JP6567523B2 - メトロロジーターゲットの設計のための方法及び装置 - Google Patents
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Description
[0001] 本出願は、2013年12月30日出願の米国仮出願第61/921,939号の利益を主張し、参照によりその全体が本明細書に組み込まれる。
[0020] −放射ビームB(例えばDUV放射又はEUV放射)を調節するように構成された照明システム(イルミネータ)ILと、
[0021] −パターニングデバイス(例えばマスク)MAを支持するように構成され、特定のパラメータに従ってパターニングデバイスMAを正確に位置決めするように構成された第1のポジショナPMに接続された支持構造(例えばマスクテーブル)MTと、
[0022] −基板(例えばレジストコートウェーハ)Wを保持するように構成され、特定のパラメータに従って基板Wを正確に位置決めするように構成された第2のポジショナPWに接続された基板テーブル(例えばウェーハテーブル)WTと、
[0023] −パターニングデバイスMAによって放射ビームBに与えられたパターンを基板Wのターゲット部分C(例えば1つ以上のダイを含む)に投影するように構成された投影システム(例えば屈折投影レンズシステム)PSと、を備える。
[0037] 1.ステップモードでは、パターニングデバイス支持体(例えば、マスクテーブル)MT及び基板テーブルWTaは、基本的に静止状態に維持される一方、放射ビームに与えたパターン全体が1回でターゲット部分Cに投影される(すなわち単一静的露光)。次に、別のターゲット部分Cを露光できるように、基板テーブルWTaがX方向及び/又はY方向に移動される。ステップモードでは、露光フィールドの最大サイズによって、単一静的露光で像が形成されるターゲット部分Cのサイズが制限される。
[0038] 2.スキャンモードでは、パターニングデバイス支持体(例えば、マスクテーブル)MT及び基板テーブルWTaは同期的にスキャンされる一方、放射ビームに与えられるパターンがターゲット部分Cに投影される(すなわち単一動的露光)。パターニングデバイス支持体(例えば、マスクテーブル)MTに対する基板テーブルWTaの速度及び方向は、投影システムPSの拡大(縮小)及び像反転特性によって求めることができる。スキャンモードでは、露光フィールドの最大サイズによって、単一動的露光におけるターゲット部分の(非スキャン方向における)幅が制限され、スキャン動作の長さによってターゲット部分の(スキャン方向における)高さが決まる。
[0039] 3.別のモードでは、パターニングデバイス支持体(例えば、マスクテーブル)MTはプログラマブルパターニングデバイスを保持して基本的に静止状態に維持され、基板テーブルWTを移動又はスキャンさせながら、放射ビームに与えられたパターンをターゲット部分Cに投影する。このモードでは、一般にパルス状放射源を使用して、基板テーブルWTを移動させるごとに、又はスキャン中に連続する放射パルス間で、プログラマブルパターニングデバイスを必要に応じて更新する。この動作モードは、以上で言及したようなタイプのプログラマブルミラーアレイなどのプログラマブルパターニングデバイスを利用するマスクレスリソグラフィに容易に適用できる。
1.メトロロジーターゲット設計の方法であって、方法は、
メトロロジーターゲットを形成するため又は形成を測定するためのプロセスパラメータの摂動に対するメトロロジーターゲット設計のパラメータの感応性を決定すること、及び、
プロセスパラメータの摂動を乗じた感応性に基づいてメトロロジーターゲット設計のロバスト性を決定することを含む。
2.複数のプロセスパラメータのうちのそれぞれのプロセスパラメータの摂動に対するパラメータの感応性を決定すること、及び、それぞれのプロセスパラメータの摂動を乗じた感応性の合計に基づいてロバスト性を決定することを含む、第1項の方法。
3.ロバスト性の最良の値を伴うメトロロジーターゲット設計を識別するために、複数のメトロロジーターゲット設計について決定を実行することを更に含む、第1項又は第2項の方法。
4.プロセスパラメータは、メトロロジーターゲットの側壁角度、メトロロジーターゲット材料の屈折率、メトロロジー格子構造の厚み、放射波長、エッチパラメータ、メトロロジーターゲットのトレンチのフロア傾斜、メトロロジーターゲットに関連付けられた減衰係数、メトロロジーターゲットのコーティング非対称、及び/又はメトロロジーターゲットの化学機械研磨浸食から選択された1つ以上を含む、第1項から第3項のいずれかの方法。
5.メトロロジーターゲット設計のパラメータは、スタック感応性、ターゲット係数、及び/又はオーバーレイ誤差から選択された1つ以上を含む、第1項から第4項のいずれかの方法。
6.感応性はプロセスパラメータ摂動の設計範囲内で線形であると見なされる、第1項から第5項のいずれかの方法。
7.感応性を決定することは、リソグラフィモデルを使用するシミュレーションによって実行される、第1項から第6項のいずれかの方法。
8.メトロロジーターゲット設計の複数のパラメータを含み、ロバスト性を決定することは、プロセスパラメータの摂動を乗じたメトロロジーターゲット設計の複数のパラメータのうちの第1のパラメータの感応性、及びプロセスパラメータの摂動を乗じたメトロロジーターゲット設計の複数のパラメータのうちの第2のパラメータの感応性に基づいて、ロバスト性を決定することを含む、第1項から第7項のいずれかの方法。
9.メトロロジーターゲット設計の方法であって、方法は、
メトロロジーターゲットを形成するため又は形成を測定するためのプロセスパラメータの摂動に対する、メトロロジーターゲット設計の複数のパラメータのうちのそれぞれのパラメータの感応性を決定すること、及び、
複数の感応性のうちの各々とプロセスパラメータの摂動との積の合計に基づいて、メトロロジーターゲット設計について性能インジケータを決定することを含む。
10.プロセスパラメータは、メトロロジーターゲットの側壁角度、メトロロジーターゲット材料の屈折率、メトロロジー格子構造の厚み、放射波長、エッチパラメータ、メトロロジーターゲットのトレンチのフロア傾斜、メトロロジーターゲットに関連付けられた減衰係数、メトロロジーターゲットのコーティング非対称、及び/又はメトロロジーターゲットの化学機械研磨浸食から選択された1つ以上を含む、第9項の方法。
11.メトロロジーターゲット設計のパラメータは、スタック感応性、ターゲット係数、及び/又はオーバーレイ誤差から選択された1つ以上を含む、第9項又は第10項の方法。
12.性能インジケータを決定することは、複数のプロセスパラメータの摂動を乗じた複数の感応性の各々に基づいて性能インジケータを決定することを含む、第9項から第11項のいずれかの方法。
13.感応性はプロセスパラメータ摂動の設計範囲内で線形であると見なされる、第9項から第12項のいずれかの方法。
14.感応性を決定することは、リソグラフィモデルを使用するシミュレーションによって実行される、第9項から第13項のいずれかの方法。
15.プロセス変動の見込みのあるセットについて複数のパラメータにおける変化が最小のメトロロジーターゲット設計を識別するために、複数のメトロロジーターゲット設計の決定を実行することを更に含む、第9項から第14項のいずれかの方法。
16.第1項から第15項のいずれかに従った方法を実行するためにコンピュータによって実行可能な命令を含む、コンピュータ読み取り式媒体。
17.コンピュータによって実行可能な命令は、リモートコンピュータからコンピュータ読み取り式媒体への接続を使用して方法工程のうちの少なくともいくつかを始動させるための命令を更に含む、第16項のコンピュータ読み取り式媒体。
18.リモートコンピュータとの接続はセキュア接続である、第17項のコンピュータ読み取り式媒体。
19.メトロロジーターゲット設計はリモートコンピュータによって提供される、第17項及び第18項のいずれかのコンピュータ読み取り式媒体。
20.方法は、メトロロジーターゲット設計のロバスト性をリモートコンピュータに戻すように更に構成される、第19項のコンピュータ読み取り式媒体。
21.基板上で使用するメトロロジーターゲット設計を選択するためのシステムであって、システムは、
メトロロジーターゲットを形成するため又は形成を測定するためのプロセスパラメータの摂動に対するメトロロジーターゲット設計のパラメータの感応性を決定すること、
プロセスパラメータの摂動を乗じた感応性に基づいてメトロロジーターゲット設計のロバスト性を決定すること、及び、
ターゲット品質を評価するために、結果として決定されたロバスト性を使用すること、
を実行するように構成及び配列された、処理ユニットを備える。
22.システムは、リモートシステムと通信するためのネットワークへの接続を備える、第21項に従ったシステム。
23.リモートシステムはメトロロジーターゲット設計をシステムに提供するように構成される、第22項に従ったシステム。
24.システムは、決定されたロバスト性及び/又は評価されたターゲット品質をリモートシステムに伝送するためにリモートシステムへの接続を使用するように構成される、第22項又は第23項に従ったシステム。
25.メトロロジー測定システムを使用して測定されるように構成されたメトロロジーターゲットであって、メトロロジーターゲットは、第1項から第15項のいずれかの方法によって、又は第16項から第20項のいずれかのコンピュータ読み取り式媒体によって決定されたロバスト性を使用して選択される。
26.メトロロジー測定システムは回析ベース測定システムを備える、第25項に従ったメトロロジーターゲット。
27.第1項から第15項のいずれかの方法によって、又は第16項から第20項のいずれかのコンピュータ読み取り式媒体によって決定された、ロバスト性を使用して選択されたメトロロジーターゲットを使用する、メトロロジー測定システム。
28.第1項から第15項のいずれかの方法によって、又は第16項から第20項のいずれかのコンピュータ読み取り式媒体によって決定された、ロバスト性を使用して選択されたメトロロジーターゲットを測定するように構成された、メトロロジー測定システム。
29.第1項から第15項のいずれかの方法によって、又は第16項から第20項のいずれかのコンピュータ読み取り式媒体によって決定された、ロバスト性を使用して選択されたメトロロジーターゲットを備える基板。
30.基板は集積回路の層のうちの少なくともいくつかを備えるウェーハである、第29項に従った基板。
31.第1項から第15項のいずれかの方法によって、又は第16項から第20項のいずれかのコンピュータ読み取り式媒体によって決定された、ロバスト性を使用して選択されたメトロロジーターゲットを結像するように構成されたリソグラフィ結像装置。
32.第25項及び第26項のいずれかに従ってメトロロジーターゲットを結像するように構成された、リソグラフィ結像装置。
33.第1項から第15項のいずれかの方法によって、又は第16項から第20項のいずれかのコンピュータ読み取り式媒体によって決定された、ロバスト性を使用して選択されたメトロロジーターゲットを表すデータ構造。
34.第25項及び第26項のいずれかに従ったメトロロジーターゲットを表すデータ構造。
35.第1項から第15項のいずれかの方法によって、又は第16項から第20項のいずれかのコンピュータ読み取り式媒体によって決定された、ロバスト性を使用して選択されたメトロロジーターゲット設計を備えるデータベース。
36.データベースは、第1項から第15項のいずれかの方法によって、又は第16項から第20項のいずれかのコンピュータ読み取り式媒体によって決定された、ロバスト性を使用して各々が選択された複数のメトロロジーターゲット設計を備える、第35項に従ったデータベース。
37.第33項及び第34項のいずれかに従ったデータ構造を備えるデータベース。
38.データベースは、第1項から第15項のいずれかの方法によって、又は第16項から第20項のいずれかのコンピュータ読み取り式媒体によって決定された、ロバスト性を使用して選択されたメトロロジーターゲット設計を各々が表す複数のデータ構造を備える、第37項に従ったデータベース。
39.データベースはメトロロジーターゲット設計に関連付けられた適合値を備え、適合値はリソグラフィプロセス工程に対するメトロロジーターゲット設計の適合性を示す、第35項から第38項のいずれかに従ったデータベース。
40.第33項及び第34項のいずれかに従ったデータ構造及び/又は第35項から第39項のいずれかに従ったデータベースを備える、データ搬送波。
Claims (15)
- メトロロジーターゲット設計の方法であって、
プロセスパラメータの摂動に対するメトロロジーターゲット設計のパラメータの感応性を決定することであって、プロセスパラメータは前記メトロロジーターゲットを形成するための又は前記メトロロジーターゲットの構造を測定するためのものである、感応性を決定することと、
前記プロセスパラメータの前記摂動を乗じた前記感応性に基づいて前記メトロロジーターゲット設計のロバスト性を決定することと、
を含む、方法。 - 複数のプロセスパラメータのうちのそれぞれのプロセスパラメータの摂動に対する前記パラメータの前記感応性を決定することと、
前記それぞれのプロセスパラメータの前記摂動を乗じた前記感応性の合計に基づいて前記ロバスト性を決定することと、
を含む、請求項1に記載の方法。 - 前記ロバスト性の最良の値を伴うメトロロジーターゲット設計を識別するために、複数のメトロロジーターゲット設計について前記決定を実行することを更に含む、請求項1に記載の方法。
- 前記プロセスパラメータは、前記メトロロジーターゲットの側壁角度、メトロロジーターゲット材料の屈折率、メトロロジー格子構造の厚み、放射波長、エッチパラメータ、前記メトロロジーターゲットのトレンチのフロア傾斜、前記メトロロジーターゲットに関連付けられた減衰係数、前記メトロロジーターゲットのコーティング非対称、及び/又は、前記メトロロジーターゲットの化学機械研磨浸食、から選択された1つ以上を含む、請求項1に記載の方法。
- 前記メトロロジーターゲット設計の前記パラメータは、スタック感応性、ターゲット係数、及び/又は、オーバーレイ誤差、から選択された1つ以上を含む、請求項1に記載の方法。
- 前記感応性は、前記プロセスパラメータ摂動の設計範囲内で線形であると見なされる、請求項1に記載の方法。
- 前記メトロロジーターゲット設計の複数のパラメータを含み、
前記ロバスト性を決定することは、前記プロセスパラメータの前記摂動を乗じた前記メトロロジーターゲット設計の前記複数のパラメータのうちの第1のパラメータの前記感応性と、前記プロセスパラメータの前記摂動を乗じた前記メトロロジーターゲット設計の前記複数のパラメータのうちの第2のパラメータの前記感応性と、に基づいて、前記ロバスト性を決定することを含む、請求項1に記載の方法。 - メトロロジーターゲット設計の方法であって、
プロセスパラメータの摂動に対する、メトロロジーターゲット設計の複数のパラメータのうちのそれぞれのパラメータの感応性を決定することであって、プロセスパラメータは前記メトロロジーターゲットを形成するための又は前記メトロロジーターゲットの構造を測定するためのものである、感応性を決定することと、
前記複数の感応性のうちの各々と前記プロセスパラメータの前記摂動との積の合計に基づいて、前記メトロロジーターゲット設計について性能インジケータを決定することと、を含む、方法。 - 前記プロセスパラメータは、前記メトロロジーターゲットの側壁角度、メトロロジーターゲット材料の屈折率、メトロロジー格子構造の厚み、放射波長、エッチパラメータ、前記メトロロジーターゲットのトレンチのフロア傾斜、前記メトロロジーターゲットに関連付けられた減衰係数、前記メトロロジーターゲットのコーティング非対称、及び/又は、前記メトロロジーターゲットの化学機械研磨浸食、から選択された1つ以上を含む、請求項8に記載の方法。
- 前記メトロロジーターゲット設計の前記パラメータは、スタック感応性、ターゲット係数、及び/又は、オーバーレイ誤差、から選択された1つ以上を含む、請求項8に記載の方法。
- 前記性能インジケータを決定することは、複数のプロセスパラメータの前記摂動を乗じた前記複数の感応性の各々に基づいて前記性能インジケータを決定することを含む、請求項8に記載の方法。
- 前記感応性は、プロセスパラメータ摂動の設計範囲内で線形であると見なされる、請求項8に記載の方法。
- 前記感応性を決定することは、リソグラフィモデルを使用するシミュレーションによって実行される、請求項8に記載の方法。
- プロセス変動の見込みのあるセットについて前記複数のパラメータにおける変化が最小のメトロロジーターゲット設計を識別するために、複数のメトロロジーターゲット設計の前記決定を実行することを更に含む、請求項8に記載の方法。
- 請求項1から14のいずれか一項に従った方法を実行するためにコンピュータによって実行可能な命令を含む、コンピュータ読み取り式媒体。
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