JP2019501421A - リソグラフィ装置の焦点性能を測定するための方法およびパターニングデバイスおよび装置、デバイス製造方法 - Google Patents
リソグラフィ装置の焦点性能を測定するための方法およびパターニングデバイスおよび装置、デバイス製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2019501421A JP2019501421A JP2018532671A JP2018532671A JP2019501421A JP 2019501421 A JP2019501421 A JP 2019501421A JP 2018532671 A JP2018532671 A JP 2018532671A JP 2018532671 A JP2018532671 A JP 2018532671A JP 2019501421 A JP2019501421 A JP 2019501421A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- features
- pattern
- focus
- feature
- patterning device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 103
- 238000000059 patterning Methods 0.000 title claims description 81
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 11
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims abstract description 170
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 90
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims abstract description 82
- 238000005286 illumination Methods 0.000 claims abstract description 50
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 claims abstract description 14
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 35
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 22
- 238000001459 lithography Methods 0.000 claims description 13
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 claims description 8
- 238000004590 computer program Methods 0.000 claims description 7
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 abstract description 24
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 31
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 22
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 17
- 238000013461 design Methods 0.000 description 15
- 210000001747 pupil Anatomy 0.000 description 12
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 7
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 7
- 238000001900 extreme ultraviolet lithography Methods 0.000 description 7
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 description 7
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 5
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 4
- 239000000446 fuel Substances 0.000 description 3
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 3
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 3
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 3
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 3
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 3
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 2
- 239000013256 coordination polymer Substances 0.000 description 2
- 238000011161 development Methods 0.000 description 2
- 238000000671 immersion lithography Methods 0.000 description 2
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 2
- 230000010363 phase shift Effects 0.000 description 2
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 2
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 2
- 238000012935 Averaging Methods 0.000 description 1
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011358 absorbing material Substances 0.000 description 1
- 238000003491 array Methods 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 238000001446 dark-field microscopy Methods 0.000 description 1
- 238000013500 data storage Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 1
- 230000005670 electromagnetic radiation Effects 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 1
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003278 mimic effect Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 1
- 238000010606 normalization Methods 0.000 description 1
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 238000004886 process control Methods 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012795 verification Methods 0.000 description 1
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 description 1
- FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N xenon atom Chemical compound [Xe] FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70058—Mask illumination systems
- G03F7/702—Reflective illumination, i.e. reflective optical elements other than folding mirrors, e.g. extreme ultraviolet [EUV] illumination systems
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/70491—Information management, e.g. software; Active and passive control, e.g. details of controlling exposure processes or exposure tool monitoring processes
- G03F7/70525—Controlling normal operating mode, e.g. matching different apparatus, remote control or prediction of failure
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/70605—Workpiece metrology
- G03F7/70616—Monitoring the printed patterns
- G03F7/70641—Focus
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/70605—Workpiece metrology
- G03F7/70681—Metrology strategies
- G03F7/70683—Mark designs
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/7085—Detection arrangement, e.g. detectors of apparatus alignment possibly mounted on wafers, exposure dose, photo-cleaning flux, stray light, thermal load
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Environmental & Geological Engineering (AREA)
- Epidemiology (AREA)
- Public Health (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
Description
本出願は、2015年12月21日に出願された欧州出願15201611.9号の利益を主張し、その全体が参照により本書に援用される。
本発明は、例えば、リソグラフィ技術によるデバイスの製造で計測を実行するのに役立つ検査装置および方法に関する。本発明はさらに、リソグラフィプロセスにおいて焦点パラメータを監視する方法に関する。
(a)リソグラフィ装置を使用して基板上に少なくとも1つの焦点計測パターンを印刷するステップであって、印刷された焦点計測パターンは、少なくとも1つの方向に周期的であるフィーチャのアレイを備えるステップと、
(b)印刷された焦点計測パターンの特性を測定するステップと、
(c)特性の測定から焦点性能の測定を導出するステップと、を備える。
焦点計測パターンは、パターニングデバイスにより規定され、ステップ(a)の印刷は、パターニングデバイスを斜角で入射するパターニング放射で照明することにより実行され、焦点計測パターンは、第1フィーチャのグループの周期的アレイを備え、各グループは、1つ以上の第1フィーチャを備え、焦点計測パターン内の第1フィーチャの隣接するグループ間の間隔は、周期性の方向における各第1フィーチャの寸法よりもはるかに大きい。
反射型パターニングデバイスを照明するように構成される照明光学システムと、
基板上にパターニングデバイスの像を投影するように構成される投影光学システムと、
上述の本発明に係る計測装置と、を備える。
リソグラフィ装置は、さらなる基板へのパターンの付与のときに、計測装置により導出される焦点性能の測定を用いるように構成される。
放射ビームB(例えばEUV放射)を調整するよう構成される照明システム(イルミネータ)ILと、
パターニングデバイス(例えばマスクまたはレチクル)MAを支持するよう構築され、パターニングデバイスを正確に位置決めするよう構成される第1位置決め装置PMに接続されるパターニングデバイスサポートまたは支持構造(例えばマスクテーブル)MTと、
基板(例えばレジストコートされたウェハ)Wを保持するようそれぞれが構築され、基板を正確に位置決めするよう構成される第2位置決め装置PWに接続される基板テーブル(例えばウェハテーブル)WTと、
パターニングデバイスMAにより放射ビームBに付与されるパターンを基板Wの(例えば一以上のダイを備える)目標部分Cに投影するよう構成される投影システム(例えば反射型投影システム)PSと、を備える。
1.ステップモードにおいては、放射ビームに付与されたパターンの全体が1回で目標部分Cに投影される間(すなわち単一静的露光の間)、支持構造(例えばマスクテーブル)MT及び基板テーブルWTは実質的に静止状態とされる。そして基板テーブルWTがX方向及び/又はY方向に移動されて、異なる目標部分Cが露光される。
2.スキャンモードにおいては、放射ビームに付与されたパターンが目標部分Cに投影される間(すなわち単一動的露光の間)、支持構造(例えばマスクテーブル)MT及び基板テーブルWTは同期して走査される。支持構造(例えばマスクテーブル)MTに対する基板テーブルWTの速度及び方向は、投影システムPSの拡大(縮小)特性及び像反転特性により定められうる。
3.別のモードにおいては、放射ビームに付与されたパターンが目標部分Cに投影される間、支持構造(例えばマスクテーブル)MTはプログラマブルパターニングデバイスを保持して実質的に静止状態とされ、基板テーブルWTは移動または走査される。このモードでは一般にパルス放射源が用いられ、プログラマブルパターニングデバイスは走査中に基板テーブルWTが移動するたびに、又は連続する放射パルスと放射パルスの間に必要に応じて更新される。この動作モードは、上述の形式のプログラマブルミラーアレイなどのプログラマブルパターニングデバイスを使用するマスクレスリソグラフィに容易に適用可能である。
これらの格子のそれぞれは、検査装置を用いて特性が調査されるターゲット構造の一例である。
図示の例では、第1フィーチャのピッチPが600nm、線幅が22nmである場合、間隔S1は500nmを超えてもよい。一般的に言えば、イメージング技術の当業者であれば、フィーチャ間のスペースがフィーチャ自体の5倍または6倍の寸法である場合、フィーチャが効果的に分離されると考えるであろう。
1000 まず、計測ターゲットを備えた製品設計を規定し、適切なパターニングデバイス(レチクル)のセットを準備する。
1010 1つ以上の焦点計測パターンを製品パターンと一緒に基板上に印刷する。
1020 適切な検査装置を使用して各焦点計測パターンの回折スペクトルの一部の強度を測定する(例えば、+1次が回折スペクトルの適切な部分である)。
1030 検査装置を用いて、各焦点計測パターンの回折スペクトルの反対の部分の強度(例えば、−1次)を測定する。
1040 反対の回折次数の強度を比較することによって、1つ以上の焦点計測パターンの非対称性の測定値を計算する。
1050 任意に焦点計測パターン間のプログラムされたオフセットおよび/または実際のオーバーレイ性能などの他の測定値とともに、非対称性の測定値を用いて、焦点計測パターンを印刷する際の焦点誤差を計算する。
1060 次の基板での露光のための焦点設定で導き出された焦点測定を使用する。
1070 終了または繰り返し。
結論として、リソグラフィプロセスを用いてデバイスを製造する方法は、本明細書に説明したような焦点測定方法を実行し、それを用いて処理された基板を測定してリソグラフィプロセスの性能のパラメータを測定し、後続の基板の処理のためのリソグラフィプロセスの性能を改善または維持することにより改善することができる。
項1.リソグラフィ装置の焦点性能を測定する方法であって、
(a)リソグラフィ装置を使用して基板上に少なくとも1つの焦点計測パターンを印刷するステップであって、印刷された前記焦点計測パターンは、少なくとも1つの方向に周期的であるフィーチャのアレイを備えるステップと、
(b)印刷された前記焦点計測パターンの特性を測定するステップと、
(c)前記特性の測定から焦点性能の測定を導出するステップと、を備え、
前記焦点計測パターンは、パターニングデバイスにより規定され、前記ステップ(a)の印刷は、前記パターニングデバイスを斜角で入射するパターニング放射で照明することにより実行され、前記焦点計測パターンは、第1フィーチャのグループの周期的アレイを備え、各グループは、1つ以上の前記第1フィーチャを備え、前記焦点計測パターン内の前記第1フィーチャの隣接するグループ間の間隔は、周期性の方向における各第1フィーチャの寸法よりもはるかに大きい、方法。
項2.前記第1フィーチャの隣接するグループ間の間隔は、周期性の方向における各第1フィーチャの寸法の4倍より大きい、項1に記載の方法。
項3.前記ステップ(b)は、前記焦点計測パターンの回折スペクトルの非対称性を測定することによって、印刷されたパターンの特性として非対称性を測定するステップを備える、項1または2に記載の方法。
項4.前記印刷ステップ(a)で使用される放射の波長が、前記測定ステップ(b)で使用される放射の波長よりも短い、項1,2または3に記載の方法。
項5.前記印刷ステップで使用される放射線の波長が20ナノメートル未満であり、前記測定ステップで使用される波長が100ナノメートルよりも大きく、前記第1フィーチャのそれぞれが、周期性の方向において50ナノメートル未満の寸法を有する、項4に記載の方法。
項6.前記第1フィーチャの各グループは、2つ以上の前記第1フィーチャを備え、前記第1フィーチャの隣接するグループ間の間隔は、各グループ内の前記第1フィーチャ間の間隔よりもはるかに大きい、項1から5のいずれかに記載の方法。
項7.前記第1フィーチャのグループのそれぞれが、正確に2つの前記第1フィーチャを備える、項1から6のいずれかに記載の方法。
項8.前記焦点計測パターンは、前記第1フィーチャの隣接するグループ間に配置された第2フィーチャをさらに備え、各第2フィーチャは、周期性の方向において前記第1フィーチャの寸法よりも大きい寸法を有する、項1から7のいずれかに記載の方法。
項9.2つ以上の前記第2フィーチャのグループが、前記第1フィーチャの隣接するグループの間に配置される、項8に記載の方法。
項10.前記第1フィーチャのグループと、隣接する前記第2フィーチャとの間の間隔が、各第1フィーチャの寸法の4倍よりも大きい、項8または9に記載の方法。
項11.前記第1フィーチャのグループと、隣接する前記第2フィーチャとの間の間隔が、周期性の方向における各第1フィーチャの寸法と略同じである、項8または9に記載の方法。
項12.前記第1フィーチャのグループを備える前記焦点計測パターンは、同じ前記基板上に別個の印刷ステップで印刷された第2フィーチャのアレイと位置合わせして印刷される、項1から7のいずれかに記載の方法。
項13.前記第2フィーチャは、前記基板上の前記第1フィーチャのグループの上または下の異なる層に印刷される、項12に記載の方法。
項14.前記焦点計測パターンは、同じ前記ステップ(a)で印刷された2つ以上の類似した焦点計測パターンのうちの1つであり、前記2つ以上の焦点計測パターンは、前記第2フィーチャに対する前記第1フィーチャの位置決めにおけるプログラムされたオフセットを除いて、同一である、項1から13のいずれかに記載の方法。
項15.リソグラフィ装置で使用するためのパターニングデバイスであって、1つ以上のデバイスパターンおよび1つ以上の計測パターンのフィーチャを規定するための反射性および非反射性の部分を備え、前記計測パターンが少なくとも1つの焦点計測パターンを含み、前記焦点計測パターンが第1フィーチャのグループの周期的アレイを備え、各グループが1つ以上の前記第1フィーチャを備え、前記焦点計測パターン内の前記第1フィーチャの隣接するグループ間の間隔は、周期性の方向における各第1フィーチャの寸法よりもはるかに大きい、パターニングデバイス。
項16.前記第1フィーチャの隣接するグループ間の間隔は、周期性の方向における各第1フィーチャの寸法の4倍よりも大きい、項15に記載のパターニングデバイス。
項17.前記反射部分は、20ナノメートルよりも短いリソグラフィ装置で使用される放射の波長を反射するように適合され、各第1フィーチャは、前記リソグラフィ装置により印刷されたとき、周期性の方向において50ナノメートル未満の寸法を有する、項15または16に記載のパターニングデバイス。
項18.前記リソグラフィ装置によって印刷されたときの前記焦点計測パターンの周期が100ナノメートルよりも大きい、項17に記載のパターニングデバイス。
項19.前記第1フィーチャの各グループは、2つ以上の前記第1フィーチャを備える、項15から18のいずれかに記載のパターニングデバイス。
項20.前記第1フィーチャのグループの各々が、正確に2つの前記第1フィーチャを備える、項15から19のいずれかに記載のパターニングデバイス。
項21.前記焦点計測パターンは、前記第1フィーチャの隣接するグループ間に配置された第2フィーチャをさらに備え、各第2フィーチャは、周期性の方向において前記第1フィーチャの寸法よりも大きい寸法を有し、前記第1フィーチャのグループと、隣接する前記第2フィーチャとの間の間隔は、各第1フィーチャの寸法の4倍よりも大きい、項15から20のいずれかに記載のパターニングデバイス。
項22.2つ以上の第2フィーチャのグループを規定するよう適合され、前記第2フィーチャのグループは、前記第1フィーチャの隣接するグループの間に配置されている、項21に記載のパターニングデバイス。
項23.前記焦点計測パターンは、前記第1フィーチャの隣接するグループ間に配置された2つ以上の第2フィーチャのグループをさらに備え、各第2フィーチャは、周期性の方向において前記第1フィーチャの寸法よりも大きい寸法を有し、前記第1フィーチャのグループと隣接する第2フィーチャとの間の間隔は、前記グループ内の前記第1フィーチャ間の間隔と略同じである、項5から20のいずれかに記載のパターニングデバイス。
項24.第2フィーチャを規定する第2パターニングデバイスと組み合わせて、前記第1フィーチャのグループを備える前記焦点計測パターンが、同じ前記基板上に別個の印刷ステップで印刷された前記第2フィーチャのアレイと位置合わせして印刷される、項15から20のいずれかに記載のパターニングデバイス。
項25.前記焦点計測パターンは、当該同じパターニングデバイスによって規定された2つ以上の類似した焦点計測パターンのうちの1つであり、前記2つ以上の焦点計測パターンは、前記第2フィーチャに対する前記第1フィーチャの位置決めにおけるプログラムされたオフセットを除いて、同一である、項21から24のいずれかに記載のパターニングデバイス。
項26.リソグラフィプロセスのパラメータを測定するための計測装置であって、項1から14のいずれかに記載の方法のステップ(b)および(b)を実行するように動作可能である、計測装置。
項27.複数のターゲットをその上に有する前記基板のための支持体と、
各ターゲットによって散乱された放射をキャプチャーするための光学システムと、
キャプチャーされた散乱放射の非対称性に基づいて前記リソグラフィプロセスの焦点性能の測定を導出するためのプロセッサとを備える、項26に記載の計測装置。
項28.リソグラフィ装置を備えるリソグラフィシステムであって、
前記リソグラフィ装置は、
反射型パターニングデバイスを照明するように構成される照明光学システムと、
基板上に前記パターニングデバイスの像を投影するように構成される投影光学システムと、
項26または27に記載される計測装置と、を備え、
前記リソグラフィ装置は、さらなる基板へのパターンの付与のときに、前記計測装置により導出される焦点性能の測定を用いるように構成される、リソグラフィシステム。
項29.適切なプロセッサ制御装置上で実行されたときに、前記プロセッサ制御装置に項1から14のいずれかに記載の方法のステップ(b)および/または(c)を実行させるプロセッサ可読指令を備える、コンピュータプログラム。
項30.項29に記載のコンピュータプログラムを備えることを特徴とするコンピュータプログラム媒体。
項31.リソグラフィプロセスを用いて一連の基板にデバイスパターンが付与されるデバイス製造方法であって、
項1から14のいずれかに記載の方法を用いて前記リソグラフィプロセスの焦点性能を測定するステップと、
測定された焦点性能に従って、後続の基板のリソグラフィプロセスを制御するステップと、を備えるデバイス製造方法。
Claims (15)
- リソグラフィ装置の焦点性能を測定する方法であって、
(a)リソグラフィ装置を使用して基板上に少なくとも1つの焦点計測パターンを印刷するステップであって、印刷された前記焦点計測パターンは、少なくとも1つの方向に周期的であるフィーチャのアレイを備えるステップと、
(b)印刷された前記焦点計測パターンの特性を測定するステップと、
(c)前記特性の測定から焦点性能の測定を導出するステップと、を備え、
前記焦点計測パターンは、パターニングデバイスにより規定され、前記ステップ(a)の印刷は、前記パターニングデバイスを斜角で入射するパターニング放射で照明することにより実行され、前記焦点計測パターンは、第1フィーチャのグループの周期的アレイを備え、各グループは、1つ以上の前記第1フィーチャを備え、前記焦点計測パターン内の前記第1フィーチャの隣接するグループ間の間隔は、周期性の方向における各第1フィーチャの寸法よりもはるかに大きい、方法。 - 前記第1フィーチャの隣接するグループ間の間隔は、周期性の方向における各第1フィーチャの寸法の4倍より大きい、請求項1に記載の方法。
- 前記ステップ(b)は、前記焦点計測パターンの回折スペクトルの非対称性を測定することによって、印刷されたパターンの特性として非対称性を測定するステップを備える、請求項1または2に記載の方法。
- 印刷ステップ(a)で使用される放射の波長が、測定ステップ(b)で使用される放射の波長よりも短い、請求項1,2または3に記載の方法。
- 前記第1フィーチャの各グループは、2つ以上の前記第1フィーチャを備え、前記第1フィーチャの隣接するグループ間の間隔は、各グループ内の前記第1フィーチャ間の間隔よりもはるかに大きい、請求項1から4のいずれかに記載の方法。
- 前記第1フィーチャのグループのそれぞれが、正確に2つの前記第1フィーチャを備える、請求項1から5のいずれかに記載の方法。
- 前記焦点計測パターンは、前記第1フィーチャの隣接するグループ間に配置された第2フィーチャをさらに備え、各第2フィーチャは、周期性の方向において前記第1フィーチャの寸法よりも大きい寸法を有する、請求項1から6のいずれかに記載の方法。
- 前記第1フィーチャのグループを備える前記焦点計測パターンは、同じ前記基板上に別個の印刷ステップで印刷された第2フィーチャのアレイと位置合わせして印刷される、請求項1から6のいずれかに記載の方法。
- リソグラフィ装置で使用するためのパターニングデバイスであって、1つ以上のデバイスパターンおよび1つ以上の計測パターンのフィーチャを規定するための反射性および非反射性の部分を備え、前記計測パターンが少なくとも1つの焦点計測パターンを含み、前記焦点計測パターンが第1フィーチャのグループの周期的アレイを備え、各グループが1つ以上の前記第1フィーチャを備え、前記焦点計測パターン内の前記第1フィーチャの隣接するグループ間の間隔は、周期性の方向における各第1フィーチャの寸法よりもはるかに大きい、パターニングデバイス。
- 第1フィーチャの隣接するグループ間の間隔は、周期性の方向における各第1フィーチャの寸法の4倍よりも大きい、請求項9に記載のパターニングデバイス。
- 前記反射性の部分は、20ナノメートルよりも短いリソグラフィ装置で使用される放射の波長を反射するように適合され、各第1フィーチャは、前記リソグラフィ装置により印刷されたとき、周期性の方向において50ナノメートル未満の寸法を有する、請求項9または10に記載のパターニングデバイス。
- リソグラフィプロセスのパラメータを測定するための計測装置であって、請求項1から8のいずれかに記載の方法のステップ(b)および(b)を実行するように動作可能である、計測装置。
- リソグラフィ装置を備えるリソグラフィシステムであって、
前記リソグラフィ装置は、
反射型パターニングデバイスを照明するように構成される照明光学システムと、
基板上に前記パターニングデバイスの像を投影するように構成される投影光学システムと、
請求項12に記載される計測装置と、を備え、
前記リソグラフィ装置は、さらなる基板へのパターンの付与のときに、前記計測装置により導出される焦点性能の測定を用いるように構成される、リソグラフィシステム。 - 適切なプロセッサ制御装置上で実行されたときに、前記プロセッサ制御装置に請求項1から8のいずれかに記載の方法のステップ(b)および/または(c)を実行させるプロセッサ可読指令を備える、コンピュータプログラム。
- リソグラフィプロセスを用いて一連の基板にデバイスパターンが付与されるデバイス製造方法であって、
請求項1から8のいずれかに記載の方法を用いて前記リソグラフィプロセスの焦点性能を測定するステップと、
測定された焦点性能に従って、後続の基板のリソグラフィプロセスを制御するステップと、を備えるデバイス製造方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
EP15201611 | 2015-12-21 | ||
EP15201611.9 | 2015-12-21 | ||
PCT/EP2016/079948 WO2017108395A1 (en) | 2015-12-21 | 2016-12-06 | Methods and patterning devices and apparatuses for measuring focus performance of a lithographic apparatus, device manufacturing method |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2019501421A true JP2019501421A (ja) | 2019-01-17 |
JP6626208B2 JP6626208B2 (ja) | 2019-12-25 |
Family
ID=54850523
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2018532671A Active JP6626208B2 (ja) | 2015-12-21 | 2016-12-06 | リソグラフィ装置の焦点性能を測定するための方法、パターニングデバイス、計測装置、リソグラフィシステム、コンピュータプログラムおよびデバイス製造方法 |
Country Status (10)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10474039B2 (ja) |
EP (1) | EP3394677B1 (ja) |
JP (1) | JP6626208B2 (ja) |
KR (1) | KR102185757B1 (ja) |
CN (1) | CN108369389B (ja) |
IL (1) | IL259746B2 (ja) |
NL (1) | NL2017941A (ja) |
SG (1) | SG11201804232QA (ja) |
TW (2) | TWI618990B (ja) |
WO (1) | WO2017108395A1 (ja) |
Families Citing this family (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP3422102A1 (en) * | 2017-06-26 | 2019-01-02 | ASML Netherlands B.V. | Methods and patterning devices and apparatuses for measuring focus performance of a lithographic apparatus, device manufacturing method |
EP3451060A1 (en) * | 2017-08-28 | 2019-03-06 | ASML Netherlands B.V. | Substrate, metrology apparatus and associated methods for a lithographic process |
KR102529770B1 (ko) | 2017-11-07 | 2023-05-04 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 관심 특성을 결정하는 계측 장치 및 방법 |
EP3492984A1 (en) * | 2017-12-04 | 2019-06-05 | ASML Netherlands B.V. | Measurement method, inspection apparatus, patterning device, lithographic system and device manufacturing method |
KR102438502B1 (ko) * | 2017-12-04 | 2022-09-01 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 측정 방법, 패터닝 디바이스 및 디바이스 제조 방법 |
CN110361936B (zh) * | 2018-03-26 | 2021-03-12 | 上海微电子装备(集团)股份有限公司 | 掩模版厚度检测装置、存储机构、传输机构及光刻系统 |
DE102019009170B3 (de) | 2018-09-28 | 2023-06-22 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co. Ltd. | Verfahren zum durchführen eines lithografieprozesses und lithografieprozess-überwachungsverfahren |
US10962892B2 (en) | 2018-09-28 | 2021-03-30 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Lithography process monitoring method |
EP3657256A1 (en) * | 2018-11-20 | 2020-05-27 | ASML Netherlands B.V. | Methods and patterning devices and apparatuses for measuring focus performance of a lithographic apparatus, device manufacturing method |
EP3798729A1 (en) | 2019-09-26 | 2021-03-31 | ASML Netherlands B.V. | Method for inferring a processing parameter such as focus and associated appratuses and manufacturing method |
DE102020209638B3 (de) * | 2020-07-30 | 2021-11-11 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Verfahren und vorrichtung zum bestimmen einer ausrichtung einer fotomaske auf einem probentisch, der entlang zumindest einer achse verschiebbar und um zumindest eine achse drehbar ist |
US20230182294A2 (en) * | 2020-10-21 | 2023-06-15 | Divergent Technologies, Inc. | 3-d printed metrology feature geometry and detection |
Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003022968A (ja) * | 2001-05-08 | 2003-01-24 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ装置の較正方法、リソグラフィ装置の較正に使用するマスク、リソグラフィ装置、デバイス製造方法、該デバイス製造方法により製造されたデバイス |
JP2003142385A (ja) * | 2001-11-06 | 2003-05-16 | Toshiba Corp | 露光装置の検査方法、焦点位置を補正する露光方法、および半導体装置の製造方法 |
JP2008028389A (ja) * | 2006-07-18 | 2008-02-07 | Asml Netherlands Bv | インスペクション方法およびインスペクション装置、リソグラフィ装置、リソグラフィ処理セルならびにデバイス製造方法 |
JP2009260344A (ja) * | 2008-04-16 | 2009-11-05 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ投影装置を測定する方法 |
JP2010087166A (ja) * | 2008-09-30 | 2010-04-15 | Toshiba Corp | 露光装置の検査方法 |
JP2012515431A (ja) * | 2008-12-30 | 2012-07-05 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | 検査方法、検査システム、基板、およびマスク |
JP2012256887A (ja) * | 2011-06-09 | 2012-12-27 | Asml Netherlands Bv | 放射源およびリソグラフィ装置 |
JP2014531131A (ja) * | 2011-10-20 | 2014-11-20 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | リソグラフィ装置及び方法 |
WO2015090839A1 (en) * | 2013-12-17 | 2015-06-25 | Asml Netherlands B.V. | Inspection method, lithographic apparatus, mask and substrate |
Family Cites Families (25)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR0164078B1 (ko) * | 1995-12-29 | 1998-12-15 | 김주용 | 노광 에너지와 포커스를 모니터 하는 오버레이 마크 |
US7382447B2 (en) | 2001-06-26 | 2008-06-03 | Kla-Tencor Technologies Corporation | Method for determining lithographic focus and exposure |
US7148959B2 (en) | 2002-11-01 | 2006-12-12 | Asml Netherlands B.V. | Test pattern, inspection method, and device manufacturing method |
SG125926A1 (en) | 2002-11-01 | 2006-10-30 | Asml Netherlands Bv | Inspection method and device manufacturing method |
US7791727B2 (en) | 2004-08-16 | 2010-09-07 | Asml Netherlands B.V. | Method and apparatus for angular-resolved spectroscopic lithography characterization |
JP2009026827A (ja) | 2007-07-17 | 2009-02-05 | Toshiba Corp | 露光装置の検査方法、及び露光装置 |
NL1036245A1 (nl) | 2007-12-17 | 2009-06-18 | Asml Netherlands Bv | Diffraction based overlay metrology tool and method of diffraction based overlay metrology. |
NL1036597A1 (nl) | 2008-02-29 | 2009-09-01 | Asml Netherlands Bv | Metrology method and apparatus, lithographic apparatus, and device manufacturing method. |
NL1036857A1 (nl) | 2008-04-21 | 2009-10-22 | Asml Netherlands Bv | Inspection method and apparatus, lithographic apparatus, lithographic processing cell and device manufacturing method. |
EP2131243B1 (en) | 2008-06-02 | 2015-07-01 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and method for calibrating a stage position |
JP2010022121A (ja) * | 2008-07-10 | 2010-01-28 | Panasonic Corp | スイッチング電源装置、およびスイッチング電源用半導体装置 |
CN101630126A (zh) * | 2008-07-15 | 2010-01-20 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 用于集成电路制造的曝光系统的校正方法和系统 |
NL2004094A (en) | 2009-02-11 | 2010-08-12 | Asml Netherlands Bv | Inspection apparatus, lithographic apparatus, lithographic processing cell and inspection method. |
NL2004897A (en) | 2009-06-25 | 2010-12-27 | Asml Netherlands Bv | Producing a marker pattern and measurement of an exposure-related property of an exposure apparatus. |
CN102498441B (zh) | 2009-07-31 | 2015-09-16 | Asml荷兰有限公司 | 量测方法和设备、光刻系统以及光刻处理单元 |
KR20120058572A (ko) | 2009-08-24 | 2012-06-07 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 메트롤로지 방법 및 장치, 리소그래피 장치, 리소그래피 처리 셀 및 메트롤로지 타겟들을 포함하는 기판 |
NL2007176A (en) | 2010-08-18 | 2012-02-21 | Asml Netherlands Bv | Substrate for use in metrology, metrology method and device manufacturing method. |
WO2012062858A1 (en) | 2010-11-12 | 2012-05-18 | Asml Netherlands B.V. | Metrology method and apparatus, lithographic system and device manufacturing method |
NL2010401A (en) | 2012-03-27 | 2013-09-30 | Asml Netherlands Bv | Metrology method and apparatus, lithographic system and device manufacturing method. |
NL2010458A (en) | 2012-04-16 | 2013-10-17 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus, substrate and device manufacturing method background. |
CN104350424B (zh) | 2012-05-29 | 2018-01-09 | Asml荷兰有限公司 | 量测方法和设备、衬底、光刻系统以及器件制造方法 |
US9733572B2 (en) | 2013-03-20 | 2017-08-15 | Asml Netherlands B.V. | Method and apparatus for measuring asymmetry of a microstructure, position measuring method, position measuring apparatus, lithographic apparatus and device manufacturing method |
NL2013625A (en) | 2013-10-30 | 2015-05-04 | Asml Netherlands Bv | Inspection apparatus and methods, substrates having metrology targets, lithographic system and device manufacturing method. |
US20160033879A1 (en) | 2014-07-30 | 2016-02-04 | GlobalFoundries, Inc. | Methods and controllers for controlling focus of ultraviolet light from a lithographic imaging system, and apparatuses for forming an integrated circuit employing the same |
US9823585B2 (en) | 2015-03-31 | 2017-11-21 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | EUV focus monitoring systems and methods |
-
2016
- 2016-12-06 WO PCT/EP2016/079948 patent/WO2017108395A1/en active Application Filing
- 2016-12-06 JP JP2018532671A patent/JP6626208B2/ja active Active
- 2016-12-06 KR KR1020187020696A patent/KR102185757B1/ko active IP Right Grant
- 2016-12-06 SG SG11201804232QA patent/SG11201804232QA/en unknown
- 2016-12-06 EP EP16806123.2A patent/EP3394677B1/en active Active
- 2016-12-06 CN CN201680074454.0A patent/CN108369389B/zh active Active
- 2016-12-06 NL NL2017941A patent/NL2017941A/nl unknown
- 2016-12-19 US US15/384,084 patent/US10474039B2/en active Active
- 2016-12-20 TW TW105142238A patent/TWI618990B/zh active
- 2016-12-20 TW TW107104991A patent/TW201816524A/zh unknown
-
2018
- 2018-05-31 IL IL259746A patent/IL259746B2/en unknown
Patent Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003022968A (ja) * | 2001-05-08 | 2003-01-24 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ装置の較正方法、リソグラフィ装置の較正に使用するマスク、リソグラフィ装置、デバイス製造方法、該デバイス製造方法により製造されたデバイス |
JP2003142385A (ja) * | 2001-11-06 | 2003-05-16 | Toshiba Corp | 露光装置の検査方法、焦点位置を補正する露光方法、および半導体装置の製造方法 |
JP2008028389A (ja) * | 2006-07-18 | 2008-02-07 | Asml Netherlands Bv | インスペクション方法およびインスペクション装置、リソグラフィ装置、リソグラフィ処理セルならびにデバイス製造方法 |
JP2009260344A (ja) * | 2008-04-16 | 2009-11-05 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ投影装置を測定する方法 |
JP2010087166A (ja) * | 2008-09-30 | 2010-04-15 | Toshiba Corp | 露光装置の検査方法 |
JP2012515431A (ja) * | 2008-12-30 | 2012-07-05 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | 検査方法、検査システム、基板、およびマスク |
JP2012256887A (ja) * | 2011-06-09 | 2012-12-27 | Asml Netherlands Bv | 放射源およびリソグラフィ装置 |
JP2014531131A (ja) * | 2011-10-20 | 2014-11-20 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | リソグラフィ装置及び方法 |
WO2015090839A1 (en) * | 2013-12-17 | 2015-06-25 | Asml Netherlands B.V. | Inspection method, lithographic apparatus, mask and substrate |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
IL259746B2 (en) | 2023-07-01 |
US20170176870A1 (en) | 2017-06-22 |
EP3394677B1 (en) | 2023-02-01 |
WO2017108395A1 (en) | 2017-06-29 |
TW201816524A (zh) | 2018-05-01 |
TW201732455A (zh) | 2017-09-16 |
CN108369389B (zh) | 2021-06-18 |
JP6626208B2 (ja) | 2019-12-25 |
KR20180096716A (ko) | 2018-08-29 |
EP3394677A1 (en) | 2018-10-31 |
US10474039B2 (en) | 2019-11-12 |
KR102185757B1 (ko) | 2020-12-03 |
IL259746A (en) | 2018-07-31 |
NL2017941A (en) | 2017-06-27 |
TWI618990B (zh) | 2018-03-21 |
SG11201804232QA (en) | 2018-06-28 |
IL259746B1 (en) | 2023-03-01 |
CN108369389A (zh) | 2018-08-03 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6626208B2 (ja) | リソグラフィ装置の焦点性能を測定するための方法、パターニングデバイス、計測装置、リソグラフィシステム、コンピュータプログラムおよびデバイス製造方法 | |
JP6618551B2 (ja) | 検査装置、検査方法、リソグラフィ装置、パターニングデバイス及び製造方法 | |
KR102375664B1 (ko) | 리소그래피 장치의 초점 성능을 측정하기 위한 방법 및 패터닝 디바이스 및 장치, 및 디바이스 제조 방법 | |
US20230305407A1 (en) | Methods and patterning devices and apparatuses for measuring focus performance of a lithographic apparatus, device manufacturing method | |
US11314174B2 (en) | Methods and patterning devices and apparatuses for measuring focus performance of a lithographic apparatus, device manufacturing method | |
KR102668160B1 (ko) | 리소그래피 장치의 포커스 성능을 측정하는 장치들 및 패터닝 디바이스들 및 방법들, 디바이스 제조 방법 | |
EP3454127A1 (en) | Methods and patterning devices and apparatuses for measuring focus performance of a lithographic apparatus, device manufacturing method | |
NL2022031A (en) | Methods and patterning devices and apparatuses for measuring focus performance of a lithographic apparatus, device manufacturing method | |
CN112840270B (zh) | 用于测量光刻设备的聚焦性能的方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20180821 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20190702 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20190723 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20191023 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20191105 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20191128 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6626208 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |