JP2010080511A - 露光方法及びデバイス製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】照明光でレチクルRのパターン及び投影光学系を介してウエハを露光する露光方法において、そのパターンを照明領域21RXと同じ大きさの領域を単位として複数の部分領域に分け、各部分領域のパターン密度に対応する情報として各部分領域を透過する照射量を計測して、パターン密度の分布情報を計測する工程と、その分布情報からレチクル透過エリア31efの大きさを求め、この大きさに応じて露光条件を設定する工程と、その設定された露光条件に基づいてウエハを露光する工程と、を含む。
【選択図】図4
Description
このパターンの密度分布による結像特性の変動量の差は僅かであるが、今後、結像特性補正機構を介して結像特性をより高精度に補正するためには、そのような要因も考慮することが好ましい。
図1は、本実施形態に係る露光装置の概略構成を示す。図1において、この露光装置は、アーク放電型の水銀ランプよりなる放電ランプ4と、放電ランプ4から発生する光を集光する楕円鏡4Mと、楕円鏡4Mで集光された光を開閉するシャッタ(不図示)と、シャッタを通過した光から露光用の照明光(露光光)ILを選択する干渉フィルタ6と、照明光ILによりレチクルR(マスク)を照明する照明光学系5とを備えている。さらに、その露光装置は、レチクルRを保持するレチクルステージ22と、レチクルRから射出された照明光ILをフォトレジスト(感光材料)が塗布されたウエハW(物体)上に投射する投影光学系PLと、ウエハWを保持するウエハステージWSTと、装置全体の動作を統括制御するコンピュータよりなる主制御系1と、その他の駆動系等とを備えている。以下、投影光学系PLの光軸AXと平行にZ軸を取り、これに垂直な面内の直交する2方向にX軸及びY軸を取り、X軸、Y軸、及びZ軸に平行な軸の周りの回転(傾斜)方向をそれぞれθx、θy、及びθz方向として説明を行う。
一方、ビームスプリッタ14で反射された照明光は、集光レンズ15を介して光電センサよりなるインテグレータセンサ16に受光される。インテグレータセンサ16の検出信号は露光量制御系3に供給され、露光量制御系3は、その検出信号を用いてレチクルR上及びウエハW上での照明光ILの照射量(露光量)又は照度を間接的に算出する。露光量制御系3は、その算出結果の積算値を主制御系1に供給するとともに、露光中には、主制御系1からの制御情報(照明光ILの照射量、及びウエハ上のフォトレジストのドーズ(設定露光量)等の情報)に基づいて、ウエハW上で適正露光量が得られるように放電ランプ4の発光動作及びシャッタ(不図示)の開閉動作を制御する。ミラー7からメインコンデンサレンズ20までの光学部材を含んで照明光学系5が構成されている。
図2においては、説明の便宜上、投影光学系PL内の光軸AXに沿って配置された多数のレンズエレメントのうちの8枚のレンズ431、432、…、438 のみを図示している。この場合、レンズ431〜438 の一部、例えばレンズ431、432は、それぞれ複数の駆動素子(例えばピエゾ素子など)37によって光軸AX方向(Z方向)、θx方向、及びθy方向に微小駆動可能に構成されている。各駆動素子37に与えられる駆動電圧(駆動素子の駆動量)は、主制御系1からの指令に応じて結像特性制御系36により制御される。
図1に戻り、レチクルRはレチクルステージ22上に吸着保持され、レチクルステージ22はレチクルベース23上でX方向、Y方向、θz方向に微動して、レチクルRの位置及び回転角の微調整を行う。レチクルステージ22の位置は、この上に設けられた移動鏡(不図示)及びレーザ干渉計(不図示)によって計測され、この計測値及び主制御系1からの制御情報に基づいて、ステージ駆動系2は不図示の駆動機構(ボイスコイルモータなど)を介してレチクルステージ22の位置等を制御する。
ウエハステージWSTのXY平面内での位置、及びθx、θy、θz方向の回転角はZチルトステージ25の反射面(又は移動鏡)及びレーザ干渉計(不図示)によって計測され、この計測値及び主制御系1からの制御情報に基づいて、ステージ駆動系2は不図示の駆動機構(リニアモータなど)を介してウエハステージWSTの動作を制御する。
また、照射量センサ40は、全開した露光領域21Wより大きい受光面40aを有し、受光面40aを介して検出される照明光ILの照射量又は照度の情報を含む検出信号は露光量制御系3及び主制御系1の特性演算部に供給される。インテグレータセンサ16及び照射量センサ40の検出信号より露光量制御系3は、インテグレータセンサ16の検出信号からウエハW上の照射量を計算するための係数を求める。さらに、照明領域21R(露光領域21W)を所定の狭い領域に制限して照射量センサ40の検出信号を取り込むことによって、主制御系1の特性演算部はレチクルRのパターンの密度分布情報を求めることができる(詳細後述)。
次にステップ109において、レチクルR上の計測位置(照明領域の位置)が上限に達したかどうかを判定する。計測位置が上限に達していない場合には動作はステップ106に戻り、レチクルブラインド18を駆動して、図3(B)の照明領域21RYのレチクルR上の位置YRiを幅dだけ+Y方向に移動した後、ステップ107及び108を実行する。このようにして、照明領域21RYの位置YRiがパターン領域31の+Y方向の端部の上限Y2に達するまでステップ106〜109が繰り返される。
次にステップ109において、レチクルR上の計測位置(照明領域の位置)が上限に達したかどうかを判定する。計測位置が上限に達していない場合には動作はステップ106に戻り、レチクルブラインド18を駆動して、図4(B)の照明領域21RXの位置XRiを幅dだけ+X方向に移動した後、ステップ107及び108を実行する。このようにして、照明領域21RXの位置XRiがパターン領域31の+X方向の端部の上限X2に達するまでステップ106〜109が繰り返される。そして、照明領域21RXの位置が上限X2に達したときに、動作はステップ109からステップ110に移行して、主制御系1の特性演算部は、ステップ108で記憶した計測結果を用いてレチクルRのパターン領域31内で、透過パターンの割合(密度)に対応する照射量PYi,PXiが所定の基準値よりも大きくなる領域であるレチクル透過エリア31efを求める。
同様に、図4(B)の折れ線46Xから照射量PXiの平均値Pave を求め、その平均値Pave に係数αを掛けて閾値Pthr(=α×Pave)を算出する。そして、照射量PXiが最初に閾値Pthr 以上になるときの位置XRiであるXmin と、照射量PYiが最後に閾値Pthr より小さくなるときの位置XRiであるXmax との差分を次のようにレチクル透過エリア31efのX方向の幅xとする。
また、一例として、図1の投影光学系PLのレチクル側の最大の視野に内接するときの照明領域21Rを基準照明領域として、この基準照明領域のX方向の幅x0及びY方向の幅y0の平均値(=(x0+y0)/2)をその基準照明領域の大きさとみなす。また、図4(B)のパターン領域31を覆うように設定される照明領域21R(通常は基準照明領域よりも小さい)のX方向の幅x1(≦x0)及びY方向の幅y1(≦y0)の平均値を照明領域21Rの大きさとみなし、レチクル透過エリア31efのX方向及びY方向の幅の平均値(=(x+y)/2)をレチクル透過エリア31efの大きさとみなす。そして、特性演算部は、レチクル透過エリア31efの大きさと照明領域21Rの大きさとを比較し、より小さい領域としてレチクル透過エリア31efを選択する(ステップ111)。
S0m:レチクル透過エリア31efが基準照明領域と同じ大きさである場合の飽和値
a2m:2次成分の係数[/(W・mm2)]
a1m:1次成分の係数[/(W・mm2)]
2次成分の係数a2mによって、飽和値Smは図5(A)の実線の曲線51Aのように変化し、1次成分の係数a1m(例えば負の値)によって、飽和値Smは図5(A)の点線の直線51Bのように変化する。一例として、飽和値Smは、レチクル透過エリア31efの大きさ((x+y)/2)が小さくなるほど大きくなる。
なお、Pmesuは、インテグレータセンサ16で計測されるウエハ上での照明光ILの照度であり、Tdmは、予め記憶されているm成分(m=A,B,C)の時定数である。また、実際には、変動量Magは、例えば3つのm成分SA,SB,SCの加重平均で表されるとともに、照明光ILの照射が中断した場合にexp(−t/Tdm)に比例して減少する成分が加算されるが、以下では説明を簡単にするため変動量Magを式(3)で表すものとする。
β=β×(1+Mag)×(1+Δβ) …(4)
この場合、変動量Magはその絶対値が例えば1ppm程度以下の小さい量であるため、投影倍率の補正量Δβは、近似的に次のようになる。
従って、結像特性補正装置39では、式(5)の補正量Δβだけ投影光学系PLの投影倍率を補正する。その後、ステップ116において未露光のショット領域がある場合には、ステップ114及び115が繰り返される。そして、ウエハ上の全部のショット領域への露光が終了したときに、ウエハのウエハのアンロードが行われる(ステップ117)。その後、1ロットの全部のウエハへの露光が終了するまで、ステップ113〜117の動作が繰り返され、1ロットのウエハへの露光が終了したときに、露光工程が終了する。
(1)本実施形態の露光装置による露光方法は、照明光ILでレチクルRのパターン領域31内のパターン及び投影光学系PLを介してウエハWを露光する露光方法において、そのパターンを幅dの複数の部分領域に分け、各部分領域のパターン密度情報に対応する照射量PYi,PXiを計測し、その照射量の分布を計測するステップ106〜109と、その照射量の分布からレチクル透過エリア31efの大きさを求め、この大きさに応じて倍率の変動量Magを表す飽和値Sm(露光条件)を設定するステップ111,112と、その設定された飽和値Smに基づいて倍率を補正しながら照明光ILでそのパターン及び投影光学系PLを介してウエハWを露光するステップ113〜116とを含んでいる。
(2)また、そのパターン密度情報は、レチクルR上の幅dの各部分領域内の透過パターンの割合に対応する照射量PYi,PXiであるため、露光装置に備えられている照射量センサ40を用いて容易に計測できる。また、照射量PYi,PXiが閾値Pthr を超える部分領域で囲まれる領域をレチクル透過エリア31efとみなし、レチクル透過エリア31efの大きさ(X方向、Y方向の幅の平均値)に応じて飽和値Smを設定しているため、簡単な計算で飽和値Smを設定できる。
なお、本実施形態では、レチクルブラインド18を駆動して照明領域21RY,21RXをレチクルRに対して相対移動しているが、レチクルステージ22の移動量に余裕がある場合には、照明領域21RY,21RXに対してレチクルR側を移動して照射量を計測してもよい。
次に、本発明の実施形態の他の例を図7及び図8を参照して説明する。本実施形態で使用する露光装置は、図1の露光装置と同じであるが、照明光ILの照射熱による結像特性の変動量を補正するための動作が異なっている。
主制御系1の特性演算部は、一例として、図7(A)に示すように、ドーズがDOS1及びDOS2(>DOS1)のときに予め実測してある飽和値SmをそれぞれSma及びSmb(<Sma)として、ドーズがdxのときの飽和値Smxは、例えば次式の直線補間によって計算してもよい。
この実施形態において、例えば或るドーズに対して露光時間tに伴って倍率の変動量Magが図7(B)の実線の曲線53Aに示すように変化する場合、ドーズが小さくなると、飽和値Magが大きくなるため、倍率の変動量Magは点線の曲線53Bに示すように大きくなる。
一例として、主制御系1の特性演算部は、図8(A)に示すように、エネルギーリミットElim をドーズDOSが増加したときに増加するように設定する。このとき、飽和値Smが図7(A)に示すようにドーズDOSが増加したときに減少する場合、図8(B)に示すように、エネルギーリミットElim は飽和値Smが増加したときに減少するように設定される。なお、飽和値Smが最小値S0mのときのエネルギーリミットElim をE0 とすると、ドーズDOSに対してエネルギーリミットElim は次のように設定してもよい。
このとき、図6のステップ113〜118のように露光を継続しているときに、図8(C)に示すように、露光時間tが時刻t1に達したときにそれまでの積算露光量Eが上記のエネルギーリミットElim に達した場合、倍率の変動量Magがそれ以上大きくなることを抑制するために、露光が一時的に中断される。なお、この場合でも図2の結像特性補正装置39によって投影像の倍率は目標値であるβに維持されている。その後、投影光学系PLが冷却されて倍率の変動量Magが所定レベルまで低下したと予測されるときに露光が再開され、以後、変動量Magを抑制するように露光の中断と再開とが繰り返される。
なお、上記の実施形態では、結像特性として倍率誤差を考慮しているが、その他に結像特性としてディストーション、いわゆるC字ディストーション、コマ収差、フォーカス位置、非点収差、像面湾曲、球面収差、波面収差及び/又は偏光特性等を考慮してもよい。
また、上記の実施形態の露光方法(露光装置)を用いて半導体デバイス等の電子デバイス(又はマイクロデバイス)を製造する場合、電子デバイスは、図9に示すように、電子デバイスの機能・性能設計を行うステップ221、この設計ステップに基づいたレチクル(マスク)を製作するステップ222、デバイスの基材である基板(ウエハ)を製造してレジストを塗布するステップ223、前述した実施形態の露光方法によりレチクルのパターンを基板(感光基板)に露光する工程、露光した基板を現像する工程、現像した基板の加熱(キュア)及びエッチング工程などを含む基板処理ステップ224、デバイス組み立てステップ(ダイシング工程、ボンディング工程、パッケージ工程などの加工プロセスを含む)225、並びに検査ステップ226等を経て製造される。
Claims (9)
- 露光光でパターンを照明し、前記露光光で前記パターン及び投影光学系を介して物体を露光する露光方法において、
前記パターンを複数の領域に分け、各領域のパターン密度情報を計測し、前記パターンの密度分布情報を計測する工程と、
前記パターンの密度分布情報に応じて露光条件を設定する工程と、
前記設定された露光条件に基づいて前記露光光で前記パターン及び前記投影光学系を介して物体を露光する工程と、
を含むことを特徴とする露光方法。 - 前記パターン密度情報は、前記領域中の前記露光光を通過させるパターンの割合を示し、
前記露光条件を設定する工程は、前記パターン密度情報が基準値を超える前記領域に応じて前記露光条件を設定することを特徴とする請求項1に記載の露光方法。 - 前記パターンの密度分布を計測する工程は、
可変視野絞りを用いて前記露光光による前記パターン上の照明領域を所定領域に制限し、前記所定領域と前記パターンとを相対移動しつつ、前記パターン及び前記投影光学系を通過した前記露光光の光量を計測することを特徴とする請求項2又は請求項3に記載の露光方法。 - 前記パターンは、直交する第1及び第2方向にそれぞれ第1の長さ及び第2の長さを持ち、
前記パターンの密度分布を計測する工程は、
前記所定領域を前記第1方向に前記第1の長さを持つスリット状の領域として、前記所定領域と前記パターンとを前記第2方向に相対移動しつつ前記露光光の光量を計測する工程と、
前記所定領域を前記第2方向に前記第2の長さを持つスリット状の領域として、前記所定領域と前記パターンとを前記第1方向に相対移動しつつ前記露光光の光量を計測する工程と、を含むことを特徴とする請求項3に記載の露光方法。 - 露光条件を設定する工程は、
前記パターンの密度分布情報及び前記物体に対する設定露光量に応じて露光条件を設定することを特徴とする請求項1から請求項4のいずれか一項に記載の露光方法。 - 前記露光条件は、前記露光光の照射による前記投影光学系の結像特性の変動量を予測するためのパラメータを含み、
前記物体を露光する工程は、前記パラメータを用いて予測される前記投影光学系の結像特性の変動を補正する工程を含むことを特徴とする請求項1から請求項5のいずれか一項に記載の露光方法。 - 前記露光条件は、前記露光光の照射による前記投影光学系の結像特性の変動量を抑制するための許容積算露光量の情報を含み、
前記物体を露光する工程は、積算露光量が前記許容積算露光量に達したときに、露光を中断する工程を含むことを特徴とする請求項1から請求項6のいずれか一項に記載の露光方法。 - 前記物体に対する設定露光量が多いほど、前記許容積算露光量を大きく設定することを特徴とする請求項7に記載の露光方法。
- 請求項1から請求項8のいずれか一項に記載の露光方法を用いて基板上に感光層のパターンを形成することと、
前記パターンが形成された基板を処理することと、を含むデバイス製造方法。
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JP2013008967A (ja) * | 2011-06-22 | 2013-01-10 | Asml Netherlands Bv | 光源と画像の安定性を確保するシステム及び方法 |
US8507160B2 (en) | 2011-02-04 | 2013-08-13 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Flare prediction method, photomask manufacturing method, semiconductor device manufacturing method, and computer-readable medium |
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- 2008-09-24 JP JP2008244342A patent/JP2010080511A/ja active Pending
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