CN108369389B - 用于测量光刻设备的聚焦性能的方法和图案形成装置及设备、器件制造方法 - Google Patents

用于测量光刻设备的聚焦性能的方法和图案形成装置及设备、器件制造方法 Download PDF

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Abstract

光刻设备(LA)在衬底上印制产品特征和至少一个聚焦量测图案(T)。焦点量测图案由反射式掩模版限定，并且使用以倾斜角度(θ)入射的EUV辐射(404)执行印制。聚焦量测图案包括第一特征(422)组的周期性阵列。相邻的第一特征组之间的间隔(S1)远大于每个组内的第一特征的尺寸(CD)。由于倾斜的照射，印制的第一特征作为聚焦误差的函数而变形和/或位移。可以提供第二特征424作为可以看到第一特征的位移的参考。这种变形和/或位移的测量值可以通过测量不对称性作为印制的图案的性质而得到。测量可以在更长的波长下完成，例如在350‑800nm的范围内。

Description

用于测量光刻设备的聚焦性能的方法和图案形成装置及设 备、器件制造方法
相关申请的交叉引用
本申请要求于2015年12月21日提交的欧洲申请15201611.9的优先权，该欧洲申请的全部内容以引用的方式并入本文中。
技术领域
本发明涉及检查设备和方法，所述检查设备和方法能够用于例如在通过光刻技术进行器件制造时执行量测。本发明进一步涉及一种用于在光刻过程中监控聚焦参数的方法。
背景技术
光刻设备是一种将所需图案施加到衬底上(通常在衬底的目标部分上)的机器。例如，光刻设备可以用于集成电路(IC)的制造中。在这种情况下，可以将可替代地称为掩模或掩模版的图案形成装置用于生成要在集成电路的单层上形成的电路图案。可以将该图案转移到衬底(例如硅晶片)上的目标部分(例如包括管芯的一部分、一个或更多个管芯)上。通常，通过将图案成像到设置在衬底上的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上进行图案的转移。通常，单个衬底将包含被连续形成图案的相邻目标部分的网络。
在光刻过程中，经常期望对所产生的结构进行测量，例如用于过程控制和验证。已知用于进行这种测量的各种工具，包括通常用于测量临界尺寸(CD)的扫描电子显微镜和用于测量重叠的专用工具，重叠是器件中的两个层的对准的精确度。近来，各种形式的散射计已经被开发，应用在光刻领域中。这些装置将辐射束引导到目标上，并且测量散射辐射的一个或更多个性质，例如在单个反射角下作为波长的函数的强度、在一种或更多种波长下作为反射角的函数的强度、或者作为反射角的函数的偏振，以获得“光谱”，可以根据该“光谱”确定目标的感兴趣的性质。
已知散射计的例子包括US2006033921A1和US2010201963A1中所述类型的角分辨散射计。这样的散射计所使用的目标相对大，例如40μm×40μm，光栅和测量束产生比光栅小的光斑(即，光栅未被充满)。暗场成像量测的例子可以在国际专利申请US20100328655A1和US2011069292A1中找到，其全部内容通过引用并入本文。已经在专利公开出版物US20110027704A，US20110043791A，US2011102753A1，US20120044470A，US20120123581A，US20130258310A，US20130271740A和WO2013178422A1中描述了上述技术的进一步发展。这些目标可以小于照射斑点并且可以被晶片上的产品结构包围。使用复合光栅目标可以在一幅图像中测量多个光栅。所有这些申请的内容也通过引用并入本文。
需要监控的光刻过程的一个重要参数是聚焦。需要将日益增多的电子部件集成到IC中。为了实现这一点，有必要减小部件的大小，并因此增加投影系统的分辨率，使得越来越小的细节或线宽可以投影在衬底的目标部分上。随着光刻中的临界尺寸(CD)的缩小，聚焦的一致性(无论是在衬底上还是在衬底之间)变得越来越重要。CD是一种或多种特征(例如晶体管的栅极宽度)的尺寸，其变化将导致特征的物理性质发生不希望的变化。
传统上，最佳设置是通过“预发晶片”，即在生产运行之前曝光、显影和测量的衬底来确定的。在预发晶片中，测试结构曝光于所谓的聚焦能量矩阵(FEM)中，并且通过检查这些测试结构来确定最佳聚焦和能量设置。最近，聚焦量测目标被包括在生产设计中，以允许聚焦性能的连续监控。这些量测目标应该允许聚焦的快速测量，以便在大批量生产中快速进行性能测量。理想情况下，量测目标应该足够小，以便它们可以放置在产品特征中，而不会有不适当的空间损失。
当前的测试结构设计和聚焦测量方法有许多缺点。已知的聚焦量测目标需要具有较大节距的亚分辨率特征或光栅结构。这种结构可能违反光刻设备用户的设计规则。对于使用波长小于20nm(例如13.5nm)的辐射进行印制的EUV光刻，可能不能产生亚分辨率特征。光栅结构中的不对称性可以使用诸如散射计之类的高速检查设备在可见光辐射波长下工作来有效测量。已知的聚焦测量技术利用这样的事实，即通过定义目标结构的图案形成装置上的图案的特定设计，可以将聚焦敏感的不对称性引入印制在抗蚀剂层中的结构中。对于EUV光刻，抗蚀剂厚度以及因此目标结构的厚度更小。由于这些原因，需要开发用于测量光刻过程中的聚焦性能的新技术。
发明内容
本发明旨在提供适用于新环境(例如EUV光刻)的测量聚焦性能的方法。发明人已经认识到，EUV辐射与反射型图案形成装置之间的相互作用的三维特性导致精细特征的定位中的聚焦灵敏度，即使这些特征在光刻设备的印制分辨率内。这种位置灵敏度可用于创建聚焦量测图案，聚焦量测图案的不对称性对聚焦敏感，而无需违反设计规则或包含次分辨率特征。
本发明的一个方面提供了一种测量光刻设备的聚焦性能的方法，所述方法包括：
(a)使用所述光刻设备在衬底上印制至少一个聚焦量测图案，所印制的聚焦量测图案包括在至少一个方向上为周期性的特征阵列；
(b)测量所述印制的聚焦量测图案的性质；和
(c)从所述性质的测量值推导出聚焦性能的测量值，
其中所述聚焦量测图案由图案形成装置限定并且通过用以倾斜角度入射的图案化辐射照射所述图案形成装置执行步骤(a)中的所述印制，并且其中所述聚焦量测图案包括第一特征组的周期性阵列，每个第一特征组包括一个或多个第一特征，并且其中在所述聚焦量测图案内的相邻的第一特征组之间的间隔远大于每个第一特征在周期方向上的尺寸。
当使用图案形成装置的倾斜照射来印制时，这种图案将以依赖于聚焦误差的方式呈现第一特征的变形和/或位移。测量印制的图案中的不对称性是一种方便的测量使用具有第一特征的图案形成装置测量获得的图案的取决于焦点的变形和/或位移的方法。如果优选的话，可以采用其他方法
每个第一特征组中的第一特征的数量可以少至一个，或者可以是两个或更多。
本发明还提供了一种用于光刻设备中的图案形成装置，所述图案形成装置包括反射部分和非反射部分以限定一个或多个器件图案和一个或多个量测图案的多个特征，所述量测图案包括至少一个聚焦量测图案，每个第一特征组包括一个或多个第一特征，并且其中在所述聚焦量测图案内的相邻的第一特征组之间的间隔远大于每个第一特征在周期方向上的尺寸。
本发明还提供了一种用于测量光刻过程的参数的量测设备，所述量测装置可操作以执行根据本发明上文所述方法的步骤(b)和(c)。
本发明还提供了一种包括光刻设备的光刻系统，该光刻设备包括：
照射光学系统，所述照射光学系统被布置为照射反射式图案形成装置；
投影光学系统，布置成将所述图案形成装置的图像投影到衬底上；和
根据本发明上文所述的量测设备，
其中所述光刻设备被布置为在将所述图案施加到其他衬底时使用由所述量测设备导出的聚焦性能的测量值。
本发明进一步提供了用于实施如上所述的根据本发明的各个方面的方法和设备的计算机程序产品。
本发明还提供了使用如上所述的根据本发明的方法来制造器件的方法。
本发明的另外的特征和优点以及本发明的各实施例的结构和操作被参考附图在下文更详细地描述。
注意到，本发明不限于此处描述的特定实施例。这样的实施例被在此处显示，仅用于说明性的目的。基于此处包含的教导，相关领域的技术人员将明白另外的实施例。
附图说明
现在将参考所附示意性附图、仅以示例的方式来描述本发明的实施例，在附图中对应的附图标记指示对应部件，且在所述附图中：
图1描绘了具有反射式图案形成装置的光刻设备；
图2描绘了光刻单元或簇，其中的光刻设备和量测设备可用于执行根据本发明的方法；
图3示意性示出适于执行角分辨散射和暗场成像检查方法的检查设备；
图4示出了在本发明的一个实施例中使用反射式图案形成装置在衬底上形成聚焦量测目标；
图5示意性地示出了五个示例性聚焦量测图案(a)至(e)的细节；
图6示出了(a)当在图1的光刻设备中印制聚焦量测图案时，形成分离的双栅条特征的空间图像，以及(b)聚焦量测图案和聚焦的可测量参数的模拟；
图7示出了在印制图5(d)所示类型的聚焦量测图案时引入与依赖于聚焦的不对称性；
图8示出了包括图5(d)所示类型的一对偏置聚焦量测图案的复合聚焦量测目标的形成；
图9示出了使用图3的设备获得的图8的目标的聚焦量测图案的暗场图像；和
图10是根据本发明实施例的监控聚焦的方法的流程图。
具体实施方式
在详细地描述本发明的实施例之前，有益的是提出一个可以实施本发明的实施例的示例性环境。
图1示意地示出了根据本发明一个实施例的包括源模块SO的光刻设备100。所述光刻设备包括：
-照射系统(照射器)IL，其配置成调节辐射束B(例如EUV辐射)；
-支撑结构(例如掩模台)MT，其构造成用于支撑图案形成装置(例如掩模或掩模版)MA，并与配置成用于精确地定位图案形成装置的第一定位装置PM相连；
-衬底台(例如，晶片台)WT，构造成保持衬底(例如，涂覆有抗蚀剂的晶片)W，且连接至配置成准确定位衬底的第二定位装置PW；和
-投影系统(例如反射式投影系统)PS，其配置成用于将由图案形成装置MA赋予辐射束B的图案投影到衬底W的目标部分C(例如包括一个或更多个管芯)上。
照射系统可以包括各种类型的光学部件，例如折射型、反射型、磁性型、电磁型、静电型或其它类型的光学部件、或其任意组合，用以引导、成形、或控制辐射。
所述支撑结构MT以依赖于图案形成装置的方向、光刻设备的设计以及诸如图案形成装置是否保持在真空环境中等其他条件的方式保持图案形成装置MA。所述支撑结构可以采用机械的、真空的、静电的或其它夹持技术保持图案形成装置。所述支撑结构可以是框架或台，例如，其可以根据需要成为固定的或可移动的。所述支撑结构可以确保图案形成装置位于所需的位置上(例如相对于投影系统)。
术语“图案形成装置”应该被广义地理解为表示能够用于将图案在辐射束的横截面上赋予辐射束、以便在衬底的目标部分上形成图案的任何装置。被赋予辐射束的图案可以与在目标部分上形成的器件中的特定的功能层相对应，例如集成电路。
光刻术中使用的图案形成装置一般可以是透射式或反射式的。图案形成装置的示例包括掩模、可编程反射镜阵列以及可编程液晶显示(LCD)面板。掩模在光刻术中是公知的，并且包括诸如二元掩模类型、交替型相移掩模类型、衰减型相移掩模类型和各种混合掩模类型之类的掩模类型。可编程反射镜阵列的示例采用小反射镜的矩阵布置，每一个小反射镜可以独立地倾斜，以便沿不同的方向反射入射的辐射束。所述已倾斜的反射镜将图案赋予由所述反射镜矩阵反射的辐射束。
与照射系统类似，投影系统可以包括多种类型的光学部件，例如折射型、反射型、磁性型、电磁型和静电型光学部件、或其它类型的光学部件，或其任意组合，如对于所使用的曝光辐射所适合的、或对于诸如使用真空之类的其他因素所适合的。可以期望将真空用于EUV辐射，因为其他气体可能会吸收太多的辐射。因此借助真空壁和真空泵可以在整个束路径上提供真空环境。
如此处所示，所述设备是反射型的(例如采用反射式掩模)。本公开的聚焦量测技术已经被开发特地用于反射式图案形成装置(掩模版)，其中照射不是在与图案形成装置表面的平面垂直的方向上，而是以略微倾斜的角度。原则上，如果出于某种原因照射被引入了不对称性，则相同的技术可以适用于透射式图案形成装置。传统上，掩模版的照射被设计为对称的，但是具有反射式掩模版，这通常是不可能的。
光刻设备可以是具有两个(双平台)或更多衬底台(和/或两个或更多的掩模台)的类型。在这种“多平台”机器中，可以并行地使用附加的台，或可以在一个或更多个台上执行预备步骤的同时，将一个或更多个其它台用于曝光。
参照图1，所述照射器IL接收从源模块设备SO发出的极紫外辐射束。用于产生EUV光的方法包括但不必限于将材料转换为等离子体状态，该材料具有至少一种元素(例如氙、锂或锡)，其中在EUV范围内具有一个或更多个发射线。在一种这样的方法中，通常称为激光产生等离子体(“LPP”)，所需的等离子体可以通过以激光束照射燃料来产生，燃料例如可以是具有所需线发射元素的材料的液滴、流或簇团。源模块SO可以是包括用于提供激发燃料的激光束的激光器(图1中未示出)的EUV辐射系统的一部分。所形成的等离子体发射输出辐射，例如EUV辐射，其通过使用设置在源模块内的辐射收集器收集。激光器和源模块可以是分立的实体(例如当使用CO2激光器提供用于燃料激发的激光束时)。
在这种情况下，不会将激光器考虑成形成光刻设备的一部分，并且通过包括例如合适的引导反射镜和/或扩束器的束传递系统的帮助，将所述激光束从激光器传到源模块。在其它情况下，源可以是源模块的组成部分，例如，当源是通常被称为DPP源的放电产生的等离子体EUV发生器时。
所述照射器IL可以包括用于调整所述辐射束的角强度分布的调整器。通常，可以对所述照射器的光瞳平面中的强度分布的至少所述外部和/或内部径向范围(一般分别称为σ-外部和σ-内部)进行调整。此外，所述照射器IL可以包括各种其它部件，例如琢面场反射镜装置和琢面光瞳反射镜装置。可以将所述照射器用于调节所述辐射束，以在其横截面中具有所需的均匀性和强度分布。
所述辐射束B入射到保持在支撑结构(例如，掩模台)MT上的所述图案形成装置(例如，掩模)MA上，并且通过所述图案形成装置来形成图案。已经被图案形成装置(例如，掩模)MA反射后，所述辐射束B穿过投影系统PS，所述投影系统将辐射束聚焦到所述衬底W的目标部分C上。通过第二定位装置PW和位置传感器PS2(例如，干涉仪器件、线性编码器或电容传感器)的帮助，可以精确地移动所述衬底台WT，例如以便将不同的目标部分C定位于所述辐射束B的路径中。类似地，可以将所述第一定位装置PM和另一个位置传感器PS1用于相对于所述辐射束B的路径精确地定位图案形成装置(例如，掩模)MA。可以使用掩模对准标记M1、M2和衬底对准标记P1、P2来对准图案形成装置(例如，掩模)MA和衬底W。
示出的设备可以用于下列模式中的至少一种：
1.在步进模式中，在将支撑结构(例如掩模台)MT和衬底台WT保持为基本静止的同时，将赋予所述辐射束的整个图案一次投影到目标部分C上(即，单一的静态曝光)。然后将所述衬底台WT沿X和/或Y方向移动，使得可以对不同目标部分C曝光。
2.在扫描模式中，在对支撑结构(例如掩模台)MT和衬底台WT同步地进行扫描的同时，将赋予所述辐射束的图案投影到目标部分C上(即，单一的动态曝光)。衬底台WT相对于支撑结构(例如掩模台)MT的速度和方向可以通过所述投影系统PS的(缩小)放大率和图像反转特征来确定。
3.在另一模式中，将用于保持可编程图案形成装置的支撑结构(例如掩模台)MT保持为基本静止，并且在对所述衬底台WT进行移动或扫描的同时，将赋予所述辐射束的图案投影到目标部分C上。在这种模式中，通常采用脉冲辐射源，并且在所述衬底台WT的每一次移动之后、或在扫描期间的连续辐射脉冲之间，根据需要更新所述可编程图案形成装置。这种操作模式可易于应用于利用可编程图案形成装置(例如，如上所述类型的可编程反射镜阵列)的无掩模光刻术中。
也可以采用上述使用模式的组合和/或变体，或完全不同的使用模式。
应该理解的是，图1中以高度示意性的形式示出了光刻设备，但这是所有的对于本公开而言是必需的特征。
如图2所示，光刻设备LA构成光刻单元LC的一部分，并且有时被称为光刻元或簇。光刻单元LC还可以包括用于在衬底上进行曝光前和曝光后处理的设备。常规地，这些设备包括：用于沉积抗蚀剂层的旋涂机SC、用于显影曝光后的抗蚀剂的显影剂DE、激冷板CH和焙烤板BK。衬底处理器或机器人RO从输入/输出端口I/O1、I/O2拾取衬底，在不同的处理设备之间移动衬底，然后将其传送到光刻设备的装载台LB。这些装置通常统称为轨道，并且由轨道控制单元TCU控制，该轨道控制单元TCU本身由管理控制系统SCS控制，该管理控制系统SCS也通过光刻术控制单元LACU来控制光刻设备。因此，可以操作不同的设备以最大化生产量和处理效率。
为了正确且一致地曝光由光刻设备所曝光的衬底，需要检查经曝光的衬底、以测量诸如后续层之间的重叠误差、线厚度、临界尺寸(CD)等特性。由此，其中定位光刻元LC的制造设施也包括量测系统MET，量测系统MET接收已在光刻元中处理的衬底W中的一些或全部。将量测结果直接或间接地提供至管理控制系统SCS。如果检测到误差，则可对后续衬底的曝光进行调整，尤其在检查可足够迅速地且快速地进行使得同一批次的其他衬底仍处于待曝光的情况下。此外，已经曝光的衬底可被剥离及返工-以改善良率-或被废弃，由此避免对已知有缺陷的衬底执行进一步处理。在衬底的仅一些目标部分有缺陷的情况下，可仅对良好的那些目标部分执行进一步曝光。
在量测系统MET内，使用检查设备以确定衬底的特性，且尤其是确定不同衬底或同一衬底的不同层的特性如何在不同层间变化。检查设备可整合至光刻设备LA或光刻元LC中，或可以是单机器件。为了实现最快速的测量，需要使检查设备紧接着曝光之后测量经曝光的抗蚀剂层中的特性。然而，抗蚀剂中的潜像具有非常低的对比度-在已被辐射曝光的抗蚀剂部分与尚未被辐射曝光的抗蚀剂部分之间仅存在极小折射率差-并且并非所有的检查设备都具有足够的灵敏度来制造有用的潜像测量。因此，可在曝光后焙烤步骤(PEB)后进行测量，曝光后焙烤步骤(PEB)通常为对曝光后的衬底进行的第一步骤且增加抗蚀剂的曝光部分与未曝光部分之间的对比度。在这一阶段，抗蚀剂中的图像可被称作半潜像(semi-latent)。也可以对显影后的抗蚀剂图像进行测量-此时，抗蚀剂的曝光部分或未曝光部分已被移除-或在图案转移步骤(诸如蚀刻)后进行显影抗蚀剂图像的测量。后一种可能性限制了返工有缺陷衬底的可能性，但仍可提供有用信息。
图3(a)示意性地示出了实施所谓的暗场成像量测的检查设备的关键元件。所述设备可以是独立的装置，也可以被包括在光刻设备LA中，例如处于测量站，或光刻胞LC中。用虚线O表示具有贯穿所述设备的几个支路的光轴。目标光栅结构T和衍射射线在图3(b)中被更详细示出。
如在引言中引用的在先申请中所描述的，图3(a)的暗视场成像设备可以是多用途角度分辨散射计的一部分，其可以代替光谱散射计或在光谱散射计的基础上额外地使用。在这种类型的检查设备中，由辐射源11发射的辐射由照明系统12调节。例如，照射系统12可以包括准直透镜系统、滤色器、偏振器和孔径装置13。经过调节的辐射沿着照射路径IP，其中它被部分反射表面15反射并经由显微镜物镜16聚焦到衬底W上的斑点S中。量测目标T可以形成在衬底W上。透镜16具有高数值孔径(NA)，优选为至少0.9，更优选为至少0.95。如果需要，可以使用浸没流体，以获得大于1的数值孔径。
在这个示例中的物镜16也用于收集已经被目标散射的辐射。示意性地示出了用于该返回的辐射的收集路径CP。多用途散射计可以在收集路径中具有两个或更多个测量分支。所示出的作为光瞳成像分支的示例包括光瞳成像光学系统18和光瞳图像传感器19。还示出了成像分支，其将在下面更详细地描述。另外，更多的光学系统和分支将被包括在实际设备中，例如用于收集用于强度标准化的参考辐射，用于捕获目标的粗略成像，用于聚焦等等。这些细节可以在上面提到的现有出版物中找到。
当在衬底W上提供量测目标T时，这可以是1-D光栅，其被印制成在显影之后，栅条由固体抗蚀剂线形成。目标可以为2-D光栅，所述2-D光栅被印制成使得在显影之后，该光栅由实体抗蚀剂柱或抗蚀剂中的通孔形成。栅条、柱或通孔可以可选地被刻蚀至衬底中。这些光栅中的每一个都是目标结构的示例，可以使用检查设备来研究其特性。
照明系统12的各种组件可以是可调节的，以在同一设备内实施不同的量测“选配方案”。除了选择波长(颜色)和偏振作为照射辐射的特征之外，照射系统12可以被调节以实现不同的照射轮廓。孔径装置13的平面与物镜16的光瞳平面和光瞳图像探测器19的平面共轭。因此，由孔径装置13限定的照射轮廓限定入射到衬底W上的斑点S中的光的角度分布。为了实现不同的照射轮廓，可以在照射路径中设置孔径装置13。孔径装置可以包括安装在可移动滑动件或轮上的不同孔径。它可以可选地包括可编程空间光调制器。作为另一种选择，光纤可以设置在照射光瞳平面中的不同位置处，并且可以选择性地用于在其各自的位置传递光或者不传递光。这些变体都在上面引用的文件中讨论和举例说明。
在第一示例照射模式中，使用孔径13N并且提供射线30a，使得入射角如图3(b)中“I”所示。由目标T反射的零级射线的路径被标记为“0”(不要与光轴“O”混淆)。在第二照射模式中，使用孔径13S，使得可以提供光线30b，在这种情况下，与第一模式相比，入射角和反射角将被交换。在图3(a)中，第一和第二示例照射模式的零级光线被分别标记为0(13N)和0(13S)。这两种照射模式都将被识别为离轴照射模式。许多不同的照射模式，包括轴上照射模式，可以用于实现不同的目的。
如图3(b)中更详细地所示，放置目标光栅T作为目标结构的一个示例，其中衬底W垂直于物镜16的光轴O。在离轴照射剖面图的情形中，从偏离轴线O的一角度入射到光栅T上的照射射线I产生第零级射线(实线0)和两个第一级射线(点划线表示+1级，并且双点划线表示-1级)。应注意，对于过填充的小目标光栅而言，这些射线只是衬底的覆盖包括量测目标光栅T和其它特征的区域的许多平行射线之一。由于照射射线的束30a具有有限的宽度(对于允许有用的量的光而言是必需的)，因而入射射线I实际上将会占据一角度范围，并且衍射射线0和+1/-1将会一定程度地铺开。根据小目标的点扩散函数，每个级+1和-1都将进一步在一个角度范围之上展开，而不是如图示的单条理想的射线。
在用于暗场成像的采集路径的支路中，成像光学系统20在传感器23(例如CCD或CMOS传感器)上形成衬底W上目标的图像T′。在与物镜16的光瞳平面共轭的收集路径CP的成像分支中的平面中提供孔径光阑21。孔径光阑20也可以被称为光瞳光阑。孔径光阑21可以采取不同的形式，正如照射孔径可以采用不同的形式一样。孔径光阑21结合透镜16的有效孔径确定散射辐射的哪一部分被用于在传感器23上产生图像。通常，孔径光阑21起到阻挡零级衍射光束的作用，使得形成在传感器23上的目标的图像仅由一级光束形成。在两个一级光束组合形成图像的例子中，这将是所谓的暗场图像，相当于暗场显微图像。作为孔径光阑21的例子，可以使用仅允许轴上辐射通过的孔径21a。结合孔径21a使用离轴照射，一次仅成像第一级中的一个。
由传感器23捕获的图像被输出到图像处理器和控制器PU，其功能将取决于正在执行的特定类型的测量。为了此目的，执行目标结构的不对称性的测量。不对称性的测量可以结合目标结构的知识，以获得用于形成它们的光刻过程的性能参数的测量结果。可以用这种方式测量的性能参数包括例如重叠、聚焦和剂量。提供目标的特殊设计，以允许通过相同的基础不对称性测量方法进行这些不同性能参数的测量。
再次参照图3(b)和具有射线30a的第一示例照射模式，来自目标光栅的+1级衍射射线将进入物镜16并且对传感器23处记录的图像作出贡献。当使用第二照射模式时，光线30b以与光线30b相反的角度入射，并且因此-1级衍射光线进入物镜并且对图像有贡献。当使用离轴照射时，孔径光阑21a阻挡零级辐射。如现有技术出版物中所述，照射模式可以用X和Y方向的离轴照射来限定。
通过比较这些不同照射模式下的目标光栅的图像，可以获得不对称性的测量。可替代地，不对称性的测量可以通过保持相同的照射模式，但旋转目标来获得。虽然示出了离轴照射，但是也可以使用目标的轴上照射，并且可以使用修改的离轴孔径光阑21以通过基本上仅一个一级衍射光至传感器。在另一个例子中，一对离轴棱镜21b与轴上照射模式结合使用。这些棱镜具有将+1和-1级转向到传感器23上的不同位置的效果，使得它们可以被探测和比较，而不需要两个连续的图像捕获步骤。该技术在上述公开的专利申请US2011102753A1中公开，其内容通过引用合并于此。可以在测量中使用二级、三级和更高级的光束(图3中未示出)，代替一级束或者除了一级束之外。作为进一步的变型，离轴照射模式可以保持恒定，而目标本身在物镜16下方旋转180度以使用相反的衍射级来捕获图像。
在下面的公开中，将说明用于测量在反射型图案形成装置上使用倾斜照射的光刻过程的聚焦性能的技术。这些技术尤其可应用于需要在近真空环境中的反射光学元件的EUV光刻术。包括特定聚焦量测图案的计量目标将被印制在衬底上，同时印制产品特征。在这些印制的图案中的不对称性将使用例如图3的设备中的基于衍射的技术来测量。为了允许使用小目标，将假定这些不对称性的测量将使用设备的暗场成像支路来执行。然而，也可以使用光瞳成像支路来进行基于衍射的不对称性的测量。当然，图3中所示的设备仅是可用于测量不对称性的检查设备和方法的一个示例。
在工作于DUV波长范围内的光刻设备的情况下，已经成功地设计并使用用于基于衍射的聚焦(DBF)测量的目标。已知类型的DBF目标通过在掩模版上以光栅图案中的包括子段特征来产生。这些特征具有小于光刻设备的成像分辨率的尺寸，在更多的实体特征旁边。因此，它们不会在衬底上的抗蚀剂层中作为单个的特征被印制，但是它们以对聚焦误差敏感的方式影响实体特征的印制。具体而言，这些特征的存在为DBF量测目标内的光栅中的每条线产生不对称的抗蚀剂轮廓，不对称性的程度取决于聚焦。因此，诸如图3的检查设备之类的量测工具可以测量来自衬底上形成的目标的不对称性的程度，并将其转化为扫描仪聚焦。
不幸的是，已知的DBF量测目标设计不适合在所有情况下使用。在EUV光刻中，抗蚀剂膜的厚度明显低于在DUV浸没式光刻术中使用的厚度，这使得难以从形成目标的一部分的结构的不对称的轮廓提取精确的不对称性的信息。另外，由于成像系统的分辨率在EUV光刻术中固有地较高，因此具有低于DUV浸没式光刻术的印制分辨率的尺寸的特征成为可通过EUV光刻术印制的“实体”特征。在EUV掩模版上提供类似的亚分辨率特征通常不可行，和/或可能违反半导体制造商的“设计规则”。通常将这些规则被建立为限制特征设计以确保印制的特征符合其工艺要求的手段。无论如何，在设计规则之外的工作使得难以在DBF目标上模拟过程的性能，因此最佳的目标设计和焦点测量的校准成为试错的问题。
图4示出了根据本公开的测量光刻设备的聚焦性能的方法的原理。在所公开的方法中，使用光刻设备在衬底W上印制至少一个聚焦量测图案T。印制的聚焦量测图案T包括在至少一个方向上为周期性的特征的阵列。为了该示例的目的，聚焦量测图案T在Y方向上是周期性的，Y方向对应于光刻设备的扫描方向。在所述类型的光刻设备中，照射的方向在Y-Z平面内呈倾斜角。聚焦量测图案T在该Y方向上周期性地形成，以利用由该照射的倾斜引起的成像过程中的不对称性。通过测量所印制的聚焦量测图案中的不对称性，例如使用上述类型的检查设备，可以推导出聚焦性能的测量结果。
图案形成装置MA包括反射部分和非反射部分以限定一个或多个装置图案和一个或多个量测图案的特征。作为本公开感兴趣的一种量测，在衬底W上待形成的聚焦量测图案T由形成在反射式图案形成装置MA上的对应图案T”限定。在402处示出了部分掩模版的放大细节。将该图案转印到衬底W上的抗蚀剂层上的印制操作在图1的光刻设备中通过以EUV辐射404辐射照射掩模版来执行，其中该EUV辐射404辐射以倾斜角θ入射，θ可以例如在5°至10°的范围内。载有量测目标图案的信息(以及需要印制在衬底上的所有产品特征)的反射的辐射406进入投影系统PS。掩模版的基础是反射结构408，其通常是多层结构，适于反射在光刻设备中使用的辐射的波长。EUV辐射通常短于20纳米。例如，在基于锡等离子体辐射源的当前实施方式中使用大约13.5nm的波长。
在反射结构408的顶部上，提供了辐射吸收结构410，辐射吸收结构410可以包括一层EUV吸收材料，并且可选地包括保护性盖帽层。根据期望被印制在基板上的图案，结构410被选择性地去除，以留下反射部分412，414和非反射部分416。取决于所使用的抗蚀剂材料的类型，显影的图案可具有对应于反射部分(负性抗蚀剂)或非反射部分(正性抗蚀剂)的抗蚀剂特征。对于本说明，假设为正性抗蚀剂的过程，但是本领域技术人员可以在实际应用中将本公开的教导适应于任一类型的过程。
聚焦量测图案T包括具有沿周期方向的长度L的光栅图案。如上所述，本示例中的周期的方向为Y方向。标记出了结构的周期P，并且示出包括重复单元420中的一个的图案的放大部分。每个重复单元包括一组一个或多个第一特征422和一个或多个第二特征424。该示例中的每组第一特征422包括由掩模版部分402上的窄的反射部分412限定的双栅条结构。本领域技术人员将理解，当将来自图案形成装置MA的图案印制到衬底W上时，典型的光刻设备的投影系统PS将应用预定的缩小系数。因此，以下示例中给出的特征的尺寸将是被理解为是指被印制在基板上的特征的大小，并且图案形成装置上的相应特征(例如掩模版402)的尺寸将物理地大几倍。这个比例系数在下面的描述中应该被认为是理所当然的，不会再提及。
印制步骤中使用的辐射，例如EUV辐射，的波长比图3的检查设备中通常用于测量的不对称性的辐射的波长短得多。EUV辐射可以被定义为范围为0.1nm至100nm的辐射，而在印制步骤中使用的辐射的波长可以例如小于20纳米。一些实施例中的检查设备可以使用一个或多个在350-800nm范围内的波长的可见光或红外辐射。在这种情况下，印制步骤中使用的辐射波长可以比不对称性测量中所使用的辐射波长短10倍或更多倍。在其他实例中，测量辐射的波长可以短于350nm，例如在200-350nm或甚至100nm至200nm的范围内。
无论使用哪种辐射波长来印制图案并对其进行测量，聚焦量测图案都包含一系列适合这些条件的特性。第一特征422被设计成具有与作为产品图案的一部分印制的最小特征相似的尺寸。如果不是这样，那么使用聚焦量测图案T测量的聚焦性能可能不准确地表示在感兴趣的实际产品特征中的聚焦性能。因此，每组第一特征可以包括两个或更多个栅条或其他特征，每个具有在周期的方向上小于50纳米的尺寸CD。在一个例子中，这些特征的线宽可能是22nm。第一特征之间的间隔也可以小于50nm，并且与每个第一特征的尺寸CD相同或相似，例如22nm。
另一方面，鉴于检查设备中使用的较长波长(即使考虑到可能应用使用较短波长的检查设备)，这些单个的第一特征太小而不能由检查设备直接分辨。通过以具有可与检测装置波长相比的整体节距P的光栅图案来布置多组第一特征，整个图案的衍射光谱变得可供检查设备访问，并且可以推断出较小特征的性质。光栅图案的节距P可以例如是600nm。光栅图案的整体长度L可以是例如5μm。这样的尺寸允许图案被包括在装置区域内，但仍然使用图3的检查装置的暗场成像支路来分辨。(如果要使用光瞳成像支路来进行测量，则通常需要较大的目标，使得照射点S可以完全放置在光栅内)。
将这些尺寸放在一起，可以理解的是，相邻组第一特征422之间的间隔S1远大于各组内的第一特征之间的间隔S0。间隔S1可以是组内的第一特征之间的间隔的例如四倍以上，五倍，六倍，八倍或十倍以上。在图示的示例中，对于第一特征，在具有600nm的节距P和22nm的线宽的情况下，间隔S1可以超过500nm。一般而言，成像技术领域的技术人员会认为，如果这些特征之间的空间是特征本身的尺寸的五或六倍，那么这些特征将被有效地隔离。
第一特征组之间的间隔不一定是空的。在所示示例中，作为可选特征，第二特征424由掩模版上的更宽的反射部分414限定。第一特征和(可选地)第二特征之间的宽空间由非反射部分416限定。换句话说，在该示例中的焦点量测图案T还包括布置在相邻组第一特征之间的第二特征。第二特征与第一特征的区别在于每个第二特征的尺寸大于第一特征在周期的方向上的尺寸。在一个示例中，每个第二特征424的宽度可以在100nm的量级上。给定600nm的整体光栅节距，一组第一特征和相邻的第二特征之间的间隔S2(在该示例中)仍然比每组第一特征内的第一特征之间的间隔大若干倍。例如，间隔S2可以是每组中第一特征之间的间隔S0的四倍以上，五倍、六倍、八倍或十倍以上。
图5示出了可以使用的各种聚焦量测图案，并且当然可以基于这里公开的原理设想其他示例。在所有示例中，仅示出了图案的一小部分，包括具有节距P的重复单元。图5(a)的示例仅包括第一特征422的组，其中第一特征组之间的间隔S1远大于每个第一特征的在周期的方向上的尺寸(线宽)CD，并且远大于每个组内的第一特征之间的间隔S0。这个例子类似于图4所示的图案，但省略了第二特征。应该理解的是，为了使用反射式掩模版402来实现该图案，反射部分414将被去掉。在一些实施例中，作为第一特征422的栅条将由在掩模上的大致上反射性的背景内的窄的非反射部分限定，而在其他实施例中，第一特征422可由大致上非反射性的背景内的反射栅条412限定。在任何一种情况下，正性抗蚀剂或负性抗蚀剂的选择将决定这些第一特征是否在显影的聚焦量测图案中被表现为剩余的抗蚀剂，或者它们是否被表现为抗蚀剂的缺失。本公开的原理在所有这些变型中都是相同的。
考虑到掩模版402的三维特性，结合非垂直照射404的遮蔽效应，光刻设备的投影系统PS以取决于聚焦的方式印制聚焦量测图案的第一特征。图6(a)示意性地示出了由投影系统形成在抗蚀剂附近的“空间图像”的形式。纵轴表示在已经施加了辐射敏感抗蚀剂涂层的衬底表面附近、Z方向上的聚焦误差FE。横轴表示Y方向，Y方向也是光栅图案T的周期的方向。示出了用于单个双栅条特征的空间图像，应该理解，该图案在印制光栅的区域上重复。
如在成像实践中众所周知的那样，印制的图案在焦点平面中被最佳地限定，由零聚焦误差表征。在聚焦平面的上方和下方，空间图像的强度较低。然而，由于使用EUV光刻设备的反射光学系统进行成像的三维特性，空间图像不仅在最佳聚焦的平面的上方和下方变弱，而且变形，使得每个单个特征的空间图像倾斜。这由虚线示意性地示出，并且将会看到，双栅条特征的每个栅条在其空间图像中具有不同的倾斜，因此印制的栅条的边缘将呈现对聚焦误差的不同敏感度。所提供的图示仅仅是近似的，并且在真实的空间图像中还会产生进一步的效果。
取决于第一特征中出现不对称的主要机制，可预期的是分离的双栅条图案的抗蚀剂轮廓将呈现出比具有三条、四条或更多条栅条的单栅条更强烈的依赖于聚焦的不对称性。尽管如此，本公开不限于双栅条图案，并且每组第一特征可以包括任何数量的第一特征，包括仅仅单个第一特征。如下面将要说明的那样，第一特征本身的抗蚀剂轮廓的不对称性不是可以在聚焦量测图案中引入不对称的唯一机制。
因此，返回到双栅条示例，可通过提供具有所示类型的分离的双栅条特征的图案并测量印制的图案中的不对称性来测量聚焦中的误差。而且，如图6(b)的曲线图所示，印制的栅条的有效位置被位移一量dY，该量随聚焦误差FE而变化。如果聚焦量测图案被设计成可测量窄的栅条特征的位移，则可通过测量该位移来获得聚焦的测量值。所示的曲线图基于使用图5(b)的示例的模拟，其也将被认为是图4中示出的示例。允许测量位移dY的一种方式是提供更宽的特征，例如在该示例图案中的第二特征424。位移导致抗蚀剂中形成的光栅图案的不对称性，从而可以从不对称性的测量值中推导出聚焦性能的测量值，无论使用哪个示例。
另一种解释窄特征和宽特征之间的差分位移的方式是将光栅图案视为具有第一空间频率和第二空间频率的特征。不同空间频率(节距)的光栅会随着聚焦的变化而经历不同的定位。总之，通过采用两种不同效果中的任一种或两种，可以将不对称性引入到印制图案中：图案特征本身的变形；以及窄和宽特征的差分位移。测量不对称性是测量两种特征之间相对位移的一种方法，可以采用任何测量第一特征的位移的方法。这可以是一种通过除不对称性以外的某种方法来测量不同类型特征之间的相对位移的方法。它可以是一种测量第一特征相对于其他参照物的位移的方法。换句话说，测量印制的图案中的不对称性仅仅是测量使用具有第一特征的图案形成装置测量获得的图案的取决于焦点的图案的变形和/或位移的一种方便的方法。如果优选的话，可以采用其他方法。
回到图5，在(c)处示出了另一个示例性聚焦量测图案。除了在第一特征组之间设置多个第二特征组424而不是仅仅单个第二特征之外，该示例具有与图5(b)的图案相同的特性。还有，这个示例中的每组第一特征包括一个双栅条图案，这仅是示例。如在前面的示例中那样，第一特征422的组之间的间隔比该组内的第一特征之间的间隔大得多。另外，每组第一特征与相邻组的第二特征424之间的间隔也比每组内的第一特征之间的间隔大得多。
在这个示例中，具有窄和较宽尺寸的特征的组的差分位移产生不对称性的信号，不对称性的信号可以作为聚焦的表征而被测量。与前面的例子相比，对这个目标的测量可能对由聚焦以外的过程变化引起的图案中的变化较不敏感。另一方面，可能会丢失对聚焦的敏感度。可以根据这些因素的折衷来选择合适的目标设计。尽管第一特征可以具有与形成待印制在衬底上的产品图案的一部分的最窄特征相对应的尺寸CD，但第二特征可以具有与产品图案的一些其他特征相对应的尺寸CD2。应该理解的是，在相同的产品图案中不同尺寸的特征之间的正确配准对于成品的性能可能是重要的。
在另一个例子中，如图5(d)所示，聚焦量测图案包括光栅结构，其中一组窄的第一特征422基本上填充由较宽的第二特征424形成的光栅中的空间。换句话说，在此示例中，一组第一特征与相邻的第二特征之间的间隔S2类似于每个第一特征在周期方向上的尺寸CD1，并且类似于每个组内的第一特征之间的间隔S0。同时，第一特征组之间的间隔S1保持远大于每个组内各个第一特征之间的间隔。
现在参照图7，我们示出了影响图5(d)的示例性聚焦量测图案中的第一特征和第二特征的差分位移的作用。图案T(0)被印制，完全如图5(d)所示。该图案可以完全对应于在适当地修改的掩模版402上的反射部分和非反射部分的图案。然而，如已经说明的那样，当在一定程度的聚焦误差的情况下印制时，窄特征和宽特征将变形和/或偏移。因此，当存在负聚焦误差时，将在衬底上印制略微不同的图案T(FE-)。如图所示，作为第一特征的窄线相对于宽线线偏移了小的差分位移dY。类似地，当存在正聚焦误差时，另一种不同的图案T(FE+)将被印制在衬底上。作为第一特征的窄线在相反的方向上偏移了小的差分位移dY。虽然这幅图中的位移可能被夸大，但可以看出，第一特征和第二特征的差分位移在印制的图案中引入了不对称性，这在“理想”的印制的图案T(0)中不存在。在这种图案中的不对称性的测量因此可以产生聚焦误差的测量值。
在一些实施例中，如图8所示，在相同步骤中印制两个或更多个类似的聚焦量测图案。这些图案是“偏置”的，这意味着除了在第一特征相对于第二特征的定位中的程序化偏离之外，它们是相同的。图8显示了一对聚焦量测图案T+和T-。它们被并排地印制，并且例如可以使用图3的检查设备的暗场成像模式中的辐射斑点S同时成像。换句话说，可以通过使用由设备收集的+1和-1级衍射辐射来获取第一和第二图像从而获取这些聚焦量测图案中的不对称性的测量结果。图9中示出了一个这样的图像。例如，黑色矩形表示记录在图3的设备中的传感器23上的暗场图像。圆S′表示成像在探测器上的辐射斑点S的面积。更亮的矩形T-′和T+′表示这对聚焦量测图案T-和T+的图像。例如，可以通过在每个较亮的矩形内定义感兴趣区域ROI并对像素值进行平均来测量来自每个目标的一个衍射级的强度。对相反的衍射级重复此操作可以计算不对称性。在使用图3所示的棱镜21b的替代测量方法中，则有效地可以同时捕获两个图案的两个图像。
应该注意，图8中所示的每个图案是用第一特征相对于第二特征的位移(偏移)“预程序化的”。因此，在零聚焦误差下，图案T-将被印制成看起来类似于图7中的图案T(FE-)的图案。由于聚焦误差在正方向上变化，所以图案将被印制得更像中性或名义图案T(0)，其不对称性会下降。相反地，在零聚焦误差下，图案T+将被印制成看起来类似于图7中的图案T(FE+)的图案。其不对称性将随着聚焦误差在负方向上的变化而减小。在已知技术中聚焦和/或重叠的基于衍射的测量中，使用两个或更多个偏置的目标允许获得不对称性的差分测量值。将这些差分测量值与已程序化的偏移的信息相结合，可以推导聚焦误差的测量结果，同时消除其他与依赖于过程的变量。如现在在图8的示例中所图示的，偏置的目标可以被设计成在本公开的聚焦量测图案中获得相同的益处。
该方法依赖于目标的不对称(或其他性质)与曝光(印制)期间的聚焦误差之间存在已知关系的事实。这种关系应该是一个单调变化的函数(即对于正聚焦和负聚焦，不对称性的标志应该是不同的)。当这种关系是已知的(例如通过计算手段)时，可以设计两个目标模拟正聚焦和负聚焦的行为。现在可以从两个目标上的不对称的测量结果中提取实际聚焦的位置。
回到图5，在(e)处示出了另一个示例性聚焦量测图案。在该示例中包括第一特征422的组的聚焦量测图案被印制为与在同一衬底上的分开印制步骤中印制的第二特征的阵列配准。众所周知，典型的光刻制造过程涉及在连续层中印制许多不同的图案，以最终限定功能性产品的结构。在图示的示例中，第二特征424被印制在衬底上的不同层中，在第一特征422的上方或下方。换句话说，在一个图案形成装置上设置特征以限定聚焦量测图案的第一特征，并且在另一图案形成装置上设置特征以定义第二特征。在其他例子中，在分开的印制步骤中印制的图案可以组合在相同的层中，使得实例(b)，(c)，(d)中的任何一个可以在分开的步骤中印制。如前所述，第一特征相对于第二特征的差分位移将导致印制图案中的不对称性。这种差分位移还将当然包括两个印制步骤之间的重叠误差。可以使用印制在附近的其他量测目标来测量该重叠误差，并且可以从在聚焦量测图案上测量的重叠误差中减去实际重叠误差，以分离与聚焦误差相关联的差分位移。由于第二特征比第一特征宽得多，所以它们对聚焦误差和它们的定位相对不敏感。因此，将理解的是，用于印刷包括第一特征的聚焦量测图案的印刷步骤是测量焦距误差的步骤。
图10是根据示例性实施例的用于测量光刻过程的聚焦性能的方法的步骤的流程图。该方法可以使用上面描述的和附图中示出的任何一种示例性聚焦量测图案来执行。步骤如下，然后在其后更详细地描述：
1000-首先限定具有量测目标的产品设计，并准备一套合适的图案形成装置(掩模版)。
1010-在衬底上的产品图案旁边印制一个或多个聚焦量测图案；
1020-使用合适的检查设备(例如+1阶是衍射光谱的合适部分)测量每个聚焦量测图案的衍射光谱的一部分的强度；
1030-使用检查设备测量每个聚焦量测图案的衍射光谱的相对部分(例如，-1阶)的强度；
1040-通过比较相对的衍射级的强度来计算一个或多个聚焦量测图案的不对称性的测量结果；
1050-使用非对称性的测量值，可选地利用聚焦测量图案之间的程序化偏离的信息和/或例如实际重叠性能的其他测量值之间的程序偏移量，计算印制聚焦量测图案时的聚焦误差。
1060-在聚焦设置中使用导出的聚焦测量值，以用于后续衬底上的曝光。
1060-结束或重复。
如已经解释的那样，步骤1020和步骤1030可以作为单个步骤执行，使得可以在单次采集中获得聚焦量测图案的相对的衍射级。另外，有超过两个目标被测量的情形中，在单次采集中可以测量所有的目标，以获得相应数量的测量值。
尽管示出的测量步骤被示出为是通过散射计进行的，但是作为专用的检测设备，散射计可以是独立的设备或者可以被集成在光刻单元中。此外，可以在没有专用量测设备的情况下进行不对称性的测量，例如使用具有设置在光刻设备中的对准传感器的合适目标。
计算步骤1040和1050可以全部在检查设备的处理器中执行，或者可以在与光刻设备的监视和控制相关联的不同处理器中执行。每个步骤可以由程序化的处理器执行，并且所公开的技术的优点是可以修改检查设备以执行聚焦测量方法而无需硬件修改。
结论
总之，通过执行如本文所公开的聚焦测量方法，可改善使用光刻工艺的制造器件的方法，使用它来测量处理后的衬底以测量光刻过程的性能的参数以及调整过程(特别是聚焦)的参数，从而改进或维持用于后续衬底的处理的光刻过程的性能。
尽管包括上述聚焦量测图案的目标结构是为测量目的而具体指定和形成的量测目标，但是在其他实施例中，可以在作为形成在衬底上的器件的功能部分的目标上对性质进行测量。许多器件具有规则的类似光栅的结构。在此所使用的术语“量测图案”和“量测目标”等不要求为正在执行的测量具体提供该结构。
结合在衬底和图案形成装置上实现的限定聚焦量测图案的物理光栅结构，一实施例可以包括计算机程序，该计算机程序包含一个或更多个机器可读指令序列，所述机器可读指令序列用于描述设计聚焦量测图案、量测选配方案和/或控制检查设备以执行照射模式和这些量测选配方案的其它方面的方法。该计算机程序例如可以在单独的计算机系统中执行用于设计/控制过程。如上所述，计算和控制步骤可以在图3的设备中的单元PU中和/或图2的控制单元LACU内全部或部分地执行。还可以提供其中存储有这种计算机程序的数据存储介质(例如，半导体存储器，磁盘或光盘)。
在下面编号的项目中提供了根据本发明的其他实施例：
1.一种测量光刻设备的聚焦性能的方法，所述方法包括：
(a)使用所述光刻设备在衬底上印制至少一个聚焦量测图案，所印制的聚焦量测图案包括在至少一个方向上为周期性的特征阵列；
(b)测量所印制的聚焦量测图案的性质；和
(c)从所述性质的测量值推导出聚焦性能的测量值，
其中所述聚焦量测图案由图案形成装置限定并且通过用以倾斜角度入射的图案化辐射照射所述图案形成装置执行步骤(a)中的所述印制，并且其中所述聚焦量测图案包括第一特征组的周期性阵列，每个第一特征组包括一个或多个第一特征，并且其中在所述聚焦量测图案内的相邻的第一特征组之间的间隔远大于每个第一特征在周期方向上的尺寸。
2.根据项目1所述的方法，其中相邻的第一特征组之间的所述间隔是每个第一特征在所述周期方向上的所述尺寸四倍以上。
3.根据项目1或2所述的方法，其中步骤(b)包括通过测量所述聚焦量测图案的衍射光谱的不对称性来测量作为所述印制的图案的性质的不对称性。
4.根据项目1、2或3所述的方法，其中在所述印制步骤(a)中使用的辐射的波长比在所述测量步骤(b)中使用的辐射的波长短。
5.根据项目4所述的方法，其中在所述印制步骤中使用的辐射的波长小于20纳米，并且在所述测量步骤中使用的波长大于100纳米，所述第一特征中的每一个在周期方向上尺寸小于50纳米。
6.根据前述任一项目所述的方法，其中每组第一特征组包括两个或更多个第一特征，相邻的第一特征组之间的所述间隔远大于每个组内的所述第一特征之间的间隔。
7.根据前述任一项目所述的方法，其中，所述第一特征组中的每组包括恰好两个第一特征。
8.根据前述任一项目所述的方法，其中所述聚焦量测图案还包括布置在所述相邻的第一特征组之间的第二特征，每个第二特征在所述周期方向上的尺寸大于所述第一特征在所述周期方向上的尺寸。
9.根据项目8所述的方法，其中两个或更多个第二特征组被布置在所述相邻的第一特征组之间。
10.根据项目8或9所述的方法，其中，第一特征组与相邻的第二特征之间的间隔是每个第一特征的尺寸四倍以上。
11.根据项目8或9所述的方法，其中，第一特征组与相邻的第二特征之间的间隔与每个第一特征在所述周期方向上的尺寸近似或相同。
12.根据项目1至7中任一项所述的方法，其中包括第一特征组的所述聚焦量测图案以与在同一衬底上的独立的印制步骤中印制的第二特征的阵列配准的方式印制。
13.根据项目12所述的方法，其中，所述第二特征被印制在所述衬底上的在所述第一特征组的上方或下方的不同层中。
14.根据前述任一项所述的方法，其中所述聚焦量测图案是在相同步骤(a)中印制的两个或更多个相似的聚焦量测图案中的一个，所述两个或更多个聚焦量测图案相同，除了所述第一特征相对于所述第二特征的定位中的编排的偏移。
15.一种用于光刻设备中的图案形成装置，所述图案形成装置包括反射部分和非反射部分以限定一个或多个器件图案和一个或多个量测图案的多个特征，所述量测图案包括至少一个聚焦量测图案，所述聚焦量测图案包括第一特征组的周期性阵列，每组第一特征组包括一个或多个第一特征，并且其中在所述聚焦量测图案内的相邻的第一特征组之间的间隔远大于每个第一特征在周期方向上的尺寸。
16.根据项目15所述的图案形成装置，其中相邻的第一特征组之间的所述间隔是每个第一特征在所述周期方向上的所述尺寸四倍以上。
17.根据项目15或16所述的图案形成装置，其中所述反射部分适于反射在所述光刻设备中使用的辐射的短于20纳米的波长，并且其中每个第一特征在由所述光刻设备印制时具有在所述周期方向上小于50纳米的尺寸。
18.根据项目17所述的图案形成装置，其中当由所述光刻设备印制时，所述聚焦量测图案的周期大于100纳米。
19.根据项目15至18中任一项所述的图案形成装置，其中每组第一特征组包括两个或更多个第一特征。
20.根据项目15至19中任一项所述的图案形成装置，其中，所述第一特征组中的每组包括恰好两个第一特征。
21.根据项目15至20中任一项所述的图案形成装置，其中所述聚焦量测图案还包括布置在所述相邻的第一特征组之间的第二特征，每个第二特征在所述周期方向上的尺寸大于所述第一特征在所述周期方向上的尺寸，并且其中第一特征组与相邻的第二特征之间的间隔是每个第一特征的尺寸的四倍以上。
22.根据项目21所述的图案形成装置，适于限定两个或更多个第二特征组，所述第二特征组布置在相邻的第一特征组之间。
23.根据项目5至20中任一项所述的图案形成装置，其中所述聚焦量测图案还包括布置在所述相邻的第一特征组之间的两个或更多个第二特征组，每个第二特征在所述周期方向上的尺寸大于所述第一特征在所述周期方向上的尺寸，并且其中第一特征组与相邻的第二特征之间的间隔与每个组内的第一特征之间的间隔。
24.根据项目15至20中任一项所述的图案形成装置，与限定第二特征的第二图案形成装置相组合，使得包括第一特征组的所述聚焦量测图案以与在同一衬底上在独立的印制步骤中印制的第二特征的阵列配准的方式印制。
25.根据项目21至24中任一项所述的图案形成装置，其中所述聚焦量测图案是由相同的图案形成装置限定的两个或更多个相似的聚焦量测图案中的一个，所述两个或更多个聚焦量测图案相同，除了所述第一特征相对于所述第二特征的定位中的编排的偏移。
26.一种用于测量光刻过程的参数的量测设备，所述量测装置可操作以执行项目1至14中任一项的方法的步骤(b)和(c)。
27.根据项目26所述的量测设备，包括：
用于所述衬底的支撑件，所述衬底上具有多个目标；
用于捕获由每个目标散射的辐射的光学系统；和
处理器，用于基于所捕获的散射的辐射中的不对称性推导出所述光刻过程的聚焦性能的所述测量值。
28.一种光刻系统，包括：
一种光刻设备，包括：
照射光学系统，所述照射光学系统被布置为照射反射式图案形成装置；
投影光学系统，布置成将所述图案形成装置的图像投影到衬底上；和
根据项目26或27所述的量测设备，
其中所述光刻设备被布置为在将所述图案施加到其他衬底时使用由所述量测设备导出的聚焦性能的测量值。
29.一种包括处理器可读指令的计算机程序，其中，当在适当的处理器所控制的设备上运行时，所述处理器可读指令引起所述处理器控制的设备执行根据项目1至14中任一项所述的方法的步骤(b)和/或步骤(c)。
30.一种计算机程序载体，所述计算机程序载体包括根据方面29所述的计算机程序。
31.一种器件制造方法，其中使用光刻过程将器件图案施加到一系列衬底，所述方法包括：
-使用项目1至14中任一项的方法来测量光刻过程的聚焦性能，以及
-根据测量的聚焦性能控制之后的衬底的光刻过程。
这里使用的术语“辐射”和“束”包含全部类型的电磁辐射，所述电磁辐射包括紫外(UV)辐射(例如具有等于或约为365nm、355nm、248nm、193nm、157nm或126nm的波长)和极紫外(EUV)辐射(例如具有处于5nm至20nm的范围内的波长)以及诸如离子束或电子束等粒子束。
在允许的情况下，术语“透镜”可以表示各种类型的光学部件中的任何一种或其组合，包括折射式的、反射式的、磁性的、电磁的和静电的光学部件。
本发明的宽度和范围不应受任一上述的示例性实施例限制，而应仅由下述的权利要求书及其等同方案来限定。

Claims (15)

1.一种测量光刻设备的聚焦性能的方法，所述方法包括：
(a)使用所述光刻设备在衬底上印制至少一个聚焦量测图案，所印制的聚焦量测图案包括在至少一个方向上为周期性的特征阵列；
(b)测量所印制的聚焦量测图案的性质；和
(c)从所述性质的测量值推导出聚焦性能的测量值，
其中所述聚焦量测图案由图案形成装置限定并且通过用以倾斜角度入射的图案化辐射照射所述图案形成装置执行步骤(a)中的所述印制，并且其中所述聚焦量测图案包括第一特征组的周期性阵列，每个第一特征组包括一个或多个第一特征，并且其中在所述聚焦量测图案内的相邻的第一特征组之间的间隔远大于每个第一特征在周期方向上的尺寸；以及
其中，所印制的聚焦量测图案的性质为所述第一特征的变形和/或位移。
2.根据权利要求1所述的方法，其中相邻的第一特征组之间的所述间隔是每个第一特征在所述周期方向上的所述尺寸的四倍以上。
3.根据权利要求1或2所述的方法，其中步骤(b)包括通过测量所述聚焦量测图案的衍射光谱的不对称性来测量作为所述印制的图案的性质的不对称性。
4.根据权利要求1或2所述的方法，其中在所述印制步骤(a)中使用的辐射的波长比在所述测量步骤(b)中使用的辐射的波长短。
5.根据权利要求1或2所述的方法，其中每组第一特征组包括两个或更多个第一特征，相邻的第一特征组之间的所述间隔远大于每个组内的所述第一特征之间的间隔。
6.根据权利要求1或2所述的方法，其中，所述第一特征组中的每组包括恰好两个第一特征。
7.根据权利要求1或2所述的方法，其中所述聚焦量测图案还包括布置在所述相邻的第一特征组之间的第二特征，每个第二特征在所述周期方向上的尺寸大于所述第一特征在所述周期方向上的尺寸。
8.根据权利要求7所述的方法，其中包括第一特征组的所述聚焦量测图案以与在同一衬底上的独立的印制步骤中印制的第二特征的阵列配准的方式印制。
9.一种用于光刻设备中的图案形成装置，所述图案形成装置用于执行根据权利要求1-8中的任一项所述的方法，所述图案形成装置包括反射部分和非反射部分以限定一个或多个器件图案和一个或多个量测图案的多个特征，所述量测图案包括至少一个聚焦量测图案，所述聚焦量测图案包括第一特征组的周期性阵列，每个第一特征组包括一个或多个第一特征，并且其中在所述聚焦量测图案内的相邻的第一特征组之间的间隔远大于每个第一特征在周期方向上的尺寸。
10.根据权利要求9所述的图案形成装置，其中相邻的第一特征组之间的所述间隔是每个第一特征在所述周期方向上的所述尺寸的四倍以上。
11.根据权利要求9或10所述的图案形成装置，其中所述反射部分适于反射在所述光刻设备中使用的短于20纳米的波长辐射，并且其中每个第一特征在由所述光刻设备印制时具有在所述周期方向上小于50纳米的尺寸。
12.一种用于测量光刻过程的参数的量测设备，所述量测设备可操作以执行权利要求1至8中任一项所述的方法的步骤(b)和(c)。
13.一种光刻系统，包括：
光刻设备，包括：
照射光学系统，所述照射光学系统被布置为照射反射式图案形成装置；
投影光学系统，布置成将所述图案形成装置的图像投影到衬底上；和
根据权利要求12所述的量测设备，
其中所述光刻设备被布置为在将所述图案施加到其他衬底时使用由所述量测设备导出的聚焦性能的测量值。
14.一种包括处理器可读指令的存储介质，其中，当在适当的处理器所控制的设备上运行时，所述处理器可读指令引起处理器控制的设备执行权利要求1至8中任一项所述的方法的步骤(b)和/或(c)。
15.一种器件制造方法，其中使用光刻过程将器件图案施加到一系列衬底，所述方法包括：
-使用权利要求1至8中任一项的方法来测量光刻过程的聚焦性能，以及
-根据测量的聚焦性能控制之后的衬底的光刻过程。
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Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP3422102A1 (en) * 2017-06-26 2019-01-02 ASML Netherlands B.V. Methods and patterning devices and apparatuses for measuring focus performance of a lithographic apparatus, device manufacturing method
EP3451060A1 (en) * 2017-08-28 2019-03-06 ASML Netherlands B.V. Substrate, metrology apparatus and associated methods for a lithographic process
IL278509B1 (en) * 2017-11-07 2024-10-01 Asml Netherlands B V Metrology system and method for determining a characteristic of an area of interest
EP3492984A1 (en) * 2017-12-04 2019-06-05 ASML Netherlands B.V. Measurement method, inspection apparatus, patterning device, lithographic system and device manufacturing method
WO2019110211A1 (en) * 2017-12-04 2019-06-13 Asml Netherlands B.V. Measurement method, patterning device and device manufacturing method
CN110361936B (zh) * 2018-03-26 2021-03-12 上海微电子装备（集团）股份有限公司 掩模版厚度检测装置、存储机构、传输机构及光刻系统
DE102019100154B4 (de) 2018-09-28 2020-11-05 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co. Ltd. Verfahren zum Durchführen eines Lithografieprozesses und Lithographieprozess-Überwachungsverfahren
US10962892B2 (en) 2018-09-28 2021-03-30 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Lithography process monitoring method
EP3657256A1 (en) * 2018-11-20 2020-05-27 ASML Netherlands B.V. Methods and patterning devices and apparatuses for measuring focus performance of a lithographic apparatus, device manufacturing method
EP3798729A1 (en) 2019-09-26 2021-03-31 ASML Netherlands B.V. Method for inferring a processing parameter such as focus and associated appratuses and manufacturing method
DE102020209638B3 (de) * 2020-07-30 2021-11-11 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren und vorrichtung zum bestimmen einer ausrichtung einer fotomaske auf einem probentisch, der entlang zumindest einer achse verschiebbar und um zumindest eine achse drehbar ist
US20230182294A2 (en) * 2020-10-21 2023-06-15 Divergent Technologies, Inc. 3-d printed metrology feature geometry and detection

Family Cites Families (34)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR0164078B1 (ko) * 1995-12-29 1998-12-15 김주용 노광 에너지와 포커스를 모니터 하는 오버레이 마크
EP1256843A1 (en) * 2001-05-08 2002-11-13 ASML Netherlands B.V. Method of calibrating a lithographic apparatus
US7382447B2 (en) 2001-06-26 2008-06-03 Kla-Tencor Technologies Corporation Method for determining lithographic focus and exposure
JP3615181B2 (ja) * 2001-11-06 2005-01-26 株式会社東芝 露光装置の検査方法、焦点位置を補正する露光方法、および半導体装置の製造方法
US7151594B2 (en) 2002-11-01 2006-12-19 Asml Netherlands B.V. Test pattern, inspection method, and device manufacturing method
DE60314484T2 (de) 2002-11-01 2008-02-21 Asml Netherlands B.V. Untersuchungsverfahren und Verfahren zur Herstellung einer Vorrichtung
US7791727B2 (en) 2004-08-16 2010-09-07 Asml Netherlands B.V. Method and apparatus for angular-resolved spectroscopic lithography characterization
US7916284B2 (en) * 2006-07-18 2011-03-29 Asml Netherlands B.V. Inspection method and apparatus, lithographic apparatus, lithographic processing cell and device manufacturing method
JP2009026827A (ja) 2007-07-17 2009-02-05 Toshiba Corp 露光装置の検査方法、及び露光装置
NL1036245A1 (nl) 2007-12-17 2009-06-18 Asml Netherlands Bv Diffraction based overlay metrology tool and method of diffraction based overlay metrology.
NL1036597A1 (nl) 2008-02-29 2009-09-01 Asml Netherlands Bv Metrology method and apparatus, lithographic apparatus, and device manufacturing method.
NL1036647A1 (nl) * 2008-04-16 2009-10-19 Asml Netherlands Bv A method of measuring a lithographic projection apparatus.
NL1036857A1 (nl) 2008-04-21 2009-10-22 Asml Netherlands Bv Inspection method and apparatus, lithographic apparatus, lithographic processing cell and device manufacturing method.
EP2131245A3 (en) 2008-06-02 2012-08-01 ASML Netherlands BV Lithographic apparatus and its focus determination method
JP2010022121A (ja) * 2008-07-10 2010-01-28 Panasonic Corp スイッチング電源装置、およびスイッチング電源用半導体装置
CN101630126A (zh) * 2008-07-15 2010-01-20 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 用于集成电路制造的曝光系统的校正方法和系统
JP2010087166A (ja) 2008-09-30 2010-04-15 Toshiba Corp 露光装置の検査方法
SG172294A1 (en) * 2008-12-30 2011-07-28 Asml Netherlands Bv Inspection method and apparatus, lithographic apparatus, lithographic processing cell and device manufacturing method
NL2004094A (en) 2009-02-11 2010-08-12 Asml Netherlands Bv Inspection apparatus, lithographic apparatus, lithographic processing cell and inspection method.
NL2004897A (en) 2009-06-25 2010-12-27 Asml Netherlands Bv Producing a marker pattern and measurement of an exposure-related property of an exposure apparatus.
NL2005162A (en) 2009-07-31 2011-02-02 Asml Netherlands Bv Methods and scatterometers, lithographic systems, and lithographic processing cells.
CN102483582B (zh) 2009-08-24 2016-01-20 Asml荷兰有限公司 量测方法和设备、光刻设备、光刻处理单元和包括量测目标的衬底
WO2012022584A1 (en) 2010-08-18 2012-02-23 Asml Netherlands B.V. Substrate for use in metrology, metrology method and device manufacturing method
US9140998B2 (en) 2010-11-12 2015-09-22 Asml Netherlands B.V. Metrology method and inspection apparatus, lithographic system and device manufacturing method
EP2533078B1 (en) * 2011-06-09 2014-02-12 ASML Netherlands BV Radiation source and lithographic apparatus
US9519224B2 (en) 2011-10-20 2016-12-13 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and method
WO2013143814A1 (en) 2012-03-27 2013-10-03 Asml Netherlands B.V. Metrology method and apparatus, lithographic system and device manufacturing method
NL2010458A (en) 2012-04-16 2013-10-17 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus, substrate and device manufacturing method background.
JP6077647B2 (ja) 2012-05-29 2017-02-08 エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． メトロロジー方法及び装置、基板、リソグラフィシステム並びにデバイス製造方法
EP2976679B1 (en) 2013-03-20 2020-02-19 ASML Netherlands B.V. Method and apparatus for measuring asymmetry of a microstructure, position measuring method, position measuring apparatus, lithographic apparatus and device manufacturing method
KR101855220B1 (ko) 2013-10-30 2018-05-08 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 검사 장치 및 방법, 계측 타겟을 가지는 기판, 리소그래피 시스템, 및 디바이스 제조 방법
CN105980932B (zh) * 2013-12-17 2018-08-03 Asml荷兰有限公司 检查方法、光刻设备、掩模以及衬底
US20160033879A1 (en) 2014-07-30 2016-02-04 GlobalFoundries, Inc. Methods and controllers for controlling focus of ultraviolet light from a lithographic imaging system, and apparatuses for forming an integrated circuit employing the same
US9823585B2 (en) 2015-03-31 2017-11-21 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. EUV focus monitoring systems and methods

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Publication number Publication date
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