JP6312834B2 - メトロロジーターゲットの設計のための方法及び装置 - Google Patents
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Description
[0001] 本出願は、2013年12月30日出願の米国仮出願第61/921,874号の利益を主張し、参照によりその全体が本明細書に組み込まれる。
[0020] −放射ビームB(例えばDUV放射又はEUV放射)を調節するように構成された照明システム(イルミネータ)ILと、
[0021] −パターニングデバイス(例えばマスク)MAを支持するように構成され、特定のパラメータに従ってパターニングデバイスMAを正確に位置決めするように構成された第1のポジショナPMに接続された支持構造(例えばマスクテーブル)MTと、
[0022] −基板(例えばレジストコートウェーハ)Wを保持するように構成され、特定のパラメータに従って基板Wを正確に位置決めするように構成された第2のポジショナPWに接続された基板テーブル(例えばウェーハテーブル)WTと、
[0023] −パターニングデバイスMAによって放射ビームBに与えられたパターンを基板Wのターゲット部分C(例えば1つ以上のダイを含む)に投影するように構成された投影システム(例えば屈折投影レンズシステム)PSと、を備える。
[0037] 1.ステップモードでは、パターニングデバイス支持体(例えば、マスクテーブル)MT及び基板テーブルWTaは、基本的に静止状態に維持される一方、放射ビームに与えたパターン全体が1回でターゲット部分Cに投影される(すなわち単一静的露光)。次に、別のターゲット部分Cを露光できるように、基板テーブルWTaがX方向及び/又はY方向に移動される。ステップモードでは、露光フィールドの最大サイズによって、単一静的露光で像が形成されるターゲット部分Cのサイズが制限される。
[0038] 2.スキャンモードでは、パターニングデバイス支持体(例えば、マスクテーブル)MT及び基板テーブルWTaは同期的にスキャンされる一方、放射ビームに与えられるパターンがターゲット部分Cに投影される(すなわち単一動的露光)。パターニングデバイス支持体(例えば、マスクテーブル)MTに対する基板テーブルWTaの速度及び方向は、投影システムPSの拡大(縮小)及び像反転特性によって求めることができる。スキャンモードでは、露光フィールドの最大サイズによって、単一動的露光におけるターゲット部分の(非スキャン方向における)幅が制限され、スキャン動作の長さによってターゲット部分の(スキャン方向における)高さが決まる。
[0039] 3.別のモードでは、パターニングデバイス支持体(例えば、マスクテーブル)MTはプログラマブルパターニングデバイスを保持して基本的に静止状態に維持され、基板テーブルWTを移動又はスキャンさせながら、放射ビームに与えられたパターンをターゲット部分Cに投影する。このモードでは、一般にパルス状放射源を使用して、基板テーブルWTを移動させるごとに、又はスキャン中に連続する放射パルス間で、プログラマブルパターニングデバイスを必要に応じて更新する。この動作モードは、以上で言及したようなタイプのプログラマブルミラーアレイなどのプログラマブルパターニングデバイスを利用するマスクレスリソグラフィに容易に適用できる。
最高ランクが付けられた設計ではない可能性があるが、ユーザの製造プロセスにはより好適な特定の設計を選択することが可能である。パラメータがオーバーレイである実施形態において、好適なメトロロジーターゲット設計は、オーバーレイに与える10nm以下のインパクト、例えば7nm以下のインパクト、5nm以下のインパクト、又は3nm以下のインパクトを有するものであり得る。
1.メトロロジーターゲット設計の方法であって、
光学収差に対するメトロロジーターゲット設計についてのパラメータの感応性を決定すること、及び、
リソグラフィ装置の光学システムを使用して露光される製品設計についてのパラメータ、及び感応性と光学システムのそれぞれの収差との積に基づいて、メトロロジーターゲット設計のパラメータに与えるインパクトを決定すること、を含む、方法。
2.複数の光学収差の各々に対するメトロロジーターゲット設計についてのパラメータの感応性を決定すること、及び、製品設計についてのパラメータ、及び感応性と光学システムのそれぞれの収差との積に基づいて、メトロロジーターゲット設計のパラメータに与えるインパクトを決定することを含む、第1項の方法。
3.リソグラフィ装置の光学システムを使用して露光される製品設計についてのパラメータを決定することを更に含む、第1項又は第2項の方法。
4.光学システムを使用して露光されるような製品設計をシミュレートすることによって、製品設計についてのパラメータを決定することを更に含む、第3項の方法。
5.感応性を決定することはリソグラフィモデルを使用するシミュレーションによって実行される、第1項から第4項のいずれかの方法。
6.パラメータはオーバーレイ誤差を含む、第1項から第5項のいずれかの方法。
7.光学収差はゼルニケ多項式を含む、第1項から第6項のいずれかの方法。
8.インパクトを決定することは、リソグラフィ装置の露光スリットの複数の位置について、感応性と光学システムのそのそれぞれの収差との積の合計を含む、第1項から第7項のいずれかの方法。
9.感応性は光学システム収差変動の設計範囲内で線形であると見なされる、第1項から第8項のいずれかの方法。
10.メトロロジーターゲット設計についてのパラメータと製品設計についてのパラメータとの間の差異が最小のメトロロジーターゲット設計を識別するために、複数の異なるメトロロジーターゲット設計についての決定を実行することを含む、第1項から第9項のいずれかの方法。
11.メトロロジーターゲット設計の方法であって、
複数の収差のうちのそれぞれの収差に対するメトロロジーターゲット設計のオーバーレイ誤差の感応性を決定すること、及び、
メトロロジーターゲットを露光するためのリソグラフィ装置の光学システムのそれぞれの収差を乗じた感応性の合計に基づいて、メトロロジーターゲット設計のオーバーレイ誤差のインパクトを決定すること、を含む、方法。
12.収差はそれぞれゼルニケ多項式を含む、第11項の方法。
13.感応性は光学システム収差変動の設計範囲内で線形であると見なされる、第11項又は第12項の方法。
14.感応性を決定することはリソグラフィモデルを使用するシミュレーションによって実行される、第11項から第13項のいずれかの方法。
15.光学システムを使用して露光される製品設計のオーバーレイ誤差をシミュレートすることを更に含む、第11項から第14項のいずれかの方法。
16.インパクトを決定することは、リソグラフィ装置の露光スリットの複数の位置について、感応性と光学システムのそれぞれの収差との積の合計を含む、第11項から第15項のいずれかの方法。
17.第1項から第16項に従った方法を実行するための、コンピュータによって実行可能な命令を含むコンピュータ読み取り式媒体。
18.コンピュータによって実行可能な命令は、リモートコンピュータからコンピュータ読み取り式媒体への接続を使用して方法工程のうちの少なくともいくつかを始動させるための命令を更に含む、第17項のコンピュータ読み取り式媒体。
19.リモートコンピュータとの接続はセキュア接続である、第18項のコンピュータ読み取り式媒体。
20.メトロロジーターゲット設計のパラメータはリモートコンピュータによって提供される、第18項及び第19項のいずれかのコンピュータ読み取り式媒体。
21.方法は、メトロロジー設計のパラメータに与えるインパクトをリモートコンピュータに戻すように更に構成される、第20項のコンピュータ読み取り式媒体。
22.基板上で使用するためのメトロロジーターゲット設計のシステムであって、
光学収差に対するメトロロジーターゲット設計についてのパラメータの感応性を決定すること、及び、
リソグラフィ装置の光学システムを使用して露光される製品設計についてのパラメータ、及び感応性と光学システムのそれぞれの収差との積に基づいて、メトロロジーターゲット設計のパラメータに与えるインパクトを決定すること、
を実行するように構成及び配列された処理ユニットを備える、システム。
23.システムは、リモートシステムと通信するためのネットワークへの接続を備える、第22項に従ったシステム。
24.リモートシステムはメトロロジーターゲット設計についてのパラメータをシステムに提供するように構成される、第23項に従ったシステム。
25.システムは、複数のメトロロジーターゲット設計のパラメータに与えるインパクトをリモートシステムに返送するためにリモートシステムへの接続を使用するように構成される、第23項又は第24項に従ったシステム。
26.メトロロジー測定システムを使用して測定されるように構成されたメトロロジーターゲットであって、第1項から第16項のいずれかの方法によって、又は第17項から第21項のいずれかのコンピュータ読み取り式媒体によって設計又は選択される、メトロロジーターゲット。
27.メトロロジー測定システムは回析ベース測定システムを備える、第26項に従ったメトロロジーターゲット。
28.第1項から第16項のいずれかの方法によって、又は第17項から第21項のいずれかのコンピュータ読み取り式媒体によって設計又は選択されたメトロロジーターゲットを使用する、メトロロジー測定システム。
29.第1項から第16項のいずれかの方法によって、又は第17項から第21項のいずれかのコンピュータ読み取り式媒体によって設計又は選択されたメトロロジーターゲットを測定するように構成された、メトロロジー測定システム。
30.第1項から第16項のいずれかの方法によって、又は第17項から第21項のいずれかのコンピュータ読み取り式媒体によって選択されたメトロロジーターゲットを備える基板。
31.基板は集積回路の層のうちの少なくともいくつかを備えるウェーハである、第30項に従った基板。
32.第1項から第16項のいずれかの方法によって、又は第17項から第21項のいずれかのコンピュータ読み取り式媒体によって設計又は選択されたメトロロジーターゲットを結像するように構成されたリソグラフィ結像装置。
33.第26項及び第27項のいずれかに従ってメトロロジーターゲットを結像するように構成された、リソグラフィ結像装置。
34.第1項から第16項のいずれかの方法によって、又は第17項から第21項のいずれかのコンピュータ読み取り式媒体によって設計又は選択されたメトロロジーターゲットを表すデータ構造。
35.第26項及び第27項のいずれかに従ったメトロロジーターゲットを表すデータ構造。
36.第1項から第16項のいずれかの方法によって、又は第17項から第21項のいずれかのコンピュータ読み取り式媒体によって設計又は選択されたメトロロジーターゲット設計を備えるデータベース。
37.データベースは、第1項から第16項のいずれかの方法によって、又は第17項から第21項のいずれかのコンピュータ読み取り式媒体によって各々が設計又は選択された複数のメトロロジーターゲットを備える、第36項に従ったデータベース。
38.第34項及び第35項のいずれかに従ったデータ構造を備えるデータベース。
39.データベースは、第1項から第16項のいずれかの方法によって、又は第17項から第21項のいずれかのコンピュータ読み取り式媒体によって設計又は選択されたメトロロジーターゲットを各々が表す複数のデータ構造を備える、第38項に従ったデータベース。
40.データベースはメトロロジーターゲット設計に関連付けられた適合値を備え、適合値はリソグラフィプロセス工程に対するメトロロジーターゲット設計の適合性を示す、第36項から第39項のいずれかに従ったデータベース。
41.第34項及び第35項のいずれかに従ったデータ構造及び/又は第36項から第40項のいずれかに従ったデータベースを備える、データ搬送波。
42.第26項及び第27項のいずれかに従ったメトロロジーターゲットの使用であって、メトロロジーターゲットは、基板上で1つの層の別の層に関連した位置決めを決定するため、及び/又は基板上の層のリソグラフィ結像装置の投影光学に関連したアライメントを決定するため、及び/又は基板上の構造のクリティカルディメンションを決定するために使用される。
Claims (15)
- メトロロジーターゲット設計の方法であって、
光学収差に対するメトロロジーターゲット設計についてのパラメータの感応性を決定することと、
リソグラフィ装置の光学システムを使用して露光される製品設計についての前記パラメータと、前記感応性と前記光学システムの前記それぞれの収差との積と、に基づいて、前記メトロロジーターゲット設計の前記パラメータに与えるインパクトを決定することと、
を含む、方法。 - 複数の光学収差の各々に対するメトロロジーターゲット設計についてのパラメータの感応性を決定することと、
前記製品設計についての前記パラメータと、前記感応性と前記光学システムの前記それぞれの収差との前記積と、に基づいて、前記メトロロジーターゲット設計の前記パラメータに与えるインパクトを決定することと、
を含む、請求項1に記載の方法。 - 前記リソグラフィ装置の前記光学システムを使用して露光される前記製品設計についての前記パラメータを決定することを更に含む、請求項1に記載の方法。
- 前記光学システムを使用して露光されるような前記製品設計をシミュレートすることによって、前記製品設計についての前記パラメータを決定することを更に含む、請求項3に記載の方法。
- 前記感応性を決定することは、リソグラフィモデルを使用するシミュレーションによって実行される、請求項1に記載の方法。
- 前記パラメータは、オーバーレイ誤差を含む、請求項1に記載の方法。
- 前記インパクトを決定することは、前記リソグラフィ装置の露光スリットの複数の位置について、前記感応性と前記光学システムのそのそれぞれの収差との前記積の合計を含む、請求項1に記載の方法。
- 前記感応性は、前記光学システム収差変動の設計範囲内で線形であると見なされる、請求項1に記載の方法。
- 前記メトロロジーターゲット設計についての前記パラメータと、前記製品設計についての前記パラメータと、の間の差異が最小のメトロロジーターゲット設計を識別するために、複数の異なるメトロロジーターゲット設計についての決定を実行することを含む、請求項1に記載の方法。
- メトロロジーターゲット設計の方法であって、
複数の収差のうちのそれぞれの収差に対するメトロロジーターゲット設計のオーバーレイ誤差の感応性を決定することと、
前記光学システムを使用して露光される製品設計のオーバーレイ誤差のシミュレーションと、前記メトロロジーターゲットを露光するためのリソグラフィ装置の光学システムの前記それぞれの収差を乗じた前記感応性の合計とに基づいて、前記メトロロジーターゲット設計のオーバーレイ誤差のインパクトを決定することと、
を含む方法。 - 前記感応性は、前記光学システム収差変動の設計範囲内で線形であると見なされる、請求項10に記載の方法。
- 前記感応性を決定することは、リソグラフィモデルを使用するシミュレーションによって実行される、請求項10に記載の方法。
- 前記メトロロジーターゲット設計のオーバーレイ誤差の感応性と、前記製品設計のオーバーレイ誤差のシミュレーションと、の間の差異が最小のメトロロジーターゲット設計を識別するために、複数の異なるメトロロジーターゲット設計についての決定を実行することを含む、請求項10に記載の方法。
- 前記インパクトを決定することは、前記リソグラフィ装置の露光スリットの複数の位置について、前記感応性と前記光学システムの前記それぞれの収差との積の合計を含む、請求項10に記載の方法。
- 請求項1又は10に記載の方法を実行するための、コンピュータによって実行可能な命令を含むコンピュータ読み取り式媒体。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US201361921874P | 2013-12-30 | 2013-12-30 | |
US61/921,874 | 2013-12-30 | ||
PCT/EP2014/076542 WO2015101458A1 (en) | 2013-12-30 | 2014-12-04 | Method and apparatus for design of a metrology target |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2017503195A JP2017503195A (ja) | 2017-01-26 |
JP6312834B2 true JP6312834B2 (ja) | 2018-04-18 |
Family
ID=52003803
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016539278A Active JP6312834B2 (ja) | 2013-12-30 | 2014-12-04 | メトロロジーターゲットの設計のための方法及び装置 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US9355200B2 (ja) |
JP (1) | JP6312834B2 (ja) |
KR (1) | KR101898087B1 (ja) |
CN (1) | CN105874388B (ja) |
TW (1) | TWI559100B (ja) |
WO (1) | WO2015101458A1 (ja) |
Families Citing this family (46)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5969848B2 (ja) * | 2012-07-19 | 2016-08-17 | キヤノン株式会社 | 露光装置、調整対象の調整量を求める方法、プログラム及びデバイスの製造方法 |
SG11201604641PA (en) * | 2013-12-30 | 2016-07-28 | Asml Netherlands Bv | Method and apparatus for design of a metrology target |
KR101991418B1 (ko) | 2014-06-10 | 2019-06-20 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 컴퓨터를 이용한 웨이퍼 검사 |
CN107077077B (zh) | 2014-09-22 | 2019-03-12 | Asml荷兰有限公司 | 过程窗口识别符 |
WO2016206965A1 (en) * | 2015-06-23 | 2016-12-29 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and method |
KR102166317B1 (ko) | 2015-12-24 | 2020-10-16 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 패터닝 공정의 제어 방법, 디바이스 제조 방법, 리소그래피 장치용 제어 시스템 및 리소그래피 장치 |
US10962886B2 (en) * | 2015-12-31 | 2021-03-30 | Asml Netherlands B.V. | Selection of measurement locations for patterning processes |
WO2018010979A1 (en) | 2016-07-15 | 2018-01-18 | Asml Netherlands B.V. | Method and apparatus for design of a metrology target field |
US10983005B2 (en) | 2016-12-15 | 2021-04-20 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Spectroscopic overlay metrology |
CN110140088B (zh) * | 2016-12-28 | 2021-08-31 | Asml荷兰有限公司 | 量测图像与设计之间的模拟辅助的对准 |
JP2018185452A (ja) * | 2017-04-27 | 2018-11-22 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
CN110622069B (zh) | 2017-05-05 | 2022-08-09 | Asml荷兰有限公司 | 用于预测器件制造工艺的良率的方法 |
US11112369B2 (en) * | 2017-06-19 | 2021-09-07 | Kla-Tencor Corporation | Hybrid overlay target design for imaging-based overlay and scatterometry-based overlay |
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EP3432071A1 (en) | 2017-07-17 | 2019-01-23 | ASML Netherlands B.V. | Information determining apparatus and method |
WO2019029933A1 (en) * | 2017-08-07 | 2019-02-14 | Asml Netherlands B.V. | COMPUTER METROLOGY |
CN111615669A (zh) | 2018-01-17 | 2020-09-01 | Asml荷兰有限公司 | 扫描信号表征诊断 |
EP3518040A1 (en) | 2018-01-30 | 2019-07-31 | ASML Netherlands B.V. | A measurement apparatus and a method for determining a substrate grid |
EP3531207A1 (en) | 2018-02-27 | 2019-08-28 | ASML Netherlands B.V. | Alignment mark positioning in a lithographic process |
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US11796978B2 (en) | 2018-11-26 | 2023-10-24 | Asml Netherlands B.V. | Method for determining root causes of events of a semiconductor manufacturing process and for monitoring a semiconductor manufacturing process |
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-
2014
- 2014-12-04 JP JP2016539278A patent/JP6312834B2/ja active Active
- 2014-12-04 CN CN201480071609.6A patent/CN105874388B/zh active Active
- 2014-12-04 KR KR1020167021014A patent/KR101898087B1/ko active IP Right Grant
- 2014-12-04 WO PCT/EP2014/076542 patent/WO2015101458A1/en active Application Filing
- 2014-12-15 TW TW103143719A patent/TWI559100B/zh active
- 2014-12-19 US US14/577,820 patent/US9355200B2/en active Active
-
2016
- 2016-05-13 US US15/154,456 patent/US9804504B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TW201531811A (zh) | 2015-08-16 |
US20160252820A1 (en) | 2016-09-01 |
US9804504B2 (en) | 2017-10-31 |
CN105874388B (zh) | 2019-03-15 |
TWI559100B (zh) | 2016-11-21 |
US9355200B2 (en) | 2016-05-31 |
JP2017503195A (ja) | 2017-01-26 |
US20150186581A1 (en) | 2015-07-02 |
WO2015101458A1 (en) | 2015-07-09 |
CN105874388A (zh) | 2016-08-17 |
KR101898087B1 (ko) | 2018-09-12 |
KR20160104066A (ko) | 2016-09-02 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20170512 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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