JP2854551B2 - 露光マスクの製造方法 - Google Patents
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Description
関し、特に欠陥検査装置及びパターン補償式を用いて露
光パターンのパターン充実度を一括的に補償することに
より、高集積素子の作製に適した露光マスクの製造方法
に関する。
趨勢は半導体装置の製造工程の中でのエッチング又は、
イオン注入工程等に用いるマスクに非常に幅広く用いら
れている感光膜パターンの微細パターン形成技術の発展
に大きな影響を受けている。
装置(stepper)の光分解能を向上させるために
光源の波長の短縮化が図られている。
小露光装置は工程分解能が約0.5μm程度であり、約
248nmのKrFレーザや、約193nmのArFレ
ーザを光源に用いる縮小露光装置は、ライン/スペース
パターンの場合に約0.30μm程度のパターン分解も
可能である。
うな高集積素子は、パターンデザインルール(desi
gn rule)が小さいので実際設計された露光マス
クのレイアウトパターンイメージをウェーハ上の感光膜
(photoresist)に形成することが困難であ
る。
に形成されたクロムパターンの間のスリット間隔を通過
する時、そのスペースの大きさ、態様等により回折(D
iffraction)程度が異なり、ウェーハ上の不
均一なトポロジによっても周辺のパターンに影響を与え
るためである。
密集している高集積素の製造では一層深刻に現われる。
きさにより形成されるパターンの臨界大きさ(crit
ical dimension:CD)が同様なパター
ン大きさの間でも差が生じるので工程歩留り及び素子の
信頼性を損なうことになる。
る露光マスクは隣接するパターン等の間の回折(Dif
fraction)効果(又は、近接効果(proxi
mity effect)によりパターンの大きさの差
が発生する。
中において、同一露光マスクでもパターン密集地域とパ
ターン希少地域の臨界大きさが約0.1μm程度の差を
現す。
tiple level effect)で諸般条件等
(systematic conditions)即ち
積層膜等の間の反射(reflection)の差及び
トポロジ変化等、積層膜等の間の条件差に基づきノッチ
ング(notching)等のようなパターン不良を誘
発する。
内のイメージシステム(imaging syste
m)等の間の不均衡、例えばレンズ歪曲(Lens D
istortion)等のような諸般依存効果(Fie
ld dependent effect)によりパタ
ーンが全体的に不均衡になる。
elopment)の差又は、P.E.B(post
exposure bake)熱処理の不均一性等によ
り形成されたパターンの大きさ及び態様の差が現われ
る。
様及び大きさと、ウェーハのトポロジ段差及び積層膜等
の間の相互関係により臨界大きさに差が発生する。
程中に生じる臨界大きさの差の程度が微小なので、露光
マスクのパターン補正をすることなく使用可能である
が、0.5μm以下の微細パターンでは補正が絶対必要
となる。
マスクの製造方法を説明すると次の通りである。
図である。
すように、先ずデザインルールによる設計図面の通り形
成された光遮断膜パターンを有する第1露光マスクを作
製する(ステップ101、102)。
露光マスクを用いて5:1縮小露光装置でパターンイメ
ージを露光しウェーハパターン(不図示)を形成する
(ステップ104)。
いて活性領域を定義するためのウェーハパターンの特定
部位の値(不図示)、例えばパターンのラウンド径
(d′1,d′2 …)とパターン幅(r′1 ,r′2
…)を手作業で測定する。
ターンの大きさと相互比較して(ステップ105)、差
が生じる一部分の大きさを修正する(ステップ10
6)。
計図を修正して新しい第2露光マスク(不図示)を作製
使用する(ステップ107、108)。
光マスクの製造方法においては次のような問題点等があ
る。
所部分的補償法を用いるので、近接効果等の一部の特殊
効果による臨界大きさの差のみを手作業により得ること
ができるにすぎない。
ては256M DRAM等のような約0.5μm以下の
デザインルールを有する素子では素子の殆ど全領域、例
えば一辺の長さが約15〜25mmである素子全体の補
正が手作業では不可能である。
いては素子の一部分についてのみ大きさ補正を行うこと
になるので、素子の高集積化の難しさは勿論、素子動作
の信頼性及び工程収率が下がる問題点がある。
されたものであり、本発明は工程欠陥検査装置及び補償
式を用いて近接効果等によるパターンの臨界大きさの差
を補償し、露光マスクを作製することにより素子動作の
信頼性及び工程収率を向上させることは勿論、素子の高
集積化に適した露光マスクの製造方法を提供することに
その目的がある。
の本発明による露光マスクの製造方法は、ウェーハ上に
デザインルールに従い光遮断膜パターンが作製された第
1露光マスクを用いてパターンを形成する段階と、ウェ
ーハ上のパターンの大きさを工程欠陥検査装置で測定し
て得られた測定データをデータ比較装置に伝送する段階
と、測定データを光遮断膜パターンの大きさと比較して
光遮断膜パターンの臨界大きさの値と差を現す部分を検
出する段階と、補償式を用いて臨界大きさの変化が測定
される部分の光遮断膜パターンの補正値を決定する段階
と、補償値を用いて第2露光マスクを形成する段階を含
んでなることを特徴とする。
露光マスクの製造方法を添付図を参照して詳細に説明す
る。
形態による露光マスクの製造工程レイアウト図であり、
図3は、本実施形態による露光マスクの製造工程順の図
である。
に示すように、先ずデザインルールに従う設計図の通り
形成した光遮断膜パターン1を有する第1露光マスク2
を作製する(ステップ301、302)。
ェーハ(不図示)上に第1露光マスク2を用いて5:1
縮小露光装置でパターンイメージを露光してパターン3
を形成する(ステップ303)。
は、感光膜パターンを用いてエッチングされたエッチパ
ターンで形成する。
ラウンド径(R′1 ,R′2 …)とパターン幅(D′1
,D′2 …)の検査が容易になるよう薄肉、例えば約
0.5μm以下の肉厚で形成することが好ましい。
CD−SEM、電子ビーム(electron bea
m)或は光学的(optical)光を光源に用いる工
程欠陥検査装置(Process Defect In
spection System)306を用いてパタ
ーン3を検査するものである(ステップ304)。
ターン比較方式又は、パターンデータベース対パターン
比較方式を用いる。
パターンの間の大きさの比較が可能である。
上の全ての台(チップ)に亘りジグザグに検査を行う反
面、この工程欠陥検査装置は工程欠陥のない端正な一つ
のチップのみを選定して検査する。
たパターン3でパターン大きさ及び態様の差が大きいも
のと予想される部分を指定して検査を行う。
プを検査してパターンの間の臨界大きさの差が、設計パ
ターンのデータベース上の臨界大きさの値より少なくと
も約±5%以上である時を工程欠陥として検出されるよ
うにする。
位置及び大きさのデータ値を工程欠陥検査装置内のデー
タ比較装置に伝送する。
ターン(Inspection pattern)を光
遮断膜パターン1と一対一でパターンの大きさを相互比
較してパターンの拡大又は、縮小された部分を分類す
る。
した各部位の欠陥をデータ化して、測定位置とパターン
変化大きさを磁気メモリ装置に貯蔵する(ステップ30
5、308)。
程(ステップ309)とパターン認識の正確度を分析す
る過程を介してレイアウト数値の補正値を最終的に計算
する(ステップ307)。
2上の光遮断膜パターン1のデータを修正し、データを
基準として第2露光マスクを作製する(ステップ31
0、311)。
明すると、次の通りである。
造工程の際のパターン大きさ検査方法を説明するための
レイアウト図である。
置のセンサがジグザグに移動しながらパターンチップ内
に存在する欠陥を比較する。
は、エッチパターンとそのパターンに隣接したパターン
とを相互比較したり又は、一つ一つのパターンイメージ
を別途のメモリ装置に貯蔵された設計図データと大きさ
を相互比較する方法を用いる。
1露光マスクに形成された光遮断膜パターンの臨界大き
さも縮小して比較する。
により全て異なるのでパターンのラウンディング効果に
よるラウンディング径rn とパターン幅dn の変化は、
二つの比較方法を選択的に用いて測定する。
る場合、(nは検査パターン数)マスクに必要な補正値
をそれぞれδrn 及びδdn とすると、
タベース対パターン比較方式を用いる場合、
補正値は、
ation factor)であり、その範囲は約0.
8〜1.5程度の値を有する。
る場合は露光の際、検査が不要な部分に対してはパター
ンが形成されないようにすることも可能である。
erration)や歪曲及び誤整列によるノッチング
(notching)また、誤形成されたパターンを補
正するため、パターン形成の際に倍率常数Kが約1〜
1.5程度になるよう過露光又は、アンダー露光して臨
界大きさの値が約±5%以下に差が生じるパターンに対
しても検査を行うことができる。
ails)形成が予想されるパターンにも有用に用いる
ことができる。
光マスクの製造方法においては次のような効果がある。
ては、工程欠陥検査装置及び補償式によりパターン等の
間の大きさ数値を検査比較して得られる補正値を用いて
第1露光マスクのパターンを補償することにより、設計
図の通りウェーハ上に正確な感光膜パターンを形成する
ことができる近接効果補正用露光マスクの作製が容易で
ある。
法においては既に用いられる工程欠陥検査装置を用いる
ので、露光マスクの作製に必要な費用及び時間労力が軽
減され、素子動作の信頼性及び工程収率を向上させるこ
とができる。
法においては補償式を用いてパターン等の間の微細な大
きさの差も補正が可能のため素子の高集積化に適切であ
る。
スクの製造工程レイアウト図。
程順の図。
程の際にパターン大きさ検査方法を説明するためのレイ
アウト図。
ーン、4…第2露光マスク、D1 ,D2 …パターン幅
(光遮断膜パターン)、D1 ′,D2 ′,d1-n…パタ
ーン幅(パターン)、R1 ,R2 …ラウンド径(光遮断
膜パターン)、R1 ′R2 ′,r1-n …ラウンド径(パ
ターン)
Claims (7)
- 【請求項1】 ウェーハ上にデザインルールに従い光遮
断膜パターンが作製された第1露光マスクを用いてパタ
ーンを形成する段階; 前記ウェーハ上のパターンの大きさを工程欠陥検査装置
で測定して得られた測定データを、この工程欠陥検査装
置内に設けられたデータ比較装置に伝送する段階; 前記測定データを前記光遮断膜パターンの大きさと比較
して光遮断膜パターンの臨界大きさの値と差を現す部分
を検出する段階; 補償式を用いて前記臨界大きさの変化が測定される部分
の光遮断膜パターンの補正値を決定する段階; 前記補正値を用いて第2露光マスクを形成する段階;を
含み、 前記補正値の決定には、パターン対パターン比較方式を
用い、設計上、同じ大きさのn個パターン数の検査の際
に各パターンのラウンディング効果に対するラウンディ
ング半径rn とパターン幅dn に対する夫々の平均的変
化幅δrn 、δdn は、 【数1】 で計算し、最終補正値は 【数2】 (ここで、Kは倍率常数)で計算することを特徴とする
露光マスクの製造方法。 - 【請求項2】 前記ウェーハ上のパターンは感光膜パタ
ーン又は、感光膜をマスクにエッチングして得られたエ
ッチングパターンのいずれかであることを特徴とする請
求項1記載の露光マスクの製造方法。 - 【請求項3】 前記工程欠陥検査装置は、第1露光マス
クの光遮断膜パターンとウェーハ上に形成されたパター
ン間の臨界大きさの差が少なくとも±5%以上であるパ
ターンを欠陥と認識し、その位置及び大きさをデータ化
させることを特徴とする請求項1記載の露光マスクの製
造方法。 - 【請求項4】 前記Kは約0.8〜1.5程度の値を有
することを特徴とする請求項1記載の露光マスクの製造
方法。 - 【請求項5】 ウェーハ上にデザインルールに従い光遮
断膜パターンが作製された第1露光マスクを用いてパタ
ーンを形成する段階; 前記ウェーハ上のパターンの大きさを工程欠陥検査装置
で測定して得られた測定データを、この工程欠陥検査装
置内に設けられたデータ比較装置に伝送する段階; 前記測定データを前記光遮断膜パターンの大きさと比較
して光遮断膜パターンの臨界大きさの値と差を現す部分
を検出する段階; 補償式を用いて前記臨界大きさの変化が測定される部分
の光遮断膜パターンの補正値を決定する段階; 前記補正値を用いて第2露光マスクを形成する段階;を
含み、 前記補正値の決定には、データベース上のパターン大き
さ(rn )対ウェーハ上のパターン大きさ(rn ′)比
較方式を用い、設計上、同じ大きさのn個パターン数の
検査時に各パターンのラウンディング効果に対するラウ
ンディング半径rn とパターン幅dn に対する夫々の平
均的変化幅δrn 、δdn は 【数3】 で計算し、最終補正値は 【数4】 (ここで、Kは倍率常数)で計算することを特徴とする
露光マスクの製造方法。 - 【請求項6】 前記Kは約0.8〜1.5程度の値を有
することを特徴とする請求項5記載の露光マスクの製造
方法。 - 【請求項7】 前記ウェーハ上にパターンを形成する段
階は過露光又は、アンダー露光中の1種によりパターン
の臨界大きさの変化が少なくとも±5%以内になるよう
にして検査することを特徴とする請求項1または5記載
の露光マスクの製造方法。
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