覆盖有清洁材料。有利地，这使由清洁表面1100清洁的区域最大化。在此类实施例中，清洁工具302可以被配置有内部照射源，以及位于清洁表面1100与识别表面1102之间的识别特征1106和1108，使得识别特征1106和1108使用来自内部照射源的光通过识别表面是可见的。例如，在一些实施例中，清洁工具302包括在清洁表面1100识别表面1102之间的一个或更多个内表面。识别特征1106和1108可以位于这些内表面中的一个或更多个上。

作为非限制性示例，玻璃层可以形成识别表面1102。此玻璃层可以是掩模薄版，其中，识别特征1106和/或1108印刷于和/或以其他方式形成于玻璃层的内(面向清洁表面100的)侧上。这可以为转台夹紧器306(图3A和图3B)提供玻璃层的平滑且连续的相反(或外)表面1100。清洁工具302的剩余体积可以通过经由接合、光学接触、机械组装和/或其他操作来组装分层结构以被填充，以提供被配置为保持用于照射识别特征1106和/或1108的照射源的其他层和/或区域。然后，可以将清洁材料在清洁表面1100的任何部分上安装至清洁工具(例如，掩模版)302，这是因为清洁材料不阻挡读取识别特征1106和/或1108所需的照射。

有利地，将识别特征1106、1108和/或其他特征定位于内表面上会保持识别表面1102是平滑的和/或连续的以用于被转台夹紧器306(图3A和图3B)夹紧。例如，转台夹紧器306可能需要支脚600(图7至图9)与清洁工具302之间的特定的摩擦系数，以确保支脚600在被降低至清洁工具(例如，掩模版)302时被适当地安放。转台夹紧器306在抽真空以提升和/或以其他方式移动清洁工具(例如，掩模版)302时也可以需要连续的表面来密封。平滑的识别表面1102可以解决这些和其他问题。

作为说明，图12示出通过清洁工具302(向上)看的转台夹紧器306和支脚600的视图1200。图12还示出相对于识别特征1106(作为示例)定位的支脚600的放大视图1202和1204。如上文中描述的，转台夹紧器306的支脚600在抽真空以提升和/或以其他方式移动清洁工具(例如，掩模版)302时可能需要连续的表面来密封。

图13说明清洁工具302的分层版本的示例性实施例，该清洁工具具有在该清洁工具302的内部1302中位于清洁表面1100与识别表面1102之间的照射源1300。照射源1300被配置为提供照射使得一个或更多个识别特征1106和/或1108通过识别表面1102是可见的。在一些实施例中，照射源1300包括发光二极管(LED)。在一些实施例中，照射源1300包括照射引导件1304，该照射引导件被配置为将来自LED的照射朝向一个或更多个识别特征1106和/或1108引导并且引导通过识别表面1102。例如，如图13中所示，照射引导件1304可以包括靠近识别特征1106和/或1108而定位的一个或更多个空腔1305。照射引导件1304也可以包括被配置为将光引导经过识别特征1106和/或1108且通过识别表面1102引导出的各种通道、反射表面等。

在一些实施例中，代替LED和/或除了以外LED，照射源1300可以包括被配置为将环境光从环境氛围(例如，在清洁工具302下方)通过清洁工具302的内部1302朝向一个或更多个识别特征1106和/或1108引导并且引导通过识别表面1102的一个或更多个反射镜和/或其他反射表面。在一些实施例中，内部1302可以包括电能储存器件，诸如电池1320和/或用于照射源1300的其他电源、将电池1320联接至照射源1300的配线1322、被配置为向内部1302提供使用者访问的可移除式访问盖，和/或被配置为允许清洁工具302如本文中描述地起作用的其他部件。在一些实施例中，照射源1300可以是和/或包括被动照射装置，被动照射装置可以被配置为从掩模版的中心(掩模版的中心没有被覆盖)捕捉照射并且经由反射镜、透镜、棱镜和/或其他光学元件将所述照射向上引导通过识别标记。在一些实施例中，也可以通过“在黑暗中发光”油漆或其他相似的产品(诸如一小瓶氚和/或其他材料)提供照射。

图14说明用于清洁光刻设备的一部分的方法1400。例如，可以利用清洁系统来执行方法1400。在一些实施例中，清洁系统包括清洁工具、容器和/或其他部件。以下呈现的方法1400的操作意图是说明性的。在一些实施例中，方法1400可以用未描述的一个或更多个额外的操作和/或不用所论述的操作中的一个或更多个来实现。另外，在图14中说明的和在下文中描述的方法1400的操作的顺序不意图是限制性的。

在一些实施例中，方法1400的一个或更多个部分可以被实施于一个或更多个处理装置(例如，数字处理器、模拟处理器、被设计为处理信息的数字电路、被设计为处理信息的模拟电路、状态机和/或用于以电子方式处理信息的其他机构)中和/或由该一个或更多个处理装置控制。一个或更多个处理装置可以包括响应于以电子方式存储于电子存储介质上的指令而执行方法1400的操作中的一些或全部的一个或更多个装置。一个或更多个处理装置可以包括经由硬件、固件和/或软件而配置的一个或更多个装置，该一个或更多个装置被特定地设计以用于执行方法1400的操作中的一个或更多个(例如，参见以下关于图15的论述)。例如，一个或更多个处理装置可以执行被配置为执行致使执行本文中描述的操作中的一个或更多个的清洁程序的(例如，ASML Twinscan)软件。

在操作1402处，将清洁工具插入光刻设备中。在一些实施例中，光刻设备被配置为用于DUV辐射。在一些实施例中，清洁工具包括清洁掩模版。清洁工具在其插入光刻设备中时处于收缩的第一配置。清洁工具在其插入光刻设备中时处于容器中。在一些实施例中，操作1402是由光刻设备的工具处置器(例如，图3A和图3B中示出的和本文中描述的掩模版处置器机器人夹紧器307)和/或其他部件来执行的。

在操作1404处，通过光刻设备的工具处置器的第二部分来接合和移动清洁工具。在一些实施例中，工具处置器的第二部分可以是掩模版处置器的转台夹紧器和/或其他部件。在一些实施例中，操作1404是由相同于或相似于转台夹紧器306(如图3A和图3B中示出的和本文中描述的)的掩模版处置器的转台夹紧器来执行的。

在操作1406处，清洁工具从第一配置移动至扩展的第二配置。在一些实施例中，响应于清洁工具被工具处置器的第二部分(例如，转台夹紧器)提升至容器的外部，发生操作1406。在一些实施例中，通过清洁工具中的由铰接接头联接的一个或更多个连杆促进该移动，该一个或更多个连杆被配置为促进在第一配置与第二配置之间的扩展或收缩。在一些实施例中，通过清洁工具的一个或更多个挠性部分促进该移动，该一个或更多个挠性部分被配置为促进在第一配置与第二配置之间的扩展或收缩。在一些实施例中，通过清洁工具的一个或更多个旋转部分促进该移动，该一个或更多个旋转部分被配置为促进在第一配置与第二配置之间的扩展或收缩。在一些实施例中，操作1406由如上文中描述的清洁工具(例如，如图3A和图3B中示出的和本文中描述的清洁工具302)来执行。

在操作1408处，清洁工具用于清洁光刻设备的一部分。清洁工具在用于清洁光刻设备的所述部分时处于扩展的第二配置。在一些实施例中，光刻设备的所述部分包括掩模版台的掩模版夹具。在一些实施例中，操作1408由如上文中描述的清洁工具(例如，如图3A和图3B中示出的和本文中描述的清洁工具302)来执行。

在操作1410处，将清洁工具返回至容器。通过工具处置器的第二部分将清洁工具返回至容器。清洁工具被配置为在清洁工具在清洁之后由工具处置器的第二部分返回至容器时，从第二(扩展)配置移动至第一(收缩)配置。在一些实施例中，容器包括一个或更多个收缩部件。操作1410包括在清洁工具在清洁之后被返回至容器时，利用收缩部件促进清洁工具从第二配置收缩至第一配置。将清洁工具返回至容器由工具处置器的第二部分(例如，转台夹紧器)来执行。在一些实施例中，工具处置器的第二部分可以与(图3A和图3B中示出的和本文中描述的)转台夹紧器306相同或相似。

在一些实施例中，方法1400包括(例如，如上文关于图11至图13中描述的)：在清洁工具上提供至少部分地由清洁材料覆盖的清洁表面；在清洁工具上提供识别表面，该识别表面在该清洁工具的相对于清洁表面的相反侧上；在清洁工具上提供一个或更多个识别特征，该一个或更多个识别特征在清洁工具的一个或更多个内表面上位于清洁表面与识别表面之间，该一个或更多个识别特征通过该识别表面是可见的；在清洁工具的内部提供位于清洁表面与识别表面之间的照射源，该照射源被配置为提供照射使得该一个或更多个识别特征通过该识别表面是可见的；和/或其他操作。

图15为说明可以辅助实施本文中披露的方法、流程、或一个或更多个系统的计算机系统100的框图。计算机系统100包括用于传达信息的总线102或其他通信机构，以及与总线102联接以用于处理信息的处理器104(或多个处理器104和105)。计算机系统100还包括联接至总线102以用于存储待由处理器104执行的信息和指令的主存储器106，诸如随机存取存储器(RAM)或其他动态存储装置。主存储器106也可以用于在待由处理器104执行的指令的执行期间存储暂时性变量或其他中间信息。计算机系统100还包括联接至总线102以用于存储用于处理器104的静态信息和指令的只读存储器(ROM)108或其他静态存储装置。提供诸如磁盘或光盘的存储装置110，并且存储装置110联接至总线102以用于存储信息和指令。

计算机系统100可以经由总线102联接至用于向计算机用户显示信息的显示器112，诸如阴极射线管(CRT)或平板显示器或触控面板显示器。包括字母按键和其他按键的输入装置114联接至总线102以用于将信息和命令选择传达至处理器104。另一类型的使用者输入装置为用于将方向信息和命令选择传达至处理器104并且用于控制显示器112上的光标移动的光标控制件116，诸如鼠标、轨迹球或光标方向按键。该输入装置通常具有在两个轴线(第一轴线(例如，x)和第二轴线(例如，y))中的两个自由度，这允许该装置指定在平面中的位置。触控面板(屏幕)显示器也可以用作输入装置。

根据一个实施例，可以由计算机系统100响应于处理器104执行主存储器106中包含的一个或更多个指令的一个或更多个序列而执行本文中描述的一个或更多个方法的一部分。可以将此类指令从另一个计算机可读介质(诸如存储装置110)读取至主存储器106中。主存储器106中所包含的指令序列的执行使处理器104执行本文中描述的程序步骤。呈多处理配置的一个或更多个处理器也可以用于执行主存储器106中包含的指令序列。在可替代的实施例中，可以代替或结合软件指令来使用硬联线电路。因此，本文中的描述不限于硬件电路和软件的任何特定的组合。

本文中使用的术语“计算机可读介质”是指参与将指令提供至处理器104以用于执行的任何介质。此介质可以采用许多形式，包括但不限于非易失性介质、易失性介质和传输介质。非易失性介质包括例如光盘或磁盘，诸如存储装置110。易失性介质包括动态存储器，诸如主存储器106。传输介质包括同轴缆线、铜线和光纤，包括配线，该配线包括总线102。传输介质也可以采用声波或光波的形式，诸如在射频(RF)和红外(IR)数据通信期间产生的声波或光波。计算机可读介质的常见形式包括例如软盘、柔性磁盘、硬盘、磁带、任何其他磁性介质、CD-ROM、DVD、任何其他光学介质、打孔卡、纸带、具有孔图案的任何其他物理介质、RAM、PROM和EPROM、FLASH-EPROM、任何其他存储器芯片或卡匣、如下文中描述的载波，或可以由计算机读取的任何其他介质。

可以在将一个或更多个指令的一个或更多个序列携载至处理器104以用于执行时涉及计算机可读介质的各种形式。例如，最初可以将所述指令承载于远程计算机的磁盘上。远程计算机可以将指令加载至其动态存储器中，并且使用调制解调器经由电话线发送指令。在计算机系统100本地的调制解调器可以接收电话线上的数据，并且使用红外传输器以将数据转换成红外信号。联接至总线102的红外检测器可以接收红外信号中携载的数据并且将数据放置于总线102上。总线102将数据携载至主存储器106，处理器104从该主存储器106获取和执行指令。由主存储器106接收的指令可以可选地在由处理器104执行之前或之后存储于存储装置110上。

计算机系统100也可以包括联接至总线102的通信接口118。通信接口118提供对网络链路120的双向数据通信联接，网络链路120连接至局域网络122。例如，通信接口118可以是综合业务数字网(ISDN)卡或调制解调器以提供至对应类型的电话线的数据通信连接。作为另一个示例，通信接口118可以是局域网络(LAN)卡以提供对兼容LAN的数据通信连接。也可以实施无线链路。在任何此类实施中，通信接口118发送并且接收携载表示各种类型的信息的数字数据串流的电信号、电磁信号或光学信号。

网络链路120通常经由一个或更多个网络向其他数据装置提供数据通信。例如，网络链路120可以经由局域网络122向主计算机124提供连接或向由因特网服务提供商(ISP)126操作的数据设备提供连接。ISP 126又经由全球封包数据通信网络(现在通常被称作“因特网”)128提供数据通信服务。局域网络122和因特网128两者都使用携载数字数据串流的电信号、电磁信号或光学信号。经由各种网络的信号和在网络链路120上并且经由通信接口118的信号(所述信号将数字数据携载至计算机系统100和携载来自计算机系统100的数字数据)为输送信息的载波的示例性形式。

计算机系统100可以经由一个或更多个网络、网络链路120和通信接口118发送消息以及接收数据，包括程序代码。在因特网的示例中，服务器130可能经由因特网128、ISP126、局域网络122和通信接口118传输用于应用程序的被请求的程序代码。一个此类被下载的应用程序可以提供例如本文中描述的方法的全部或一部分。被接收的程序代码可以在它被接收时由处理器104执行，和/或存储于存储装置110或其他非易失性存储器中以用于稍后执行。这样，计算机系统100可以获得呈载波的形式的应用程序代码。

图16示意性地描绘可以与本文中描述的技术结合使用的与图1、图3A和/或图3B中示出的设备相似和/或相同的示例性光刻投影设备1000。设备1000通常可以表示例如具有双扫描设定的DUV设备(此示例不意图是限制性的)。该设备包括：

-照射系统IL，该照射系统用于调节辐射束B。在此特定情况下，照射系统还包括辐射源SO；

-第一平台(例如，图案形成装置台)MT，该第一平台具备用于保持图案形成装置MA(例如，掩模版)的图案形成装置保持器，并且连接至用于相对于物品PS来准确地定位该图案形成装置的第一定位器；

-第二平台(衬底台)WT，该第二平台具备用于保持衬底W(例如，涂覆有抗蚀剂的硅晶片)的衬底保持器，并且连接至用于相对于物品PS来准确地定位该衬底的第二定位器；

-投影系统(“透镜”)PS(例如，折射型、反射型或反射折射型光学系统)，该投影系统用于将图案形成装置MA的被照射的部分成像至衬底W的目标部分C(例如，包括一个或更多个管芯)上。

如本文中描绘的，所述设备属于透射类型(即，具有透射型图案形成装置)。然而，通常，所述设备也可以属于反射类型，例如(具有反射型图案形成装置)。所述设备可以使用与经典掩模不同种类的图案形成装置；示例包括可编程反射镜阵列或LCD矩阵。

源SO(例如，汞灯或准分子激光器、激光产生等离子体(LPP)EUV源)产生辐射束。例如，该束直接地或在已经横穿诸如扩束器Ex的调节构件之后馈送至照射系统(照射器)IL中。照射器IL可以包括调整构件以用于设定束中的强度分布的外部径向范围和/或内部径向范围(通常分别被称作σ外部和σ内部)。另外，照射器IL通常将包括各种其他部件，诸如积光器和聚光器。这样，照射于图案形成装置MA上的束B在其横截面中具有期望的均匀性和强度分布。

关于图16应该注意的是，源SO可以在光刻投影设备的外壳内(例如，这经常是源SO为汞灯时的情况)，但源SO也可以远离光刻投影设备，源SO所产生的辐射束被引导至该设备中(例如，借助于合适的引导镜)；此后一种情境经常是源SO为准分子激光器(例如，基于KrF、ArF或F₂激光作用)时的情况。

束随后截取被保持于图案形成装置台MT上的图案形成装置MA。在已经横穿图案形成装置MA的情况下，束B穿过透镜PL，该透镜将束B聚焦至衬底W的目标部分C上。借助于第二定位构件(和干涉测量构件)，可以准确地移动衬底台WT，例如以便使不同的目标部分C定位于束的路径中。相似地，第一定位构件可以用于(例如)在从图案形成装置库机械地获取图案形成装置MA之后或在扫描期间相对于束B的路径来准确地定位图案形成装置MA。通常，将借助于未明确地描绘的长行程模块(粗定位)和短行程模块(精定位)来实现物体平台MT、WT的移动。然而，在步进器(相对于步进扫描工具)的情况下，图案形成装置台MT可以仅连接至短行程致动器，或者可以是固定的。

可以在两种不同模式中使用所描绘的工具：

-在步进模式中，将图案形成装置台MT保持基本上静止，并且将整个图案形成装置图像在一个操作中投影(即，单次“闪光”)至目标部分C上。然后，使衬底台WT在x和/或y方向上移位，使得不同的目标部分C可以由束照射；

-在扫描模式中，基本上相同的情境适用，在单次“闪光”中不曝光给定的目标部分C除外。取而代之的是，图案形成装置台MT可以在给定的方向(所谓的“扫描方向”，例如y方向)上以速度v移动，使得造成投影束B在整个图案形成装置图像上进行扫描；同时，衬底台WT以速度V＝Mv在相同的或相反的方向上同时地移动，其中，M是透镜PL的放大率(通常，M＝1/4或＝1/5)。这样，可以在不必损害分辨率的情况下曝光相对较大的目标部分C。

可以使用于下一方面进一步描述实施例：

1.一种用于清洁光刻设备的部分的系统，所述系统包括：

清洁工具，所述清洁工具被配置为以第一配置插入所述光刻设备中，由所述光刻设备的工具处置器接合，并且用于清洁所述光刻设备的所述部分；

其中，所述清洁工具被配置为在由所述工具处置器接合之后从所述第一配置移动至扩展的第二配置，使得所述清洁工具在用于清洁所述光刻设备的所述部分时处于所述第二配置。

2.如方面1所述的系统，还包括容器，所述容器被配置为容纳处于所述第一配置的所述清洁工具并且装配至所述光刻设备中，其中，所述清洁工具被配置为在所述容器中插入所述光刻设备中，由所述工具处置器从所述容器移出以用于所述清洁，并且在所述清洁之后借助于所述工具处置器返回至所述容器。

3.如方面2所述的系统，其中，所述清洁工具被配置为在所述清洁工具由所述工具处置器从所述容器移出以用于清洁时，从所述第一配置移动至所述第二配置。

4.如方面2至3中任一项所述的系统，其中，所述清洁工具被配置为在所述清洁工具在清洁之后借助于所述工具处置器返回至所述容器时，从所述第二配置移动至所述第一配置。

5.如方面2至4中任一项所述的系统，其中，所述容器包括一个或更多个收缩部件，所述一个或更多个收缩部件被配置为在所述清洁工具在所述清洁之后返回至所述容器时促进所述清洁工具从所述第二配置收缩至所述第一配置。

6.如方面5所述的系统，其中，所述一个或更多个收缩部件包括在所述容器中的脊部，所述脊部被配置为在所述清洁工具在所述清洁之后返回至所述容器时推压所述清洁工具。

7.如方面1至6中任一项所述的系统，其中，所述光刻设备的所述部分包括掩模版台的掩模版夹具。

8.如方面1至7中任一项所述的系统，其中，所述清洁工具包括清洁掩模版。

9.如方面1至8中任一项所述的系统，其中，所述工具处置器包括掩模版处置器的转台夹紧器。

10.如方面1至9中任一项所述的系统，其中，所述光刻设备被配置为用于深紫外(DUV)辐射。

11.如方面1至10中任一项所述的系统，其中，所述第一配置包括相对于所述第二配置的收缩配置。

12.如方面1至11中任一项所述的系统，其中，所述清洁工具包括由铰接接头联接的一个或更多个连杆，由铰接接头联接的所述一个或更多个连杆被配置为促进在所述第一配置与所述第二配置之间的扩展或收缩。

13.如方面1至12中任一项所述的系统，其中，所述清洁工具包括一个或更多个挠性部分，所述一个或更多个挠性部分被配置为促进在所述第一配置与所述第二配置之间的扩展或收缩。

14.如方面1至13中任一项所述的系统，其中，所述清洁工具包括一个或更多个旋转部分，所述一个或更多个旋转部分被配置为促进在所述第一配置与所述第二配置之间的扩展或收缩。

15.如方面1至14中任一项所述的系统，其中，所述清洁工具还包括一个或更多个工具处置器接合表面，所述一个或更多个工具处置器接合表面被配置为无论所述清洁工具处于所述第一配置或所述第二配置都保持处于与所述工具处置器对应的位置和定向上。

16.如方面15所述的系统，其中，所述清洁工具还包括一个或更多个清洁表面，所述一个或更多个清洁表面被配置为在所述清洁工具在所述第一配置与所述第二配置之间移动时相对于所述一个或更多个工具处置器接合表面移动。

17.如方面16所述的系统，其中，所述一个或更多个清洁表面被配置为在所述清洁工具处于所述第二配置时接触所述光刻设备的所述部分的一个或更多个目标表面以用于清洁。

18.如方面17所述的系统，其中，所述一个或更多个清洁表面被配置为在所述清洁工具处于所述第二配置时平行于所述一个或更多个目标表面。

19.如方面18所述的系统，其中，所述一个或更多个目标表面包括所述光刻设备的一个或更多个隔膜表面。

20.如方面1至19中任一项所述的系统，其中，所述清洁工具包括：

至少部分地由清洁材料覆盖的清洁表面；

识别表面，所述识别表面位于所述清洁工具的相对于所述清洁表面的相反侧；和

位于所述清洁表面与所述识别表面之间的一个或更多个识别特征，所述一个或更多个识别特征通过所述识别表面是可见的。

21.如方面20所述的系统，其中，所述清洁表面是不透明的，并且所述识别表面是透明的。

22.如方面20至21中任一项所述的系统，其中，所述清洁工具还包括在所述清洁表面与所述识别表面之间的一个或更多个内表面，并且其中，所述一个或更多个识别特征位于所述一个或更多个内表面上。

23.如方面20至22中任一项所述的系统，其中，所述一个或更多个识别特征包括条形码和对准标记中的一个或两个。

24.如方面20至23中任一项所述的系统，其中，所述清洁工具还包括在所述清洁工具的内部位于所述清洁表面与所述识别表面之间的照射源，所述照射源被配置为提供照射使得所述一个或更多个识别特征通过所述识别表面是可见的。

25.如方面24所述的系统，其中，所述照射源包括发光二极管(LED)。

26.如方面25所述的系统，其中，所述照射源还包括照射引导件，所述照射引导件被配置为将来自所述LED的照射朝向所述一个或更多个识别特征引导并且引导通过所述识别表面。

27.如方面24所述的系统，其中，所述照射源包括一个或更多个反射镜，所述一个或更多个反射镜被配置为将来自所述清洁工具下方的环境光通过所述清洁工具的内部朝向所述一个或更多个识别特征引导并且引导通过所述识别表面。

28.一种用于利用清洁工具清洁光刻设备的部分的方法，所述方法包括：

以第一配置将所述清洁工具插入所述光刻设备中；

将所述清洁工具与所述光刻设备的工具处置器接合；

将所述清洁工具从所述第一配置移动至扩展的第二配置；以及

在所述清洁工具处于所述扩展的第二配置时利用所述清洁工具清洁所述光刻设备的所述部分。

29.如方面28所述的方法，还包括：在容器中容纳处于所述第一配置的所述清洁工具并且将在所述容器中的所述清洁工具插入所述光刻设备中，利用所述工具处置器从所述容器移出所述清洁工具以用于所述清洁，以及在所述清洁之后利用所述工具处置器将所述清洁工具返回至所述容器。

30.如方面29所述的方法，还包括：当所述清洁工具由所述工具处置器从所述容器移出以用于清洁时，将所述清洁工具从所述第一配置移动至所述第二配置。

31.如方面28至30中任一项所述的方法，还包括：当所述清洁工具在清洁之后借助于所述工具处置器返回至所述容器时，将所述清洁工具从所述第二配置移动至所述第一配置。

32.如方面28至31中任一项所述的方法，还包括：响应于所述清洁工具在所述清洁之后被返回至所述容器，利用收缩部件将所述清洁工具从所述扩展的第二配置收缩。

33.如方面28至32中任一项所述的方法，其中，所述光刻设备的所述部分包括掩模版台的掩模版夹具。

34.如方面28至34中任一项所述的方法，其中，所述清洁工具包括清洁掩模版。

35.如方面28至34中任一项所述的方法，其中，所述工具处置器包括掩模版处置器的转台夹紧器。

36.如方面28至35中任一项所述的方法，其中，所述光刻设备被配置为用于深紫外(DUV)辐射。

37.如方面28至36中任一项所述的方法，其中，通过所述清洁工具中的由铰接接头联接的一个或更多个连杆促进所述移动，所述一个或更多个连杆被配置为促进在所述第一配置与所述第二配置之间的扩展或收缩。

38.如方面28至37中任一项所述的方法，其中，通过所述清洁工具的一个或更多个挠性部分促进所述移动，所述一个或更多个挠性部分被配置为促进在所述第一配置与所述第二配置之间的扩展或收缩。

39.如方面28至38中任一项所述的方法，其中，通过所述清洁工具的一个或更多个旋转部分促进所述移动，所述一个或更多个旋转部分被配置为促进在所述第一配置与所述第二配置之间的扩展或收缩。

40.如方面28至39中任一项所述的方法，还包括：

在所述清洁工具上提供至少部分地由清洁材料覆盖的清洁表面；

在所述清洁工具上提供识别表面，所述识别表面位于所述清洁工具的相对于所述清洁表面的相反侧；

在所述清洁工具上提供一个或更多个识别特征，所述一个或更多个识别特征在所述清洁工具的一个或更多个内表面上位于所述清洁表面与所述识别表面之间，所述一个或更多个识别特征通过所述识别表面是可见的；以及

提供在所述清洁工具的内部位于所述清洁表面与所述识别表面之间的照射源，所述照射源被配置为提供照射，使得所述一个或更多个识别特征通过所述识别表面是可见的。

41.一种计算机程序产品，包括记录有指令的非暂时性计算机可读介质，所述指令在由计算机执行时实施如方面28至40中任一项所述的方法。

虽然本文中披露的概念可以用于在诸如硅晶片的衬底上的晶片制造，但是应该理解的是，所披露的概念可以被任何类型的制造系统使用，例如，所披露的概念用于在除了硅晶片以外的衬底上制造的制造系统。另外，所披露的元件的组合和子组合可以包括单独的实施例。例如，扩展和收缩清洁工具(图3A至图10)和内部照射的清洁(例如，图11至图13)也可以包括单独的实施例，和/或这些特征可以一起用于相同的实施例中。

以上描述意图是说明性的，而不是限制性的。因此，对于本领域技术人员将显而易见的是，可以在不背离下文所阐明的权利要求的范围的情况下如所描述地进行修改。

Claims (20)

1.一种用于清洁光刻设备的部分的系统，所述系统包括：

清洁工具，所述清洁工具被配置为以第一配置插入所述光刻设备中，由所述光刻设备的工具处置器接合，并且用于清洁所述光刻设备的所述部分；

其中，所述清洁工具被配置为在由所述工具处置器接合之后从所述第一配置移动至扩展的第二配置，使得所述清洁工具在用于清洁所述光刻设备的所述部分时处于第二配置。

2.如权利要求1所述的系统，还包括容器，所述容器被配置为容纳处于所述第一配置的所述清洁工具并且装配至所述光刻设备中，其中，所述清洁工具被配置为在所述容器中插入所述光刻设备中，由所述工具处置器从所述容器移出以用于所述清洁，并且在所述清洁之后借助于所述工具处置器返回至所述容器。

3.如权利要求2所述的系统，其中，所述清洁工具被配置为在所述清洁工具由所述工具处置器从所述容器移出以用于清洁时，从所述第一配置移动至所述第二配置。

4.如权利要求2至3中任一项所述的系统，其中，所述清洁工具被配置为在所述清洁工具在清洁之后借助于所述工具处置器返回至所述容器时，从所述第二配置移动至所述第一配置。

5.如权利要求2至4中任一项所述的系统，其中，所述容器包括一个或更多个收缩部件，所述一个或更多个收缩部件被配置为在所述清洁工具在所述清洁之后返回至所述容器时促进所述清洁工具从所述第二配置收缩至所述第一配置。

6.如权利要求5所述的系统，其中，所述一个或更多个收缩部件包括位于所述容器中的脊部，所述脊部被配置为在所述清洁工具在所述清洁之后返回至所述容器时推压所述清洁工具。

7.如权利要求1至6中任一项所述的系统，其中，所述光刻设备的所述部分包括掩模版台的掩模版夹具。

8.如权利要求1至7中任一项所述的系统，其中，所述清洁工具包括清洁掩模版。

9.如权利要求1至8中任一项所述的系统，其中，所述工具处置器包括掩模版处置器的转台夹紧器。

10.如权利要求1至9中任一项所述的系统，其中，所述光刻设备被配置为用于深紫外(DUV)辐射。

11.如权利要求1至10中任一项所述的系统，其中，所述第一配置包括相对于所述第二配置的收缩配置。

12.如权利要求1至11中任一项所述的系统，其中，所述清洁工具包括由铰接接头联接的一个或更多个连杆，由铰接接头联接的所述一个或更多个连杆被配置为促进在所述第一配置与所述第二配置之间的扩展或收缩。

13.如权利要求1至12中任一项所述的系统，其中，所述清洁工具包括一个或更多个挠性部分，所述一个或更多个挠性部分被配置为促进在所述第一配置与所述第二配置之间的扩展或收缩。

14.如权利要求1至13中任一项所述的系统，其中，所述清洁工具包括一个或更多个旋转部分，所述一个或更多个旋转部分被配置为促进在所述第一配置与所述第二配置之间的扩展或收缩。

15.如权利要求1至14中任一项所述的系统，其中，所述清洁工具还包括一个或更多个工具处置器接合表面，所述一个或更多个工具处置器接合表面被配置为无论所述清洁工具处于所述第一配置或所述第二配置，都保持处于与所述工具处置器对应的位置和定向。

16.如权利要求15所述的系统，其中，所述清洁工具还包括一个或更多个清洁表面，所述一个或更多个清洁表面被配置为在所述清洁工具在所述第一配置与所述第二配置之间移动时相对于所述一个或更多个工具处置器接合表面移动。

17.如权利要求16所述的系统，其中，所述一个或更多个清洁表面被配置为在所述清洁工具处于所述第二配置时接触所述光刻设备的所述部分的一个或更多个目标表面以用于清洁。

18.如权利要求17所述的系统，其中，所述一个或更多个清洁表面被配置为在所述清洁工具处于所述第二配置时平行于所述一个或更多个目标表面。

19.如权利要求18所述的系统，其中，所述一个或更多个目标表面包括所述光刻设备的一个或更多个隔膜表面。

20.如权利要求1至19中任一项所述的系统，其中，所述清洁工具包括：

至少部分地由清洁材料覆盖的清洁表面；

识别表面，所述识别表面位于所述清洁工具的相对于所述清洁表面的相反侧；和

位于所述清洁表面与所述识别表面之间的一个或更多个识别特征，所述一个或更多个识别特征通过所述识别表面是可见的。

Images