KR20210091803A - 오버레이 계측을 위한 방법 및 그 장치 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title abstract description 54
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims abstract description 13
- 238000001914 filtration Methods 0.000 claims abstract description 8
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims abstract description 5
- 230000008569 process Effects 0.000 abstract description 28
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 19
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 19
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 12
- 238000004590 computer program Methods 0.000 description 11
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 9
- 239000011295 pitch Substances 0.000 description 9
- 238000013461 design Methods 0.000 description 6
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 5
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 5
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 5
- 230000001364 causal effect Effects 0.000 description 4
- 238000013500 data storage Methods 0.000 description 4
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 4
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 4
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 4
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 4
- 238000011161 development Methods 0.000 description 3
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 3
- 230000005670 electromagnetic radiation Effects 0.000 description 3
- 230000006870 function Effects 0.000 description 3
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 3
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 3
- 210000001747 pupil Anatomy 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CNQCVBJFEGMYDW-UHFFFAOYSA-N lawrencium atom Chemical compound [Lr] CNQCVBJFEGMYDW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 2
- 238000012876 topography Methods 0.000 description 2
- 238000012795 verification Methods 0.000 description 2
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 230000006978 adaptation Effects 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000003111 delayed effect Effects 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 1
- 230000015654 memory Effects 0.000 description 1
- ORQBXQOJMQIAOY-UHFFFAOYSA-N nobelium Chemical compound [No] ORQBXQOJMQIAOY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 1
- 238000000513 principal component analysis Methods 0.000 description 1
- 238000004886 process control Methods 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 238000004626 scanning electron microscopy Methods 0.000 description 1
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
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- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N23/00—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00
- G01N23/20—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by using diffraction of the radiation by the materials, e.g. for investigating crystal structure; by using scattering of the radiation by the materials, e.g. for investigating non-crystalline materials; by using reflection of the radiation by the materials
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
-
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/70605—Workpiece metrology
- G03F7/70616—Monitoring the printed patterns
- G03F7/70633—Overlay, i.e. relative alignment between patterns printed by separate exposures in different layers, or in the same layer in multiple exposures or stitching
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/7085—Detection arrangement, e.g. detectors of apparatus alignment possibly mounted on wafers, exposure dose, photo-cleaning flux, stray light, thermal load
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- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06T—IMAGE DATA PROCESSING OR GENERATION, IN GENERAL
- G06T5/00—Image enhancement or restoration
- G06T5/10—Image enhancement or restoration using non-spatial domain filtering
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- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06T—IMAGE DATA PROCESSING OR GENERATION, IN GENERAL
- G06T2207/00—Indexing scheme for image analysis or image enhancement
- G06T2207/30—Subject of image; Context of image processing
- G06T2207/30108—Industrial image inspection
- G06T2207/30148—Semiconductor; IC; Wafer
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- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Public Health (AREA)
- Epidemiology (AREA)
- Environmental & Geological Engineering (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Biochemistry (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- Immunology (AREA)
- Pathology (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
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Abstract
계측 장치에서 형성된 이미지를 수신하는 단계 - 이미지는 적어도 2개의 회절 차수의 결과적인 영향을 적어도 포함함 -; 및 이미지를 처리하는 단계를 포함하되, 처리는 적어도 필터링 단계, 예컨대 푸리에 필터를 포함하는 방법이 제공된다. 필터를 적용하는 프로세스는 계측 장치의 검출 브랜치에 개구를 배치함으로써 획득될 수도 있다.
Description
본 출원은 2018년 12월 31일자로 출원된 미국 출원 제62/787,191호에 대해 우선권을 주장하며, 이러한 문헌의 내용은 원용에 의해 전체적으로 본 명세서에 포함된다.
본 출원은 오버레이 계측을 위한 방법 및 그 장치에 관한 것이다.
리소그래피 장치는 기판 상에, 일반적으로 기판의 타겟부 상에 원하는 패턴을 적용하는 기기이다. 리소그래피 장치는, 예를 들어 집적 회로(IC)의 제조에 사용될 수 있다. 그러한 경우, 마스크 또는 레티클이라고도 칭하는 패터닝 디바이스가 IC의 개별 층상에 형성될 회로 패턴을 생성하는 데 사용될 수 있다. 이러한 패턴은 기판(예컨대, 실리콘 웨이퍼) 상의 타겟부(예를 들어, 다이의 일부, 하나의 다이 또는 수 개의 다이를 포함) 상으로 전사될 수 있다. 패턴의 전사는 전형적으로 기판 상에 제공된 방사선-감응 재료(레지스트)의 층 상으로의 이미징을 통해 이루어진다. 일반적으로, 단일 기판은 연속적으로 패터닝되는 인접한 타겟부들의 네트워크를 포함할 것이다.
패터닝 프로세스를 가능하게 하는 중요한 양상(즉, 패터닝을 수반하는 디바이스 또는 다른 구조체를 생성하는 프로세스(예를 들어, 리소그래피 노광 또는 임프린트)로, 이는 전형적으로 레지스트의 현상, 에칭 등과 같은 하나 이상의 관련된 프로세싱 단계를 포함할 수 있음)에는 프로세스 자체의 개발, 모니터링 및 제어를 위한 설정, 그리고 그 다음 실제로 프로세스 자체를 모니터링 및 제어하는 작업이 포함된다. 패터닝 디바이스 패턴(들), 레지스트 유형(들), 리소그래피 후(post-lithography) 프로세스 단계들(현상, 에칭 등)과 같은 패터닝 프로세스의 기본 구성을 가정하면, 기판 상에 패턴을 전사하기 위한 패터닝 프로세스에서 장치를 설정하는 것, 프로세스를 모니터링하기 위한 하나 이상의 계측 타겟을 개발하는 것, 계측 타겟을 측정하기 위한 계측 프로세스를 설정하고 그 다음으로 측정에 기초하여 프로세스를 모니터링 및/또는 제어하는 프로세스를 구현하는 것이 바람직하다.
따라서, 패터닝 프로세스에서, 구조체의 임계 치수(CD), 기판 내 또는 기판 상에 형성되는 연속되는 층들 사이의 오버레이 오차(즉, 연속되는 층들의 바람직하지 않고 의도되지 않은 오정렬) 등과 같은 하나 이상의 관심 파라미터를 결정하는 것(예를 들어, 패터닝 프로세스의 하나 이상의 양상을 모델링하는 하나 이상의 모델을 이용한 시뮬레이션, 측정)이 바람직하다.
패터닝 프로세스에 의해 생성된 구조체에 대해 하나 이상의 관심 파라미터를 결정하고 이들을 패터닝 프로세스와 관련된 설계, 제어 및/또는 모니터링, 예를 들면, 프로세스 설계, 제어 및/또는 검증을 위해 이용하는 것이 바람직하다. 패터닝된 구조체에 대해 결정된 하나 이상의 관심 파라미터는 패터닝 프로세스 설계, 정정 및/또는 검증, 결함의 검출 또는 분류, 수율 추정 및/또는 프로세스 제어에 이용될 수 있다.
따라서, 패터닝 프로세스에서, 예를 들어 프로세스를 제어하고 검증하기 위해 생성된 구조체를 자주 측정하는 것이 바람직하다. 임계 치수(CD)를 측정하는 데 종종 사용되는 스캐닝 전자 현미경, 및 오버레이(디바이스 내의 2개의 층들 사이의 정렬 정확도에 대한 척도)를 측정하기 위한 전문화된 툴을 포함하여 이러한 측정을 수행하기 위한 다양한 툴이 알려져 있다. 오버레이는 2개의 층 사이의 오정렬의 정도로 기술될 수 있는데, 예를 들어 1nm의 측정된 오버레이에 대한 언급은 2개의 층이 1nm만큼 오정렬된 상황을 나타낼 수 있다.
리소그래피 분야에서 이용하기 위한 다양한 형태의 검사 장치(예를 들어, 계측 장치)가 개발되었다. 예를 들어, 산란계측 디바이스는 방사선 빔을 타겟 상으로 지향시키고, 재지향된(예컨대, 산란된) 방사선의 하나 이상의 특성 - 예를 들어, 파장의 함수로서의 단일 반사각에서의 세기; 반사된 각도의 함수로서 하나 이상의 파장에서의 세기; 또는 반사된 각도의 함수로서 편광 - 을 측정하여 "스펙트럼"을 얻고, 그로부터 타겟의 관심 특성을 결정할 수 있다. 관심 특성의 결정은 다양한 기법, 예를 들어 엄격 결합파 해석 또는 유한 요소 방법 등의 반복적인 접근법에 의한 타겟의 재구성; 라이브러리 탐색; 및 주성분 분석 등에 의해 수행될 수 있다.
추가적인 기술은 (정반사에 대응하는) 0차 회절을 차단하고, 더 높은 차수만 처리하는 것을 수반한다. 그러한 계측법의 예는 PCT 국제공개특허 WO 2009/078708호 및 WO 2009/106279호에서 찾을 수 있으며, 이들은 원용에 의해 전체로서 본 명세서에 포함된다. 이러한 기술의 추가적인 개발예들은 미국공개특허 US2011-0027704호, US 2011-0043791호 및 US 2012-0242940호에 개시되어 있으며, 이들 각각은 원용에 의해 전체로서 본 명세서에 포함된다. 이러한 회절 기반 기술은 일반적으로 오버레이를 측정하는 데 이용된다. 기술들을 위한 타겟은 조명 스팟보다 작을 수 있고 기판 상의 제품 구조체에 의해 둘러싸일 수 있다. 타겟은 하나의 이미지에서 측정될 수 있는 다수의 주기적 구조체를 포함할 수 있다. 이러한 계측 기술의 특정 형태로서, -1차 및 +1차 회절 차수 세기를 별도로 얻기 위해 타겟을 회전시키거나 조명 모드 또는 이미징 모드를 변경하면서, 특정 조건 하에서 타겟을 2회 측정함으로써 오버레이 측정 결과를 얻게 된다. 주어진 타겟에 대한 세기 비대칭, 즉 이들의 회절 차수 세기의 비교로, 타겟 내에서의 비대칭인 타겟 비대칭의 측정을 얻게 된다. 타겟에서의 이러한 비대칭은 오버레이 오차의 지표로서 사용될 수 있다.
그러므로, 기술된 바와 같이, 제조 프로세스 중에 제조된 구조체를 검사하고 및/또는 제조된 구조체의 하나 이상의 특성을 측정할 필요가 있다. 적합한 검사 및 계측 장치는 당업계에 알려져 있다. 알려진 계측 장치 중 하나는 스캐터로미터 및 예를 들어 암시야 스캐터로미터이다. 미국 특허 출원 공개 US 2016/0161864, 미국 특허 출원 공개 US 2010/0328655 및 미국 특허 출원 공개 US 2006/0066855에서는 포토리소그래피 장치의 실시예 및 스캐터로미터의 실시예에 관해 논의한다. 인용된 문헌은 원용에 의해 전체로서 본원에 포함된다.
집적 회로 등의 전자 디바이스는 종종 여러 프로세스 단계를 통해 기판 상에 층들이 서로의 위에 형성되는 제조 프로세스를 통해 제조된다. 이러한 프로세스 단계 중 하나는 심자외선(DUV) 스펙트럼 범위 또는 극자외선(EUV) 스펙트럼 범위의 전자기 방사선을 사용할 수 있는 포토리소그래피일 수 있다. 기판은 종종 실리콘 웨이퍼이다. 제조되는 구조체의 최소 치수는 나노미터 범위이다.
도 1은 위에서 언급한 암시야 스캐터로미터의 개략도와, 이미징 센서가 이미지 평면 또는 스캐터로미터의 퓨필 평면에 배치된 경우 형성되는 이미지를 나타낸다. 이미지 평면에 형성된 이미지는 엘리먼트(100)로 도시되어 있고, 이미지 평면은 엘리먼트(102)이다. 퓨필 평면에 형성된 이미지는 엘리먼트(101)로 도시되어 있다. 엘리먼트(103)는 상부 및 하부 격자 사이에 상대적 시프트가 형성되는, 즉 두 층 사이에 오버레이가 존재하는 중첩 격자이다. 엘리먼트(104)는 격자에 충돌하는 방사선과 결과적인 0차 또는 정반사 산란 방사선을 나타낸다. 암시야 스캐터로미터에서 이러한 방사선은, 앞서 인용한 종래 기술에서 설명된 바와 같이, 예를 들어 조명 브랜치에서 개구를 사용함으로써 장치의 설계에 의해 차단된다. 엘리먼트(105 및 106)는 타겟(103) 상에서의 104 방사선의 충돌하는 브랜치의 산란으로 인한 회절 차수를 나타낸다. 105는 음의 차수를 나타내고 106은 양의 차수를 나타낸다.
회절 기반 계측 방법 및 장치에서는 광의 파장, 웨이퍼 상의 격자 피치 및 광학 시스템(이 경우 계측 툴 또는 스캐터로미터)의 NA(개구수) 사이에 소정 관계가 있다. 파장과 피치 사이의 비율이 광학 시스템의 NA(NA에 상수를 곱한 값)보다 작으면 이미지가 타겟 상의 구조체들을 구별해내지(resolve) 못한다. 그러나 상기 비율이 NA에 상수를 곱한 값보다 크면(대부분의 경우 상수는 1), 측정된 이미지는 웨이퍼 상에 존재하는 구조체들을 구별해내고 구조체들이 보이게 된다. 통상적인 동작 모드에서 암시야 스캐터로미터는 웨이퍼 상의 구조체들/타겟들을 구별해내지 못하며, 계측 방법은 획득한 이미지의 평균 세기 측정에 의존한다. 이러한 방법은 당업계 및 앞서 인용된 특허 출원에 잘 설명되어 있다. 이러한 통상적인 동작 모드에서 구조체의 피치는 광의 파장과 비슷하다.
도 1의 엘리먼트(103)와 같은 하부 타겟의 피치가 충돌하는 방사선의 파장보다 훨씬 커짐에 따라 문제가 발생한다. 이 경우, 엘리먼트(100)에 도시된 바와 같이, 다수의 회절 차수가 퓨필 평면에서 이용 가능하며, 이들 모두는 도 1의 엘리먼트(100)에 도시된 바와 같이 이미지 평면에서의 이미지 형성에 기여한다. 계측 장치에서 사용되는 광의 파장에 대해 규정된 바와 같이 커다란, 이러한 큰 피치 타겟은 예를 들어 3D-NAND 구조체의 계측에서 생기며, 여기서는 특정 처리 조건에 의해 부과된 제한사항으로 인해 계측 타겟의 피치가 미크론 범위이고, 광의 파장은 여전히 광학 영역에 있다. 이러한 풍부한 회절 차수는, 엘리먼트(100)에 도시된 바와 같이, 복잡한 간섭 패턴을 낳게 되고, 이는 최신의 오버레이 추출 방법을 사용할 때 제거하기 어려우며, 이러한 방법은 파장과 격자 피치가 비슷한 경우 획득되는 것과 같이 평활한(smooth) 이미지에 의존한다.
본 발명의 목적은 방사선의 파장이 계측 타겟의 피치보다 작은 영역에서 최신의 오버레이 측정을 사용할 수 있게 하는 방법을 제공하는 것이다. 이러한 방법은 예를 들어 이미징 센서가 계측 검출 브랜치의 이미지 평면에 배치될 때 상기 이미지 평면에서 이미지를 획득하는 단계, 및 다수의 비-제로 회절 차수의 복잡한 간섭 패턴으로 인한 기여분의 이미지를 필터링하는 단계를 포함한다. 일 실시예에서, 필터는 디지털 필터이다. 일 실시예에서, 디지털 필터는 푸리에 필터이고, 이미지 내의 저주파 성분만이 획득된다. 일 실시예에서, 필터는 양의 차수 및 음의 차수에 의해 형성된 이미지들 간의 차이로서 획득된 합성 이미지에 적용되는 푸리에 필터이다. 일 실시예에서, 음의 차수와 양의 차수에 의해 형성된 이미지들 간의 차이로서 비대칭 이미지가 획득되기 전에, 음의 차수와 양의 차수로부터 획득된 이미지들 간에 정렬 단계가 수행된다. 최신의 암시야 계측 방법은 디지털 필터링 후에 획득한 비대칭 이미지에 추가로 적용될 수 있다.
일 실시예에서, 방법은 도 3에 도시된 단계들을 포함한다. 엘리먼트(300)는 도 1에 기술된 바와 같이 획득된 이미지이다. 엘리먼트(300)는 양의 차수와 음의 차수로 형성된 이미지들 사이의 정렬 단계 및 정렬된 이미지들의 추가적인 감산 이후에 획득된 비대칭 이미지일 수 있다. 단계(301)는 엘리먼트(300)에 적용되는 필터링 단계를 나타낸다. 엘리먼트(302)는 결과적인 이미지의 스케치된 표현이다. 엘리먼트(302)는 획득된 신호의 이상적인 표현인데, 실제 적용에서는 예리한 모서리가 둥글어질 수도 있고, 결과적인 필터링된 이미지에 잠재적인 문제 신호가 여전히 존재한다고 예상할 수 있다.
추가적인 실시예로서, 높은 회절 차수의 필터링은 계측 장치의 검출 브랜치에 개구를 배치함으로써 획득된다. 광의 파장과 격자의 피치 간의 비율이 알려져 있고 시스템의 NA에 대한 추가 지식을 가지고 있기 때문에, 단일 회절 차수만을 허용하는 광 투과 부분을 이용해 개구를 설계할 수도 있다. 일 실시예에서, 회절 차수는 +1 및 -1 회절 차수이다. 다른 실시예에서, 회절 차수는 +2 및 -2 회절 차수이다. 계측 프로세스 및 계측 응용예의 유형에 따라 단일 차수의 추가적인 조합을 추가로 생각해볼 수도 있다. 도 2는 엘리먼트(201 및 202) 내의 이러한 개구를 도시한다.
논의의 대부분은 측정 목적을 위해 특별히 설계되고 형성된 계측 타겟으로서의 타겟 구조체에 초점을 맞추었지만, 다른 실시예에서 타겟은 기판 상에 형성된 디바이스의 기능적 부분일 수도 있다. 많은 디바이스에는 격자와 유사한 규칙적이고 주기적인 구조체가 있다. 본 명세서에서 사용되는 "타겟", 타겟의 "격자" 또는 "주기적 구조체"라는 용어는 적용가능한 구조체가 수행되는 측정을 위해 특별히 제공될 것을 요하지 않는다.
일 실시예에서, 타겟은 기판 상에 타겟을 생성하도록 설계된 패터닝 디바이스(예를 들어, 레티클 또는 마스크)를 이용하여 실현될 수 있다(예를 들어, 레지스트 층 상에 투영하기 위한 패턴 이미지를 생성하며, 패터닝된 레지스트 층은 증착, 에칭 등과 같은 후속 처리 단계를 이용하여 타겟을 형성하는 데에 사용됨.)
기판 및 패터닝 디바이스(예컨대, 레티클 또는 마스크) 상에서 실현되는 타겟의 물리적 구조와 관련하여, 일 실시예는 타겟 설계를 기술하거나, 기판 상에 타겟을 생성하는 방법을 기술하거나, 기판 상의 타겟을 측정하는 방법을 기술하거나, 및/또는 패터닝 프로세스(예컨대, 리소그래피 프로세스, 에칭 프로세스 등)에 관한 정보를 얻기 위해 측정을 분석하는 방법을 기술하는 기계 판독가능한 명령의 하나 이상의 시퀀스 및/또는 기능적 데이터를 함유하는 컴퓨터 프로그램을 포함할 수 있다. 이러한 컴퓨터 프로그램은 예를 들어 리소그래피 장치 또는 리소 셀 또는 계측 또는 검사 장치의 처리 장치 내에서 또는 독립형 컴퓨터에서 실행될 수 있다. 또한, 그러한 컴퓨터 프로그램이 저장되어 있는 데이터 저장 매체(예를 들어, 반도체 메모리, 자기 또는 광학 디스크)가 제공될 수 있다. 기존의 계측 또는 검사 장치가 이미 생산 및/또는 사용 중에 있는 경우, 일 실시예는 프로세서로 하여금 여기에서 설명된 하나 이상의 방법을 수행하게 하는 업데이트된 컴퓨터 프로그램 제품을 제공함으로써 구현될 수 있다. 프로그램은 본 명세서에 설명된 바와 같은 방법을 수행하기 위해 장치 등을 제어하도록 선택적으로 배열될 수도 있다. 프로그램은 기판의 측정을 위한 리소그래피 및/또는 계측 레시피를 업데이트할 수 있다. 프로그램은 기판의 패터닝 및 처리를 위해 리소그래피 장치를 (직접적으로 또는 간접적으로) 제어하도록 배열될 수도 있다.
본 발명의 실시예는 위에서 개시된 것과 같은 방법을 기술하는 기계 판독가능 명령의 하나 이상의 시퀀스를 포함하는 컴퓨터 프로그램, 또는 내부에 이러한 컴퓨터 프로그램이 저장되어 있는 데이터 저장 매체(예를 들어, 반도체 메모리, 자기 또는 광학 디스크)의 형태를 취할 수 있다. 더 나아가, 기계 판독 가능한 명령은 두 개 이상의 컴퓨터 프로그램에서 구현될 수 있다. 두 개 이상의 컴퓨터 프로그램은 하나 이상의 상이한 메모리 및/또는 데이터 저장 매체에 저장될 수 있다.
본 명세서에 개시된 하나 이상의 양태는 제어 시스템에서 구현될 수도 있다. 본원에서 설명된 임의의 제어 시스템은, 하나 이상의 컴퓨터 프로그램이 장치의 적어도 하나의 컴포넌트 내에 위치된 하나 이상의 컴퓨터 프로세서에 의해 판독될 때 각각 또는 조합하여 동작 가능할 수 있다. 제어 시스템은 신호를 수신, 처리 및 송신하기 위한 임의의 적절한 구성을 각각 또는 조합하여 가질 수 있다. 하나 이상의 프로세서는 적어도 하나의 제어 시스템과 통신하도록 구성된다. 예를 들어, 각각의 제어 시스템은 전술한 방법들을 위한 기계 판독가능한 명령들을 포함하는 컴퓨터 프로그램들을 실행하기 위한 하나 이상의 프로세서들을 포함할 수 있다. 제어 시스템은 그러한 컴퓨터 프로그램을 저장하기 위한 데이터 저장 매체 및/또는 그러한 매체를 수용하기 위한 하드웨어를 포함할 수 있다. 따라서 제어 시스템(들)은 하나 이상의 컴퓨터 프로그램의 기계 판독가능한 명령에 따라 동작할 수 있다.
광학 리소그래피의 맥락에서 실시예를 이용하는 것에 대해 특정하게 언급하였지만, 본 발명의 실시예는 다른 응용예에서도 이용될 수 있음을 이해할 것이다. 예를 들어, 실시예는 임프린트 리소그래피와 함께 이용될 수도 있다. 임프린트 리소그래피에서는 패터닝 디바이스의 토포그래피가 기판 상에 생성되는 패턴을 규정한다. 패터닝 디바이스의 토포그래피는 기판에 공급된 레지스트 층으로 가압될 수 있고, 레지스트는 전자기 방사선, 열, 압력 또는 이들의 조합을 가함으로써 경화된다. 패터닝 디바이스는 레지스트가 경화된 후 레지스트로부터 분리되어 레지스트에 패턴을 남겨둔다. 나아가 본 명세서의 실시예는 구조체를 생성하는 임의의 프로세스와 함께 사용될 수 있으며, 따라서 예를 들어 다른 재료 제거 프로세스 또는 부가적인 프로세스와 함께 사용될 수 있을 것이다.
본원에서 사용된 "방사선" 및 "빔"이라는 용어는, 자외(UV)선(예컨대, 약 365, 355, 248, 193, 157, 또는 126 nm의 파장을 가짐) 및 극자외(EUV)선(예컨대, 5-20 nm 범위의 파장을 가짐)을 포함하는 모든 유형의 전자기 방사선 뿐만 아니라 이온 빔 또는 전자 빔 등의 입자 빔을 포괄한다.
명백하게 달리 진술되지 않는 한, 본 명세서로부터 명백한 것처럼, 명세서 전체를 통해 "처리", "컴퓨팅", "계산", "결정" 등과 같은 용어를 활용한 설명은 전용 컴퓨터 또는 유사한 전용 전자 처리/컴퓨팅 디바이스와 같은 특정 장치의 동작 또는 프로세스를 지칭할 수 있는 것으로 이해된다.
상세한 설명 및 도면은 본 발명을 개시된 특정한 형태로 한정시키려는 의도가 전혀 없으며, 반대로 본 발명은 첨부된 청구범위에 규정되는 바와 같은 본 발명의 사상 및 범위에 속하는 모든 변형예, 균등물, 및 대체예들을 커버하도록 의도된다는 점이 이해되어야 한다.
본 발명의 다양한 양태의 변형 및 대안적 실시예는 본 명세서를 참조하면 당업자들에게 명백해질 것이다. 따라서, 이러한 설명 및 도면은 오직 예를 들기 위한 것이고 당업자들에게 본 발명을 실시하는 일반적인 방식을 알려주기 위한 것으로 해석되어야 한다. 본 명세서에서 도시되고 설명되는 본 발명의 형태들이 실시예들의 예로서 간주되어야 한다는 것이 이해되어야 한다. 본 발명의 상세한 설명의 이점을 취한 당업자라면 명백하게 알 수 있는 것처럼, 엘리먼트 및 재료가 본 명세서에서 예시되고 설명되는 것들을 대체할 수 있고, 부분들과 프로세스들은 반전되거나 생략될 수 있으며, 특정 특징들은 독립적으로 활용될 수 있고, 실시예들 또는 실시예의 특징들은 조합될 수 있다. 후속하는 청구범위에서 기술되는 바와 같은 본 발명의 사상 및 범위에서 벗어나지 않으면서, 본 명세서에서 설명되는 엘리먼트는 변경될 수 있다. 본 명세서에서 사용되는 제목들은 조직화의 목적일 뿐 본 발명의 범위를 한정하도록 사용되려는 것이 아니다.
본 명세서 전체에서 사용될 때, "~ 수 있다(may)"는 단어는 강제적인 의미(즉, 해야함(must)을 의미)하는 것이 아니라 허용하는 의미(즉, 가능성이 있음을 의미)로 사용된다. 단어 "포함", "포함하는", 및 "포함한다" 등은, 포함하지만 그것으로 제한되는 것은 아님을 의미한다. 본 명세서 전체에서 사용될 때, 단수 형태인 "한" "하나" 및 "그" 등은 문맥이 그렇지 않다고 명백하게 표시하지 않는 한 복수의 지시대상을 포함한다. 따라서, 예를 들어 "하나의(an)" 엘리먼트 또는 "한(a)" 엘리먼트에 대해 언급하는 것은, "하나 이상의"와 같이 하나 이상의 엘리먼트에 대해서 다른 용어 및 어구를 사용함에도 불구하고, 두 개 이상의 엘리먼트의 조합을 포함한다. 용어 "또는"은, 그렇지 않다고 표시되지 않는 한, 비-배타적이고, 즉, "및" 과 "또는" 양자 모두를 망라한다. 조건 관계를 설명하는 용어, 예를 들어 "X에 응답하여 Y가", "X의 경우, Y가", "X면, Y가," "X일 경우, Y가" 등은, 선행조건이 결과의 필요 인과 조건이거나, 선행조건이 충분 인과 조건이거나, 또는 선행조건이 결과에 기여하는 인과 조건인 인과 관계들을 망라하는데, 예를 들어 "조건 Y가 달성되면 상태 X가 발생한다"는 "Y의 경우에만 X가 발생한다" 및 "Y 및 Z의 경우 X가 발생한다"에 대한 통칭이다. 이러한 조건 관계는 선행조건이 달성되는 것에 바로 후속하는 결과로 한정되지 않는데 이것은 일부 결과가 지연될 수 있기 때문이고, 조건부 진술에서, 선행조건은 그 결과와 연결되며, 예를 들어 선행조건은 결과가 발생할 가능성과 관련된다. 더 나아가, 달리 표시되지 않는 한, 하나의 값 또는 동작이 다른 조건 또는 값에 "기초한다"는 진술은, 조건 또는 값이 유일한 인자인 경우 및 조건 또는 값이 여러 인자들 중 하나의 인자인 경우 양자 모두를 망라한다. 달리 표시되지 않는 한, 일부 집합 중 "각각의" 인스턴스가 일부 특성을 가진다는 진술은, 더 큰 집합의 일부 또는 동일하거나 유사한 원소들이 그러한 특성을 가지지 않는 경우를 배제하는 것으로 해석되어서는 안 되고, 즉 각각이 반드시 각각 그리고 모두를 의미하는 것은 아니다.
특정 미국 특허, 미국 특허 출원, 또는 다른 문헌(예를 들어, 논문)이 원용되어 통합되는 범위 내에서, 이러한 미국 특허, 미국 특허 출원, 및 다른 문헌의 내용은 이러한 문헌과 본원에 언급된 진술 및 도면 사이에 상충이 존재하지 않는 범위에서 원용에 의해 본원에 통합된다. 이러한 상충이 있는 경우, 본 명세서에서 원용에 의해 통합되는 이러한 미국 특허, 미국 특허 출원, 및 다른 문헌 내의 임의의 이러한 상충되는 내용은 구체적으로 본 명세서에 원용에 의해 통합되지 않는다.
특정 실시예에 대한 전술한 설명은 본 발명의 실시예의 일반적인 본질을 드러내므로, 당업계 내의 지식을 적용함으로써, 과도한 실험없이, 본 발명의 일반적인 개념을 벗어나지 않고도, 이러한 특정 실시예를 용이하게 수정하고 및/또는 다양한 응용을 위해 적응시킬 수 있을 것이다. 그러므로, 그러한 적응예 및 수정예는 여기에 제시된 교시 및 지침에 기초하여 개시된 실시예의 균등물의 의미 및 범위 내에 있는 것으로 의도된다. 본 명세서의 어구 또는 용어는 이러한 교시 및 지침에 비추어 당업자에 의해 해석될 수 있도록 예시적인 설명을 하기 위한 것이지 한정하기 위한 것이 아님을 이해해야 한다.
앞선 설명은 예시적인 것으로 의도되며, 제한적인 것으로 의도되지 않는다. 따라서, 통상의 기술자라면, 이하에 제시되는 청구범위를 벗어나지 않고 기술된 바와 같이 본 개시내용에 대한 수정이 이루어질 수 있고, 본 발명의 범위 및 폭은 전술한 예시적인 실시예 중 어느 것에 의해서도 제한되어서는 안 되며, 다음의 청구범위 및 그 균등범위에 따라서만 규정되어야 함을 이해할 것이다.
Claims (4)
- 계측 장치에서 형성된 이미지를 수신하는 단계 - 상기 이미지는 적어도 2개의 회절 차수의 결과적인 영향을 적어도 포함함 -; 및
상기 이미지를 처리하는 단계를 포함하되, 상기 처리는 적어도 필터링 단계를 포함하는, 방법. - 제1항에 있어서,
상기 필터링 단계는 디지털 필터링 단계인, 방법. - 계측 장치용 개구로서,
방사선 투과성 부분을 포함하는 엘리먼트를 포함하되, 상기 방사선 투과성 부분은 단일한 회절 차수를 투과시키는, 계측 장치용 개구. - 계측 장치로서,
계측 장치의 검출 브랜치에 위치된 개구를 포함하되,
상기 개구는 제3항에 따른 개구인, 계측 장치.
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US201862787191P | 2018-12-31 | 2018-12-31 | |
| US62/787,191 | 2018-12-31 | ||
| PCT/EP2019/086222 WO2020141085A1 (en) | 2018-12-31 | 2019-12-19 | Method for overlay metrology and apparatus thereof |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20210091803A true KR20210091803A (ko) | 2021-07-22 |
Family
ID=69105836
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020217019106A KR20210091803A (ko) | 2018-12-31 | 2019-12-19 | 오버레이 계측을 위한 방법 및 그 장치 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20220074875A1 (ko) |
| KR (1) | KR20210091803A (ko) |
| CN (1) | CN113260924A (ko) |
| TW (1) | TWI786359B (ko) |
| WO (1) | WO2020141085A1 (ko) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2024503585A (ja) * | 2021-01-19 | 2024-01-26 | エーエスエムエル ホールディング エヌ．ブイ． | リソグラフィアライメント装置における強度を測定するためのシステム及び方法 |
Family Cites Families (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7791727B2 (en) | 2004-08-16 | 2010-09-07 | Asml Netherlands B.V. | Method and apparatus for angular-resolved spectroscopic lithography characterization |
| US7656529B1 (en) * | 2006-05-30 | 2010-02-02 | Mehrdad Nikoonahad | Overlay error measurement using fourier optics |
| US7911612B2 (en) * | 2007-06-13 | 2011-03-22 | Asml Netherlands B.V. | Inspection method and apparatus, lithographic apparatus, lithographic processing cell and device manufacturing method |
| NL1036245A1 (nl) | 2007-12-17 | 2009-06-18 | Asml Netherlands Bv | Diffraction based overlay metrology tool and method of diffraction based overlay metrology. |
| NL1036459A1 (nl) * | 2008-02-13 | 2009-08-14 | Asml Netherlands Bv | Method and apparatus for angular-resolved spectroscopic lithography characterization. |
| NL1036597A1 (nl) | 2008-02-29 | 2009-09-01 | Asml Netherlands Bv | Metrology method and apparatus, lithographic apparatus, and device manufacturing method. |
| NL1036857A1 (nl) * | 2008-04-21 | 2009-10-22 | Asml Netherlands Bv | Inspection method and apparatus, lithographic apparatus, lithographic processing cell and device manufacturing method. |
| NL1036886A1 (nl) * | 2008-05-12 | 2009-11-16 | Asml Netherlands Bv | A method of measuring a target, an inspection apparatus, a scatterometer, a lithographic apparatus and a data processor. |
| NL2003404A (en) * | 2008-09-16 | 2010-03-17 | Asml Netherlands Bv | Inspection method and apparatus, substrate, lithographic apparatus, lithographic processing cell and device manufacturing method. |
| KR101429629B1 (ko) | 2009-07-31 | 2014-08-12 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 계측 방법 및 장치, 리소그래피 시스템, 및 리소그래피 처리 셀 |
| JP2013502592A (ja) | 2009-08-24 | 2013-01-24 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． | メトロロジ方法および装置、リソグラフィ装置、リソグラフィプロセシングセル、およびメトロロジターゲットを備える基板 |
| CN103201682B (zh) * | 2010-11-12 | 2015-06-17 | Asml荷兰有限公司 | 量测方法和设备、光刻系统和器件制造方法 |
| JP5377595B2 (ja) | 2011-03-25 | 2013-12-25 | 富士フイルム株式会社 | 着色感放射線性組成物、カラーフィルタ、着色パターンの製造方法、カラーフィルタの製造方法、固体撮像素子、及び液晶表示装置 |
| US8681413B2 (en) * | 2011-06-27 | 2014-03-25 | Kla-Tencor Corporation | Illumination control |
| CN105452962B (zh) | 2013-08-07 | 2018-02-09 | Asml荷兰有限公司 | 量测方法和设备、光刻系统和器件制造方法 |
| WO2016005167A1 (en) * | 2014-07-09 | 2016-01-14 | Asml Netherlands B.V. | Inspection apparatus, inspection method and device manufacturing method |
| TWI752764B (zh) * | 2015-05-19 | 2022-01-11 | 美商克萊譚克公司 | 用於疊對測量之形貌相位控制 |
| WO2017178220A1 (en) * | 2016-04-11 | 2017-10-19 | Asml Netherlands B.V. | Metrology target, method and apparatus, target design method, computer program and lithographic system |
-
2019
- 2019-12-19 WO PCT/EP2019/086222 patent/WO2020141085A1/en active Application Filing
- 2019-12-19 US US17/419,653 patent/US20220074875A1/en active Pending
- 2019-12-19 KR KR1020217019106A patent/KR20210091803A/ko not_active Application Discontinuation
- 2019-12-19 CN CN201980086975.1A patent/CN113260924A/zh active Pending
- 2019-12-30 TW TW108148293A patent/TWI786359B/zh active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| TWI786359B (zh) | 2022-12-11 |
| WO2020141085A1 (en) | 2020-07-09 |
| CN113260924A (zh) | 2021-08-13 |
| US20220074875A1 (en) | 2022-03-10 |
| TW202102944A (zh) | 2021-01-16 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E601 | Decision to refuse application |