KR102432667B1 - 오버레이 보정방법 및 제어 시스템 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 오버레이 보정방법 및 제어 시스템을 개시한다. 그의 보정방법은, 제 1 제조 장치에서 제 1 기판 상에 제 1 패턴을 형성하는 것과, 제 2 제조 장치에서 제 1 패턴 상에 제 2 패턴을 형성하는 것과, 제 1 패턴에 대한 제 2 패턴의 오버레이 에러 프로파일을 획득하고, 오버레이 에러 프로파일로부터 오버레이 보정 프로파일을 획득하는 것과, 제 1 제조 장치에서, 제 2 기판 상에 제 1 패턴을 형성하는 것을 포함한다. 제 2 기판 상에 제 1 패턴을 형성하는 것은, 오버레이 보정 프로파일이 제 2 제조 장치의 제어 파라미터를 보정할 수 없는 모델 파라미터를 갖는지를 판별하는 것과, 오버레이 보정 프로파일이 보정 불가 모델 파라미터를 가질 경우, 제 1 제조 장치에 대한 예비 보정 프로파일을 획득하고, 예비 보정 프로파일에 기초하여 상기 제 2 기판 상의 상기 제 1 패턴의 위치를 미리 보정하는 것을 포함할 수 있다.

Description

오버레이 보정방법 및 제어 시스템{method for correcting overlay and control system}
본 발명은 반도체 소자의 제조방법 및 그의 제조 시스템에 관한 것으로, 상세하게는 미세한 패턴의 오버레이 보정방법 및 제어 시스템이다.
일반적으로 반도체 소자는 복수의 단위 공정들과 검사 공정들을 통해 제조될 수 있다. 상기 단위 공정들은 기판 상에 미세 패턴을 형성하기 위한 공정일 수 있다. 예를 들어, 상기 단위 공정들은 증착 공정, 확산 공정, 열처리 공정, 포토리소그래피 공정, 연마 공정, 식각 공정, 이온주입 공정, 또는 세정 공정을 포함할 수 있다. 그 중에 상기 포토리소그래피 공정은 상기 기판 상에 마스크 패턴을 형성하는 공정일 수 있다. 상기 미세 패턴은 상기 마스크 패턴으로부터 노출된 상기 기판의 상기 식각 공정을 통해 형성될 수 있다. 상기 검사 공정들은 상기 패턴을 측정하여 상기 단위 공정들의 정상 및/또는 비정상을 판정하는 공정들일 수 있다. 상기 검사 공정들의 각각은 상기 단위 공정들의 종료 시점마다에 수행될 수 있다. 더불어, 상기 검사 공정들은 상기 패턴의 미세한 틀어짐(fine distortion)에 대한 정보들을 획득하기 위한 공정들일 수 있다. 상기 미세한 틀어짐의 정보들은 후속의(subsequent) 기판들의 상기 단위 공정들에 반영되어 상기 미세 패턴의 정렬 불량을 방지할 수 있다. 예를 들어, 상기 검사 공정들은 오버레이 측정 공정을 포함할 수 있다.
본 발명의 해결 과제는, 제조 장치에서 보정될 수 없는 모델 파라미터에 의한 오버레이 보정 에러를 방지할 수 있는 오버레이 보정방법을 제공하는 데 있다.
본 발명은 오버레이 보정방법을 개시한다. 그의 보정방법은, 제 1 제조 장치에서, 제 1 기판 상에 제 1 패턴을 형성하는 것; 상기 제 1 제조 장치에서, 상기 제 1 패턴 상에 제 2 패턴을 형성하는 것; 상기 제 1 패턴에 대한 상기 제 2 패턴의 제 1 오버레이 에러 프로파일을 획득하고, 상기 제 1 오버레이 에러 프로파일로부터 제 1 오버레이 보정 프로파일을 획득하는 것; 제 2 제조 장치에서, 상기 제 2 패턴 상에 제 3 패턴을 형성하는 것; 상기 제 2 패턴에 대한 상기 제 3 패턴의 제 2 오버레이 에러 프로파일을 획득하고, 상기 제 2 오버레이 에러 프로파일로부터 제 2 오버레이 보정 프로파일을 획득하는 것; 및 상기 제 1 제조 장치에서, 제 2 기판 상에 상기 제 2 패턴을 형성하는 것을 포함한다. 상기 여기서, 제 2 기판 상에 상기 제 2 패턴을 형성하는 것은: 상기 제 2 오버레이 보정 프로파일이 상기 제 2 제조 장치의 제어 파라미터를 보정할 수 없는 모델 파라미터를 갖는지를 판별하는 것; 및 상기 제 2 오버레이 보정 프로파일이 상기 보정 불가 모델 파라미터를 가질 경우, 상기 제 1 제조 장치에 대한 예비 보정 프로파일을 획득하고, 상기 예비 보정 프로파일에 기초하여 상기 제 2 기판 상의 상기 제 2 패턴의 위치를 미리 보정하는 것을 포함할 수 있다.
본 발명의 일 예에 따른 오버레이 보정방법은, 제 1 제조 장치에서, 제 1 기판 상에 제 1 패턴을 형성하는 것; 제 2 제조 장치에서, 상기 제 1 패턴 상에 제 2 패턴을 형성하는 것; 상기 제 1 패턴에 대한 상기 제 2 패턴의 오버레이 에러 프로파일을 획득하고, 상기 오버레이 에러 프로파일로부터 오버레이 보정 프로파일을 획득하는 것; 및 상기 제 1 제조 장치에서, 제 2 기판 상에 상기 제 1 패턴을 형성하는 것을 포함한다. 여기서, 상기 제 2 기판 상에 상기 제 1 패턴을 형성하는 것은: 상기 오버레이 보정 프로파일이 상기 제 2 제조 장치의 제어 파라미터를 보정할 수 없는 모델 파라미터를 갖는지를 판별하는 것; 및 상기 오버레이 보정 프로파일이 상기 보정 불가 모델 파라미터를 가질 경우, 상기 제 1 제조 장치에 대한 예비 보정 프로파일을 획득하고, 상기 예비 보정 프로파일에 기초하여 상기 제 2 기판 상의 상기 제 1 패턴의 위치를 미리 보정하는 것을 포함할 수 있다.
본 발명의 일 예에 따른 제어 시스템은, 프로세서; 및 상기 프로세서에서 실행되는 프로그램 코드를 저장하는 메모리를 포함한다. 여기서, 상기 프로세서는: 제 1 기판 상의 제 1 및 제 2 패턴들의 오버레이 에러를 수신하고, 상기 오버레이 에러를 모델링하여 상기 오버레이 에러의 모델 파라미터를 포함하는 오버레이 보정 프로파일을 획득하고, 상기 오버레이 보정 프로파일이 후속 장치의 제어 파라미터를 보정할 수 없는 상기 모델 파라미터를 갖는지를 판별하고, 그리고 상기 오버레이 보정 프로파일이 상기 보정 불가 모델 파라미터를 가질 경우, 상기 보정 불가 모델 파라미터를 상쇄하는 예비 보정 프로파일을 획득하고, 상기 예비 보정 프로파일을 사용하여 선행 장치에서 제 2 기판 상의 상기 제 1 패턴의 위치를 보정시키도록 할 수 있다.
본 발명 기술적 사상의 실시 예들에 따른 오버레이 보정방법은 선행 제조 장치에서의 예비 보정 프로파일을 사용하여 후속 제조 장치에서 보정될 수 없는 모델 파라미터를 미리 상쇄시켜 상기 후속 제조 장치의 오버레이 보정 에러를 사전에 방지할 수 있다.
도 1은 본 발명의 개념에 따른 반도체 소자의 제조 방법을 보여주는 플로우 챠트이다.
도 2는 도 1의 패턴을 형성하는 단계와 오버레이 에러를 측정하는 단계의 일 예를 보여주는 플로우 챠트이다.
도 3은 도 2의 제 1 패턴을 형성하는 단계의 일 예를 보여주는 평면도이다.
도 4는 도 2의 제 2 패턴을 형성하는 단계의 일 예를 보여주는 평면도이다.
도 5는 도 2의 제 3 패턴을 형성하는 단계의 일 예를 보여주는 평면도이다.
도 6은 도 3 및 도 4의 제 1 및 제 2 패턴들을 형성하기 위한 제 1 제조 장치의 일 예를 보여주는 도면이다.
도 7a 및 도 7b는 도 4의 제 1 오버레이 패턴에 대한 제 2 오버레이 패턴의 제 1 오버레이 에러의 일 예를 보여주는 도면이다.
도 8은 도 7의 제 1 오버레이 에러로부터 획득된 제 1 오버레이 에러 프로파일의 일 예를 보여주는 그래프이다.
도 9는 도 8의 제 1 오버레이 에러 프로파일로부터 획득된 제 1 오버레이 보정 프로파일의 일 예를 보여주는 그래프이다.
도 10은 도 5의 제 3 패턴을 형성하기 위한 제 2 제조 장치의 일 예를 보여주는 도면이다.
도 11a 및 도 11b는 도 5의 제 2 오버레이 패턴에 대한 제 3 오버레이 패턴의 제 2 오버레이 에러의 일 예를 보여주는 도면이다.
도 12는 도 11의 제 2 오버레이 에러로부터 획득된 제 2 오버레이 에러 프로파일의 일 예를 보여주는 그래프이다.
도 13은 도 12의 제 2 오버레이 에러 프로파일로부터 획득된 제 2 오버레이 보정 프로파일의 일 예를 보여주는 그래프이다
도 14는 도 2의 제 2 패턴을 형성하는 단계의 일 예를 보여주는 플로우 챠트이다.
도 15는 도 10의 제 2 제조 장치에서의 보정 문제를 제 1 제조 장치에서 사전에 해결하는 방법을 설명하는 도면이다.
도 16은 도 10의 제 2 제조 장치의 제어 파라미터의 미리 설정된 값과 제 2 오버레이 보정 프로파일의 일 예를 보여주는 그래프들이다.
도 17은 도 15의 예비 보정 프로파일을 보여주는 그래프이다.
도 18은 도 15의 합산 프로파일을 보여주는 그래프이다.
도 19는 도 18의 합산 프로파일에 따라 보정된 위치에 형성된 제 2 오버레이 패턴의 일 예를 보여주는 평면도이다.
도 20은 도 6의 제 3 기판 상에 제 1 패턴을 형성하는 단계의 일 예를 보여주는 플로우 챠트이다.
도 21은 도 6의 제 1 제조 장치가 제 1 패턴의 위치를 보정하는 방법을 설명하는 도면이다.
도 22는 도 20의 보정 패널티 프로파일의 일 예를 보여주는 그래프이다.
도 23은 도 22의 보정 패널티 프로파일에 따라 보정된 위치에 형성된 제 1 오버레이 패턴의 일 예를 보여주는 평면도이다.
도 24는 도 6의 제 1 제조 장치 및 제 2 제조 장치를 제어하는 제어 시스템을 보여준다.
도 1은 본 발명의 개념에 따른 반도체 소자의 제조 방법을 보여준다.
도 1을 참조하면, 본 발명의 반도체 소자의 제조 방법은 패턴을 형성하는 단계(S10), 오버레이 에러를 측정하는 단계(S20), 상기 패턴이 마지막 패턴인지를 판별하는 단계(S30), 및 상기 기판이 마지막 기판인지를 판별하는 단계(S40)를 포함할 수 있다. 상기 패턴은 제조 장치를 통해 형성될 수 있다. 상기 오버레이 에러는 검사 장치를 통해 측정될 수 있다. 상기 패턴이 마지막 패턴으로 판별될 때(S30)까지 상기 패턴을 형성하는 단계(S10)와 상기 오버레이 에러를 측정하는 단계(S20)는 반복될 수 있다. 또한, 상기 기판이 마지막 기판으로 판별될 때(S40)까지 상기 패턴을 형성하는 단계(S10)와 상기 오버레이 에러를 측정하는 단계(S20)는 상기 기판들마다 반복될 수 있다. 상기 기판들의 각각은 실리콘 웨이퍼를 포함하나 이에 한정되지 않는다. 상기 기판들은 캐리어 내에 탑재될 수 있다. 상기 오버레이 에러를 측정하는 단계(S20)는 상기 캐리어 내의 상기 기판들 중의 어느 하나를 기준으로 설명될 수도 있다.
도 2는 상기 패턴을 형성하는 단계(S10)와 상기 오버레이 에러를 측정하는 단계(S20)의 일 예를 보여준다. 도 3은 제 1 패턴(10)을 형성하는 단계(S110)의 일 예를 보여주는 평면도이다. 도 4는 제 2 패턴(20)을 형성하는 단계(S120)의 일 예를 보여주는 평면도이다. 도 5는 제 3 패턴(30)을 형성하는 단계(S130)의 일 예를 보여주는 평면도이다.
도 2 내지 도 5를 참조하면, 상기 패턴을 형성하는 단계(S10)는 제 1 패턴(10)을 형성하는 단계(S110), 제 2 패턴(20)을 형성하는 단계(S120), 그리고 제 3 패턴(30)을 형성하는 단계(S130) 내지 제 n 패턴을 형성하는 단계(S140)를 포함할 수 있다.
상기 오버레이 에러를 측정하는 단계(S20)는 제 1 오버레이 에러를 측정하는 단계(S210), 그리고 제 2 오버레이 에러를 측정하는 단계(S220) 내지 제 n-1 오버레이 에러를 측정하는 단계(S230)를 포함할 수 있다. 제 1 내지 제 n-1 오버레이 보정 프로파일(overlay correction profile)은 상기 오버레이 에러가 측정될 때마다 계산 및/또는 저장될 수 있다.
도 6은 제 1 및 제 2 패턴들(10, 20)을 형성하기 위한 제 1 제조 장치(100)의 일 예를 보여준다.
도 2, 도 3 및 도 6을 참조하면, 제 1 제조 장치(100)는 제 1 기판(W1) 상에 제 1 패턴(10)을 형성한다(S110). 제 1 패턴(10)은 상기 제 1 기판(W1)의 미리 정해진 위치에 형성될 수 있다.
상기 제 1 제조 장치(100)는 단위 공정 장치일 수 있다. 예를 들어, 상기 제 1 제조 장치(100)는 ArF 이멀젼 노광 장치를 포함할 수 있으나, 이에 한정되지 않는다. 상기 제 1 제조 장치(100)는 F2 laser(157nm), ArF laser (193nm), KrF laser(248nm), 또는 i-line(365nm)의 광원을 갖는 노광 장치를 포함할 수 있다. 일 예에 따르면, 상기 제 1 제조 장치(100)는 제 1 광원(110), 제 1 레티클(120), 투명 렌즈들(130), 액체 공급 부(140), 및 제 1 스테이지(150)를 포함할 수 있다. 제 1 광원(110)은 제 1 광(111)을 제 1 레티클(120)로 제공할 수 있다. 제 1 레티클(120)은 제 1 광(111)을 사용하여 제 1 패턴(10)의 이미지를 상기 투명 렌즈들(130)로 투영할 수 있다. 상기 투명 렌즈들(130)은 상기 제 1 광(111)을 상기 제 1 기판(W1)으로 제공할 수 있다. 상기 제 1 레티클(120)과 상기 제 1 스테이지(150) 사이에 약 20개의 상기 투명 렌즈들(130)이 배치될 수 있다. 상기 제 1 광(111) 및/또는 상기 제 1 제조 장치(100)의 제어 파라미터는 상기 투명 렌즈들(130) 사이의 거리에 따라 결정될 수 있다. 상기 액체 공급 부(140)는 상기 제 1 기판(W1) 상에 액체(ex, 물, 142)를 제공할 수 있다. 상기 액체(142)는 공기의 굴절률보다 높은 굴절률을 가질 수 있다. 상기 제 1 광(111)의 파장은 상기 액체(142) 내에서 감소할 수 있다. 상기 제 1 스테이지(150)는 상기 제 1 기판(W1)을 이동시킬 수 있다. 상기 제 1 패턴(10)의 이미지가 상기 제 1 기판(W1) 상에 전사될 수 있다. 상기 제 1 패턴(10)의 임계치수는 상기 액체(142) 외부에서의 상기 제 1 광(111)의 파장보다 줄어들 수 있다.
상기 제 1 기판(W1)은 칩 영역들(2)과 스크라이브 영역(4)을 가질 수 있다. 칩 영역들(2)은 스크라이브 영역(4)에 의해 정의될 수 있다. 상기 스크라이브 영역(4)은 상기 칩 영역들(2) 사이의 경계 영역일 수 있다. 예를 들어, 상기 제 1 기판(W1)은 약 100개 내지 약 2000개의 상기 칩 영역들(2)을 가질 수 있다.
상기 제 1 패턴(10)은 상기 칩 영역들(2)과 상기 스크라이브 영역(4) 내에 형성될 수 있다. 일 예에 따르면, 상기 제 1 패턴(10)은 활성 패턴(12)과 제 1 오버레이 패턴(14)을 포함할 수 있다. 상기 활성 패턴(12)은 상기 칩 영역들(2) 내에 형성될 수 있다. 상기 활성 패턴(12)은 예를 들어, 직사각형 모양을 가질 수 있다. 상기 활성 패턴(12)은 복수 개로 x 방향 및/또는 y 방향을 따라 배열될 수 있으며, 본 발명은 이에 한정되지 않는다. 상기 제 1 오버레이 패턴(14)은 상기 스크라이브 영역(4) 내에 형성될 수 있다. 상기 제 1 오버레이 패턴(14)은 예를 들어 정사각형 모양을 가질 수 있다.
도 2, 도 4 및 도 6을 참조하면, 상기 제 1 제조 장치(100)는 상기 제 1 패턴(10) 상에 상기 제 2 패턴(20)을 형성한다(S120). 상기 제 2 패턴(20)은 상기 제 1 기판(W1)의 미리 정해진 위치에 형성될 수 있다. 상기 제 2 패턴(20)은 상기 활성 패턴(12)과 상기 제 1 오버레이 패턴(14) 상에 형성될 수 있다. 일 예에 따르면, 상기 제 2 패턴(20)은 게이트 패턴(22)과 제 2 오버레이 패턴(24)을 포함할 수 있다. 상기 게이트 패턴(22)은 상기 활성 패턴(12) 상에 형성될 수 있다. 상기 게이트 패턴(22)은 칩 영역들(2) 내의 상기 활성 패턴(12)을 가로질러 연장할 수 있다. 상기 게이트 패턴(22)은 y 방향을 따라 연장할 수 있으며, 본 발명은 이에 한정되지 않는다. 상기 제 2 오버레이 패턴(24)은 상기 제 1 오버레이 패턴(14) 내에 형성될 수 있다. 상기 제 2 오버레이 패턴(24)은 예를 들어, 정사각형 모양을 가질 수 있다.
도 7a 및 도 7b는 제 1 오버레이 패턴(14)에 대한 제 2 오버레이 패턴(24)의 제 1 오버레이 에러(21)의 일 예를 보여준다.
도 2, 도 4, 도 7a 및 도 7b를 참조하면, 검사 장치(미도시)는 제 1 오버레이 에러(21)를 측정한다(S210). 상기 검사 장치는 전자 현미경 또는 광학 현미경을 포함할 수 있다. 원래의 제 1 오버레이 에러(21)는 도 7a와 같이 x축 및 y축 방향 모두에 대하여 변위를 가지지만, 간결한 설명을 위하여 이하의 도면에서는 도 7b와 같이 x축 성분만을 도시한다.
상기 제 1 오버레이 에러(21)는 상기 제 1 오버레이 패턴(14)에 대한 상기 제 2 오버레이 패턴(24)의 변위(displacement)로 정의될 수 있다. 상기 제 1 오버레이 에러(21)가 측정될 때, 상기 제 1 오버레이 패턴(14)은 어미자 패턴(parent pattern)으로 사용되고 상기 제 2 오버레이 패턴(24)은 아들자 패턴(child pattern)으로 사용될 수 있다. 상기 제 1 오버레이 에러(21)는 x축과 y축의 좌표 상에 백터 값으로 표시될 수 있다. 이와 달리, 상기 제 1 오버레이 에러(21)는 극좌표계로 표시할 수 있다.
도 8은 도 7b의 제 1 오버레이 에러(21)로부터 계산된 제 1 오버레이 에러 프로파일(23)의 일 예를 보여준다. 도 8을 참조하면, 상기 검사 장치는 상기 제 1 오버레이 에러(21)로부터 제 1 오버레이 에러 프로파일(23)을 획득한다. 상기 제 1 오버레이 에러 프로파일(23)은 제 1 기판(W1) 상에 형성된 상기 제 2 패턴(20)의 계산된 위치에 대한 것일 수 있다. 상기 제 1 오버레이 에러(21)는 회귀 분석 방법에 의해 모델링될 수 있다. 이에 따라서 상기 제 1 오버레이 에러 프로파일(23)은 다항식(ex,
Figure 112017046084082-pat00001
)으로 표현될 수 있다. 예를 들어, 상기 제 1 오버레이 에러 프로파일(23)은 a1 + a2x + a3y + a4x2 + a5xy + a6y2 + a7x3 +a8x2y + a9xy2 + a10y3 + ... 로 표시될 수 있다. 상기 a1, a2, a3, a4, a5, a6, a7, a8, a9, 및 a10은 제 1 내지 제 10 모델 파라미터들로 정의되고 상기 제 1 내지 제 10 모델 파라미터는 상수들일 수 있다.
도 8에 도시된 바와 같이, 상기 제 2 모델 파라미터(a2)가 100이고, 상기 제 7 모델 파라미터(a7)가 -1일 때, 상기 제 1 오버레이 에러 프로파일(23)은 -x3+100x로 표시될 수 있다. 이때, 상기 제 1 내지 상기 제 2 모델 파라미터들, 상기 제 4 내지 상기 제 6 모델 파라미터들, 및 상기 제 7 내지 상기 제 10 모델 파라미터들은 모두 “0”일 수 있다.
도 9는 제 1 오버레이 에러 프로파일(23)로부터 획득된 제 1 오버레이 보정 프로파일(25)을 보여준다. 도 9를 참조하면, 제 1 오버레이 보정 프로파일(25)이 상기 제 1 오버레이 에러 프로파일(23)로부터 획득될 수 있다. 상기 제 1 오버레이 보정 프로파일(25)은 후속하는 제 2 기판(W2) 상에 형성될 상기 제 2 패턴(20)의 보정된 위치에 대한 것일 수 있다. 상기 제 1 오버레이 보정 프로파일(25)은 상기 제 1 오버레이 에러 프로파일(23)에 대해 음의 부호를 가질 수 있다. 가령, 상기 제 1 오버레이 에러 프로파일(23)이 -x3+100x로 모델링되면, 상기 제 1 오버레이 보정 프로파일(25)은 x3-100x로 결정될 수 있다. 이후의 공정에서, 상기 제 1 제조 장치(100)를 상기 제 1 오버레이 보정 프로파일(25)에 따라 보정하여, 후속하는 제 2 기판(W2) 상에 상기 제 2 패턴(20)을 형성할 수 있다. 이에 따라 후속하는 제 2 기판(W2)부터는 제 1 제조 장치(100)의 오버레이 에러가 보정될 수 있다.
도 10은 제 3 패턴(30)을 형성하기 위한 제 2 제조 장치(200)의 일 예를 보여준다. 도 2, 도 5 및 도 10을 참조하면, 제 2 제조 장치(200)는 상기 제 1 패턴(10)과 상기 제 2 패턴(20) 상에 상기 제 3 패턴(30)을 형성한다(S130). 제 3 패턴(30)은 상기 제 1 기판(W1)의 미리 정해진 위치에 형성될 수 있다.
도 10을 참조하면, 상기 제 2 제조 장치(200)는 단위 공정 장치일 수 있다. 상기 제 2 제조 장치(200)는 상기 제 1 제조 장치(100)와 다를 수 있다. 예를 들어, 상기 제 2 제조 장치(200)는 EUV 노광기를 포함할 수 있다. 일 예에 따르면, 상기 제 2 제조 장치(200)는 챔버(210), 펌프 광원(220), 미러 렌즈들(230), 제 2 레티클(240), 및 제 2 스테이지(250)를 포함할 수 있다. 상기 챔버(210) 내에는 희토류 금속(ex, 제논(Xe), 리튬(Li), 주석(Sn), 또는 티타늄(Ti))의 증기가 충진될 수 있다. 상기 펌프 광원(220)은 펌프 광(222)을 상기 희토류 금속의 상기 증기로 제공할 수 있다. 상기 펌프 광(222)은 상기 희토류 금속의 상기 증기를 여기시켜 제 2 광(224)을 생성시킬 수 있다. 상기 제 2 광(224)은 약 13.5nm의 파장을 갖는 EUV 광일 수 있다. 상기 미러 렌즈들(230)은 상기 챔버(210)의 내부와 외부에 배치될 수 있다. 상기 미러 렌즈들(230)은 상기 제 2 광(224)을 제 2 레티클(240)로 반사하고, 상기 제 2 레티클(240)은 상기 제 2 광(224)을 상기 미러 렌즈들(230)로 다시 반사할 수 있다. 상기 제 2 레티클(240)은 상기 제 3 패턴(30)의 이미지를 상기 미러 렌즈들(230)로 투영할 수 있다. 상기 미러 렌즈들(230)은 제 2 광(224)을 상기 제 1 기판(W1)으로 반사 및 집중할 수 있다. 상기 제 2 스테이지(250)는 상기 제 1 기판(W1)을 이동시킬 수 있다. 상기 제 2 스테이지(250)가 상기 제 1 기판(W1)을 이동시킴과 함께 상기 제 2 레티클(240)은 이동될 수 있다. 상기 제 3 패턴(30)의 이미지는 상기 제 1 기판(W1)으로 전사될 수 있다.
다시 도 5를 참조하면, 제 2 제조 장치(200)를 사용하여 상기 제 3 패턴(30)은 제 2 기판(W2)의 상기 활성 패턴(12)과 상기 제 2 오버레이 패턴(24) 상에 형성될 수 있다. 일 예에 따르면, 상기 제 3 패턴(30)은 콘택 홀 패턴(32)과 제 3 오버레이 패턴(34)을 포함할 수 있다. 상기 콘택 홀 패턴(32)은 상기 활성 패턴(12)의 가장자리 양측들 상에 형성될 수 있다. 상기 콘택 홀 패턴(32)은 상기 게이트 패턴(22)의 양측으로부터 이격하여 형성될 수 있다. 상기 제 3 오버레이 패턴(34)은 상기 제 2 오버레이 패턴(24) 내에 형성될 수 있다.
도 11a 및 도 11b는 제 2 오버레이 패턴(24)에 대한 제 3 오버레이 패턴(34)의 제 2 오버레이 에러(31)의 일 예를 보여준다. 원래의 제 2 오버레이 에러(31)는 도 11a와 같이, x축 및 y축 방향 모두에 대하여 변위를 가지지만, 간결한 설명을 위하여 이하의 도면에서는 도 11b와 같이 x축 성분만을 도시한다.
도 2, 도 5 및 도 11b을 참조하면, 상기 검사 장치는 제 2 오버레이 에러(31)를 측정한다(S220). 상기 제 2 오버레이 에러(31)는 상기 제 2 오버레이 패턴(24)에 대한 상기 제 3 오버레이 패턴(34)의 변위(displacement)로 정의될 수 있다. 상기 제 2 오버레이 에러(31)는 벡터로 표시될 수 있다. 상기 제 2 오버레이 에러(31)가 측정될 때, 상기 제 2 오버레이 패턴(24)은 어미자 패턴으로 사용되고, 상기 제 3 오버레이 패턴(34)은 아들자 패턴으로 사용될 수 있다.
도 12는 제 2 오버레이 에러(31)로부터 계산된 제 2 오버레이 에러 프로파일(33)의 일 예를 보여준다. 도 13은 제 2 오버레이 에러 프로파일(33)로부터 획득된 제 2 오버레이 보정 프로파일(35)을 보여준다.
도 11b 및 도 12를 참조하면, 상기 검사 장치는 상기 측정된 제 2 오버레이 에러(31)로부터 제 2 오버레이 에러 프로파일(33)을 획득한다. 상기 제 2 오버레이 에러 프로파일(33)은 상기 제 1 기판(W1) 상에 형성된 상기 제 3 패턴(30)의 계산된 위치에 대한 것일 수 있다. 상기 제 2 오버레이 보정 프로파일(35)은 후속하여 제 2 기판(W2) 상에 형성될 상기 제 3 패턴(30)의 보정될 위치에 대한 것일 수 있다. 예를 들어, 상기 제 2 모델 파라미터(a2)가 50이고, 상기 제 7 모델 파라미터(a7)가 -1/2일 때, 상기 제 2 오버레이 에러 프로파일(33)은 -1/2x3+50x로 표시될 수 있다. 상기 제 2 오버레이 보정 프로파일(35)은 상기 제 2 오버레이 에러 프로파일(33)의 반대 부호를 가질 수 있다. 상기 제 2 오버레이 에러 프로파일(33)이 -1/2x3+50x이면, 상기 제 2 오버레이 보정 프로파일(35)은 1/2x3-50x로 표시될 수 있다. 이에 따라, 후속하는 제 2 기판(W2)부터는, 제 2 제조 장치(200)의 오버레이 에러가 보정될 수 있다.
한편, 어떤 오버레이 보정 프로파일은 몇몇 제조 장치의 제어 파라미터를 보정시키지 못할 수 있다. 상기 제 1 오버레이 보정 프로파일(25)의 상기 제 1 내지 상기 제 10 모델 파라미터들(a1, a2, a3, a4, a5, a6, a7, a8, a9 및 a10)은 상기 제 1 제조 장치(100)의 제어 파라미터를 보정 가능한 것일 수 있다. 반면, 제 2 오버레이 보정 프로파일(도 13의 35)의 상기 제 1 내지 상기 제 10 모델 파라미터들(a1, a2, a3, a4, a5, a6, a7, a8, a9 및 a10) 중 적어도 하나는 상기 제 2 제조 장치(200)의 제어 파라미터를 보정할 수 없는 것일 수 있다. 예를 들어, 제 3 패턴(30)이 상기 제 7 모델 파라미터(a7)에 의하여 상기 x 축 방향으로 1nm로 보정되어야 할 경우, 도 10의 미러 렌즈들(230) 사이의 거리는 약 1㎛ 이상의 문턱 값을 넘어 과도하게 변화되어야 할 수 있다. 하지만, 미러 렌즈들(230) 사이의 거리는 문턱 값 이상으로 조절될 수 없다. 때문에, 상기 제 7 모델 파라미터(a7)는 상기 제 2 제조 장치(200)의 제어 파라미터를 보정할 수 없는 것일 수 있다. 이러한 경우, 상기 제 2 제조 장치(200)에서, 예를 들어 상기 제 7 모델 파라미터(a7)는 1로 고정될 수 있으며, 본 발명은 이에 한정되지 않는다.
도 2, 도 6 및 도 10을 참조하면, 상기 제 1 제조 장치(100) 또는 상기 제 2 제조 장치(200)는 상기 제 1 기판(W1) 상의 제 n-1 패턴 상에 제 n 패턴을 형성한다(S140). 그리고, 상기 검사 장치는 제 n-1 오버레이 에러 프로파일을 측정한다(S230).
제 1 기판(W1)의 제조 공정이 완료되면, 제 2 기판(W2)의 제조 공정이 연속적으로 수행될 수 있다. 도 2, 도 3 및 도 6을 다시 참조하면, 상기 제 1 제조 장치(100)는 제 2 기판(W2) 상에 제 1 패턴(10)을 형성한다(S110). 상기 제 1 패턴(10)은 제 2 기판(W2)의 미리 정해진 위치에 형성될 수 있다. 이후, 제 2 기판(W2) 상에 형성될 상기 제 2 패턴(20)의 위치는 제 1 오버레이 보정 프로파일(25)에 따라 보정될 수 있다.
전술한 바와 같이, 상기 제 2 제조 장치(200)에서의 상기 제 3 패턴(30)의 위치 보정 불가 문제가 있는 경우, 상기 제 1 제조 장치(100)는 이를 미리 해결하기 위해 상기 제 2 패턴(20)의 위치를 미리 조절(adjust)할 수 있다. 이하, 제 2 제조 장치(200)에서의 보정 문제를 제 1 제조 장치(100)에서 미리 해결하는 방법에 대해 설명한다.
도 14는 도 2의 제 2 패턴(20)을 형성하는 단계(S120)의 일 예를 보여준다. 도 15는 제 2 제조 장치(200)에서의 보정 문제를 제 1 제조 장치(100)에서 사전에 해결하는 방법을 설명하는 도면이다. 도 16은 제 2 제조 장치(200)의 제어 파라미터에서의 미리 설정된 오버레이 프로파일(36)과 제 2 오버레이 보정 프로파일(35)의 일 예를 보여준다. 도 16의 미리 설정된 오버레이 프로파일(36)은 제 2 제조 장치(200)의 제어 파라미터에 대응하는 다항식의 제 7 모델 파라미터(a7)를 1로 설정한 것이다.
도 14를 참조하면, 상기 제 2 기판(W2) 상에 상기 제 2 패턴(20)을 형성하는 단계(S120)는 상기 제 2 오버레이 보정 프로파일(35)이 상기 제 2 제조 장치(200)의 제어 파라미터를 보정할 수 없는 모델 파라미터를 갖는지를 판별하는 단계(S122), 상기 보정 불가 모델 파라미터를 상쇄(cancel)하기 위한 예비 보정 프로파일(27)을 계산하는 단계(S124), 상기 예비 보정 프로파일(27)과 상기 제 1 오버레이 보정 프로파일(25)에 따라 상기 제 2 패턴(20)의 위치를 보정하는 단계(S126), 및 상기 제 1 오버레이 보정 프로파일(25)에 따라 상기 제 2 패턴(20)의 위치를 보정하는 단계(S128)를 포함할 수 있다.
보다 구체적으로, 제 1 제조 장치(100)는 상기 제 2 오버레이 보정 프로파일(35)이 상기 제 2 제조 장치(200)의 제어 파라미터의 보정 불가 모델 파라미터를 갖는지를 판별한다(S122). 일 예에 따르면, 상기 제 2 제조 장치(200)의 상기 제어 파라미터로 미리 설정된 오버레이 프로파일(36)의 제 7 모델 파라미터(a7)와 상기 제 2 오버레이 보정 프로파일(35)의 제 7 모델 파라미터(a7)가 서로 다를 경우, 상기 제 2 오버레이 보정 프로파일(35)은 보정 불가인 것으로 판별될 수 있다. 예를 들어, 도 16과 같이 상기 미리 설정된 오버레이 프로파일(36)의 상기 제 7 모델 파라미터(a7)가 1이고 상기 제 2 오버레이 보정 프로파일(35)의 상기 제 7 모델 파라미터(a7)는 1/2일 경우, 상기 제 2 오버레이 보정 프로파일(35)의 상기 제 7 모델 파라미터(a7)는 상기 제 2 제조 장치(200)의 제어 파라미터를 보정할 수 없는 것으로 판별될 수 있다. 반면, 상기 제 2 오버레이 보정 프로파일(35)의 상기 제 7 모델 파라미터(a7)와 상기 미리 설정된 오버레이 프로파일(36)의 상기 제 7 모델 파라미터(a7)가 일치할 경우, 상기 제 2 오버레이 보정 프로파일(35)은 상기 보정 불가 모델 파라미터를 갖지 않는 것으로 판별될 수 있다.
도 17은 도 15의 예비 보정 프로파일(27)을 보여준다.
도 14 및 도 17을 참조하면, 상기 제 2 오버레이 보정 프로파일(35)이 상기 보정 불가 모델 파라미터를 가질 경우, 상기 제 1 제조 장치(100)는 상기 제 2 패턴(20)의 예비 보정 프로파일(27)을 계산한다(S124). 상기 예비 보정 프로파일(27)은 보정 불가 모델 파라미터를 상쇄할 수 있다. 상기 예비 보정 프로파일(27)은 상기 제 2 오버레이 보정 프로파일(35)과 반대 부호를 가질 수 있다. 가령, 상기 제 2 오버레이 보정 프로파일(35)이 1/2x3-50x일 경우, 상기 예비 보정 프로파일(27)은 -1/2x3+50x로 계산될 수 있다. 상기 예비 보정 프로파일(27)은 상기 제 2 오버레이 에러 프로파일(33)과 동일할 수 있다.
다음, 상기 제 1 제조 장치(100)는 상기 예비 보정 프로파일(27)과 상기 제 1 기판(W1)의 상기 제 1 오버레이 보정 프로파일(25)을 사용하여 상기 제 2 패턴(20)의 위치를 보정하여, 상기 제 2 기판(W2) 상에 상기 제 2 패턴(20)을 형성한다(S126).
도 18은 도 15의 합산 프로파일(29)을 보여준다. 도 18을 참조하면, 상기 제 1 제조 장치(100)는 상기 예비 보정 프로파일(27)과 상기 제 1 오버레이 보정 프로파일(25)의 합산 프로파일(29)을 계산하고, 상기 합산 프로파일(29)을 사용하여 상기 제 2 기판(W2) 상의 상기 제 2 패턴(20)의 위치를 보정할 수 있다. 가령, 상기 예비 보정 프로파일(27)은 -1/2x3+50x이고, 상기 제 1 오버레이 보정 프로파일(25)이 x3-100x일 경우, 상기 제 1 제조 장치(100)는 1/2x3 -50x의 상기 합산 프로파일(29)에 대응하는 상기 제어 파라미터를 사용하여 상기 제 2 패턴(20)의 위치를 보정할 수 있다.
도 19는 도 18의 합산 프로파일(29)에 따라 상기 제 2 기판(W2) 상의 보정된 위치에 형성된 제 2 오버레이 패턴(24)의 일 예를 보여준다.
도 19를 참조하면, 제 2 오버레이 패턴(24)의 위치는 상기 제 2 기판(W2) 상에 후속에서 형성될 상기 제 3 오버레이 패턴(34)의 위치를 고려하여 미리 보정될 수 있다. 전술한 바와 같이, 제 2 제조 장치(200)가 상기 제 3 오버레이 패턴(34)의 위치를 보정할 수 없을 경우, 제 1 제조 장치(100)는 상기 제 3 오버레이 패턴(34) 위치에 근거하여 제 2 오버레이 패턴(24)의 위치를 미리 조절할 수 있다.
이와 달리, 도 14를 참조하여, 상기 제 2 오버레이 보정 프로파일(35)이 보정 불가 모델 파라미터를 갖지 않을 경우, 상기 제 1 제조 장치(100)는 상기 제 2 기판(W2)의 상기 제 1 오버레이 보정 프로파일(25)에 대응하는 상기 제어 파라미터로 상기 제 2 패턴(20)의 위치를 보정하여 상기 제 2 기판(W2) 상에 상기 제 2 패턴(20)을 형성한다(S128). 가령, 상기 제 2 기판(W2)의 상기 제 1 오버레이 보정 프로파일(25)이 없을 경우, 상기 제 2 패턴(20)의 위치는 보정되지 않고 미리 정해진 위치로 고정될 수 있다.
다시 도 2 및 도 4를 참조하면, 상기 검사 장치는 상기 제 2 기판(W2) 상의 상기 제 1 오버레이 패턴(14)에 대한 상기 제 2 오버레이 패턴(24)의 제 1 오버레이 에러 프로파일을 측정한다(S210). 상기 검사 장치는 상기 제 1 오버레이 에러 프로파일로부터 상기 제 2 기판(W2)의 제 1 오버레이 에러 프로파일과 제 1 오버레이 보정 프로파일을 순차적으로 계산할 수 있다. 상기 제 2 기판(W2)의 상기 제 1 오버레이 에러 프로파일은 상기 제 2 기판(W2) 상에 형성된 상기 제 2 패턴(20)의 계산된 위치에 대한 것일 수 있다. 상기 제 2 기판(W2)의 상기 제 1 오버레이 에러 프로파일은 상기 제 1 기판(W1)의 상기 제 1 오버레이 에러 프로파일(23)과 다를 수 있다. 상기 제 2 기판(W2)의 상기 제 1 오버레이 보정 프로파일은 후속하여 상기 제 3 기판(W3) 상에 형성될 상기 제 2 패턴(20)의 보정된 위치에 대한 것일 수 있다.
이후, 도 2 및 도 10을 참조하면, 제 2 제조 장치(200)는 상기 제 2 오버레이 보정 프로파일(35)로 상기 제 2 기판(W2) 상의 상기 제 3 패턴(30)의 위치를 보정하여 상기 제 2 패턴(20) 상에 제 3 패턴(30)을 형성한다(S130). 상기 제 1 제조 장치(100)에서 상기 보정 불가 모델 파라미터가 미리 상쇄되었기 때문에 상기 제 2 오버레이 보정 프로파일(35)은 상기 보정 불가 모델 파라미터를 갖지 않을 수 있다. 예를 들어, 상기 제 2 오버레이 보정 프로파일(35)의 상기 다항식의 상기 제 7 모델 파라미터(a7)는 0일 수 있다. 상기 제 2 오버레이 보정 프로파일(35)은 상기 다항식의 상기 제 1 내지 상기 제 6 모델 파라미터들(a1, a2, a3, a4, a5, a6)과, 상기 제 8 내지 제 10 모델 파라미터들(a8, a9, a10)을 가질 수 있다. 가령, 상기 보정 불가 모델 파라미터가 상기 제 2 오버레이 보정 프로파일(35)의 전체일 경우, 상기 제 2 오버레이 보정 프로파일(35)은 없을 수 있다. 이러할 경우, 상기 제 3 패턴(30)의 위치는 보정되지 않고, 상기 제 3 패턴(30)은 미리 설정된 위치에 형성될 수 있다.
만약, 상기 제 2 오버레이 보정 프로파일(35) 내의 상기 보정 불가 모델 파라미터가 상기 예비 보정 프로파일(27)에 의해 상쇄되지 않았다면, 상기 제 2 제조 장치(200)는 제 3 패턴(30)의 위치를 보정할 수 없음으로, 오버레이 보정 에러가 발생될 수 있다. 따라서, 상기 제 2 제조 장치(200)는 상기 제 3 패턴(30)을 상기 제 2 기판(W2) 상에 형성하지 못할 수 있다. 반면, 본 발명의 실시 예에 따라, 상기 제 1 제조 장치(100)가 상기 예비 보정 프로파일(27)을 사용하여 상기 제 2 패턴(20)의 위치를 미리 조절할 경우, 상기 제 2 제조 장치(200)는 상기 제 2 패턴(20) 상의 정해진 위치에 상기 제 3 패턴(30)을 정상적으로 형성할 수 있다. 오버레이 보정 에러는 방지될 수 있다.
다시 도 2 및 도 5를 참조하면, 상기 검사 장치는 상기 제 2 기판(W2) 상의 상기 제 2 오버레이 패턴(24)에 대한 상기 제 3 오버레이 패턴(34)의 제 2 오버레이 에러 프로파일을 측정한다(S220). 또한, 상기 검사 장치는 상기 제 2 기판(W2)의 제 2 오버레이 에러 프로파일과 제 2 오버레이 보정 프로파일을 순차적으로 계산할 수 있다. 상기 제 2 기판(W2)의 상기 제 2 오버레이 에러 프로파일은 상기 제 2 기판(W2) 상에 형성된 상기 제 3 패턴(30)의 계산된 위치에 대한 것일 수 있다. 상기 제 2 기판(W2)의 상기 제 2 오버레이 에러 프로파일은 상기 제 1 기판(W1)의 제 2 오버레이 에러 프로파일(33)과 다를 수 있다. 상기 제 2 기판(W2)의 상기 제 2 오버레이 보정 프로파일은 상기 제 3 기판(W3) 상에 형성될 상기 제 3 패턴(30)의 보정될 위치에 대한 것일 수 있다.
도 2, 도 6 및 도 10을 참조하면, 상기 제 1 제조 장치(100) 또는 상기 제 2 제조 장치(200)는 상기 제 1 기판(W1)의 상기 제 n-1 오버레이 보정 프로파일로 상기 제 2 기판(W2) 상의 상기 제 n 패턴의 위치를 보정하여 상기 제 2 기판(W2)상의 제 n-1 패턴 상에 제 n 패턴을 형성한다(S140). 이후, 상기 검사 장치는 상기 제 2 기판(W2)의 제 n-1 오버레이 에러를 측정한다(S230). 그리고, 상기 검사 장치는 상기 제 2 기판(W2)의 상기 제 n-1 오버레이 에러로부터 상기 제 2 기판(W2)의 제 n-1 오버레이 에러 프로파일과 제 n-1 오버레이 보정 프로파일을 계산할 수 있다.
제 2 기판(W2)의 제조 공정이 완료되면, 상기 제 3 기판(W3)의 제조 공정이 수행될 수 있다. 이와 달리, 상기 제 3 기판(W3)은 상기 제 2 기판(W2)에 이어 제 1 제조 장치(100), 검사 장치 및 제 2 제조 장치(200) 내에 순차적으로 제공될 수 있다.
한편, 제 2 제조 장치(200)의 문제를 해결하기 위한 예비 보정 프로파일(27)로 인해 상기 제 2 오버레이 패턴(24)은 도 19와 같이 원래와는 다른 위치로 보정되었다. 때문에, 상기 제 2 오버레이 패턴(24)은 상기 제 1 오버레이 패턴(14)에 정렬되지 않을 수 있다. 따라서, 상기 제 3 기판(W3) 상에 형성될 상기 제 1 패턴(10)의 위치는 예비 보정 프로파일(27)로 보정된 제 2 패턴(20)의 위치를 따라 다시 보정될 수 있다. 이하, 제 1 제조 장치(100)가 제 1 패턴(10)의 위치를 보정하는 방법에 대해 설명한다.
도 20은 제 3 기판(W3) 상에 제 1 패턴(10)을 형성하는 단계(S110)의 일 예를 보여준다. 도 21은 제 1 제조 장치(100)가 제 1 패턴(10)의 위치를 보정하는 방법을 설명하는 도면이다. 도 22는 도 20의 보정 패널티 프로파일(15)의 일 예를 보여준다.
도 20을 참조하면, 제 3 기판(W3) 상에 상기 제 1 패턴(10)을 형성하는 단계(S110)는 보정 패널티 프로파일(15)이 있는지를 판별하는 단계(S112), 상기 보정 패널티 프로파일(15)에 따라 상기 제 1 패턴(10)의 위치를 보정하는 단계(S114), 및 상기 제 1 패턴(10)의 위치를 고정하는 단계(S116)를 포함할 수 있다.
보다 구체적으로, 도 20 내지 도 22를 참조하면, 제 1 제조 장치(100)는 상기 제 1 패턴(10)의 보정 패널티 프로파일(15)이 있는지를 판별한다(S112). 상기 보정 패널티 프로파일(15)은 상기 제 3 기판(W3)의 상기 제 1 패턴(10) 상에 형성될 상기 제 2 패턴(20)의 위치 보정 때문에 생성될 수 있다. 상기 보정 패널티 프로파일(15)은 상기 제 1 패턴(10)의 위치 보정 프로파일일 수 있다. 상기 보정 패널티 프로파일(15)은 상기 예비 보정 프로파일(27)과 동일할 수 있다. 예를 들어, 상기 예비 보정 프로파일(27)이 -1/2x3+50x일 경우, 상기 보정 패널티 프로파일(15)은 -1/2x3+50x로 계산될 수 있다.
이와 같이, 상기 보정 패널티 프로파일(15)이 있을 경우, 상기 제 1 제조 장치(100)는 상기 보정 패널티 프로파일(15)을 사용하여 상기 제 1 패턴(10)의 위치를 보정하여, 상기 제 3 기판(W3)에 상기 제 1 패턴(10)을 형성한다(S114).
도 23은 도 22의 보정 패널티 프로파일(15)에 따라 보정된 위치에 형성된 제 1 오버레이 패턴(14)의 일 예를 보여준다.
도 23을 참조하면, 상기 제 1 오버레이 패턴(14)의 위치는 상기 제 2 오버레이 패턴(24)의 위치에 의해 결정될 수 있다. 상기 제 2 기판(W2) 상의 상기 제 2 오버레이 패턴(24)의 위치가 예비 보정 프로파일(27)에 따라 보정될 경우, 상기 제 1 오버레이 패턴(14)의 위치는 보정 패널티 프로파일(15)에 따라 상기 제 3 기판(W3) 상에서 보정될 수 있다.
다시 도 20을 참조하면, 상기 보정 패널티 프로파일(15)이 없을 경우, 상기 제 1 제조 장치(100)는 상기 제 1 패턴(10)의 위치를 미리 정해진 위치에 고정하여 상기 제 3 기판(3)에 상기 제 1 패턴(10)을 형성한다(S116). 상기 제 1 패턴(10)의 위치는 미리 정해진 위치에 고정되고, 상기 제 1 패턴(10)은 상기 제 3 기판(W3) 상에 형성될 수 있다.
도 2, 도 6 및 도 14를 참조하면, 상기 제 1 제조 장치(100)는 상기 제 3 기판(W3)의 제 1 패턴(10) 상에 제 2 패턴(20)을 형성한다(S120). 상기 제 1 제조 장치(100)는 상기 예비 보정 프로파일(27)과 상기 제 3 기판(W3)의 상기 제 1 오버레이 에러 프로파일을 사용하여 상기 제 2 패턴(20)의 위치를 보정할 수 있다. 예를 들어, 상기 예비 보정 프로파일(27)과 상기 제 3 기판(W3)의 상기 제 1 오버레이 보정 프로파일은 합해질 수 있다.
다음, 검사 장치는 상기 제 3 기판(W3)의 제 1 오버레이 에러 프로파일을 측정한다(S210). 상기 검사 장치는 상기 제 3 기판(W3)의 상기 제 1 오버레이 에러 프로파일로부터 상기 제 3 기판(W3)의 제 1 오버레이 에러 프로파일과, 제 1 오버레이 보정 프로파일을 계산할 수 있다. 상기 제 3 기판(W3)의 상기 제 1 오버레이 에러 프로파일은 상기 제 3 기판(W3) 상에 형성된 제 2 패턴(20)의 계산된 위치에 대한 것이고, 상기 제 3 기판(W3)의 상기 제 1 오버레이 보정 프로파일은 상기 제 3 기판(W3) 다음의 상기 제 n 기판 상에 형성될 제 2 패턴(20)의 보정할 위치 값일 수 있다.
도 2 및 도 10을 참조하면, 상기 제 2 제조 장치(200)는 상기 제 3 기판(W3)의 제 2 패턴(20) 상에 제 3 패턴(30)을 형성한다(S130). 상기 제 2 제조 장치(200)는 상기 제 3 기판(W3)의 상기 제 2 오버레이 보정 프로파일을 사용하여 상기 제 3 기판(W3) 상의 상기 제 3 패턴(30)의 위치를 보정할 수 있다. 가령 상기 제 3 기판(W3)의 상기 제 2 오버레이 보정 프로파일이 없을 경우, 상기 제 3 패턴(30)은 그들의 위치 보정 없이 상기 제 3 기판(W3) 상에 형성될 수 있다.
다음, 상기 검사 장치는 상기 제 3 기판(W3)의 제 2 오버레이 에러 프로파일을 측정한다(S220). 이후, 상기 검사 장치는 상기 제 3 기판(W3)의 제 2 오버레이 에러 프로파일로부터 상기 제 3 기판(W3)의 제 2 오버레이 에러 프로파일과 제 2 오버레이 보정 프로파일을 계산할 수 있다. 상기 제 3 기판(W3)의 상기 제 2 오버레이 에러 프로파일은 상기 제 3 기판(W3) 기판에 형성된 상기 제 3 패턴(30)의 계산된 위치에 대한 것이고, 상기 제 3 기판(W3)의 상기 제 2 오버레이 보정 프로파일은 상기 제 3 기판(W3) 다음의 상기 제 n 기판 상에 형성될 상기 제 3 패턴(30)의 보정될 위치 값일 수 있다.
그리고, 제 1 제조 장치(100) 또는 상기 제 2 제조 장치(200)는 상기 제 3 기판(W3) 상에 상기 n 패턴을 형성한다(S140).
상기 검사 장치는 상기 제 3 기판(W3)의 제 n-1 오버레이 에러 프로파일을 측정한다(S230). 상기 검사 장치는 상기 제 3 기판(W3)의 제 n-1 오버레이 에러 프로파일과 제 n-1 오버레이 보정 프로파일을 계산할 수 있다. 상기 제 3 기판(W3)의 제 n-1 오버레이 에러 프로파일은 상기 제 3 기판(W3) 상에 형성된 상기 제 n 패턴의 계산된 위치에 대한 것이고, 상기 제 3 기판(W3)의 상기 n-1 오버레이 보정 프로파일은 상기 제 3 기판(W3) 다음의 상기 제 n 기판 상에 형성될 상기 n 패턴의 보정될 위치 값일 수 있다.
도 24는 제 1 제조 장치(100) 및 제 2 제조 장치(200)를 제어하는 제어 시스템(300)을 보여준다.
도 24를 참조하면, 제어 시스템(300)은 프로그램 코드를 실행하는 프로세서(310), 메모리(320) 및 입출력 부(330)를 포함할 수 있다. 상기 프로세서(310)는 프로그램 코드를 실행하고, 상기 프로그램 코드에 따라 기판들 및/또는 랏(lot) 마다 상기 예비 보정 프로파일(27)과 보정 패널티 프로파일(15)을 획득할 수 있다. 보다 구체적으로, 프로세서(310)는 도 1, 도 2, 도14 및 도 20의 절차를 수행할 수 있다. 예를 들어, 프로세서(310)는 제 1 기판(W1) 상의 제 2 및 제 3 패턴들(20, 30)의 제 2 오버레이 에러(31)를 수신하고, 상기 제 2 오버레이 에러(31)를 모델링하여 상기 제 2 오버레이 에러(31)의 모델 파라미터를 포함하는 제 2 오버레이 보정 프로파일(35)을 획득하고, 상기 제 2 오버레이 보정 프로파일(35)이 제 2 제조 장치(200)의 제어 파라미터를 보정할 수 없는 상기 모델 파라미터를 갖는지를 판별하고, 그리고 상기 제 2 오버레이 보정 프로파일(35)이 상기 보정 불가 모델 파라미터를 가질 경우, 상기 보정 불가 모델 파라미터를 상쇄하는 예비 보정 프로파일(27)을 획득하고, 상기 예비 보정 프로파일(27)에 기초하여 제 1 제조 장치(100)에서 제 2 기판(W2) 상의 상기 제 2 패턴(20)의 위치를 보정시키도록 할 수 있다.
메모리(320)는 상기 프로세서(310)로 연결될 수 있다. 메모리(320)는 상기 프로그램 코드를 저장할 수 있다. 또한, 메모리(320)는 상기 예비 보정 프로파일(27)과 보정 패널티 프로파일(15)은 기판들 및/또는 랏(lot) 마다 고유한 정보(ex, 물류 구분 정보)를 저장할 수 있다.
상기 입출력 부(330)는 프로세서(310)를 제 1 제조 장치(100) 및/또는 제 2 제조 장치(200)로 연결할 수 있다. 프로세서(310)는 입출력 부(166)를 통해 제어 신호를 출력하고, 외부 입력 신호를 수신할 수 있다.
이상, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시 예를 설명하였지만, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시 예에는 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다.

Claims (10)

  1. 제 1 제조 장치에서, 제 1 기판 상에 제 1 패턴을 형성하는 것;
    상기 제 1 제조 장치에서, 상기 제 1 패턴 상에 제 2 패턴을 형성하는 것;
    상기 제 1 패턴에 대한 상기 제 2 패턴의 제 1 오버레이 에러 프로파일을 획득하고, 상기 제 1 오버레이 에러 프로파일로부터 제 1 오버레이 보정 프로파일을 획득하는 것;
    제 2 제조 장치에서, 상기 제 2 패턴 상에 제 3 패턴을 형성하는 것;
    상기 제 2 패턴에 대한 상기 제 3 패턴의 제 2 오버레이 에러 프로파일을 획득하고, 상기 제 2 오버레이 에러 프로파일로부터 제 2 오버레이 보정 프로파일을 획득하는 것; 및
    상기 제 1 제조 장치에서, 제 2 기판 상에 상기 제 2 패턴을 형성하는 것을 포함하고,
    상기 제 2 기판 상에 상기 제 2 패턴을 형성하는 것은:
    상기 제 2 오버레이 보정 프로파일이 상기 제 2 제조 장치의 제어 파라미터를 보정할 수 없는 보정 불가 모델 파라미터를 갖는지를 판별하는 것; 및
    상기 제 2 오버레이 보정 프로파일이 상기 보정 불가 모델 파라미터를 가질 경우, 상기 제 1 제조 장치에 대한 예비 보정 프로파일을 획득하고, 상기 예비 보정 프로파일에 기초하여 상기 제 2 기판 상의 상기 제 2 패턴의 위치를 미리 보정하는 것을 포함하고,
    상기 제 1 제조 장치는 상기 예비 보정 프로파일과 상기 제 1 오버레이 보정 프로파일의 합산 프로파일을 사용하여 상기 제 2 기판 상의 상기 제 2 패턴의 위치를 보정하는 오버레이 보정방법.
  2. 삭제
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 오버레이 보정 프로파일은 상기 제 1 오버레이 에러 프로파일과 반대 부호이고,
    상기 예비 보정 프로파일은 상기 제 1 오버레이 에러 프로파일과 동일한 오버레이 보정방법.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 제조 장치에서, 제 3 기판 상에 상기 제 1 패턴을 형성하는 것을 더 포함하고,
    상기 제 3 기판 상에 상기 제 1 패턴을 형성하는 것은:
    상기 제 2 기판 상의 상기 제 2 패턴의 위치 보정이 있으면, 보정 패널티 프로파일을 사용하여 상기 제 3 기판 상의 상기 제 1 패턴의 위치를 보정하는 것을 포함하되,
    상기 보정 패널티 프로파일은 상기 예비 보정 프로파일과 동일한 오버레이 보정방법.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 2 기판 상에 상기 제 2 패턴을 형성하는 것은, 상기 제 2 오버레이 보정 프로파일이 상기 보정 불가 모델 파라미터를 갖지 않을 경우, 상기 제 1 오버레이 보정 프로파일을 사용하여 상기 제 2 기판 상의 상기 제 2 패턴의 위치를 보정하는 것을 더 포함하는 오버레이 보정 방법.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 제조 장치는 ArF 이멀젼 노광 장치를 포함하고,
    상기 제 2 제조 장치는 EUV 노광 장치를 포함하는 오버레이 보정 방법.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 제 1 및 제 2 오버레이 보정 프로파일들은 각각의 다항식으로 표시되고,
    상기 다항식은 a1 + a2x + a3y + a4x2 + a5xy + a6y2 + a7x3 +a8x2y + a9xy2 + a10y3 + ...을 포함하고, 상기 a1, a2, a3, a4, a5, a6, a7, a8, a9, 및 a10의 각각은 모델 파라미터이고, x와 y는 위치 좌표 값들이고,
    상기 모델 파라미터는 상기 EUV 노광 장치의 상기 제어 파라미터인 오버레이 보정방법.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 제 2 오버레이 보정 프로파일을 사용하여 상기 제 2 기판 상의 상기 제 3 패턴의 위치를 보정하는 것을 더 포함하되,
    상기 a7의 상기 모델 파라미터는 상기 제 2 오버레이 보정 프로파일 내에서 상기 예비 보정 프로파일에 의해 상쇄된 오버레이 보정방법.
  9. 제 7 항에 있어서,
    상기 a7의 상기 모델 파라미터는 상기 EUV 노광 장치에서 특정 값으로 고정되는 오버레이 보정방법.
  10. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 및 상기 제 2 오버레이 에러 프로파일들은 제 1 및 제 2 오버레이 에러들로부터 각각 획득되되,
    상기 제 1 오버레이 에러는 상기 제 1 패턴에 대한 상기 제 2 패턴의 변위에 대응되고, 상기 제 2 오버레이 에러는 상기 제 2 패턴에 대한 상기 제 3 패턴의 변위에 대응되는 어버레이 보정방법.
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Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10510676B2 (en) * 2017-11-30 2019-12-17 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. System and method for aligned stitching
KR20210007275A (ko) * 2019-07-10 2021-01-20 삼성전자주식회사 오버레이 보정 방법, 및 그 보정 방법을 기초로 한 포토리소그라피 방법, 반도체 소자 제조방법 및 스캐너 시스템
CN115769148A (zh) * 2020-02-21 2023-03-07 昂图创新有限公司 用于校正光刻过程中的套刻误差的系统和方法
KR20210131798A (ko) 2020-04-24 2021-11-03 삼성전자주식회사 Euv 노광 장치, 및 그 노광 장치를 이용한 오버레이 보정 방법과 반도체 소자 제조방법
CN114695087A (zh) * 2020-12-30 2022-07-01 科磊股份有限公司 一种制造集成电路的方法和系统
CN112749424B (zh) * 2021-01-14 2023-04-21 泉芯集成电路制造(济南)有限公司 光刻胶的轮廓三维建模方法、系统和可读存储介质
JP2023053800A (ja) * 2021-10-01 2023-04-13 キヤノン株式会社 基板上の複数のショット領域の配列を求める方法、露光方法、露光装置、物品の製造方法、プログラム及び情報処理装置

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012204833A (ja) * 2011-03-25 2012-10-22 Toshiba Corp オーバーレイ制御方法、半導体製造方法および半導体製造装置
JP2016157877A (ja) 2015-02-25 2016-09-01 株式会社ニコン リソグラフィ装置の管理方法及び装置、並びに露光方法及びシステム

Family Cites Families (29)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7541201B2 (en) * 2000-08-30 2009-06-02 Kla-Tencor Technologies Corporation Apparatus and methods for determining overlay of structures having rotational or mirror symmetry
KR100395909B1 (ko) * 2001-06-29 2003-08-27 주식회사 하이닉스반도체 반도체 장치의 오버레이 측정 패턴
KR100431329B1 (ko) * 2001-10-11 2004-05-12 삼성전자주식회사 반도체 웨이퍼 오버레이 보정방법
KR100417212B1 (ko) * 2001-12-26 2004-02-05 동부전자 주식회사 오버레이 측정 장치 및 이를 이용한 오버레이 측정 방법
KR20030084030A (ko) 2002-04-24 2003-11-01 삼성전자주식회사 노광 장치 선택 방법
WO2004040372A1 (en) * 2002-11-01 2004-05-13 Systems On Silicon Manufacturing Co. Pte. Ltd. Multi-image reticles
US7333173B2 (en) 2004-04-06 2008-02-19 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Method to simplify twin stage scanner OVL machine matching
US7426011B2 (en) 2005-09-12 2008-09-16 Asml Netherlands B.V. Method of calibrating a lithographic apparatus and device manufacturing method
US7842442B2 (en) * 2006-08-31 2010-11-30 Advanced Micro Devices, Inc. Method and system for reducing overlay errors within exposure fields by APC control strategies
US7571422B2 (en) * 2006-09-21 2009-08-04 Kla-Tencor Technologies Corporation Method for generating a design rule map having spatially varying overlay budget
TWI373694B (en) * 2007-08-09 2012-10-01 Nanya Technology Corp Exposure methiod
NL1036546A1 (nl) * 2008-02-26 2009-08-27 Asml Netherlands Bv Lithographic method to apply a pattern to a substrate and Lithographic Apparatus.
US8260449B2 (en) * 2008-11-06 2012-09-04 Micron Technology, Inc. Photolithography systems and associated methods of overlay error correction
JP5391333B2 (ja) * 2009-06-17 2014-01-15 エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． オーバレイ測定方法、リソグラフィ装置、検査装置、処理装置、及びリソグラフィ処理セル
EP2392970A3 (en) 2010-02-19 2017-08-23 ASML Netherlands BV Method and apparatus for controlling a lithographic apparatus
US8655469B2 (en) 2010-06-14 2014-02-18 Kla-Tencor Corporation Advanced process control optimization
US9927718B2 (en) * 2010-08-03 2018-03-27 Kla-Tencor Corporation Multi-layer overlay metrology target and complimentary overlay metrology measurement systems
NL2009294A (en) * 2011-08-30 2013-03-04 Asml Netherlands Bv Method and apparatus for determining an overlay error.
US10295993B2 (en) 2011-09-01 2019-05-21 Kla-Tencor Corporation Method and system for detecting and correcting problematic advanced process control parameters
KR101967723B1 (ko) * 2012-07-05 2019-04-10 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 리소그래피를 위한 계측법
KR20140039680A (ko) * 2012-09-25 2014-04-02 삼성전자주식회사 오버레이 계측 방법
US9442392B2 (en) 2012-12-17 2016-09-13 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Scanner overlay correction system and method
NL2013210A (en) 2013-08-07 2015-02-10 Asml Netherlands Bv Metrology method and apparatus, lithographic system and device manufacturing method.
US9189705B2 (en) * 2013-08-08 2015-11-17 JSMSW Technology LLC Phase-controlled model-based overlay measurement systems and methods
US9087176B1 (en) 2014-03-06 2015-07-21 Kla-Tencor Corporation Statistical overlay error prediction for feed forward and feedback correction of overlay errors, root cause analysis and process control
KR102287757B1 (ko) 2015-05-26 2021-08-09 삼성전자주식회사 오버레이 교정 데이터를 수정하는 방법
US10691863B2 (en) * 2015-10-19 2020-06-23 Asml Netherlands B.V. Method and apparatus to correct for patterning process error
US10281827B2 (en) * 2016-12-15 2019-05-07 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd Noise reduction for overlay control
CN107045267B (zh) * 2017-03-27 2019-04-05 上海华力微电子有限公司 套刻精度补正的优化方法及系统

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012204833A (ja) * 2011-03-25 2012-10-22 Toshiba Corp オーバーレイ制御方法、半導体製造方法および半導体製造装置
JP2016157877A (ja) 2015-02-25 2016-09-01 株式会社ニコン リソグラフィ装置の管理方法及び装置、並びに露光方法及びシステム

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