JP2010080512A - 露光方法及びデバイス製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】照明光でレチクルRのパターン及び投影光学系を介してウエハを露光する露光方法において、レチクルR上の倍率校正マーク40A〜40Dの像位置を計測してレチクルの伸縮量を計測するステップと、レチクルR上の倍率校正マーク40A〜40D及び倍率評価点41A,41BにおけるレチクルRの伸縮量を予測するステップと、それらの伸縮量の例えば平均値を相殺するように投影倍率を補正するステップとを含む。
【選択図】図3
Description
図1は、本実施形態に係る露光装置の概略構成を示す。図1において、この露光装置は、露光用の光源6と、光源6からの露光用の照明光(露光光)ILによりレチクルR(マスク)を照明する照明光学系5と、レチクルRを保持するレチクルステージ22と、レチクルRから射出された照明光ILをフォトレジスト(感光材料)が塗布されたウエハW(物体)上に投射する投影光学系PLと、ウエハWを保持するウエハステージWSTと、装置全体の動作を統括制御するコンピュータよりなる主制御系1と、その他の駆動系等とを備えている。以下、投影光学系PLの光軸AXと平行にZ軸を取り、これに垂直な面内でレチクルとウエハとが相対走査される走査方向にY軸を、Z軸及びY軸に直交する非走査方向にX軸を取り、X軸、Y軸、及びZ軸に平行な軸の周りの回転(傾斜)方向をそれぞれθx、θy、及びθz方向として説明を行う。
露光時に光源6からパルス発光された照明光ILは、ミラー7、不図示のビーム整形光学系、第1レンズ8A、ミラー9、及び第2レンズ8Bを経て断面形状が所定形状に整形されて、フライアイレンズ10(オプティカルインテグレータ)に入射して、照度分布が均一化される。フライアイレンズ10の射出面(照明光学系5の瞳面)には、通常照明用の開口絞り13A、4極照明用の開口絞り13B、輪帯照明用の開口絞り13C、及び小さいコヒーレンスファクタ(小σ照明)用の開口絞り13D等が周囲に配置された照明系開口絞り部材11が、駆動モータ12によって回転可能に配置されている。照明系開口絞り部材11を回転して、所望の開口絞りを照明光ILの光路上に設置することによって、照明条件が設定される。
図2は、レチクルRのパターン面上の倍率校正マーク40B(図3(A)参照)の像の位置を空間像計測系29で計測している状態を示す。また、図2においては、説明の便宜上、投影光学系PL内の光軸AXに沿って配置された多数のレンズエレメントのうちの8枚のレンズ431、432、…、438 のみを図示している。この場合、レンズ431〜438 の一部、例えばレンズ431、432は、それぞれ複数の駆動素子(例えばピエゾ素子など)37によって光軸AX方向(Z方向)、θx方向、及びθy方向に微小駆動可能に構成されている。各駆動素子37に与えられる駆動電圧(駆動素子の駆動量)は、主制御系1からの指令に応じて結像特性制御系36により制御される。
図1に戻り、レチクルRはレチクルステージ22上に吸着保持され、レチクルステージ22はレチクルベース23上でY方向に一定速度で移動すると共に、同期誤差を補正するようにX方向、Y方向、θz方向に微動して、レチクルRの走査を行う。レチクルステージ22の位置は、この上に設けられた移動鏡(不図示)及びレーザ干渉計(不図示)によって計測され、この計測値及び主制御系1からの制御情報に基づいて、ステージ駆動系2は不図示の駆動機構(リニアモータなど)を介してレチクルステージ22の位置及び速度を制御する。
Zチルトステージ25は、図2に示すように、3つのZ位置駆動部35A,35B,35CによってXYステージ26上に3点で支持されている。これらのZ位置駆動部35A〜35Cの駆動によって、Zチルトステージ25(ウエハW)の光軸AX方向の位置、及びθx方向、θy方向の回転角を制御する。更に、照射系28a及び受光系28bから成る、例えば特開平6−283403号公報(対応する米国特許第5,448,332号明細書)等に開示されるものと同様の構成の斜入射方式の多点のオートフォーカスセンサ(以下、AFセンサと略述する)28が設けられている。受光系28bの検出信号を不図示の信号処理部で処理することで、被検面(例えばウエハWの表面)の投影光学系PLの像面に対するZ方向へのデフォーカス量、及びθx、θy方向の傾斜角が求められて、ステージ駆動系2及び主制御系1に供給される。
ウエハステージWSTのXY平面内での位置、及びθx、θy、θz方向の回転角はZチルトステージ25の反射面(又は移動鏡)及びレーザ干渉計(不図示)によって計測され、この計測値及び主制御系1からの制御情報に基づいて、ステージ駆動系2は不図示の駆動機構(リニアモータなど)を介してウエハステージWSTの動作を制御する。
図3(A)は、図1のレチクルステージ22の照明光を通すための開口22aを覆うようにレチクルステージ22上に吸着保持されたレチクルRを示す平面図である。図3(A)において、レチクルRの矩形の枠状の遮光帯31aで囲まれたパターン領域31内に転写用の回路パターンが形成されている。パターン領域31の中心RCを通りX軸に平行な直線に沿って、パターン領域31を挟むように2次元のアライメントマーク32A,32Bが形成されている。また、パターン領域31を+Y方向側及び−Y方向側でX方向に挟むように、2次元マークよりなる倍率校正マーク40A,40B,40C,40Dが形成されている。なお、倍率校正マーク40A〜40Dの近傍にそれぞれ同じ形状の複数(図3(A)では2個)の倍率校正マークが形成されている。どの倍率校正マークを計測対象としてもよいが、以下では中心RCからの距離の初期値が共通のd2の倍率校正マーク40A〜40Dを計測対象とする。倍率校正マーク40A,40B(又は40C,40D)のX方向の間隔の初期値をX2、倍率校正マーク40A,40C(又は40B,40D)のY方向の間隔の初期値をY2とする。
本実施形態において、照明領域21Rに対してレチクルRのパターン領域31を+Y方向及び−Y方向に交互に走査して露光を時間tだけ継続すると、照明光の照射熱によって、図3(B)に示すようにレチクルR及びパターン領域31が次第に伸張(膨張)する。なお、レチクルRに対する照明光の照度は一定であるため、時間tによって実質的にレチクルRに対する照明光の照射熱の積算値が表されている。従って、時間tの代わりに図1のインテグレータセンサ16で計測される照明光ILの照射エネルギー(露光量)の積算値を用いることも可能である。
MEXP_Calc(t)=d1t/d1−1 …(1B)
この場合、主制御系1内の特性演算部は、時間t[sec ]経過後の倍率校正マーク40A〜40Dの位置におけるレチクル伸縮MVRA_Calc(t)[ppm]の値を次式から計算(予測)できる。
Δt :レチクル伸縮の計算の間隔[sec]、
PR :レチクル面上の単位時間当たりの照射量[W]、
SR_n:レチクル伸縮の飽和値の第n成分(n=A,B,C)[/W]、
TR_n:レチクル伸縮の時定数の第n成分(n=A,B,C)[sec]、
rR :レチクル反射率、
η :レチクル透過率
また、第n成分(n=A,B,C)のA,B,Cはそれぞれ長期、中期、及び短期の変動成分を表している。これらのパラメータ等は記憶部1aに記憶されている。
なお、レチクル伸縮MEXP_Calc(t)も式(2)と同様の計算式を用いて計算してもよい。
また、図3(B)の倍率校正マーク40A,40BのX方向の間隔をX2t、倍率校正マーク40A,40CのY方向の間隔をY2t、倍率評価点41A,41BのX方向の間隔をX1tとすると、倍率校正マーク40A〜40Dの位置におけるX方向のレチクル伸縮MXVRA_Calc(t)、Y方向のレチクル伸縮MYVRA_Calc(t)、及び倍率評価点41A,41Bの位置におけるX方向のレチクル伸縮MXEXP_Calc(t)はそれぞれ以下のようになる。
MYVRA_Calc(t)=Y2t/Y2−1 …(4B)
MXEXP_Calc(t)=X1t/X1−1=MEXP_Calc(t) …(4C)
本実施形態では、照明領域21RはX方向に細長いため、一例として後述のレチクル伸縮による投影像の倍率の変動を補正する際に、X方向のレチクル伸縮MXVRA_Calc(t)を式(2)のレチクル伸縮MVRA_Calc(t)と同じとみなすものとする。
Mx=β(1+Δβ) …(5)
この場合、図3(A)のレチクルRの倍率校正マーク40A〜40Dの位置におけるレチクル伸縮MVRA_Calc(t)を相殺するための投影倍率Mxの補正量Δβは、次のようになる。
なお、Δβはその絶対値が1よりも非常に小さい(|Δβ|≪1)ため、補正量Δβは近似的に次のようにレチクル伸縮の符号を反転した値であればよい。また、投影光学系PLのY方向の投影倍率Myは、例えば倍率校正マーク40A〜40Dの位置におけるレチクル伸縮を補正するための値に設定してもよい。
ただし、本実施形態では、レチクルRのパターン領域31中で投影像の倍率を目標とする倍率に高精度に合わせることが求められる領域でもある特性管理領域を任意に設定可能であるため、その特性管理領域の選択によって投影倍率の補正量Δβは変化する。
以下、図1の露光装置を用いてレチクル伸縮による倍率誤差を補正しながら、複数ロットのウエハに順次露光を行う場合の動作の一例につき図6のフローチャートを参照して説明する。この動作は主制御系1によって制御される。また、一例として、特性管理領域をレチクルRの中心RCからの距離dが距離d1及びd2の平均値となり、X軸に平行な直線上にある2点を結ぶ領域であるとする。
このレチクル伸縮を用いて、特性演算部は、その特性管理領域の像のX方向の幅を目標値に設定するための投影光学系PLのX方向の投影倍率Mxの式(5)の補正量Δβを次式から計算する。
Δβ=−MCOR(t) …(9)
その後、結像特性補正装置39では、式(9)の補正量Δβだけ投影光学系PLのX方向の投影倍率Mxを補正する(ステップ106)。
なお、ステップ105における倍率の変動量の予測及びステップ106の投影倍率の補正は、例えば1枚のウエハ中の各ショット領域の露光毎に、又は複数のショット領域の露光毎に行ってもよい。
その後、1ロットの全部のウエハへの露光が終了するまで、ステップ104〜106の動作が繰り返され、1ロットのウエハへの露光が終了したときに、動作はステップ107からステップ108に移行する。
この後は、式(2)にオフセットΔMxa(t1)を加算した値をレチクル伸縮MVRA_Calc(t) の計算値とする。また、式(2)にオフセットΔMxa(t1)を加算した値を式(3)に代入して計算される倍率評価点41A,41Bにおけるレチクル伸縮MEXP_Calc(t1)とその前のレチクル伸縮MEXP_Calc(t1)との差分から、倍率評価点41A,41Bにおけるレチクル伸縮のオフセットΔMxb(t1)を計算する。さらに、レチクルRの特性管理領域の両端部でのレチクル伸縮である補正対象のレチクル伸縮MCOR(t1)のオフセットΔMx1は、次のように2つのオフセットΔMXa(t1)及びΔMXb(t1)の平均値で近似できる。
このレチクル伸縮を用いて、特性演算部は、その特性管理領域の像のX方向の幅を目標値に設定するための投影光学系PLのX方向の投影倍率Mxの式(5)の補正量ΔβのオフセットΔβcを次式から計算する。
Δβc=−ΔMx1 …(12)
その後、結像特性補正装置39では、式(12)のオフセットΔβcだけ投影光学系PLの投影倍率Mxを補正する(ステップ111)。その後、動作はステップ104に移行して、次の1ロットのウエハの露光が行われる。
(1)本実施形態の露光装置による露光方法は、照明光ILでレチクルRのパターン及び投影光学系PLを介してウエハWを露光する露光方法において、レチクルR上の倍率校正マーク40A〜40D及び倍率評価点41A,41Bの位置におけるレチクル伸縮の変動量を予測するステップ105と、それら2組の評価点におけるレチクル伸縮の変動量の平均値を相殺するように投影光学系PLの投影倍率を補正するステップ106とを含んでいる。
(2)なお、本実施形態では、2組の評価点におけるレチクル伸縮を予測しているが、さらに例えば図3(A)の倍率評価点41C,41D等を含む3組以上の評価点におけるレチクル伸縮を予測してもよい。
(3)また、例えば図3(A)の倍率評価点41A,41Bにおけるレチクル伸縮の変動量を相殺するように投影倍率を補正してもよい。または、倍率評価点41A,41B及び41C,41Dにおけるレチクル伸縮の変動量の平均値を相殺するように投影倍率を補正してもよい。
(5)また、本実施形態では倍率校正マーク40A〜40Dの像の位置を空間像計測系29を介して計測しているが、ステップ102及び109において、倍率校正マーク40A〜40Dの位置をレチクルアライメント系34A,34Bによって直接に計測してもよい。この場合には、ステップ109で計測される位置の間隔をステップ102で計測される位置の間隔で割ることによって、レチクル伸縮の変動量を直接に計測できる。
また、本発明は、半導体デバイス製造用の露光装置への適用に限定されることなく、例えば、角型のガラスプレートに形成される液晶表示素子、若しくはプラズマディスプレイ等のディスプレイ装置用の露光装置や、撮像素子(CCD等)、マイクロマシーン、薄膜磁気ヘッド、MEMS(Microelectromechanical Systems)、及びDNAチップ等の各種デバイスを製造するための露光装置にも広く適用できる。更に、本発明は、各種デバイスのマスクパターンが形成されたマスク(フォトマスク、レチクル等)をフォトリソグラフィ工程を用いて製造する際の露光工程にも適用することができる。
Claims (12)
- 露光光でマスクのパターンを照明し、前記露光光で前記パターン及び投影光学系を介して物体を露光する露光方法において、
前記マスク上の複数組の評価点における光学特性の変動量を予測する工程と、
前記複数組のうちから選択された組の評価点における前記光学特性の変動量に応じて前記投影光学系の結像特性を補正する工程と、
を含むことを特徴とする露光方法。 - 前記複数組のうちから選択された2組の評価点における前記光学特性の変動量の加重平均に応じて前記投影光学系の結像特性を補正することを特徴とする請求項1に記載の露光方法。
- 前記選択された2組の評価点における前記光学特性の変動量の平均値に応じて前記投影光学系の結像特性を補正することを特徴とする請求項2に記載の露光方法。
- 前記複数組のうちから選択された所定の1組の評価点における前記光学特性の変動量に応じて前記投影光学系の結像特性を補正することを特徴とする請求項1に記載の露光方法。
- 前記予測される光学特性の変動量は前記マスクの伸縮量であり、
前記補正される結像特性は前記投影光学系の倍率であることを特徴とする請求項1から請求項4のいずれか一項に記載の露光方法。 - 前記複数組の評価点のうち第1組の評価点は前記パターンの外側に配置され、第2組の評価点は前記パターンの内部に配置されることを特徴とする請求項5に記載の露光方法。
- 前記第2組の評価点の位置は、前記物体上の露光レイヤによって異なることを特徴とする請求項6に記載の露光方法。
- 前記第1組の評価点上の前記マスクに第1の評価用パターンが形成され、
前記第1の評価用パターンの位置情報を計測し、該計測結果より前記第1組の評価点における前記マスクの伸縮量を求める工程を含むことを特徴とする請求項6又は請求項7に記載の露光方法。 - 前記第2組の評価点上の前記マスクに第2の評価用パターンが形成され、
前記物体上に露光された前記第2の評価用パターンの像の位置情報を計測し、該計測結果より前記第2組の評価点における前記マスクの伸縮量を求める工程を含むことを特徴とする請求項6から請求項8のいずれか一項に記載の露光方法。 - 前記予測される光学特性の変動量は前記パターンの像のフォーカス位置の変動量であり、
前記補正される結像特性は前記投影光学系の像のフォーカス位置であることを特徴とする請求項1から請求項4のいずれか一項に記載の露光方法。 - 前記投影光学系の像のフォーカス位置を補正するために、前記マスク及び前記物体の少なくとも一方の前記投影光学系の光軸方向の位置を補正することを特徴とする請求項10に記載の露光方法。
- 請求項1から請求項11のいずれか一項に記載の露光方法を用いて基板上に感光層のパターンを形成することと、
前記パターンが形成された基板を処理することと、を含むデバイス製造方法。
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