TWI749355B - 用於校正圖案化程序之度量衡資料之方法及相關的電腦程式產品 - Google Patents
用於校正圖案化程序之度量衡資料之方法及相關的電腦程式產品 Download PDFInfo
- Publication number
- TWI749355B TWI749355B TW108128703A TW108128703A TWI749355B TW I749355 B TWI749355 B TW I749355B TW 108128703 A TW108128703 A TW 108128703A TW 108128703 A TW108128703 A TW 108128703A TW I749355 B TWI749355 B TW I749355B
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- substrate
- image
- metrology
- data
- patterning process
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 204
- 238000000059 patterning Methods 0.000 title claims abstract description 94
- 230000008569 process Effects 0.000 title claims abstract description 92
- 238000004590 computer program Methods 0.000 title claims description 6
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 240
- 238000013442 quality metrics Methods 0.000 claims abstract description 57
- 238000012937 correction Methods 0.000 claims abstract description 38
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims description 116
- 230000008859 change Effects 0.000 claims description 21
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 claims description 10
- 238000012549 training Methods 0.000 claims description 5
- 238000001000 micrograph Methods 0.000 claims description 3
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 138
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 57
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 45
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 34
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 31
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 29
- 210000001747 pupil Anatomy 0.000 description 28
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 24
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 22
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 21
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 19
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 17
- 239000000463 material Substances 0.000 description 15
- 238000011161 development Methods 0.000 description 14
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 13
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 13
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 13
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 12
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 11
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 11
- 230000000875 corresponding effect Effects 0.000 description 10
- 230000033001 locomotion Effects 0.000 description 10
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 10
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 9
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 9
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 9
- 230000006870 function Effects 0.000 description 9
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 9
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 8
- 238000004626 scanning electron microscopy Methods 0.000 description 8
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 8
- 238000013461 design Methods 0.000 description 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 230000009471 action Effects 0.000 description 6
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 6
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 6
- 239000003344 environmental pollutant Substances 0.000 description 6
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 6
- 238000009304 pastoral farming Methods 0.000 description 6
- 231100000719 pollutant Toxicity 0.000 description 6
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 5
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 5
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 5
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 5
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 5
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 5
- 238000005457 optimization Methods 0.000 description 5
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 description 5
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 5
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 5
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 5
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 5
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 4
- 239000000446 fuel Substances 0.000 description 4
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 4
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 4
- 238000001878 scanning electron micrograph Methods 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 description 4
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000001364 causal effect Effects 0.000 description 3
- 230000001276 controlling effect Effects 0.000 description 3
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 239000010408 film Substances 0.000 description 3
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- 230000010363 phase shift Effects 0.000 description 3
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 3
- 238000011002 quantification Methods 0.000 description 3
- 230000004044 response Effects 0.000 description 3
- 238000010008 shearing Methods 0.000 description 3
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 3
- 230000009897 systematic effect Effects 0.000 description 3
- 238000005303 weighing Methods 0.000 description 3
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 2
- 238000004630 atomic force microscopy Methods 0.000 description 2
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 2
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 2
- 230000005670 electromagnetic radiation Effects 0.000 description 2
- 238000001900 extreme ultraviolet lithography Methods 0.000 description 2
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 2
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 2
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 2
- 230000000670 limiting effect Effects 0.000 description 2
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000011068 loading method Methods 0.000 description 2
- 230000005381 magnetic domain Effects 0.000 description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 2
- 230000005405 multipole Effects 0.000 description 2
- 238000012634 optical imaging Methods 0.000 description 2
- 230000036961 partial effect Effects 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 2
- 238000005070 sampling Methods 0.000 description 2
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 238000012795 verification Methods 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 description 2
- FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N xenon atom Chemical compound [Xe] FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 206010020843 Hyperthermia Diseases 0.000 description 1
- 244000208734 Pisonia aculeata Species 0.000 description 1
- 241000204667 Thermoplasma Species 0.000 description 1
- 238000001015 X-ray lithography Methods 0.000 description 1
- 239000006096 absorbing agent Substances 0.000 description 1
- 239000011358 absorbing material Substances 0.000 description 1
- 238000003491 array Methods 0.000 description 1
- 201000009310 astigmatism Diseases 0.000 description 1
- 230000002238 attenuated effect Effects 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 230000008033 biological extinction Effects 0.000 description 1
- 230000001413 cellular effect Effects 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- 230000009850 completed effect Effects 0.000 description 1
- 230000001143 conditioned effect Effects 0.000 description 1
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 230000002596 correlated effect Effects 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 230000007812 deficiency Effects 0.000 description 1
- 230000003111 delayed effect Effects 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 230000001066 destructive effect Effects 0.000 description 1
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 1
- 239000000284 extract Substances 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 1
- 230000014509 gene expression Effects 0.000 description 1
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 230000036031 hyperthermia Effects 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 description 1
- 238000010801 machine learning Methods 0.000 description 1
- 239000003550 marker Substances 0.000 description 1
- 238000011326 mechanical measurement Methods 0.000 description 1
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000001127 nanoimprint lithography Methods 0.000 description 1
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000002987 primer (paints) Substances 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 1
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 description 1
- 230000001902 propagating effect Effects 0.000 description 1
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 1
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 238000007619 statistical method Methods 0.000 description 1
- 230000009885 systemic effect Effects 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- 238000013519 translation Methods 0.000 description 1
- 238000009736 wetting Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/70605—Workpiece metrology
- G03F7/70616—Monitoring the printed patterns
- G03F7/7065—Defects, e.g. optical inspection of patterned layer for defects
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/70605—Workpiece metrology
- G03F7/706835—Metrology information management or control
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/70605—Workpiece metrology
- G03F7/70616—Monitoring the printed patterns
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/70605—Workpiece metrology
- G03F7/70616—Monitoring the printed patterns
- G03F7/70625—Dimensions, e.g. line width, critical dimension [CD], profile, sidewall angle or edge roughness
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/70605—Workpiece metrology
- G03F7/70616—Monitoring the printed patterns
- G03F7/70633—Overlay, i.e. relative alignment between patterns printed by separate exposures in different layers, or in the same layer in multiple exposures or stitching
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/70605—Workpiece metrology
- G03F7/70616—Monitoring the printed patterns
- G03F7/70641—Focus
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F18/00—Pattern recognition
- G06F18/20—Analysing
- G06F18/21—Design or setup of recognition systems or techniques; Extraction of features in feature space; Blind source separation
- G06F18/214—Generating training patterns; Bootstrap methods, e.g. bagging or boosting
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06T—IMAGE DATA PROCESSING OR GENERATION, IN GENERAL
- G06T7/00—Image analysis
- G06T7/0002—Inspection of images, e.g. flaw detection
- G06T7/0004—Industrial image inspection
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06T—IMAGE DATA PROCESSING OR GENERATION, IN GENERAL
- G06T7/00—Image analysis
- G06T7/70—Determining position or orientation of objects or cameras
- G06T7/73—Determining position or orientation of objects or cameras using feature-based methods
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06T—IMAGE DATA PROCESSING OR GENERATION, IN GENERAL
- G06T2207/00—Indexing scheme for image analysis or image enhancement
- G06T2207/10—Image acquisition modality
- G06T2207/10056—Microscopic image
- G06T2207/10061—Microscopic image from scanning electron microscope
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06T—IMAGE DATA PROCESSING OR GENERATION, IN GENERAL
- G06T2207/00—Indexing scheme for image analysis or image enhancement
- G06T2207/20—Special algorithmic details
- G06T2207/20081—Training; Learning
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06T—IMAGE DATA PROCESSING OR GENERATION, IN GENERAL
- G06T2207/00—Indexing scheme for image analysis or image enhancement
- G06T2207/30—Subject of image; Context of image processing
- G06T2207/30108—Industrial image inspection
- G06T2207/30148—Semiconductor; IC; Wafer
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06T—IMAGE DATA PROCESSING OR GENERATION, IN GENERAL
- G06T2207/00—Indexing scheme for image analysis or image enhancement
- G06T2207/30—Subject of image; Context of image processing
- G06T2207/30168—Image quality inspection
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/26—Electron or ion microscopes; Electron or ion diffraction tubes
- H01J37/28—Electron or ion microscopes; Electron or ion diffraction tubes with scanning beams
Abstract
本文中描述一種用於校正一圖案化程序之度量衡資料之方法。該方法包括：獲得(i)經歷該圖案化程序之一基板之度量衡資料，及(ii)量化該基板之該度量衡資料之一品質的一品質度量(例如一聚焦指數)；建立該品質度量與該度量衡資料之間的一相關度；以及基於該品質度量與該度量衡資料之間的該相關度判定對該度量衡資料之一校正。
Description
本文中之描述大體上係關於圖案化程序及度量衡裝置。更特定言之，用於判定對度量衡資料之校正之裝置或方法。
微影裝置為將所需圖案施加至基板之目標部分上之機器。微影裝置可用於例如積體電路(IC)之製造中。在彼情況下，圖案化器件(其替代地稱作光罩或倍縮光罩)可用以產生對應於IC之個別層的電路圖案，且可將此圖案成像至具有輻射敏感材料(抗蝕劑)層之基板(例如矽晶圓)上之目標部分(例如包含晶粒之部分、一個晶粒或若干晶粒)上。大體而言，單一基板將含有經順次地曝光之鄰近目標部分之網路。已知微影裝置包括：所謂步進器，其中藉由一次性將整個圖案曝光至目標部分上來輻照各目標部分；及所謂掃描器，其中藉由在給定方向(「掃描」方向)上經由光束而掃描圖案同時平行或反平行於此方向而同步地掃描基板來輻照各目標部分。
在將電路圖案自圖案化器件轉印至基板之前，基板可經歷各種工序，諸如上底漆、抗蝕劑塗佈及軟烘烤。在曝光之後，基板可經歷其他工序，諸如曝光後烘烤(PEB)、顯影、硬烘烤，及經轉印電路圖案之量測/檢查。此工序陣列用作製造一器件(例如IC)之個別層的基礎。基板
接著可經歷各種程序，諸如蝕刻、離子植入(摻雜)、金屬化、氧化、化學機械拋光等，該等程序皆意欲精整器件之個別層。若在器件中需要若干層，則針對各層來重複整個工序或其變體。最終，在基板上之各目標部分中將存在器件。接著藉由諸如切割或鋸切之技術來使此等器件彼此分離，據此，可將個別器件安裝於載體上、連接至銷釘等。
因此，製造諸如半導體器件之器件通常涉及使用多個製作程序來處理基板(例如半導體晶圓)以形成該等器件之各種特徵及多個層。通常使用例如沈積、微影、蝕刻、化學機械拋光及離子植入來製造及處理此等層及特徵。可在基板上之複數個晶粒上製作多個器件，且接著將該等器件分離成個別器件。可將此器件製造程序視為圖案化程序。圖案化程序涉及使用微影裝置中之圖案化器件進行圖案化步驟，諸如光學及/或奈米壓印微影，以將圖案化器件上之圖案轉印至基板，且圖案化程序通常但視情況涉及一或多個相關圖案處理步驟，諸如藉由顯影裝置進行抗蝕劑顯影、使用烘烤工具來烘烤基板、使用蝕刻裝置而使用圖案進行蝕刻等。
根據一實施例，提供一種用於校正圖案化程序之度量衡資料之方法。該方法包括：獲得(i)經歷該圖案化程序之一基板之度量衡資料，及(ii)量化該基板之該度量衡資料之一品質的一品質度量；經由一運算系統建立該品質度量與該度量衡資料之間的一相關度；以及基於該品質度量與該度量衡資料之間的該相關度經由該運算系統判定對該度量衡資料之一校正。
在一實施例中，判定該校正包含基於一校正模型判定該度量衡資料之一校正值，其中該度量衡資料係經由一度量衡工具而獲得。
在一實施例中，該校正值係基於以下予以判定：該品質度量與該度量衡資料之間的該相關度之一斜率，以及該品質度量在該基板上之一最大值與該品質度量在該基板上之一所關注點處之一值之間的一差。
在一實施例中，該品質度量為經由該度量衡工具俘獲之該基板之一影像的一聚焦指數。
在一實施例中，該聚焦指數係基於一局部相位相干性映圖來判定，該局部相位相干性映圖揭示一尺度空間中之相鄰小波係數之間的在該基板上之一特徵位置附近之一相位關係。
在一實施例中，該聚焦指數係基於選自該影像之一樣本而判定，與該影像上之其他位置相比，該樣本具有一相對較高梯度。
在一實施例中，該樣本為該影像之一面積，與該影像之其餘面積相比，該面積具有相對較高梯度值。
在一實施例中，該品質度量與該圖案化程序中使用之一劑量中之變化無關。
在一實施例中，該度量衡資料包含一印刷基板之一影像或該圖案化程序之一參數。
在一實施例中，該圖案化程序之該參數為一臨界尺寸、一邊緣置放誤差或一疊對。
在一實施例中，該方法進一步包括基於應用於該度量衡資料之該校正產生該圖案化程序之一參數之一映圖。
在一實施例中，該映圖為一劑量映圖、一焦點映圖、一臨界尺寸(CD)映圖、一疊對映圖或一邊緣置放誤差映圖。
在一實施例中，該度量衡資料為一掃描電子顯微鏡影像或
一電子束影像。
在一實施例中，該方法進一步包括基於該品質度量與該度量衡資料之間的該相關度來訓練一校正模型，其中該校正模型經組態以判定對在圖案化程序期間收集之度量衡資料之即時校正。
在一實施例中，該校正模型包括於一度量衡工具中。
此外，根據一實施例，提供一種用於執行一圖案化程序之度量衡資料之一即時校正的方法。該方法包括：獲得(i)經歷該圖案化程序之一基板一度量衡資料，及(ii)實施一特定圖案之一品質度量與該度量衡資料之間之一相關度的一校正模型；以及經由一運算系統基於該校正模型判定對該特定圖案之該度量衡資料之一校正。
在一實施例中，該判定該校正包含基於該校正模型判定經由一度量衡工具獲取之該度量衡資料之一校正值，其中該度量衡資料係經由一度量衡工具而獲得。
在一實施例中，該校正值係基於以下予以判定：該品質度量與該度量衡資料之間的該相關度之一斜率，以及該品質度量在該基板上之一最大值與該品質度量之間的一差。
在一實施例中，該品質度量為經由該度量衡工具俘獲之該基板之一影像的一聚焦指數。
在一實施例中，該度量衡資料包括一印刷基板之一影像或該圖案化程序之一參數。在一實施例中，該度量衡資料包括該印刷基板之該影像，或該圖案化程序之該參數包括包含該印刷基板之該影像及該圖案化程序之該參數的該度量衡資料。
在一實施例中，該方法進一步包括：基於該特定圖案之特
徵特性將該等特定圖案中之一或多者分組至一圖案類別中；以及判定對屬於該圖案類別之該圖案之該度量衡資料的該校正。
此外，提供一種電腦程式產品，其包含一非暫時性電腦可讀媒體，該非暫時性電腦可讀媒體具有記錄於其上之指令，該等指令在由一電腦執行時實施上文所論述之方法。
2:輻射源
4:光譜儀偵測器
10:光譜
11:背向投影式聚焦平面
12:透鏡系統
13:干涉濾光器
14:參考鏡面
15:物鏡
16:部分反射表面
17:偏振器
18:偵測器
21:輻射光束
22:琢面化場鏡面器件
24:琢面化光瞳鏡面器件
26:圖案化光束
28:反射元件
30:反射元件、基板目標
30':目標
100:運算系統
101:電腦系統
102:匯流排
104:處理器
105:處理器
106:主記憶體
108:輻射分佈、唯讀記憶體
110:儲存器件
112:顯示器
114:輸入器件
116:游標控制件
118:通信介面
120:網路鏈路
122:區域網路
124:主機電腦
126:網際網路服務提供者
128:網際網路
130:伺服器
206:經參數化模型
208:輻射分佈
210:數值馬克士威求解程序
211:源腔室
212:收集器腔室
220:圍封結構
221:開口
230:污染物截留器
240:光柵光譜濾光器
251:上游輻射收集器側
252:下游輻射收集器側
253:掠入射反射體
254:掠入射反射體
255:掠入射反射體
310:變數
320:變數
330:變數
340:變數
350:特性
360:特性
370:處理變數
801:基板映圖
805:位置
811:模糊影像
901:度量衡資料
902:品質度量
1001:影像
1002:影像
1003:影像
1004:影像
1005:影像
1010:灰色像素化影像
1101:完整影像
1102:柵格
1110:部分
1201:量測
1205:相關度
1710:電漿
1712:收集器腔室
AM:調整器
AS:對準感測器
B:輻射光束
BD:光束遞送系統
BK:烘烤板
C:目標部分
CH:冷卻板
CO:聚光器、輻射收集器
DE:顯影器
h:高度
IF:位置感測器
IL:照明系統
IN:積光器
I/O1:輸入/輸出端口
I/O2:輸入/輸出端口
LA:微影裝置
LACU:微影控制單元
LAS:雷射
LB:裝載匣
LC:微影單元
LS:位階感測器
M1:圖案化器件對準標記
M2:圖案化器件對準標記
MA:圖案化器件
MET:度量衡系統
MT:支撐結構
O:光軸
P1:基板對準標記
P2:基板對準標記
P92:程序
P94:程序
P96:程序
P98:程序
P100:程序
PM:第一定位器
PS:投影系統
PS1:位置感測器
PS2:位置感測器
PU:處理器
PW:第二定位器
RF:參考框架
RO:機器人
S:光點
SC:旋塗器
SCS:監督控制系統
SO:輻射源
t:厚度
TCU:塗佈顯影系統控制單元
w:寬度
W:基板
WT:基板台
WTa:基板台
WTb:基板台
X:方向
Y:方向
Z:方向
α:側壁角
對於一般熟習此項技術者而言，在結合隨附圖式而檢閱特定實施例之以下描述後，以上態樣及其他態樣及特徵就將變得顯而易見，在該等圖式中：
圖1示意性地描繪根據一實施例之微影裝置。
圖2示意性地描繪根據一實施例之微影單元或叢集之實施例。
圖3示意性地描繪根據一實施例之實例檢查裝置及度量衡技術。
圖4示意性地描繪根據一實施例之實例檢查裝置。
圖5說明根據一實施例之檢查裝置之照明光點與度量衡目標之間的關係。
圖6示意性地描繪根據一實施例之基於量測資料導出所關注的複數個變數之程序。
圖7展示根據一實施例之處理變數之實例類別。
圖8說明根據一實施例之度量衡資料之實例基板映圖。
圖9為根據一實施例之用於判定對度量衡資料之校正之方法的流程圖。
圖10為根據一實施例之說明聚焦指數與影像品質之間的關係的曲線圖。
圖11說明根據一實施例之用於運算聚焦指數之實例。
圖12為根據一實施例之聚焦指數與度量衡資料之間的相關度之實例。
圖13A說明根據一實施例之圖案化裝置之聚焦與第一圖案之聚焦指數之間的關係。
圖13B說明根據一實施例之圖案化裝置之劑量與第一圖案之聚焦指數之間的關係。
圖14A說明根據一實施例之圖案化裝置之聚焦與第二圖案之聚焦指數之間的關係。
圖14B說明根據一實施例之圖案化裝置之劑量與第二圖案之聚焦指數之間的關係。
圖15為根據一實施例之實例電腦系統的方塊圖。
圖16為根據一實施例之另一微影投影裝置的示意圖。
圖17為根據一實施例之圖16中之裝置的更詳細視圖。
圖18為根據一實施例之圖16及圖17之裝置之源收集器模組的更詳細視圖。
現將參看圖式詳細地描述實施例，該等圖式經提供為說明性實例以便使熟習此項技術者能夠實踐該等實施例。值得注意地，以下之諸圖及實例不意欲將範疇限於單一實施例，而是借助於所描述或所說明元件中之一些或全部之互換而使其他實施例為可能的。在任何方便之處，將遍及圖式使用相同元件符號來指相同或相似部分。在可使用已知組件來部
分地或完全地實施此等實施例之某些元件的情況下，將僅描述理解該等實施例所必需之此等已知組件的彼等部分，且將省略此等已知組件之其他部分的詳細描述以免於混淆該等實施例之描述。在本說明書中，不應將示出單數組件之實施例視為限制性的；實情為，除非本文中另外明確陳述，否則範疇意欲涵蓋包括複數個相同組件之其他實施例，且反之亦然。此外，除非如此明確闡述，否則申請人不意欲使本說明書或申請專利範圍中之任何術語歸結於不常見或特定涵義。另外，範疇涵蓋本文中藉助於說明而提及的組件之目前及未來已知等效者。
在詳細地描述實施例之前，有指導性的是呈現可供實施實施例之實例環境。
圖1示意性地描繪微影裝置LA之實施例。裝置包含：- 照明系統(照明器)IL，其經組態以調節輻射光束B(例如紫外(UV)輻射或深紫外(DUV)輻射)；- 支撐結構(例如光罩台)MT，其經建構以支撐圖案化器件(例如光罩)MA，且連接至經組態以根據某些參數來準確地定位圖案化器件之第一定位器PM；- 基板台(例如晶圓台)WT(例如WTa、WTb或此兩者)，其經建構以固持基板(例如抗蝕劑塗佈晶圓)W，且連接至經組態以根據某些參數來準確地定位該基板之第二定位器PW；及- 投影系統(例如折射投影透鏡系統)PS，其經組態以將由圖案化器件MA賦予至輻射光束B之圖案投影至基板W之目標部分C(例如包含一或多個晶粒且常常稱作場)上，該投影系統支撐於參考框架(RF)上。
如此處所描繪，裝置屬於透射型(例如採用透射性光罩)。替代地，裝置可屬於反射類型(例如採用如上文所提及之類型的可程式化鏡面陣列，或採用反射性光罩)。
照射器IL自輻射源SO接收輻射光束。舉例而言，當該源為準分子雷射時，該源與微影裝置可為分離實體。在此等情況下，不認為源形成微影裝置之部分，且輻射光束憑藉包含例如合適導向鏡或光束擴展器之光束遞送系統BD而自源SO傳遞至照明器IL。在其他情況下，例如當源為水銀燈時，源可為裝置之整體部分。可將源SO及照明器IL連同光束遞送系統BD(在需要時)稱作輻射系統。
照明器IL可變更光束之強度分佈。照明器可經配置以限制輻射光束之徑向範圍，使得強度分佈在照明器IL之光瞳平面中之環形區內為非零。另外或替代地，照明器IL可操作以限制光束在光瞳平面中之分佈，使得強度分佈在光瞳平面中之複數個等距間隔開之區段中為非零。可將輻射光束在照明器IL之光瞳平面中之強度分佈稱作照明模式。
因此，照明器IL可包含經組態以調整光束之(角度/空間)強度分佈之調整器AM。大體而言，可調整照明器之光瞳平面中之強度分佈之至少外部徑向範圍或內部徑向範圍(通常分別稱作σ外部或σ內部)。照明器IL可操作以改變光束之角度分佈。舉例而言，照明器可操作以變更強度分佈為非零的光瞳平面中之區段之數目及角度範圍。藉由調整光束在照明器之光瞳平面中之強度分佈，可達成不同照明模式。舉例而言，藉由限制照明器IL之光瞳平面中之強度分佈之徑向範圍及角度範圍，強度分佈可具有多極分佈，諸如偶極、四極或六極分佈。可例如藉由將提供所需照明模式之光學件插入至照明器IL中或使用空間光調變器來獲得彼照明模式。
照明器IL可操作以變更光束之偏振且可操作以使用調整器AM來調整偏振。可將照明器IL之光瞳平面上之輻射光束的偏振狀態稱作偏振模式。使用不同偏振模式可允許在形成於基板W上之影像中達成較大對比度。輻射光束可為非偏振的。替代地，照明器可經配置以使輻射光束線性地偏振。輻射光束之偏振方向可在照射器IL之光瞳平面上變化。輻射之偏振方向在照明器IL之光瞳平面中之不同區中可不同。可取決於照明模式來選擇輻射之偏振狀態。對於多極照明模式，輻射光束之各極之偏振可大體上垂直於照明器IL之光瞳平面中之彼極的位置向量。舉例而言，對於偶極照明模式，輻射可在基本上垂直於平分偶極之兩個對置區段之線的方向上線性地偏振。輻射光束可在兩個不同正交方向中之一者上偏振，可將其稱作經X偏振狀態及經Y偏振狀態。對於四極照明模式，各極之區段中之輻射可在基本上垂直於平分彼區段之線的方向上線性地偏振。可將此偏振模式稱作XY偏振。類似地，對於六極照明模式，各極之區段中之輻射可在基本上垂直於平分彼區段之線的方向上線性地偏振。可將此偏振模式稱作TE偏振。
另外，照明器IL大體上包含各種其他組件，諸如積光器IN及聚光器CO。照明系統可包括用於導向、塑形或控制輻射之各種類型的光學組件，諸如折射、反射、磁性、電磁、靜電或其他類型的光學組件，或其任何組合。
因此，照明器提供在橫截面中具有所需均一性及強度分佈的經調節輻射光束B。
支撐結構MT以取決於圖案化器件之定向、微影裝置之設計及其他條件(諸如圖案化器件是否經固持於真空環境中)之方式來支撐圖
案化器件。支撐結構可使用機械、真空、靜電或其他夾持技術以固持圖案化器件。支撐結構可為框架或台，例如其可視需要而固定或可移動。支撐結構可確保圖案化器件例如相對於投影系統處於所需位置。可認為本文中對術語「倍縮光罩」或「光罩」之任何使用與更一般術語「圖案化器件」同義。
本文中所使用之術語「圖案化器件」應廣泛地解譯為指代可用以在基板之目標部分中賦予圖案的任何器件。在一實施例中，圖案化器件為可用以在輻射光束之橫截面中為輻射光束賦予圖案以便在基板之目標部分中產生圖案的任何器件。應注意，舉例而言，若經賦予至輻射光束之圖案包括相移特徵或所謂輔助特徵，則該圖案可不確切地對應於基板之目標部分中之所需圖案。大體而言，經賦予至輻射光束之圖案將對應於目標部分中所產生之器件(諸如積體電路)中的特定功能層。
圖案化器件可為透射的或反射的。圖案化器件之實例包括光罩、可程式化鏡面陣列及可程式化液晶顯示(LCD)面板。光罩在微影中為吾人所熟知，且包括諸如二元、交變相移及衰減式相移之光罩類型，以及各種混合光罩類型。可程式化鏡面陣列之一實例採用小鏡面之矩陣配置，該等小鏡面中之各者可個別地傾斜，以便使入射輻射光束在不同方向上反射。傾斜鏡面在由鏡面矩陣反射之輻射光束中賦予圖案。
本文中所使用之術語「投影系統」應廣泛地解譯為涵蓋適於所使用之曝光輻射或適於諸如浸潤液體之使用或真空之使用之其他因素的任何類型之投影系統，包括折射、反射、反射折射、磁性、電磁及靜電光學系統，或其任何組合。可認為本文中對術語「投影透鏡」之任何使用與更一般術語「投影系統」同義。
投影系統PS具有可非均一且可影響成像於基板W上之圖案之光學轉移函數。對於非偏振輻射，此等影響可由兩個純量映圖極佳地描述，該兩個純量映圖描述依據射出投影系統PS之輻射的光瞳平面中之位置而變的該輻射之透射(變跡)及相對相位(像差)。可將可稱作透射映圖及相對相位映圖之此等純量映圖表達為基底函數之全集之線性組合。一特別適宜的集合為任尼克(Zernike)多項式，其形成單位圓上所定義之正交多項式集合。各純量映圖之判定可涉及判定此展開式中之係數。由於任尼克多項式在單位圓上正交，因此可藉由依次計算經量測純量映圖與各任尼克多項式之內積且將此內積除以彼任尼克多項式之范數之平方來判定任尼克係數。
透射映圖及相對相位映圖為場及系統相依的。亦即，大體而言，各投影系統PS將針對各場點(亦即，針對投影系統PS之影像平面中之各空間位置)具有不同任尼克展開式。可藉由將例如來自投影系統PS之物件平面(亦即，圖案化器件MA之平面)中之點狀源之輻射投影通過投影系統PS且使用剪切干涉計以量測波前(亦即，具有相同相位之點之軌跡)來判定投影系統PS在其光瞳平面中之相對相位。剪切干涉計為共同路徑干涉計，且因此，有利地，無需次級參考光束來量測波前。剪切干涉計可包含投影系統(亦即，基板台WT)之影像平面中的繞射光柵(例如二維柵格)及經配置以偵測與投影系統PS之光瞳平面共軛之平面中之干涉圖案的偵測器。干涉圖案與輻射之相位相對於在剪切方向上之光瞳平面中之座標的導數相關。偵測器可包含感測元件陣列，諸如電荷耦合器件(CCD)。
微影裝置之投影系統PS可不產生可見條紋，且因此可使用相位步進技術(諸如移動繞射光柵)來增強波前判定之準確度。可在繞射光
柵之平面中且及在垂直於量測之掃描方向的方向上執行步進。步進範圍可為一個光柵週期，且可使用至少三個(均一地分佈)相位步進。因此，舉例而言，可在y方向上執行三個掃描量測，在x方向上針對不同位置執行各掃描量測。繞射光柵之此步進將相位變化有效地變換成強度變化，從而允許判定相位資訊。光柵可在垂直於繞射光柵之方向(z方向)上步進以校準偵測器。
可在兩個垂直方向上依序地掃描繞射光柵，該等兩個垂直方向可與投影系統PS之座標系統之軸線(x及y)重合或可與此等軸線成諸如45度的角度。可遍及整數數目個光柵週期(例如一個光柵週期)執行掃描。掃描使一個方向上之相位變化平均化，從而允許重建構另一方向上之相位變化。此允許依據兩個方向而判定波前。
可藉由將例如來自投影系統PS之物件平面(亦即，圖案化器件MA之平面)中之點狀源之輻射投影通過投影系統PS且使用偵測器來量測與投影系統PS之光瞳平面共軛的平面中之輻射強度來判定投影系統PS在其光瞳平面中之透射(變跡)。可使用與用以量測波前以判定像差之偵測器相同之偵測器。
投影系統PS可包含複數個光學(例如透鏡)元件且可進一步包含調整機構AM，該調整機構經組態以調整光學元件中之一或多者以便校正像差(貫穿場之光瞳平面上之相位變化)。為達成此情形，調整機構可操作來以一或多個不同方式操控投影系統PS內之一或多個光學(例如透鏡)元件。投影系統可具有座標系統，其中該投影系統之光軸在z方向上延伸。調整機構可操作以進行以下各項之任何組合：使一或多個光學元件位移；使一或多個光學元件傾斜；或使一或多個光學元件變形。光學元件之
位移可在任何方向(x、y、z或其組合)上進行。光學元件之傾斜通常藉由圍繞x或y方向上之軸線旋轉而在垂直於光軸之平面之外進行，但對於非旋轉對稱之非球面光學元件，可使用圍繞z軸之旋轉。光學元件之變形可包括低頻形狀(例如像散)或高頻形狀(例如自由形式非球面)。可例如藉由使用一或多個致動器以對光學元件之一或多個側施加力或藉由使用一或多個加熱元件以加熱光學元件之一或多個選定區來執行光學元件之變形。大體而言，沒有可能調整投影系統PS以校正變跡(光瞳平面上之透射變化)。當設計用於微影裝置LA之圖案化器件(例如光罩)MA時，可使用投影系統PS之透射映圖。使用運算微影技術，圖案化器件MA可經設計以至少部分地校正變跡。
微影裝置可屬於具有兩個(雙載物台)或更多個台(例如兩個或更多個基板台WTa、WTb，兩個或更多個圖案化器件台，在無專用於例如促進量測或清潔等之基板的情況下在投影系統下方之基板台WTa及台WTb)之類型。在此等「多載物台」機器中，可並行地使用額外台，或可對一或多個台進行預備步驟，同時將一或多個其他台用於曝光。舉例而言，可進行使用對準感測器AS之對準量測或使用位階感測器LS之位階(高度、傾斜等)量測。
微影裝置亦可屬於以下類型：其中基板之至少一部分可由具有相對較高折射率之液體(例如水)覆蓋，以便填充投影系統與基板之間的空間。亦可將浸潤液體施加至微影裝置中之其他空間，例如圖案化器件與投影系統之間的空間。浸潤技術在此項技術中為熟知的，以用於增大投影系統之數值孔徑。本文中所使用之術語「浸潤」並不意謂諸如基板之結構必須浸沒於液體中，而是僅意謂液體在曝光期間位於投影系統與基板之
間。
因此，在微影裝置之操作中，輻射光束經調節且由照明系統IL提供。輻射光束B入射於固持在支撐結構(例如光罩台)MT上之圖案化器件(例如光罩)MA上，且由圖案化器件圖案化。在已橫穿圖案化器件MA之情況下，輻射光束B穿過投影系統PS，該投影系統PS將光束聚焦至基板W之目標部分C上。憑藉第二定位器PW及位置感測器IF(例如干涉量測器件、線性編碼器、2-D編碼器或電容式感測器)，可準確地移動基板台WT，例如以便使不同目標部分C定位於輻射光束B之路徑中。類似地，例如在自光罩庫機械擷取之後或在掃描期間，可使用第一定位器PM及另一位置感測器(圖1中未明確描繪)以相對於輻射光束B之路徑準確地定位圖案化器件MA。大體而言，可憑藉形成第一定位器PM之部分的長衝程模組(粗略定位)及短衝程模組(精細定位)來實現支撐結構MT之移動。類似地，可使用形成第二定位器PW之部分之長衝程模組及短衝程模組來實現基板台WT之移動。在步進器(相對於掃描器)之情況下，支撐結構MT可僅連接至短衝程致動器，或可經固定。可使用圖案化器件對準標記M1、M2及基板對準標記P1、P2來對準圖案化器件MA及基板W。儘管所說明之基板對準標記佔據專用目標部分，但該等標記可位於目標部分之間的空間中(將此等標記稱為切割道對準標記)。類似地，在多於一個晶粒提供於圖案化器件MA上之情形中，圖案化器件對準標記可位於該等晶粒之間。
所描繪裝置可用於以下模式中之至少一者中：
1.在步進模式中，在將賦予至輻射光束之整個圖案一次性投影(亦即，單次靜態曝光)至目標部分C上的同時使支撐結構MT及基板台WT保持基本上靜止。接著，使基板台WT在X或Y方向上移位以使得可曝光不同
目標部分C。在步進模式中，曝光場之最大大小限制單次靜態曝光中所成像的目標部分C之大小。
2.在掃描模式中，在將賦予至輻射光束之圖案投影至目標部分C上(亦即，單次動態曝光)的同時同步地掃描支撐結構MT及基板台WT。可藉由投影系統PS之(縮小)放大因數及影像反轉特性來判定基板台WT相對於支撐結構MT之速度及方向。在掃描模式中，曝光場之最大大小限制單次動態曝光中之目標部分之寬度(在非掃描方向上)，而掃描運動之長度判定目標部分之高度(在掃描方向上)。
3.在另一模式中，支撐結構MT保持基本上靜止以固持可程式化圖案化器件，且在將賦予至輻射光束之圖案投影至目標部分C上的同時移動或掃描基板台WT。在此模式中，大體而言，採用脈衝式輻射源，且在基板台WT之各移動之後或掃描期間的連續輻射脈衝之間根據需要更新可程式化圖案化器件。此操作模式可易於應用於利用可程式化圖案化器件(諸如上文所提及之類型的可程式化鏡面陣列)之無光罩微影。
亦可採用對上文所描述之使用模式之組合或變化或完全不同之使用模式。
儘管在本文中可特定地參考微影裝置在IC製造中之使用，但應理解，本文中所描述之微影裝置可具有其他應用，諸如製造整合式光學系統、用於磁疇記憶體之導引及偵測圖案、液晶顯示器(LCD)、薄膜磁頭等。熟習此項技術者應瞭解，在此等替代應用之內容背景中，可認為本文中對術語「晶圓」或「晶粒」之任何使用分別與更一般之術語「基板」或「目標部分」同義。可在曝光之前或之後在例如塗佈顯影系統(track)(通常將抗蝕劑層施加至基板且顯影所曝光抗蝕劑之工具)或度量衡或檢查
工具中處理本文所提及之基板。在適用情況下，可將本文中之揭示內容應用於此等及其他基板處理工具。此外，可將基板處理多於一次，例如以便產生多層IC，使得本文中所使用之術語「基板」亦可指已經含有多個經處理層之基板。
本文中所使用之術語「輻射」及「光束」涵蓋所有類型之電磁輻射，包括紫外(UV)輻射(例如具有365、248、193、157或126nm之波長)及極紫外(EUV)輻射(例如具有在5至20nm範圍內之波長)以及粒子束，諸如離子束或電子射束。
圖案化器件上之或由圖案化器件提供之各種圖案可具有不同程序窗，亦即，將產生符合規格之圖案所根據之處理變數之空間。關於潛在性系統性缺陷之圖案規格之實例包括檢查頸縮、線拉回、線薄化、臨界尺寸(CD)、邊緣置放、重疊、抗蝕劑頂部損失、抗蝕劑底切或橋接。可藉由合併各個別圖案之程序窗(例如使該等程序窗重疊)來獲得圖案化器件或其區域上之所有圖案之程序窗。所有圖案之程序窗之邊界含有個別圖案中之一些之程序窗之邊界。換言之，此等個別圖案限制所有圖案之程序窗。此等圖案可稱為「熱點」或「程序窗限制圖案(PWLP)」，「熱點」與「程序窗限制圖案」在本文中可互換地使用。當控制圖案化程序之一部分時，集中於熱點為有可能且經濟的。當熱點並未有缺陷時，最有可能所有圖案皆未有缺陷。
如圖2中所展示，微影裝置LA可形成微影單元LC(有時亦稱作微影製造單元(lithocell)或叢集)之部件，微影製造單元LC亦包括用以對基板執行曝光前程序及曝光後程序之裝置。習知地，此等裝置包括用以沈積一或多個抗蝕劑層之一或多個旋塗器SC、用以顯影經曝光抗蝕劑之
一或多個顯影器DE、一或多個冷卻板CH或一或多個烘烤板BK。基板處置器或機器人RO自輸入/輸出端口I/O1、I/O2拾取一或多個基板，在不同程序裝置之間移動該一或多個基板且將其遞送至微影裝置之裝載匣LB。常常統稱作塗佈顯影系統之此等裝置在塗佈顯影系統控制單元TCU之控制下，該塗佈顯影系統控制單元TCU自身受到監督控制系統SCS控制，該監督控制系統SCS亦經由微影控制單元LACU控制微影裝置。因此，不同裝置可經操作以最大化產出率及處理效率。
為正確且一致地曝光由微影裝置曝光之基板，或為監測包括至少一個圖案轉印步驟(例如光學微影步驟)之圖案化程序(例如器件製造程序)的一部分，需要檢查基板或其他物件以量測或判定一或多個屬性，諸如對準、疊對(其可例如在上覆層中之結構之間或在已藉由例如雙重圖案化程序而分別提供至該層之同一層中的結構之間)、線厚度、臨界尺寸(CD)、聚焦偏移、材料屬性等。因此，經定位有微影製造單元LC之製造設施通常亦包括度量衡系統MET，該度量衡系統MET量測已在該微影製造單元中處理的基板W中之一些或全部或該微影製造單元中之其他物件。度量衡系統MET可為微影製造單元LC之部分，例如其可為微影裝置LA之部分(諸如對準感測器AS)。
一或多個經量測參數可包括：例如形成於經圖案化基板中或上之連續層之間的疊對；例如形成於經圖案化基板中或上之特徵之臨界尺寸(CD)(例如臨界線寬)；光學微影步驟之聚焦或聚焦誤差；光學微影步驟之劑量或劑量誤差；光學微影步驟之光學像差等。可對產品基板自身之目標或對提供於基板上之專用度量衡目標執行此量測。可在抗蝕劑顯影之後但在蝕刻之前執行量測，或可在蝕刻之後執行量測。
存在用於對在圖案化程序中形成之結構進行量測的各種技術，包括使用掃描電子顯微鏡、基於影像之量測工具或各種特殊化工具。如上文所論述，特殊化度量衡工具之快速及非侵入性形式為輻射光束經導向至基板之表面上之目標上且量測經散射(繞射/反射)光束之屬性的度量衡工具。藉由評估由基板散射之輻射之一或多個屬性，可判定基板之一或多個屬性。此可稱作基於繞射之度量衡。此基於繞射之度量衡之一個此類應用係在目標內之特徵不對稱性之量測中。此特徵不對稱性之量測可用作例如疊對之量測，但其他應用亦為已知的。舉例而言，可藉由比較繞射光譜之相對部分(例如比較週期性光柵之繞射光譜中之-1階與+1階)來量測不對稱性。此量測可如上文所描述且如例如美國專利申請公開案US2006-066855中所描述來完成，該美國專利申請公開案以全文引用之方式併入本文中。基於繞射之度量衡之另一應用係在目標內之特徵寬度(CD)之量測中。此等技術可使用下文所描述之裝置及方法。
因此，在器件製作程序(例如圖案化程序或微影程序)中，基板或其他物件可在程序期間或之後經歷各種類型之量測。該量測可判定特定基板是否有缺陷，可建立對程序及程序中使用之裝置的調整(例如使基板上之兩個層對準或使圖案化器件與基板對準)，可量測程序及裝置之效能或可用於其他目的。量測之實例包括光學成像(例如光學顯微鏡)、非成像光學量測(例如基於繞射之量測，諸如ASML YieldStar度量衡工具、ASML SMASH度量衡系統)、機械量測(例如使用觸控筆之剖面探測、原子力顯微法(AFM))或非光學成像(例如掃描電子顯微法(SEM))。如美國專利案第6,961,116號(其以全文引用之方式併入本文中)中所描述之智慧型對準感測器混合(SMASH)系統採用自參考干涉計，該自參考干涉計：產生
對準標記物之兩個重疊且相對旋轉影像；偵測光瞳平面中之強度，在該光瞳平面中引起影像之傅立葉變換以進行干涉；且自兩個影像之繞射階之間的相位差提取位置資訊，該相位差表現為經干涉階中之強度變化。
可將度量衡結果直接或間接地提供至監督控制系統SCS。若偵測到誤差，則可對後續基板之曝光(尤其在可足夠迅速且快速完成檢查使得該批次之一或多個其他基板仍待曝光之情況下)或經曝光基板之後續曝光進行調整。另外，已曝光基板可經剝離及重工以改良良率，或經捨棄，藉此避免對已知有疵點之基板執行進一步處理。在基板之僅一些目標部分有缺陷之情況下，可僅對良好的彼等目標部分執行另外曝光。
在度量衡系統MET內，度量衡裝置用以判定基板之一或多個屬性，且尤其判定不同基板之一或多個屬性如何變化或同一基板之不同層在層間如何變化。如上文所提及，度量衡裝置可整合至微影裝置LA或微影製造單元LC中，或可為單機器件。
為了實現度量衡，可在基板上提供一或多個目標。在一實施例中，目標經專門設計且可包含週期性結構。在一實施例中，目標為器件圖案之一部分，例如為器件圖案之週期性結構。在一實施例中，器件圖案為記憶體器件之週期性結構(例如雙極電晶體(BPT)、位元線接點(BLC)等結構)。
在一實施例中，基板上之目標可包含一或多個1-D週期性結構(例如光柵)，其經印刷成使得在顯影之後，週期性結構特徵由固體抗蝕劑線形成。在一實施例中，目標可包含一或多個2-D週期性結構(例如光柵)，其經印刷成使得在顯影之後，該一或多個週期性結構由抗蝕劑中之固體抗蝕劑導柱或通孔形成。桿體、導柱或通孔可替代地經蝕刻至基板中
(例如經蝕刻至基板上之一或多個層中)。
在一實施例中，圖案化程序之所關注參數中之一者為疊對。可使用暗場散射量測來量測疊對，其中阻擋零階繞射(對應於鏡面反射)，且僅處理高階。可在PCT專利申請公開案第WO 2009/078708號及第WO 2009/106279號中發現暗場度量衡之實例，該等專利申請公開案以全文引用之方式併入本文中。美國專利申請公開案US2011-0027704、US2011-0043791及US2012-0242970中已描述該技術之進一步開發，該等專利申請公開案以全文引用之方式併入本文中。使用繞射階之暗場偵測的基於繞射之疊對實現對較小目標之疊對量測。此等目標可小於照明光點且可由基板W上之器件產品結構圍繞。在一實施例中，可在一次輻射俘獲中量測多個目標。
圖3描繪實例檢查裝置(例如散射計)。其包含將輻射投影至基板W上之寬頻帶(白光)輻射投影儀2。重導向輻射傳遞至光譜儀偵測器4，該光譜儀偵測器量測鏡面反射輻射之光譜10(強度依據波長而變化)，如例如在左下方的曲線圖中所展示。根據此資料，可藉由處理器PU例如藉由嚴密耦合波分析及非線性回歸或藉由與如圖3之右下方所展示之模擬光譜庫的比較來重建構產生經偵測光譜的結構或剖面。大體而言，對於重建構，結構之一般形式為已知的，且自供製造結構之程序之知識來假定一些變數，從而僅留下結構之少許變數以自經量測資料予以判定。此檢查裝置可經組態為正入射檢查裝置或斜入射檢查裝置。
圖4中展示可使用之另一檢查裝置。在此器件中，由輻射源2發射之輻射係使用透鏡系統12而準直且透射通過干涉濾光器13及偏振器17、由部分反射表面16反射且經由物鏡15聚焦至基板W上之光點S中，
該物鏡具有高數值孔徑(NA)，理想地為至少0.9或至少0.95。浸潤檢查裝置(使用相對較高折射率之流體，諸如水)可甚至具有大於1之數值孔徑。
如在微影裝置LA中一樣，可在量測操作期間提供一或多個基板台以固持基板W。該等基板台可在形式上與圖1之基板台WT相似或相同。在檢查裝置與微影裝置整合之實例中，該等基板台可甚至為相同基板台。可將粗略定位器及精細定位器提供至第二定位器PW，該第二定位器PW經組態以相對於量測光學系統準確地定位基板。提供各種感測器及致動器例如以獲取所關注目標之位置，且將所關注目標帶入至物鏡15下方之位置中。通常，將對基板W上之不同位置處之目標進行諸多量測。可在X及Y方向上移動基板支撐件以獲取不同目標，且可在Z方向上移動基板支撐件以獲得目標相對於光學系統之焦點之所需位置。舉例而言，當實務上光學系統可保持基本上靜止(通常在X及Y方向上，但可能亦在Z方向上)且僅基板移動時，考慮且描述操作如同物鏡經帶入至相對於基板之不同部位為方便的。假設基板及光學系統之相對位置為正確的，則以下情況原則上並不重要：基板及光學系統中之哪一者在真實世界中移動；或基板及光學系統均移動；或光學系統之一部分之組合移動(例如在Z或傾斜方向上)，而光學系統之其餘部分靜止且基板移動(例如在X及Y方向上，但亦視情況在Z或傾斜方向上)。
由基板W重導向之輻射接著通過部分反射表面16傳遞至偵測器18中以便使光譜經偵測到。偵測器18可位於背向投影式聚焦平面11處(亦即，位於透鏡系統15之焦距處)，或平面11可利用輔助光學件(未展示)而再成像至偵測器18上。偵測器可為二維偵測器，以使得可量測基板目標30之二維角度散射光譜。偵測器18可為例如CCD或互補金屬氧化物
半導體(CMOS)感測器陣列，且可使用例如每圖框40毫秒之積分時間。
參考光束可用以例如量測入射輻射之強度。為進行此量測，當輻射光束入射於部分反射表面16上時，使輻射光束之部分通過部分反射表面16作為參考光束而朝向參考鏡面14透射。接著將參考光束投影至同一偵測器18之不同部分上或替代地投影至不同偵測器(未展示)上。
一或多個干涉濾光器13可用於選擇在比如405至790nm或甚至更低(諸如200至300nm)範圍內之所關注波長。干涉濾光器可為可調的，而非包含不同濾光器之集合。可使用光柵代替干涉濾光器。孔徑光闌或空間光調變器(未展示)可提供於照明路徑中以控制輻射在目標上之入射角之範圍。
偵測器18可量測在單一波長(或窄波長範圍)下之重導向輻射之強度、分離地在多個波長下或在波長範圍上積分之強度。此外，偵測器可分離地量測橫向磁偏振輻射及橫向電偏振輻射之強度，或橫向磁偏振輻射與橫向電偏振輻射之間的相位差。
基板W上之目標30可為1-D光柵，其經印刷成使得在顯影之後，桿體由固體抗蝕劑線形成。目標30可為2-D光柵，其經印刷成使得在顯影之後，光柵由抗蝕劑中之固體抗蝕劑導柱或通孔形成。桿體、導柱或通孔可經蝕刻至基板中或基板上(例如至基板上之一或多個層中)。圖案(例如桿體、導柱或通孔之圖案)對在圖案化程序中之處理之改變(例如微影投影裝置(特別是投影系統PS)中之光學像差、聚焦改變、劑量改變等)敏感，且將表現印刷光柵中之變化。因此，印刷光柵之經量測資料用以重建構光柵。可根據印刷步驟或其他檢查程序之知識，將1-D光柵之一或多個參數(諸如線寬或形狀)或2-D光柵之一或多個參數(諸如導柱或通孔寬度
或長度或形狀)輸入至由處理器PU執行之重建構程序。
除藉由重建構之參數量測以外，角度解析散射量測亦有用於產品或抗蝕劑圖案中之特徵之不對稱性的量測。不對稱性量測之一特定應用為用於疊對之量測，其中目標30包含疊置於另一組週期性特徵上的一組週期性特徵。使用圖3或圖4之儀器的不對稱性量測之概念描述於例如美國專利申請公開案US2006-066855中，該美國專利申請公開案之全文併入本文中。簡單而言，雖然目標之繞射光譜中之繞射階的位置僅藉由目標之週期性判定，但繞射光譜中之不對稱性指示構成目標之個別特徵中的不對稱性。在圖4之儀器中(其中偵測器18可為影像感測器)，繞射階中之此不對稱性直接呈現為由偵測器18記錄之光瞳影像中之不對稱性。此不對稱性可藉由單元PU中之數位影像處理來量測，且可對照已知疊對值來校準。
圖5說明典型目標30之平面圖，及圖4之裝置中之照明光點S之範圍。為獲得擺脫來自周圍結構之干涉的繞射光譜，在一實施例中，目標30為大於照明光點S之寬度(例如直徑)之週期性結構(例如光柵)。光點S之寬度可小於目標之寬度及長度。換言之，目標由照明「底填充」，且繞射信號基本上不含來自目標自身外部之產品特徵及其類似者之任何信號。照明配置2、12、13、17可經組態以提供物鏡15之背焦平面上之均一強度的照明。替代地，藉由例如在照明路徑中包括孔徑，照明可受限於同軸或離軸方向。
圖6示意性地描繪基於使用度量衡獲得之量測資料來進行目標圖案30'之一或多個所關注變數之值之判定的實例程序。由偵測器18偵測到之輻射提供用於目標30'之經量測輻射分佈108。
對於給定目標30'，可使用例如數值馬克士威求解程序210
自參數化模型206運算/模擬輻射分佈208。參數化模型206展示構成目標且與該目標相關聯的各種材料之實例層。參數化模型206可包括用於在考慮中的目標之部分之特徵及層的變數中之一或多者，其可變化且經導出。如圖6中所展示，變數中之一或多者可包括一或多個層之厚度t、一或多個特徵之寬度w(例如CD)、一或多個特徵之高度h或一或多個特徵之側壁角α。儘管未展示，但變數中之一或多者可進一步包括但不限於：層中之一或多者之折射率(例如真折射率或複折射率、折射率張量等)、一或多個層之消光係數、一或多個層之吸收率、顯影期間之抗蝕劑損失、一或多個特徵之基腳或一或多個特徵之線邊緣粗糙度。該等變數之初始值可為針對經量測之目標所預期的值。接著在212處比較經量測輻射分佈108與所運算輻射分佈208以判定兩者之間的差。若存在差，則可變化參數化模型206之變數中之一或多者之值，計算新的所運算輻射分佈208且將其與經量測輻射分佈108比較直至在經量測輻射分佈108與所運算輻射分佈208之間存在足夠匹配為止。彼時，參數化模型206之變數之值提供實際目標30'之幾何形狀的良好或最佳匹配。在一實施例中，當經量測輻射分佈108與所運算輻射分佈208之間的差在容許臨限值內時存在足夠匹配。
將圖案化程序之變數稱作「處理變數」。圖案化程序可包括微影裝置中之圖案之實際轉印上游及下游的程序。圖7展示處理變數370之實例類別。第一類別可為微影裝置或在微影程序中使用之任何其他裝置的變數310。此類別之實例包括微影裝置之照明、投影系統、基板載物台等之變數。第二類別可為在圖案化程序中執行之一或多個工序之變數320。此類別之實例包括焦點控制或焦點量測、劑量控制或劑量量測、頻寬、曝光持續時間、顯影溫度、顯影中使用之化學成份等。第三類別可為
設計佈局及其在圖案化器件中之或使用圖案化器件進行之實施之變數330。此類別之實例可包括輔助特徵之形狀或位置、藉由解析度增強技術(RET)而應用之調整、光罩特徵之CD等。第四類別可為基板之變數340。實例包括抗蝕劑層下方之結構之特性、抗蝕劑層之化學成份或實體尺寸等。第五類別可為圖案化程序之一或多個變數之時間變化的特性350。此類別之實例可包括高頻載物台移動之特性(例如頻率、振幅等)、高頻雷射頻寬改變(例如頻率、振幅等等)或高頻雷射波長改變。此等高頻改變或移動為高於用以調整基礎變數(例如載物台位置、雷射強度)之機構之回應時間的高頻改變或移動。第六類別可為微影裝置中之圖案轉印上游或下游的程序之特性360，該等程序諸如旋塗、曝光後烘烤(PEB)、顯影、蝕刻、沈積、摻雜或封裝。
如應瞭解，此等變數中之許多變數(若非全部)將對圖案化程序之參數有影響且常常對所關注參數有影響。圖案化程序之參數之非限制性實例可包括臨界尺寸(CD)、臨界尺寸均一性(CDU)、焦點、疊對、邊緣位置或置放、側壁角、圖案移位等。常常，此等參數表達與標稱值(例如設計值、平均值等)之誤差。該等參數值可為個別圖案之特性之值或圖案群組之特性之統計量(例如平均值、方差等)。
可藉由合適方法判定處理變數中之一些或全部或與其相關之參數的值。舉例而言，可自利用各種度量衡工具(例如基板度量衡工具)獲得之資料來判定值。可自圖案化程序中之裝置的各種感測器或系統(例如微影裝置之感測器，諸如位階感測器或對準感測器、微影裝置之控制系統(例如基板或圖案化器件台控制系統)、塗佈顯影系統工具中之感測器等)獲得該等值。該等值可來自圖案化程序之業者。
度量衡在所花費之時間方面愈來愈變成一種負擔。舉例而言，在半導體行業中出現多種圖案化技術時尤其為此情況。利用諸如微影-蝕刻-微影-蝕刻(LELE)或側壁輔助雙重圖案化(SADP)之多種圖案化技術，處理步驟之數目已顯著增加，且因此，用於控制及良率監視之度量衡步驟之數量亦增加。此外，隨著在多個圖案化步驟中使用更多層且每層使用更多圖案化步驟，度量衡之量針對各節點增大(亦即，歸因於特徵大小減小)。
另外或替代地，愈來愈要求缺陷判定或導引缺陷檢查。此與之前情形相比涉及基本上更密集的焦點、疊對或CD度量衡。
另外或替代地，在器件上CD、疊對或焦點效能方面有愈加緊縮的規格。此驅使例如曝光工具及處理工具(例如沈積、蝕刻、塗佈顯影系統、化學機械拋光(CMP)等)自一個節點至下一節點之製造設備規格。因此，此驅使對效能之更嚴格控制及監視，此又驅使為了控制及監視而對度量衡之不斷增加量的要求。
另外或替代地，與在器件上CD、焦點或疊對效能方面之規格之緊縮一致地，可需要高階校正。高階校正基本上為基板之全部或部分上之在小空間尺度上具選擇性的校正性動作(例如以高空間解析度進行之校正)。高階校正涉及用於度量衡之每基板之更密集取樣，藉此增加度量衡負擔到可能會超出度量衡設備生產率之實務限制。
另外或替代地，基板間變化可能需要進一步個別基板位階控制(相比於例如批次位階控制)及相關聯監視以便達成所需CD、焦點或疊對效能。此可導致量測每批次之更多基板且因此驅使所用之量測之量增加，而可能超出度量衡設備生產率之實務限制。
然而，為滿足增加之資料需求，僅添加度量衡設備或增加度量衡設備生產率可能並不滿足需要。此外，其可能並未以適時方式解決所有問題，諸如獲得基板上之密集CD、焦點或疊對剖面。
因此，需要度量衡效率。此度量衡效率係供獲得例如每基板之更高密度之資料及每批次之更高數目個基板之資料。
因此，在一實施例中，合併且操縱來自多個源之度量衡資料以便針對基板上之複數個位置中之每一者導出一或多個圖案化程序參數(例如CD、焦點、疊對、邊緣置放等)之準確估計值。度量衡資料可包括藉由掃描電子顯微鏡獲得之影像。在一實施例中，接著提供用於例如在圖案化程序中處理之所有基板及用於例如在該圖案化程序中在此等基板上處理之所有層之密集度量衡資料(例如針對每平方毫米)。
在一實施例中，可合併來自各種源之度量衡資料及其他資料。舉例而言，合併所關注之圖案化程序參數之量測與來自圖案化程序中之一或多個器件的資料，諸如來自微影裝置之一或多個感測器的資料。資料之此組合可接著用以預測例如以下形式之產品上效能：圖案化程序參數，諸如CD、疊對、焦點、圖案移位、邊緣置放(例如邊緣置放誤差)等，或自圖案化程序參數導出之參數，諸如良率、缺陷(例如缺陷之風險、缺陷計數等)等。因此，具有良好品質度量衡資料為重要的，使得可準確地判定產品上效能、校正或調整圖案化程序等。
在一實施例中，圖案化程序之效能可為基於例如圖案保真度匹配(PFM)技術之量測或度量，其旨在預測及偵測印刷基板上之圖案化缺陷。PFM涉及若干步驟，包括：(1)識別光罩佈局中之關鍵圖案，亦稱為熱點；(2)表徵此等熱點相對於各種處理變化之靈敏度，該等處理變化
諸如掃描器焦點、疊對、蝕刻指紋等；(3)評估經處理基板之處理變化，且預測具有因此處理變化而變得有缺陷之熱點之最高概率的基板上之位置。此外，(4)可將檢測工具(例如電子束裝置)導引至此經預測熱點位置，以驗證缺陷之實際出現率或缺陷大小之準確判定。
在一實施例中，參考第一步驟(1)，可藉助於運算度量衡、圖案化程序期間之基板檢查或其組合來識別光罩佈局中之關鍵圖案。然而，步驟2至4需要基於檢查工具(例如電子束/SEM)之熱點之度量衡以區分缺陷與非缺陷。另外，舉例而言，通用測試圖案之CD度量衡可用以表徵例如蝕刻程序誘發或塗佈顯影系統誘發之系統性圖案化變化之跨基板處理變化(例如表示為處理映圖)。因而，針對準確PFM系統效能，需要準確及穩定的度量衡。
度量衡大體上包含執行移動獲取量測(MAM)動作之次序，以將載物台移動至預期量測位置，獲取資料(例如SEM影像)，接著藉由對獲取資料(例如SEM影像)進行分析來產生量測值。
在一實施例中，良好影像品質(或大體而言，良好度量衡資料)取決於恰當地聚焦於基板之表面的度量衡工具。可藉由自動對焦，亦即在觀測「影像清晰度」的同時跨焦掃描，來實現該度量衡工具之聚焦。但為避免對基板之潛在損害，可不在實際度量衡位置處執行聚焦掃描。另外，為達成高產出率，可不針對每一位置執行聚焦掃描。另外，在操作中，度量衡工具聚焦亦可受度量衡工具、圖案化程序、量測程序本身或其組合內的偏移或偏差影響。因此，經由度量衡工具獲取之資料包括聚焦變化，例如SEM影像集合內的聚焦變化。
失焦影像產生不準確及不穩定的度量衡資料(CD、EPE
等)。舉例而言，所獲取影像中之變化的模糊將引起特徵邊緣之估計位置中之變化。因而，為區分良好影像與不良影像，需要影像品質之量化。然而，僅基於影像之特徵(或特性)(例如像素強度)之量化可不考慮因度量衡工具本身所致之變化。
在一實施例中，此量化不僅分析經由度量衡工具本身獲取之影像，且亦分析度量衡工具(或相關聯程序)誘發之變化。在一實施例中，本發明旨在減少(在一實施例中，最小化)由所獲取影像產生之度量衡資料(CD、EPE等)中之此變化。
圖8說明根據一實施例之度量衡資料之實例基板映圖801。舉例而言，度量衡資料為印刷基板上之圖案大小之量測。度量衡資料包括藉由例如蝕刻程序(亦即，待表徵信號)誘發之跨基板圖案大小變化。在一實施例中，尤其當參考影像時，將度量衡資料稱作待表徵之信號。基板映圖801亦說明具有圖案大小變化之相對較低值之多個位置805。然而，該等量測可受彼等位置(例如805)處之聚焦問題影響。聚焦問題可自於位置805處獲取之模糊影像811而顯而易見。此受影響量測將影響對應於圖案化程序之參數(例如CD、疊對)之缺陷之驗證或基板映圖之產生。出於說明目的，圖8中之所展示實例提示一些暫時性工具問題，其導致相對易於自基板映圖識別之系統性偏差，然而在更多實際情況中，此類問題將顯著地更加難以辨識。
圖9為根據一實施例之用於判定對度量衡資料之校正之方法的流程圖。用於經由運算系統(例如圖15之運算系統100)判定對經由度量衡工具(例如散射計、SEM或電子束)收集之度量衡資料之校正的方法涉及使用品質度量。品質度量，在本文中亦稱為影像品質度量，為量化由度量
衡工具獲得之影像之品質的度量。品質度量之一實例為與度量衡工具(例如HMI)相關聯之聚焦指數(FI)值此外，品質度量與度量衡資料相關，以考慮度量衡工具或相關程序中之變化。此外，定義校正模型，其使用品質度量與度量衡資料之間的相關度以判定對度量衡資料之校正。校正度量衡資料可進一步用以產生對應於圖案化程序之不同參數或圖案化程序之效能的不同基板映圖。校正度量衡資料亦可用以判定/驗證基板上之缺陷位置或光罩上之熱點。在一實施例中，基於經識別缺陷位置，度量衡工具可經導引至缺陷位置或熱點，以採取額外量測來實現對圖案化程序之改良/調整以使得基板上之缺陷減少。
參考圖9，在程序P92中，方法涉及獲得(i)經歷圖案化程序之基板之度量衡資料901及(ii)量化基板之度量衡資料901之品質的品質度量902。在一實施例中，度量衡資料901可自諸如散射計或SEM之度量衡工具量測。在一實施例中，度量衡資料901可為基板之影像，例如SEM影像，亦即由掃描電子顯微鏡(SEM)獲得之影像。影像可為像素化影像，各像素具有一特定強度。影像可表示為各像素之強度之向量。此外，像素或像素群組係指基板之特定位置。
在一實施例中，影像品質可指代影像中之基板之一或多個特徵之模糊度或清晰度的量。在一實施例中，歸因於與諸如度量衡工具之聚焦的度量衡工具之特性相關聯的變化，影像品質受影響。在一實施例中，可基於度量衡工具之特性(例如聚焦)定義品質度量(例如FI)，該度量衡工具之特性誘發基板之影像中之系統性變化。在一實施例中，品質度量與圖案化程序中使用之劑量中之變化無關，如圖13A至13B及14A至14B中所展示。
在一實施例中，品質度量為由度量衡工具俘獲之基板之影像的聚焦指數。聚焦指數與影像之清晰度有關，且可替代地稱作清晰度指數。聚焦指數輔助區分良好影像與不良影像。在一實施例中，聚焦指數可為0與1之間的值，其中0表示最差影像品質且1表示最佳影像品質。舉例而言，圖10中之曲線說明根據一實施例之聚焦指數與影像品質之間的關係。
圖10展示影像品質隨著聚焦指數的降低而降低。舉例而言，隨著聚焦指數自0.9降低至0.65，影像變得更模糊，且清晰度及對比度降低。舉例而言，參看隨著聚焦指數降低，影像1001、1002、1003、1004及1005逐漸地變得更模糊且更不清晰。超出0.65之聚焦索引值，影像品質以指數方式降低至其中影像簡單地為不具有基板之特徵之灰色像素化影像1010的點。
在一實施例中，聚焦指數係基於局部相位相干性映圖(LPC)來判定，該局部相位相干性映圖揭示尺度空間中之相鄰小波係數之間的在基板上之特徵位置附近之相位關係。相位資訊保留各種類型之信號中之重要結構特徵(例如基板之特徵)。在一實施例中，LPC映圖係基於複雜小波分析工具而建置，該複雜小波分析工具提供多尺度中之局部化幅值及相位資訊。實例LPC運算論述於文章No-reference image sharpness assessment based on local phase coherence measurement中，R.Hassen、Z.Wang及M.Salama，«2010年IEEE國際聲學、語音及信號處理會議(2010 IEEE International Conference on Acoustics,Speech and Signal Processing)»，達拉斯，TX，2010，第2434-2437頁，該文章以全文引用之方式併入本文中。
在一實施例中，聚焦指數係針對選自度量衡影像之樣本而判定，與該影像上之其他位置相比，該樣本具有相對較高梯度。在一實施例中，樣本係選自具有最大梯度之之面積。在一實施例中，聚焦指數可為度量衡影像之一部分之平均值。舉例而言，圖11說明根據一實施例之運算聚焦指數之實例。
在圖11中，可由例如SEM之度量衡工具獲得基板之完整影像1101。舉例而言，影像1101可為4096×4096像素化影像。接著，可選擇完整影像1101之部分1110。舉例而言，部分1110可為512×512像素面積。所選擇部分1110可進一步劃分為柵格1102(例如4×4柵格)。可針對各柵格元件1102判定聚焦指數(FI)，且接著可藉由求和個別聚焦指數及除以柵格元件之一總數目(例如4×4柵格中為16)來運算聚焦指數之平均值。
應理解，聚焦指數為品質度量之實例。然而，本發明方法不限於聚焦指數；可完善諸如信雜比之任何其他品質度量，其量化相對於度量衡工具變化之影像品質，且於本發明之範疇內使用。
此外，在程序P94中，方法涉及經由運算系統(例如圖15之運算系統100)建立品質度量與度量衡資料之間的相關度。在一實施例中，相關度可為基於量測及品質度量之統計分析或散佈圖建立之線性關係。在一實施例中，相關度可呈線性方程、非線性方程或資料庫表之形式。在一實施例中，可取決於經量測之圖案完善一或多個相關度。舉例而言，可針對第一圖案(例如接觸孔)相關之量測來建立第一相關度。類似地，可針對第二圖案(例如桿體)相關之量測來建立第二相關度。在一實施例中，相關度可基於特定位置中之特徵相對於基板之位置之其餘部分的相對密度。舉例而言，與基板上之其他位置相比具有較高特徵密度之位置(例如熱點)可
具有特定於位置之單獨相關度。圖12為根據一實施例之聚焦指數與度量衡資料之間的相關度1205之實例。
在圖12中，在CD量測(CDx)與聚焦指數之間建立相關度1205以用於在整個基板上收集之量測1201。在量測整個基板時，CD量測可含有所有圖案化程序變化。因此，此相關度可用於校正具有所有圖案化程序變化之度量衡資料。在圖12之實例曲線中，相關度1205為藉由表示相關度1205之線(例如1205)之斜率表徵的線性關係。相關度1205可進一步用以例如使用本發明中稍後論述之校正模型來校正CD量測。
在一實施例中，用以建立相關度之更準確及高效方式包括度量衡配方設定期間之相關度之特性，例如利用最小化CD(或特徵面積、EPE等)變化之其他源或圖案化程序之其他參數中之變化的取樣方案的受控制電子束聚焦變化。
在程序P96中，建立的相關度可進一步用以判定對度量衡資料之校正。程序P96涉及基於品質度量與度量衡資料之間的相關度判定對度量衡資料之校正。在一實施例中，校正之判定涉及基於校正模型來判定藉由度量衡工具量測之參數的校正值。相較於通常定義臨限值以識別及丟棄模糊影像之其他影像處理方法，校正可在不設定FI臨限值之情況下應用，以區分不良影像與良好影像。舉例而言，當相關度為線性關係時，校正值係基於以下予以判定：品質度量與度量衡資料之間的相關度之一斜率，以及品質度量在基板上之一最大值與品質度量在基板上之所關注點處之值之間的差。在一實施例中，量測經校正以降低模糊影像對例如程序模擬(例如光學件、抗蝕劑、蝕刻等)之結果之影響。
實例線性校正模型可定義為：
newVal=(max(FI)-FI) * 斜率+oldVal
在上述方程中，newVal係指度量衡資料之校正值，斜率為表示相關度之線的斜率(例如圖12中之線1205的斜率)，max(FI)為貫穿基板之FI之最大值，FI為特定位置(亦即諸如熱點之所關注之位置)處之聚焦指數，且oldVal係指經由度量衡工具收集之度量衡資料。運算符×為乘法運算符。
在一實施例中，方法可進一步包括基於品質度量與度量衡資料之間的相關度訓練諸如機器學習模型之校正模型。在一實施例中，校正模型可經組態以判定對在圖案化程序期間收集之度量衡資料之即時校正。在一實施例中，例如針對不同圖案(如先前所論述)完善之一或多個相關度及一或多個對應校正模型可儲存於資料庫中。舉例而言，校正模型對應於特定圖案(例如熱點圖案)，且另一校正模型對應於另一特定圖案(例如非熱點圖案)。因此，在一實施例中，可執行對度量衡資料之即時校正，例如可取決於位置、圖案等來選擇適當相關度及校正模型，從而一旦藉由度量衡工具收集資料，就校正度量衡資料。在一實施例中，校正模型之此資料庫可儲存於度量衡工具本身中，或度量衡工具可經組態以與儲存此校正模型及相關度之外部資料庫通信。
在一實施例中，影像品質度量與CD量測之間的相關度可例如在度量衡配方設定及驗證期間藉由校正模型之訓練建立，接著應用訓練的校正模型以用於各別度量衡配方內之後續即時校正。
在一實施例中，以上方法可針對晶粒至資料庫應用進一步擴展。在晶粒至資料庫應用中，諸如目標設計之圖案設計資訊可儲存於資料庫中。此目標設計信息可自資料庫提取以將諸如目標特徵大小、圖案密
度等之圖案資訊併入於相關度內，以改良影像品質度量及校正之有效性。舉例而言，相關度模型可包括與不同圖案及對應係數相關之不同項，其可基於印刷基板內的特定晶粒之量測來訓練。舉例而言，CD與聚焦指數之間的相關度可定義為CD=a1×FI+a2×FI×圖案1+a3×FI×圖案2。在方程中，a1、a2及a3為係數，圖案1及圖案2係指對應於第一圖案及第二圖案之類別變數。
在一實施例中，多個圖案可基於諸如特徵(例如接觸孔)之大小及類型的特徵特性來分組以形成圖案類別。圖案類別包括具有類似特徵特性之不同圖案。此外，相關度及對應校正模型可針對圖案之各類別而完善(以如上文所論述類似之方式)，因此實現對度量衡資料之類別特定校正。因此，方法可經擴展以判定對屬於圖案群組的圖案之度量衡資料之校正。
在一實施例中，方法亦可有效地減少與聚焦(例如膜堆疊變化)不相關之影像對比度變化。舉例而言，可定義基於膜堆疊變化之品質度量，該等膜堆疊變化包括厚度、材料等。此品質度量可進一步與對應於膜堆疊之度量衡資料相關，且相關度用以校正度量衡資料。在一實施例中，該度量衡資料包含一印刷基板之一影像或該圖案化程序之一參數。舉例而言，圖案化程序之參數為臨界尺寸、邊緣置放誤差或疊對。
在一實施例中，在程序P98中，方法可進一步包括基於應用於度量衡資料之校正產生圖案化程序之參數之映圖的步驟。舉例而言，經校正資料可用以產生基板之劑量映圖、焦點映圖、CD映圖、疊對映圖、邊緣置放誤差映圖等。在一實施例中，根據圖9中之方法針對一或多個基板及校正獲得經圖案化基板疊對度量衡資料。接著，自經校正疊對疊
對度量衡資料中去除用於至少兩個圖案轉印中之每一者的一或多種類型之微影裝置處理變數之比重。可經去除之一種類型之比重為例如自微影裝置之位階感測器獲得的基板高度映圖之疊對比重。可針對用於兩個圖案轉印之基板高度映圖發現一差，且接著可將該差轉換成疊對值且因此轉換成疊對比重。舉例而言，可藉由將高度差考慮為基板之翹曲或彎曲及使用第一原理計算X或Y位移而將Z高度差變為X或Y位移(例如，位移可為Z之變化相對於X或Y乘以例如基板在基板夾持區中之厚度之一半的變化，或可例如在基板鬆開區中使用Kirchoff-Love平板理論來計算位移)。在一實施例中，可經由模擬、數學模型化或實驗判定高度至疊對比重之轉譯。因此，藉由使用每圖案轉印之此基板高度資訊，可觀測及考量歸因於度量衡工具(例如SEM)之聚焦之疊對影響。
在一實施例中，在程序P100中，該方法可進一步包括將度量衡工具導引至基於度量衡資料判定之所關注位置的步驟，該等位置例如歸因於度量衡工具之聚焦問題而具有高聚焦影響之位置。在一實施例中，所關注之位置為熱點。在一實施例中，導引涉及產生信號以相對於基板(或圖案化器件)移動度量衡工具或檢查裝置，同時基板(或圖案化器件)保持靜止，以實現對應於基板(或圖案化器件)之程序窗限制圖案位置(例如熱點)處之量測。
如圖9之方法，如上文所論述具有若干優勢。舉例而言，降低模糊影像對採用度量衡資料之模擬的影響，例如以校準程序模型。校正模型使得量測更準確及穩定(例如與程序變化無關)。由於量測係基於品質度量而經校正，因此其減少或節省重新檢查之時間，其中通常執行重新檢查以藉由實際上重新量測基板來減少聚焦誤差。方法為非破壞性方法，
亦即，其避免基板多重曝光於電子射束。
如先前所提及，另一優勢可為用於相關度之品質度量，且進一步於校正模型中採用，與圖案化程序之參數(例如劑量及聚焦)無關，如圖13A至13B及14A至14B中所說明。換言之，例如劑量/聚焦中之變化可不影響校正模型。
圖13A說明圖案化裝置之聚焦與第一圖案(例如SRAM圖案)之聚焦指數之間的關係。如散佈圖所展示，聚焦指數針對圖案化裝置之不同聚焦值保持在約0.86與0.74之間，且觀測到無特定趨勢。類似地，圖13B說明第一圖案之聚焦指數與圖案化裝置之劑量無關。
針對圖14A及14B中之不同圖案(例如邏輯通孔)進一步確認品質度量(例如聚焦指數)相對於圖案化裝置之聚焦及劑量之獨立性。如散佈圖所展示，聚焦指數針對圖案化裝置之不同聚焦及劑量值保持在約0.86與0.74之間，且觀測到無特定趨勢。
圖15為說明可輔助實施本文中所揭示之最佳化方法及流程之運算系統100的方塊圖。運算系統100可包含一或多個個別電腦系統，諸如電腦系統101。此外，運算系統100可包含舉例而言，度量衡工具或度量衡工具之一部分。電腦系統101包括用於傳達資訊之匯流排102或其他通信機構，及與匯流排102耦接以用於處理資訊之處理器104(或多個處理器104及105)。電腦系統101亦包括主記憶體106(諸如隨機存取記憶體(RAM)或其他動態儲存器件)，其耦接至匯流排102以用於儲存待由處理器104執行之資訊及指令。主記憶體106在執行待由處理器104執行之指令期間亦可用於儲存暫時變數或其他中間資訊。電腦系統101進一步包括耦接至匯流排102以用於儲存用於處理器104之靜態資訊及指令之唯讀記憶體
(ROM)108或其他靜態儲存器件。提供儲存器件110(諸如磁碟或光碟)且將其耦接至匯流排102以用於儲存資訊及指令。
電腦系統101可經由匯流排102耦接至用於向電腦使用者顯示資訊之顯示器112，諸如陰極射線管(CRT)或平板顯示器或觸控面板顯示器。包括文數字鍵和其他鍵的輸入器件114可耦接至匯流排102，以用於將資訊及命令選擇傳達至處理器104。另一類型之使用者輸入器件為游標控制件116，諸如滑鼠、軌跡球或游標方向鍵，以用於將方向資訊及命令選擇傳達至處理器104且用於控制顯示器112上之游標移動。此輸入器件通常具有在兩個軸線(第一軸(例如x)及第二軸(例如y))中的兩個自由度，此允許器件在平面中指定位置。觸控面板(螢幕)顯示器亦可用作輸入器件。
根據一個實施例，本文中所描述之程序之部分可回應於處理器104執行主記憶體106中含有之一或多個指令的一或多個序列而由電腦系統101執行。可自諸如儲存器件110之另一電腦可讀媒體將此等指令讀取至主記憶體106中。主記憶體106中含有之指令序列的執行使得處理器104執行本文中所描述之程序步驟。多處理配置中之一或多個處理器亦可用於執行主記憶體106中含有之指令序列。在替代實施例中，硬連線電路可替代軟體指令或與軟體指令組合使用。因此，實施例不限於硬體電路與軟體之任何特定組合。
如本文中所使用之術語「電腦可讀媒體」係指參與將指令提供至處理器104以供執行之任何媒體。此媒體可呈許多形式，包括但不限於非揮發性媒體、揮發性媒體及傳輸媒體。非揮發性媒體包括例如光碟或磁碟，諸如儲存器件110。揮發性媒體包括動態記憶體，諸如主記憶體
106。傳輸媒體包括同軸電纜、銅線及光纖，包括包含匯流排102之線。傳輸媒體亦可呈聲波或光波之形式，諸如在射頻(RF)及紅外(IR)資料通信期間所產生之聲波或光波。電腦可讀媒體之常見形式包括例如軟碟、可撓性磁碟、硬碟、磁帶、任何其他磁媒體、CD-ROM、DVD、任何其他光學媒體、打孔卡、紙帶、具有孔圖案之任何其他實體媒體、RAM、PROM及EPROM、FLASH-EPROM、任何其他記憶體晶片或卡匣、如下文所描述之載波，或可供電腦讀取之任何其他媒體。
各種形式之電腦可讀媒體可涉及將一或多個指令之一或多個序列攜載至處理器104以供執行。舉例而言，初始地可將該等指令承載於遠端電腦之磁碟上。遠端電腦可將指令載入至其動態記憶體中，且使用數據機經由電話線發送指令。在電腦系統101本端之數據機可接收電話線上之資料，且使用紅外線傳輸器以將資料轉換成紅外線信號。耦接至匯流排102之紅外線偵測器可接收紅外線信號中攜載之資料且將該資料置放於匯流排102上。匯流排102將資料攜載至主記憶體106，處理器104自該主記憶體擷取且執行指令。由主記憶體106接收之指令可視情況在由處理器104執行之前或之後儲存於儲存器件110上。
電腦系統101亦可包括耦接至匯流排102之通信介面118。通信介面118提供對網路鏈路120之雙向資料通信耦接，該網路鏈路120連接至區域網路122。舉例而言，通信介面118可為整合式服務數位網路(ISDN)卡或數據機以提供至對應類型之電話線之資料通信連接。作為另一實例，通信介面118可為區域網路(LAN)卡以提供至相容LAN之資料通信連接。亦可實施無線鏈接。在任何此實施中，通信介面118發送且接收攜載表示各種類型之資訊之數位資料串流的電、電磁或光學信號。
網路鏈路120通常經由一或多個網路將資料通信提供至其他資料器件。舉例而言，網路鏈路120可經由區域網路122提供與主機電腦124或與由網際網路服務提供者(ISP)126操作之資料設備之連接。ISP 126繼而經由全球封包資料通信網路(現通常稱作「網際網路」128)而提供資料通信服務。區域網路122及網際網路128皆使用攜載數位資料串流之電、電磁或光學信號。經由各種網路之信號及在網路鏈路120上且經由通信介面118之信號為輸送資訊的例示性形式之載波，該等信號將數位資料攜載至電腦系統101且自該電腦系統攜載數位資料。包含運算系統100之一或多個電腦系統101之間的通信可經由各種媒體中之任一者進行。舉例而言，一或多個電腦系統101之間的通信可經由區域網路122、網際網路128、wi-fi網路、蜂巢式網路或任何其他可用通信媒體進行。
電腦系統101可經由網路、網路鏈路120及通信介面118發送訊息且接收資料，該等訊息及資料包括程式碼。在網際網路實例中，伺服器130可經由網際網路128、ISP 126、區域網路122及通信介面118傳輸用於應用程式之所請求程式碼。根據一或多個實施例，一個此類經下載應用程式提供例如實施例之照明最佳化。所接收程式碼可在其經接收時由處理器104執行，或儲存於儲存器件110或其他非揮發性儲存器中以供稍後執行。以此方式，電腦系統101可獲得呈載波形式之應用程式碼。
圖16示意性地描繪另一例示性微影投影裝置LA，其包括：- 源收集器模組SO，其用以提供輻射；- 照明系統(照明器)IL，其經組態以調節來自源收集器模組SO之輻射光束B(例如EUV輻射)；
- 支撐結構(例如光罩台)MT，其經建構以支撐圖案化器件(例如光罩或倍縮光罩)MA，且連接至經組態以準確地定位圖案化器件之第一定位器PM；- 基板台(例如晶圓台)WT，其經建構以固持基板(例如抗蝕劑塗佈晶圓)W，且連接至經組態以準確地定位該基板之第二定位器PW；及- 投影系統(例如反射性投影系統)PS，其經組態以將藉由圖案化器件MA賦予至輻射光束B之圖案投影至基板W的目標部分C(例如包含一或多個晶粒)上。
如此處所描繪，裝置LA屬於反射類型(例如採用反射性光罩)。應注意，因為大多數材料在EUV波長範圍內具吸收性，所以圖案化器件可具有包含例如鉬與矽之多層堆疊的多層反射體。在一個實例中，多堆疊反射體具有鉬與矽之40個層對，其中各層之厚度為四分之一波長。可運用X射線微影來產生更小波長。由於大部分材料在EUV及x射線波長下具吸收性，因此圖案化器件構形上的圖案化吸收材料之薄件(例如在多層反射體的頂部上之TaN吸收體)定義特徵將印刷(正性抗蝕劑)或不印刷(負性抗蝕劑)之位置。
參考圖16，照明器IL自源收集器模組SO接收極紫外輻射光束。用以產生EUV輻射之方法包括但不一定限於藉由EUV範圍中之一或多個發射譜線將材料轉換成具有至少一個元素之電漿狀態，該至少一個元素例如氙、鋰或錫。在一種此類方法(常常稱作雷射產生電漿(「LPP」)中，可藉由利用雷射光束來輻照燃料(諸如具有譜線發射元素之材料小滴、串流或叢集)而產生電漿。源收集器模組SO可為包括雷射(圖16中未展示)之EUV輻射系統之部分，該雷射用於提供激發燃料之雷射光束。所
得電漿發射輸出輻射，例如EUV輻射，該輻射係使用安置於源收集器模組中之輻射收集器予以收集。舉例而言，當使用CO2雷射以提供用於燃料激發之雷射光束時，雷射及源收集器模組可為分離實體。
在此類情況下，不認為雷射形成微影裝置之部分，且輻射光束係憑藉包含例如合適導向鏡或光束擴展器之光束遞送系統而自雷射傳遞至源收集器模組。在其他情況下，例如當輻射源常常被稱作DPP輻射源之放電產生電漿EUV產生器時，輻射源可為源收集器模組之整體部分。
照明器IL可包含用於調整輻射光束之角強度分佈的調整器。大體而言，可調整照明器之光瞳平面中之強度分佈之至少外部徑向範圍或內部徑向範圍(通常分別稱作σ外部或σ內部)。另外，照明器IL可包含各種其他組件，諸如琢面化場鏡面器件及琢面化光瞳鏡面器件。照明器可用以調節輻射光束，以在其橫截面中具有所需均一性及強度分佈。
輻射光束B入射於固持在支撐結構(例如光罩台)MT上之圖案化器件(例如光罩)MA上，且由圖案化器件圖案化。在自圖案化器件(例如光罩)MA反射之後，輻射光束B穿過影系統PS，該投影系統PS將該光束聚焦至基板W之目標部分C上。憑藉第二定位器PW及位置感測器PS2(例如干涉量測器件、線性編碼器或電容式感測器)，可準確地移動基板台WT，例如以便使不同目標部分C定位於輻射光束B之路徑中。類似地，第一定位器PM及另一位置感測器PS1可用以相對於輻射光束B之路徑來準確地定位圖案化器件(例如光罩)MA。可使用圖案化器件對準標記M1、M2及基板對準標記P1、P2來對準圖案化器件(例如光罩)MA及基板W。
可在以下模式中之至少一者中使用所描繪裝置LA：
1.在步進模式中，在將賦予至輻射光束之整個圖案一次性投影(亦
即，單次靜態曝光)至目標部分C上的同時使支撐結構(例如光罩台)MT及基板台WT保持基本上靜止。接著，使基板台WT在X或Y方向上移位以使得可曝光不同目標部分C。
2.在掃描模式中，在將賦予至輻射光束之圖案投影至目標部分C上(亦即，單次動態曝光)的同時同步地掃描支撐結構(例如光罩台)MT及基板台WT。可藉由投影系統PS之(縮小)放大因數及影像反轉特性來判定基板台WT相對於支撐結構(例如光罩台)MT之速度及方向。
3.在另一模式中，支撐結構(例如光罩台)MT保持基本上靜止以固持可程式化圖案化器件，且在將賦予至輻射光束之圖案投影至目標部分C上的同時移動或掃描基板台WT。在此模式中，大體而言，採用脈衝式輻射源，且在基板台WT之各移動之後或掃描期間的連續輻射脈衝之間根據需要更新可程式化圖案化器件。此操作模式可易於應用於利用可程式化圖案化器件(諸如上文所提及之類型的可程式化鏡面陣列)之無光罩微影。
圖17更詳細地展示裝置LA，其包括源收集器模組SO、照明系統IL及投影系統PS。源收集器模組SO經建構及配置以使得可將真空環境維持於源收集器模組SO之圍封結構220中。可藉由放電產生電漿輻射源形成EUV輻射發射電漿1710。可藉由氣體或蒸汽(例如Xe氣體、Li蒸汽或Sn蒸汽)而產生EUV輻射，其中產生極熱電漿以發射在電磁光譜的EUV範圍內之輻射。舉例而言，藉由造成至少部分離子化電漿之放電來產生極熱電漿。為了輻射之高效產生，可能需要例如10Pa之分壓的Xe、Li、Sn蒸汽或任何其他合適的氣體或蒸汽。在一實施例中，提供經激發錫(Sn)電漿以產生EUV輻射。
由熱電漿發射之輻射係經由定位於源腔室211中之開口中
或後方的視情況選用的氣體障壁或污染物截留器230(在一些情況下，亦稱作污染物障壁或箔片截留器)而自源腔室211傳遞至收集器腔室1712中。污染物截留器230可包括通道結構。污染物截留器230亦可包括氣體障壁，或氣體障壁與通道結構之組合。如在此項技術中已知，本文中進一步指示之污染物截留器或污染物障壁230至少包括通道結構。
收集器腔室1712可包括可為所謂的掠入射收集器之輻射收集器CO。輻射收集器CO具有上游輻射收集器側251及下游輻射收集器側252。橫穿收集器CO之輻射可自光柵光譜濾光器240反射，以沿著由點虛線「O」指示之光軸而聚焦在虛擬源點IF中。虛擬源點IF通常稱作中間焦點，且源收集器模組經配置成使得中間焦點IF位於圍封結構220中之開口221處或附近。虛擬源點IF為輻射發射電漿210之影像。
隨後，輻射橫穿照明系統IL，該照明系統IL可包括琢面化場鏡面器件22及琢面化光瞳鏡面器件24，該琢面化場鏡面器件及該琢面化光瞳鏡面器件經配置以提供在圖案化器件MA處的輻射光束21之所需角度分佈，以及在圖案化器件MA處的輻射強度之所需均一性。在由支撐結構MT固持之圖案化器件MA處的輻射光束21之反射後，就形成圖案化光束26，且由投影系統PS將圖案化光束26經由反射元件28、30而成像至由基板台WT固持之基板W上。
比所展示之元件更多的元件大體上可存在於照明光學件單元IL及投影系統PS中。取決於微影裝置之類型，可視情況存在光柵光譜濾光器240。此外，可存在比諸圖中所展示之鏡面多的鏡面，例如在投影系統PS中可存在比圖17中所展示之反射元件多1至6個的額外反射元件。
如圖17中所說明之收集器光學件CO經描繪為具有掠入射
反射體253、254及255之巢狀收集器，僅作為收集器(或收集器鏡面)之一實例。掠入射反射體253、254及255圍繞光軸O軸向對稱地安置，且此類型之收集器光學件CO理想地與放電產生電漿輻射源組合使用。
替代地，源收集器模組SO可為如圖18中所展示之LPP輻射系統之部分。雷射LAS經配置以將雷射能量沈積至諸如氙(Xe)、錫(Sn)或鋰(Li)之燃料中，從而產生具有數十電子伏特的電子溫度之高度離子化電漿。在此等離子之去激發及再結合期間產生之高能輻射係自電漿發射、由近正入射收集器光學件CO收集，且聚焦至圍封結構220中之開口221上。
可使用以下條項進一步描述實施例：
1.一種用於校正一圖案化程序之度量衡資料之方法，該方法包含：獲得(i)經歷該圖案化程序之基板之度量衡資料，及(ii)量化基板之度量衡資料之品質的品質度量；經由運算系統建立品質度量與度量衡資料之間的相關度；以及基於品質度量與度量衡資料之間的相關度經由運算系統判定對度量衡資料之校正。
2.如條項1之方法，其中判定校正包含基於校正模型判定度量衡資料之校正值，其中度量衡資料係經由度量衡工具而獲得。
3.如條項2之方法，其中校正值係基於以下予以判定：品質度量與度量衡資料之間的相關度之斜率，以及品質度量在基板上之最大值與品質度量在基板上之所關注點處之值之間的差。
4.如條項1至3中任一項之方法，其中品質度量為經由度量衡工具俘獲之基板之影像的聚焦指數。
5.如條項4之方法，其中聚焦指數係基於局部相位相干性映圖來判定，該局部相位相干性映圖揭示尺度空間中之相鄰小波係數之間的在基板上之特徵位置附近之相位關係。
6.如條項4至5中任一項之方法，其中聚焦指數係基於選自影像之樣本而判定，與該影像上之其他位置相比，該樣本具有相對較高梯度。
7.如條項6之方法，其中樣本為影像之面積，與該影像之其餘面積相比，該面積具有相對較高梯度。
8.如條項1至7中任一項之方法，其中品質度量與圖案化程序中使用之劑量中之變化無關。
9.如條項1至8中任一項之方法，其中度量衡資料包含印刷基板之影像或圖案化程序之參數。
10.如條項1至9中任一項之方法，其中圖案化程序之參數為臨界尺寸、邊緣置放誤差或疊對。
11.如條項1至10中任一項之方法，其進一步包含基於應用於度量衡資料之校正產生圖案化程序之參數之映圖。
12.如條項11之方法，其中映圖為劑量映圖、焦點映圖、臨界尺寸(CD)映圖、疊對映圖或邊緣置放誤差映圖。
13.如條項1至12中任一項之方法，其中該度量衡資料為掃描電子顯微鏡影像或電子束影像。
14.如條項1至13中任一項之方法，其進一步包含基於品質度量與度量衡資料之間的相關度來訓練校正模型，其中該校正模型經組態以判定對在圖案化程序期間收集之度量衡資料之即時校正。
15.如條項1至14中任一項之方法，其中校正模型包括於度量衡工
具中。
16.一種用於執行圖案化程序之度量衡資料之即時校正之方法，該方法包含：獲得(i)經歷圖案化程序之基板之度量衡資料，及(ii)實施特定圖案之品質度量與度量衡資料之間之相關度的校正模型；以及經由運算系統基於校正模型判定對特定圖案之度量衡資料之校正。
17.如條項16之方法，其中判定校正包含基於校正模型判定度量衡資料之校正值，其中該度量衡資料係經由度量衡工具而獲得。
18.如條項17之方法，其中校正值係基於以下予以判定：品質度量與度量衡資料之間的相關度之斜率，以及品質度量在基板上之最大值與品質度量之間的差。
19.如條項16至18中任一項之方法，其中品質度量為經由度量衡工具俘獲之基板之影像的聚焦指數。
20.如條項16至19中任一項之方法，其中度量衡資料包含印刷基板之影像或圖案化程序之參數。
21.如條項20之方法，其中度量衡資料包含印刷基板之影像，或圖案化程序之參數包括包含印刷基板之影像及圖案化製程之參數的度量衡資料。
22.如條項16至21中任一項之方法，其進一步包含：基於特定圖案之特徵特性將特定圖案中之一或多者分組至圖案類別中；以及判定對屬於圖案類別之圖案之度量衡資料的校正。
23.一種電腦程式產品，其包含非暫時性電腦可讀媒體，該非暫時
性電腦可讀媒體具有記錄於其上之指令，該等指令在由電腦執行時實施如條項1至22中任一項之方法。
本文所揭示之概念可模擬或數學上模型化用於成像子波長特徵之任何通用成像系統，且可尤其供能夠產生具有愈來愈小之大小之波長的新興成像技術使用。已經在使用中之新興技術包括能夠藉由使用ArF雷射來產生193nm波長且甚至能夠藉由使用氟雷射來產生157nm波長之極紫外線(EUV)微影。此外，EUV微影能夠藉由使用同步加速器或藉由利用高能電子來撞擊材料(固體或電漿)而產生在20至5nm範圍內之波長，以便產生在此範圍內之光子。
雖然本文中所揭示之概念可用於在諸如矽晶圓之基板上的成像，但應理解，所揭示之概念可與任何類型之微影成像系統一起使用，例如用於在除矽晶圓以外的基板上之成像的微影成像系統。
儘管可在本文中特定地參考在IC製造中實施例之使用，但應理解，本文中之實施例可具有許多其他可能應用。舉例而言，其可用於製造整合式光學系統、用於磁域記憶體之導引及偵測圖案、液晶顯示器(LCD)、薄膜磁頭、微機械系統(MEM)等中。熟悉此項技術者將瞭解，在此類替代應用之內容背景中，本文中對術語「倍縮光罩」、「晶圓」或「晶粒」之任何使用可被視為分別與更一般術語「圖案化器件」、「基板」或「目標部分」同義或可與其互換。可在曝光之前或之後在例如塗佈顯影系統(通常將抗蝕劑層施加至基板且顯影所曝光抗蝕劑之工具)或度量衡或檢查工具中處理本文所提及之基板。在適用情況下，可將本文中之揭示內容應用於此等及其他基板處理工具。此外，可將基板處理多於一次，例如以便產生例如多層IC，使得本文中所使用之術語基板亦可指已經含有多個經
處理層之基板。
在本文中，如本文所使用之術語「輻射」及「光束」涵蓋所有類型之電磁輻射，包括紫外輻射(例如具有約365、約248、約193、約157或約126nm之波長)及極紫外(EUV)輻射(例如具有介於5至20nm範圍內的波長)以及粒子束，諸如離子射束或電子射束。
如本文中所使用之術語「最佳化(optimizing及optimization)」係指或意謂調整圖案化裝置設備(例如微影裝置)、圖案化程序等，使得結果或程序具有更合乎需要之特性，諸如基板上之設計圖案之更高投影準確性、更大程序窗等。因此，如本文中所使用之術語「最佳化(optimizing及optimization)」係指或意謂識別用於一或多個參數之一或多個值的程序，該一或多個值相比於用於彼等一或多個參數之一或多個值之初始集合提供在至少一個相關度量方面的改良，例如局部最佳。因此，「最佳」及其他相關術語應予以解釋。在一實施例中，最佳化步驟可反覆應用，以提供一或多個度量之進一步改良。
本發明之態樣可以任何方便形式予以實施。舉例而言，可藉由一或多個適當電腦程式來實施實施例，該一或多個適當電腦程式可在可為有形載體媒體(例如碟片)或無形載體媒體(例如通信信號)之適當載體媒體上進行。可使用可特定採取可程式化電腦之形式的合適裝置來實施本發明之實施例，該可程式化電腦執行經配置以實施如本文中所描述之方法之電腦程式。因此，本發明之實施例可以硬體、韌體、軟體或其任何組合予以實施。本發明之實施例亦可實施為儲存於機器可讀媒體上之指令，該等指令可由一或多個處理器讀取及執行。機器可讀媒體可包括用於儲存或傳輸以可由機器(例如運算器件)讀取之形式之資訊的任何機構。舉例而
言，機器可讀媒體可包括：唯讀記憶體(ROM)；隨機存取記憶體(RAM)；磁碟儲存媒體；光學儲存媒體；快閃記憶體器件；電學、光學、聲學或其他形式之傳播信號(例如載波、紅外線信號、數位信號等)及其他者。另外，韌體、軟體、常式、指令可在本文中經描述為執行特定動作。然而，應瞭解，此類描述僅僅出於方便起見，且此類動作事實上係由運算器件、處理器、控制器或執行韌體、軟體、常式、指令等之其他器件引起。
在方塊圖中，所說明之組件經描繪為離散功能區塊，但實施例不限於本文中所描述之功能性如所說明來組織之系統。由組件中之每一者提供之功能性可由軟體或硬體模組提供，該等模組以與目前所描繪之方式不同的方式來組織，例如可摻和、結合、複寫、分解、分散(例如在資料中心內或按地區)或另外以不同方式組織此軟體或硬體。本文中所描述之功能性可由執行儲存於有形的、非暫時性機器可讀媒體上之程式碼之一或多個電腦的一或多個處理器提供。在一些情況下，第三方內容遞送網路可主控經由網路傳達之資訊中的一些或全部，在此情況下，在據稱供應或以另外方式提供資訊(例如內容)之情況下，可藉由發送指令以自內容遞送網路擷取彼資訊來提供該資訊。
除非另外特定陳述，否則如自論述顯而易見，應瞭解，貫穿本說明書，利用諸如「處理」、「運算」、「計算」、「判定」或其類似者之術語的論述係指諸如專用電腦或類似專用電子處理/運算器件之特定裝置的動作或程序。
讀者應瞭解，本申請案描述若干發明。此等發明已經分組成單一文件，而非將彼等發明分離成多個單獨的專利申請案，此係因為該
等發明之相關主題在應用程序中有助於經濟發展。但不應合併此等發明之相異優勢及態樣。在一些情況下，實施例解決本文中所提及之所有缺陷，但應理解，該等發明係獨立地有用，且一些實施例僅解決此等問題之子集或提供其他未提及之益處，該等益處對於檢閱本發明之熟習此項技術者將顯而易見。由於成本約束，目前可能不主張本文中所揭示之一些發明，且可在稍後申請案(諸如，接續申請案或藉由修正本發明技術方案)中主張該等發明。類似地，歸因於空間限制，本發明文件之發明摘要及發明內容章節皆不應被視為含有所有此等發明之全面清單或此等發明之所有態樣。
應理解，本說明書及圖式不意欲將本發明限制於所揭示之特定形式，但相反，意欲涵蓋屬於如由所附申請專利範圍所定義的本發明之精神及範疇內之所有修改、等效者及替代例。
鑒於此描述，本發明之各個態樣之修改及替代實施例對於熟習此項技術者而言將顯而易見。因此，本說明書及圖式應理解為僅為說明性的且係出於教示熟習此項技術者執行本發明之一般方式之目的。應理解，應將本文中所展示且描述之本發明之形式視為實施例之實例。元件及材料可替代本文中所說明及描述之元件及材料，部件及程序可經反轉或省略，可獨立地利用某些特徵，且可合併實施例或實施例之特徵，此皆如對熟習此項技術者在獲得本說明書之益處之後將顯而易見的。在不背離如在以下申請專利範圍中所描述之本發明之精神及範疇的情況下，可對本文中所描述之元件作出改變。本文中所使用之標題僅為達成組織性目的，且不意欲用以限制本說明書之範疇。
如貫穿本申請案所使用，詞「可」係在許可之意義(亦即，意謂有可能)而非強制性之意義(亦即，意謂必須)下予以使用。詞「包括
(include/including/includes)」及其類似者意謂包括但不限於。如貫穿本申請案所使用，單數形式「a/an/the」包括複數個參照物，除非內容另有明確地指示。因此，舉例而言，對「元件(an element/a element)」之參考包括兩個或更多個元件之組合，儘管會針對一或多個元件使用其他術語及短語，諸如「一或多個」。如本文中所使用，除非另外特定陳述，否則術語「或」涵蓋所有可能組合，除非不可行。舉例而言，若陳述資料庫可包括A或B，則除非另外確切地陳述或不可行，否則資料庫可包括A，或B，或A及B。作為第二實例，若陳述資料庫可包括A、B或C，則除非另外確切地陳述或不可行，否則資料庫可包括A，或B，或C，或A及B，或A及C，或B及C，或A及B及C。描述條件關係之術語，例如「回應於X，而Y」、「在X後，即Y」、「若X，則Y」、「當X時，Y」及其類似者涵蓋因果關係，其中前提為必要的因果條件，前期為充分的因果條件，或前期為結果的貢獻因果條件，例如「在條件Y獲得後，即出現狀態X」對於「僅在Y後，才出現X」及「在Y及Z後，即出現X」為通用的。此等條件關係不限於即刻遵循前提而獲得之結果，此係由於可延遲一些結果，且在條件陳述中，前提連接至其結果，例如，前提係與出現結果之可能性相關。除非另外指示，否則複數個特質或功能經映射至複數個物件(例如執行步驟A、B、C及D之一或多個處理器)之陳述涵蓋所有此等特質或功能經映射至所有此等物件及特質或功能之子集經映射至特質或功能之子集兩者(例如所有處理器各自執行步驟A至D，以及其中處理器1執行步驟A，處理器2執行步驟B及步驟C之一部分，且處理器3執行步驟C之一部分及步驟D之情況)。另外，除非另外指示，否則一個值或動作係「基於」另一條件或值之陳述涵蓋條件或值為單獨因數之情況以及條件或值為複數個因數當中之
一個因數之情況兩者。除非另外指示，否則一些集合之「各」個例具有某一屬性的陳述不應被解讀為排除更大集合中之一些另外相同或類似成員不具有該屬性的情況，亦即，各不一定意謂每一及每個。對自範圍選擇之提及包括範圍之端點。
在以上描述中，流程圖中之任何程序、描述或區塊應理解為表示程式碼之模組、片段或部分，其包括用於實施該程序中之特定邏輯功能或步驟之一或多個可執行指令，且替代實施包括於本發明之例示性實施例之範疇內，其中功能可取決於所涉及之功能性而不按照所展示或論述之次序執行，包括基本上同時或以相反次序執行，如熟習此項技術者將理解。
在某些美國專利、美國專利申請案或其他材料(例如文章)已經以引用方式併入之情況下，此等美國專利、美國專利申請案及其他材料之文字僅在此材料與本文中所闡述之陳述及圖式之間不存在衝突之情況下以引用之方式併入。在存在此類衝突之情況下，在此等以引用方式併入的美國專利、美國專利申請案及其他材料中之任何此類衝突並不具體地以引用方式併入本文中。
雖然已描述某些實施例，但此等實施例僅藉助於實例來呈現，且並不意欲限制本發明之範疇。實際上，本文中所描述之新穎方法、裝置及系統可以多種其他形式體現；此外，在不背離本發明精神之情況下，可對本文中所描述之方法、裝置及系統的形式進行各種省略、替代及改變。隨附申請專利範圍及其等效者意欲涵蓋將落入本發明之範疇及精神內的此類形式或修改。
901:度量衡資料
902:品質度量
P92:程序
P94:程序
P96:程序
P98:程序
P100:程序
Claims (15)
- 一種用於校正一圖案化程序之度量衡資料之方法，該方法包含：獲得(i)經歷該圖案化程序之一基板之度量衡資料，及(ii)量化該基板之該度量衡資料之一品質的一影像品質度量(image quality metric)；經由一運算(computing)系統建立該影像品質度量與該度量衡資料之間的一相關度(correlation)；以及基於該影像品質度量與該度量衡資料之間的該相關度經由該運算系統判定對該度量衡資料之一校正。
- 如請求項1之方法，其中判定該校正包含：基於一校正模型判定該度量衡資料之一校正值，其中該度量衡資料係經由一度量衡工具而獲得。
- 如請求項2之方法，其中該校正值係基於以下予以判定：該影像品質度量與該度量衡資料之間的該相關度之一斜率，以及該影像品質度量在該基板上之一最大值與該影像品質度量在該基板上之一所關注點處之一值之間的一差。
- 如請求項1之方法，其中該影像品質度量為經由該度量衡工具俘獲之該基板之一影像的一聚焦指數(focus index)。
- 如請求項4之方法，其中該聚焦指數係基於一局部相位相干性映圖(local phase coherence map)來判定，該局部相位相干性映圖揭示一尺度 空間(scale-space)中之相鄰小波係數(wavelet coefficients)之間的在該基板上之一特徵位置附近(vicinity)之一相位關係(phase relationship)。
- 如請求項4之方法，其中該聚焦指數係基於選自該影像之一樣本而判定，與該影像上之其他位置相比，該樣本具有一相對較高梯度。
- 如請求項6之方法，其中該樣本為該影像之一面積，與該影像之其餘面積相比，該面積具有一相對較高梯度。
- 如請求項1之方法，其中該影像品質度量與該圖案化程序中使用之一劑量中之變化無關。
- 如請求項1之方法，其中該度量衡資料包含一印刷基板之一影像或該圖案化程序之一參數。
- 如請求項1之方法，其中該圖案化程序之該參數為一臨界尺寸、一邊緣置放誤差(edge placement error)或一疊對。
- 如請求項1之方法，其進一步包含基於應用於該度量衡資料之該校正產生該圖案化程序之一參數之一映圖。
- 如請求項11之方法，其中該映圖為一劑量映圖、一焦點映圖、一臨界尺寸(CD)映圖、一疊對映圖或一邊緣置放誤差映圖。
- 如請求項1之方法，其中該度量衡資料為一掃描電子顯微鏡影像或一電子束影像。
- 如請求項1之方法，其進一步包含基於該影像品質度量與該度量衡資料之間的該相關度來訓練一校正模型，其中該校正模型經組態以判定對在該圖案化程序期間收集之度量衡資料之即時校正(real-time corrections)。
- 一種電腦程式產品，其包含一非暫時性電腦可讀媒體，該非暫時性電腦可讀媒體具有記錄於其上之指令，該等指令在由一電腦執行時實施如請求項1之方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US201862719378P | 2018-08-17 | 2018-08-17 | |
| US62/719,378 | 2018-08-17 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TW202026766A TW202026766A (zh) | 2020-07-16 |
| TWI749355B true TWI749355B (zh) | 2021-12-11 |
Family
ID=67688755
Family Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| TW108128703A TWI749355B (zh) | 2018-08-17 | 2019-08-13 | 用於校正圖案化程序之度量衡資料之方法及相關的電腦程式產品 |
| TW110141876A TWI824334B (zh) | 2018-08-17 | 2019-08-13 | 非暫時性電腦可讀媒體 |
Family Applications After (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| TW110141876A TWI824334B (zh) | 2018-08-17 | 2019-08-13 | 非暫時性電腦可讀媒體 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20210241449A1 (zh) |
| KR (2) | KR20240024314A (zh) |
| CN (1) | CN112689801A (zh) |
| IL (1) | IL280730B2 (zh) |
| TW (2) | TWI749355B (zh) |
| WO (1) | WO2020035516A1 (zh) |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US11436506B2 (en) * | 2019-03-06 | 2022-09-06 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Method and devices for determining metrology sites |
| US11010529B2 (en) * | 2019-09-16 | 2021-05-18 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited | Integrated circuit layout validation using machine learning |
| CN115210664A (zh) * | 2020-02-24 | 2022-10-18 | 萨卡德视觉有限公司 | 用于控制对物品的自动检查的系统和方法 |
| US20230252347A1 (en) * | 2020-08-06 | 2023-08-10 | Asml Netherlands B.V. | Method and apparatus for concept drift mitigation |
| US11530913B2 (en) * | 2020-09-24 | 2022-12-20 | Kla Corporation | Methods and systems for determining quality of semiconductor measurements |
| CN113547512B (zh) * | 2021-08-04 | 2022-09-06 | 长春电子科技学院 | 一种钳体加工用的智能检测机械手 |
| WO2023117263A1 (en) * | 2021-12-20 | 2023-06-29 | Asml Netherlands B.V. | Method and apparatus for lithographic imaging |
Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20070041003A1 (en) * | 2005-08-18 | 2007-02-22 | International Business Machines Corporation | Focus blur measurement and control method |
| TW201245906A (en) * | 2011-04-06 | 2012-11-16 | Kla Tencor Corp | Method and system for providing a quality metric for improved process control |
| US20120331427A1 (en) * | 2011-06-23 | 2012-12-27 | Nikon Precision Inc. | In-situ scanner exposure monitor |
| TW201633006A (zh) * | 2014-12-17 | 2016-09-16 | Ａｓｍｌ荷蘭公司 | 熱點感知劑量校正 |
| US20160342080A1 (en) * | 2010-12-17 | 2016-11-24 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Method and apparatus for correcting errors on a wafer processed by a photolithographic mask |
| US20180129139A1 (en) * | 2016-11-10 | 2018-05-10 | Asml Netherlands B.V. | Correction using stack difference |
| TW201830173A (zh) * | 2016-10-17 | 2018-08-16 | 荷蘭商Ａｓｍｌ荷蘭公司 | 處理裝置及用於校正橫跨基板的參數變化的方法 |
Family Cites Families (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE60319462T2 (de) | 2002-06-11 | 2009-03-12 | Asml Netherlands B.V. | Lithographischer Apparat und Verfahren zur Herstellung eines Artikels |
| US7791727B2 (en) | 2004-08-16 | 2010-09-07 | Asml Netherlands B.V. | Method and apparatus for angular-resolved spectroscopic lithography characterization |
| JP4904034B2 (ja) * | 2004-09-14 | 2012-03-28 | ケーエルエー−テンカー コーポレイション | レチクル・レイアウト・データを評価するための方法、システム及び搬送媒体 |
| NL1036245A1 (nl) | 2007-12-17 | 2009-06-18 | Asml Netherlands Bv | Diffraction based overlay metrology tool and method of diffraction based overlay metrology. |
| US20090182529A1 (en) * | 2008-01-14 | 2009-07-16 | International Business Machines Corporation | Determining signal quality of optical metrology tool |
| NL1036597A1 (nl) | 2008-02-29 | 2009-09-01 | Asml Netherlands Bv | Metrology method and apparatus, lithographic apparatus, and device manufacturing method. |
| WO2011012624A1 (en) | 2009-07-31 | 2011-02-03 | Asml Netherlands B.V. | Metrology method and apparatus, lithographic system, and lithographic processing cell |
| EP2470960A1 (en) | 2009-08-24 | 2012-07-04 | ASML Netherlands BV | Metrology method and apparatus, lithographic apparatus, lithographic processing cell and substrate comprising metrology targets |
| NL2007425A (en) | 2010-11-12 | 2012-05-15 | Asml Netherlands Bv | Metrology method and apparatus, and device manufacturing method. |
| TWI754253B (zh) * | 2011-08-01 | 2022-02-01 | 以色列商諾發測量儀器股份有限公司 | 控制半導體裝置的製造的方法及系統 |
| US8929644B2 (en) * | 2013-01-02 | 2015-01-06 | Iowa State University Research Foundation | 3D shape measurement using dithering |
| US9983485B2 (en) * | 2014-07-16 | 2018-05-29 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus, device manufacturing method and associated data processing apparatus and computer program product |
| WO2017144379A1 (en) * | 2016-02-22 | 2017-08-31 | Asml Netherlands B.V. | Separation of contributions to metrology data |
| US10699969B2 (en) * | 2017-08-30 | 2020-06-30 | Kla-Tencor Corporation | Quick adjustment of metrology measurement parameters according to process variation |
-
2019
- 2019-08-13 TW TW108128703A patent/TWI749355B/zh active
- 2019-08-13 TW TW110141876A patent/TWI824334B/zh active
- 2019-08-14 KR KR1020247004405A patent/KR20240024314A/ko active Application Filing
- 2019-08-14 US US17/268,863 patent/US20210241449A1/en active Pending
- 2019-08-14 KR KR1020217004720A patent/KR20210034038A/ko not_active IP Right Cessation
- 2019-08-14 WO PCT/EP2019/071774 patent/WO2020035516A1/en active Application Filing
- 2019-08-14 CN CN201980053080.8A patent/CN112689801A/zh active Pending
- 2019-08-14 IL IL280730A patent/IL280730B2/en unknown
Patent Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20070041003A1 (en) * | 2005-08-18 | 2007-02-22 | International Business Machines Corporation | Focus blur measurement and control method |
| US20160342080A1 (en) * | 2010-12-17 | 2016-11-24 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Method and apparatus for correcting errors on a wafer processed by a photolithographic mask |
| TW201245906A (en) * | 2011-04-06 | 2012-11-16 | Kla Tencor Corp | Method and system for providing a quality metric for improved process control |
| US20120331427A1 (en) * | 2011-06-23 | 2012-12-27 | Nikon Precision Inc. | In-situ scanner exposure monitor |
| TW201633006A (zh) * | 2014-12-17 | 2016-09-16 | Ａｓｍｌ荷蘭公司 | 熱點感知劑量校正 |
| TW201830173A (zh) * | 2016-10-17 | 2018-08-16 | 荷蘭商Ａｓｍｌ荷蘭公司 | 處理裝置及用於校正橫跨基板的參數變化的方法 |
| US20180129139A1 (en) * | 2016-11-10 | 2018-05-10 | Asml Netherlands B.V. | Correction using stack difference |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| TW202026766A (zh) | 2020-07-16 |
| WO2020035516A1 (en) | 2020-02-20 |
| TW202210959A (zh) | 2022-03-16 |
| IL280730B2 (en) | 2024-03-01 |
| CN112689801A (zh) | 2021-04-20 |
| IL280730A (en) | 2021-03-25 |
| KR20240024314A (ko) | 2024-02-23 |
| KR20210034038A (ko) | 2021-03-29 |
| US20210241449A1 (en) | 2021-08-05 |
| IL280730B1 (en) | 2023-11-01 |
| TWI824334B (zh) | 2023-12-01 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TWI754263B (zh) | 用於判定圖案化製程之製程窗的方法 | |
| TWI749355B (zh) | 用於校正圖案化程序之度量衡資料之方法及相關的電腦程式產品 | |
| US11635699B2 (en) | Determining pattern ranking based on measurement feedback from printed substrate | |
| WO2017148982A1 (en) | Method and apparatus to determine a patterning process parameter | |
| TW201812443A (zh) | 監控製程裝置之方法及系統 | |
| WO2019034409A1 (en) | METHOD FOR DETERMINING A PARAMETER OF A PATTERN FORMING PROCESS | |
| TWI749386B (zh) | 用於判定經組態以預測經受圖案化程序之基板上之圖案的特性的機率模型之方法及電腦程式產品 | |
| TWI785504B (zh) | 用於調整製程窗之方法及其相關非暫時性電腦可讀媒體 | |
| TW201940985A (zh) | 基於計算度量衡之取樣方案 | |
| US11630396B2 (en) | Model calibration and guided metrology based on smart sampling | |
| US20220035256A1 (en) | Determining hot spot ranking based on wafer measurement | |
| US20220404718A1 (en) | Matching pupil determination | |
| TWI779674B (zh) | 基於失效率之製程窗 | |
| TWI793443B (zh) | 判定圖案之像差靈敏度的方法 | |
| CN117950277A (zh) | 匹配光瞳确定 |