DE19611436A1 - Verfahren zum Herstellen einer Belichtungsmaske - Google Patents

Description

Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstel­ len einer Belichtungsmaske, und insbesondere ein Verfahren zum Herstellen einer Belichtungsmaske, mit der die Muster­ treue von Belichtungsmustern durch Verwendung eines Prozeßde­ fektprüfsystems und einer Musterkompensationsgleichung voll­ ständig kompensiert werden kann, wodurch die Herstellung hoch- bzw. höchstintegrierter Halbleiterelemente erreicht werden kann.

Der jüngste Trend, Halbleiterelemente in hohem Grad zu inte­ grieren, ist stark durch die Entwicklung von Techniken zur Bildung von Photoresistfilmmustern mit kritischen Abmessungen beeinflußt worden, die als Masken zum Ätzen oder für Ionenim­ plantierungsprozesse bei der Herstellung von Halbleiterele­ menten verwendet werden.

Insbesondere ist eine Reduzierung der Wellenlänge der Licht­ quelle vorgenommen worden, um die Lichtauflösung der zur Bil­ dung von Photoresistfilmmustern verwendeten Schrittschaltvor­ richtungen zu verbessern. Beispielsweise weisen I-Zeilen Schrittschaltvorrichtungen unter Verwendung einer Lichtquelle mit einer Wellenlänge von etwa 365 nm eine Prozeßauflösung von etwa 0,5 µm auf. Andererseits können Schrittschaltvor­ richtungen unter Verwendung einer Lichtquelle, die dazu aus­ gelegt ist, KrF-Laserstrahlen mit einer Wellenlänge von etwa 248 nm zu erzeugen, oder ArF-Laserstrahlen mit einer Wellen­ länge von etwa 193 nm eine Musterauflösung bis hin zu 0,30 µm für Zeilen/Abstand- bzw. Raummuster erzielen.

Für kürzlich entwickelte 265M-DRAMs ist es jedoch in Überein­ stimmung mit einer beschränkten Auslegungs- bzw. Entwurfregel schwierig, das aktuell entworfene Layoutmusterbild einer Be­ lichtungsmaske auf einem Photoresistfilm zu bilden, der über einem Wafer gebildet ist. Dies ist deshalb der Fall, weil dann, wenn Licht durch einen Schlitz hindurchtritt, der zwi­ schen benachbarten Chrommusterabschnitten der Maske festge­ legt ist, ihre Diffraktions- bzw. Beugungsrate in Abhängig­ keit der Größe und Form des Schlitzes variiert. Dieses Phäno­ men kommt zum Tragen, wenn hochintegrierte Halbleiterelemente hergestellt werden, die ein Muster mit dicht angeordneten Musterabschnitten aufweisen.

Die kritische Abmessung des in Übereinstimmung mit der Mu­ sterform und -größe der Belichtungsmaske gebildeten Musters kann darüber hinaus selbst dann variieren, wenn dieselbe Mu­ stergröße verwendet wird. Infolge davon wird die Ausbeute und Zuverlässigkeit der Halbleiterelemente verschlechtert. Im Fall einer Belichtungsmaske in Übereinstimmung mit einer ge­ wünschten Entwurfregel, besteht deshalb ein Unterschied in der Mustergröße aufgrund der Beugungswirkung (oder des Nah­ bzw. Nachbarschaftseffekts) die zwischen benachbarten Muster­ abschnitten erzeugt wird. Beispielsweise wird selbst in dem Fall derselben Belichtungsmaske ein Unterschied in Bezug auf die kritische Abmessung entsprechend bis zu etwa 0,1 µm zwi­ schen einem dichten Musterbereich und einem weniger dichten bzw. dünn besetzten Bereich erzeugt.

Einen weiteren Faktor bildet ein Mehrhöheneffekt. Das heißt, eine Verschlechterung des Musters, wie beispielsweise eine Kerbbildung tritt aufgrund der systematischen Bedingungen bzw. Zustände auf, nämlich der Zustandsunterschiede zwischen geschichteten Filmen, wie beispielsweise ein Reflexionsunter­ schied zwischen den geschichteten Filmen und einer Variation der Topologie.

Es ist auch schwierig, gleichförmige Muster aufgrund des feldabhängigen Effekts zu erzielen, der aus der Ungleichför­ migkeit zwischen Abbildungssystemen resultiert, mit denen die Schrittschaltvorrichtungen ausgerüstet sind, beispielsweise Linsenverzerrungen.

Die Muster können auch unterschiedliche Größen und Formen aufgrund eines Entwicklungsunterschieds der Photoresistfilme oder einer Ungleichförmigkeit hinsichtlich der bzw. durch die PEB (Post Exposure Bake bzw. Nachbelichtungstrocknung) Wärmebehandlung aufweisen.

Wie vorstehend erwähnt, kann die kritische Größe des Musters abhängig von der kritischen Form und Größe des Maskenmusters, der Topologie des Wafers und der Relativbeziehung zwischen beschichteten Filmen variieren.

Obwohl Belichtungsmasken zum Bilden von Mustern mit einer kritischen Abmessung von 0,5 µm verwendet werden können, ohne ihre Muster zu verbessern, weil die Variation der kritischen Größe, die bei der Herstellung dieser Muster auftritt, nicht signifikant ist, erfordern Belichtungsmasken zur Bildung von Mustern mit einer kritischen Abmessung kleiner als 0,5 µm unbedingt eine Verbesserung bzw. Nacharbeitung ihrer Muster.

Im folgenden wird ein herkömmliches Verfahren zur Herstellung einer Belichtungsmaske in Verbindung mit Fig. 1 erläutert.

Fig. 1 zeigt ein Flußdiagramm des herkömmlichen Maskenher­ stellungsverfahrens.

In Übereinstimmung mit diesem Verfahren wird, wie in Fig. 1 gezeigt, zunächst eine Primärbelichtungsmaske gebildet, die ein Lichtabschirmungsfilmmuster aufweist, das in Übereinstim­ mung mit einer entworfenen Layoutzeichnung gemäß einer Ent­ wurfregel gebildet ist.

Unter Verwendung der Primärbelichtungsmaske wird daraufhin ein (nicht gezeigter) Halbleiterwafer mit einem Musterbild durch eine 5 : 1-Schrittschaltvorrichtung belichtet, wodurch ein (nicht gezeigtes) Wafermuster gebildet wird.

Daraufhin werden Abmessungen bestimmter Wafermusterabschnitte zur Festlegung des aktiven Bereichs, beispielsweise Muster­ rundungsdurchmesser d′₁, d′₂ . . . und Musterbreiten r′₁, r′₂ . . . manuell unter Verwendung einer Meßeinheit, wie beispiels­ weise eines CD-SEM gemessen.

Daraufhin werden die gemessenen Abmessungen der speziellen Wafermusterabschnitte manuell mit der Entwurfsgröße für das Wafermuster verglichen. Die Größen der Wafermusterabschnitte, die einen Unterschied von der Entwurfsgröße aufweisen, werden daraufhin verbessert bzw. überarbeitet. Auf der Grundlage der verbesserten bzw. Verbesserungsdaten wird die entworfene Layoutzeichnung verbessert. In Übereinstimmung mit der ver­ besserten Layoutzeichnung wird daraufhin eine (nicht gezeig­ te) Sekundärbelichtungsmaske hergestellt, so daß diese ver­ wendet werden kann.

Wie vorstehend erwähnt, ist das herkömmliche Maskenherstel­ lungsverfahren jedoch mit verschiedenen Problemen behaftet.

Im einzelnen heißt dies, daß das herkömmliche Verfahren le­ diglich den Unterschied bezüglich der kritischen Abmessung erfassen bzw. berücksichtigen kann, der durch einige spe­ zielle Effekte verursacht ist, wie beispielsweise den Nach­ barschaftseffekt durch die manuelle Bearbeitung, weil das Lokalkompensationsverfahren verwendet wird.

In Übereinstimmung mit dem herkömmlichen Verfahren ist es unmöglich, im wesentlichen die Gesamtgröße des Halbleiterele­ ments, wie beispielsweise von 256M-DRAMs manuell zu verbes­ sern, mit der Entwurfregel von beispielsweise weniger als 0,5 µm, wobei die Größe einer Abmessung von etwa 15 bis 25 mm an jeder Seite aufweist. Aus diesem Grund werden Halbleiter­ elemente bezüglich der Größe bzw. Abmessung gemäß dem her­ kömmlichen Verfahren partiell verbessert. Infolge davon ist es schwierig, eine hohe Integration von Halbleiterelementen zu erzielen. Ferner werden die Zuverlässigkeit im Betrieb und die Herstellungsausbeute verschlechtert.

Eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung besteht deshalb darin, unter Lösung der vorstehend zum Stand der Technik ge­ nannten Probleme ein Verfahren zur Herstellung einer Belich­ tungsmaske zu schaffen, das in der Lage ist, einen Unter­ schied bezüglich der kritischen Abmessung von Mustern voll­ ständig zu kompensieren, der durch den Nachbarschaftseffekt verursacht ist.

Gelöst wird diese Aufgabe durch die Merkmale des Anspruchs 1. Vorteilhafte Weiterbildungen der Erfindung sind in den Unter­ ansprüchen angegeben.

Demnach verwendet das erfindungsgemäße Verfahren ein Prozeß­ defektinspektionssystem und eine Musterkompensations­ gleichung, wodurch nicht nur die Zuverlässigkeit beim Betrieb und die Ausbeute verbessert werden, sondern auch die Herstel­ lung hoch- bzw. höchstintegrierter Halbleiterelemente möglich wird.

Gegenstand der Erfindung bildet ein Verfahren zur Herstellung einer Belichtungsmaske, umfassend die Schritte: Bilden eines Musters auf einem Wafer unter Verwendung einer Primärbelich­ tungsmaske, die mit einem Lichtabschirmungsfilmmuster in Übereinstimmung mit einer Entwurfregel gebildet wird, Über­ tragen von Daten auf ein Datenvergleichssystem, die nach Mes­ sung der Größe des Musters auf dem Wafer unter Verwendung eines Prozeßdefektinspektionssystems erhalten werden, Ver­ gleichen der Daten mit der Größe des Lichtabschirmungsfilm­ musters, wodurch ein Abschnitt des Musters auf dem Wafer er­ mittelt wird, der unterschiedlich von einem kritischen Größenwert des Lichtabschirmungsfilmmusters ist, Ermitteln unter Verwendung einer Kompensationsgleichung einen Verbesse­ rungswert für einen Abschnitt des Lichtabschirmungsfilm­ musters, der dem ermittelten Abschnitt des Musters auf dem Wafer entspricht, und Bilden einer Sekundärbelichtungsmaske auf der Grundlage des Verbesserungswerts.

Nachfolgend wird die Erfindung anhand der Zeichnung beispiel­ haft näher erläutert; es zeigen

Fig. 1 ein Flußdiagramm eines herkömmlichen Verfahrens zur Herstellung einer Belichtungsmaske,

Fig. 2A und 2B jeweils Layoutansichten von Belichtungsmasken, die in Übereinstimmung mit der vorliegenden Erfindung hergestellt sind,

Fig. 3 ein Flußdiagramm eines Verfahrens zur Herstellung einer Belichtungsmaske gemäß der vorliegenden Erfin­ dung, und

Fig. 4 eine Layoutansicht zur Erläuterung des Mustergrößen­ inspektionsverfahrens, das bei der Herstellung der Belichtungsmaske gemäß der vorliegenden Erfindung verwendet wird.

Die Fig. 1 ist einleitend zum Stand der Technik bereits er­ läutert worden. Die Erfindung wird nunmehr anhand der Fig. 2 bis 4 erläutert.

Die Fig. 2A und 2B zeigen Layoutansichten von erfindungsgemäß hergestellten Belichtungsmasken. Fig. 3 zeigt ein Flußdia­ gramm eines erfindungsgemäßen Verfahrens zur Herstellung einer Belichtungsmaske.

Gemäß der vorliegenden Erfindung wird zunächst, wie in Fig. 2A gezeigt, eine Primärbelichtungsmaske 2 gebildet, die ein Lichtabschirmungsfilmmuster 1 aufweist, das in Übereinstim­ mung mit der entworfenen Layoutzeichnung gemäß der Entwurfre­ gel gebildet ist.

Unter Verwendung der Primärbelichtungsmaske 2 wird daraufhin ein (nicht gezeigter) Halbleiterwafer mit dem Musterbild durch eine 5 : 1-Schrittschaltvorrichtung belichtet, wodurch ein Muster 3 gebildet wird. Dieses Muster 3 ist ein Photo­ resistfilmmuster oder ein Ätzmuster, das unter Verwendung des Photoresistfilmmusters gebildet ist, wie in Fig. 2B gezeigt.

Bevorzugt hat das Muster 3 eine geringe Dicke von beispiels­ weise etwa 0,5 µm oder weniger, um eine leichte Inspektion seiner kritischen Größe, wie beispielsweise von Musterrun­ dungsdurchmessern D′₁, D′₂ . . . und Musterbreiten R′₁, R′₂ . . . zu erzielen.

Daraufhin wird das Muster 3 unter Verwendung eines Prozeßde­ fektinspektionssystems inspiziert bzw. geprüft, das ein CD- SEM und eine Lichtquelle verwendet, die dazu aus gelegt ist, Elektronenstrahlen oder optische Lichtstrahlen zu erzeugen, wie in Fig. 3 gezeigt. In diesem Fall verwendet das Prozeßde­ fektinspektionssystem ein Muster-/Mustervergleichsverfahren oder ein Musterdatenbasis-/Mustervergleichsverfahren.

Diese Vergleichsverfahren können den Größenvergleich zwischen Mustern innerhalb einer kurzen Periode von beispielsweise mehreren zehn Minuten bis mehreren Stunden erreichen. Obwohl beim herkömmlichen Prozeßdefektinspektionsprozeß sämtliche Formen in Zick-Zack-Art geprüft werden, prüft das erfindungs­ gemäße Prozeßdefektinspektionssystem lediglich eine reine Form, die keinen Prozeßdefekt aufweist.

In diesem Fall wird die Inspektion für Abschnitte des Musters 3 ausgeführt, von denen erwartet wird, daß sie einen großen Unterschied hinsichtlich der Mustergröße und -formen auf­ weist.

Das Prozeßdefektinspektionssystem prüft eine Form und ermit­ telt einen Prozeßdefekt des Musters, wenn der geprüfte Unter­ schied bezüglich der kritischen Größe unter den geprüften Musterabschnitten jenseits des Bereichs von etwa ±5% des kritischen Abmessungswerts liegt, der in der Datenbasis für das Entwurfsmuster gespeichert ist.

Nach der Ermittlung sendet das Prozeßdefektinspektionssystem Daten betreffend die Position und Größe des ermittelten De­ fekts an ein Datenvergleichssystem.

Das Datenvergleichssystem vergleicht daraufhin die geprüften Muster mit dem Lichtabschirmungsfilmmuster 1 an sämtlichen Abschnitten. Auf der Grundlage des Vergleichsergebnisses sor­ tiert das Datenvergleichssystem vergrößerte oder verkleinerte Abschnitte des Musters.

Daraufhin erhält das Datenvergleichssystem Daten bezüglich Defekten, die in jedem Musterabschnitt durch die Inspektion und den Vergleich gemessen wurden, und es speichert daraufhin die gemessene Defektposition und die Abweichung der Muster­ größe in einer Speichervorrichtung ab, die darin vorgesehen ist.

Auf der Grundlage der Daten wird ein numerischer Layoutver­ besserungswert letztendlich durch einen Filtervorgang und einen Vorgang zum Analysieren der Genauigkeit der Musterer­ kennung berechnet.

Die Daten betreffend das Lichtabschirmungsfilmmuster 1 auf der Primärbelichtungsmaske 2 wird auf der Grundlage des Ver­ besserungswerts verbessert. Auf der Grundlage der verbesser­ ten Daten wird daraufhin eine Sekundärbelichtungsmaske herge­ stellt.

Die Berechnung des Verbesserungswerts wird nunmehr im einzel­ nen in Verbindung mit Fig. 4 erläutert.

Fig. 4 zeigt eine Layoutansicht zur Erläuterung des Muster­ größeninspektionsverfahrens, das bei der Herstellung der Be­ lichtungsmaske gemäß der vorliegenden Erfindung verwendet wird.

Obwohl nicht gezeigt, prüft ein im Prozeßdefektinspektions­ system enthaltener Sensor Defekte auf der Musterform, während die Musterform in Zick-Zack-Art bewegt wird. Auf diese Weise wird die Inspektion durch Vergleichen des Photoresistfilm­ musters oder des Ätzmusters, das auf einer Seite der Muster­ form angeordnet ist, mit einem anderen Muster, das benachbart zu dem Photoresistfilmmuster angeordnet ist, ausgeführt, oder durch Vergleichen jedes Musterbilds mit den Entwurfszeich­ nungsdaten, die in einer getrennten Speichervorrichtung ge­ speichert sind.

Wenn die kritische Abmessung des Lichtabschirmungsfilm­ musters, das auf der Primärbelichtungsmaske gebildet ist, verglichen ist, wird dieser Vergleich ausgeführt, nachdem die kritische Abmessung in Übereinstimmung mit dem Reduktionsmaß­ stab der Schrittschaltvorrichtung reduziert ist.

Da benachbarte Muster aufgrund des Nachbarschaftseffekts un­ terschiedliche Größen aufweisen, werden Abweichungen des Run­ dungsdurchmessers r_n und der Musterbreite d_n, verursacht durch den Rundungseffekt des Musters, durch selektives Ver­ wenden von einem der vorstehend genannten Vergleichsverfahren­ gemessen.

Wenn die Abweichungen des Rundungsdurchmessers r_n und der Musterbreite d_n unter Verwendung des Muster- /Mustervergleichsverfahrens gemessen sind, werden ihre Ver­ besserungswerte δr_n und δd_n, die für die Maske erforderlich sind (n ist die Anzahl der untersuchten Muster) unter Verwen­ dung der folgenden Mittelwert-Kompensationsgleichungen (1) und (2) berechnet:

Wenn andererseits die Abweichungen des Rundungsdurchmessers r_n und der Musterbreite d_n unter Verwendung des Musterdaten­ basis-/Mustervergleichsverfahrens gemessen werden, d. h. mit dem eins-zu-eins Mustervergleichsverfahren, werden ihre Ver­ besserungswerte δr_n und δd_n unter Verwendung der folgenden Mittelwert-Kompensationsgleichungen (3) und (4) berechnet:

δr_n = (r_n) Datenbasis - (r′_n) Wafermusterdaten (3)

δd_n = (d_n) Datenbasis - (d′_n) Wafermusterdaten (4)

Die endgültigen Vergrößerungsverbesserungswerte δr′_n und δd′_n werden unter Verwendung der folgenden Gleichungen (5) und (6) berechnet:

δr′_n = K · δr_n (5)

δd′_n = K · δd_n (6)

wobei K ein Vergrößerungsfaktor ist und im Bereich etwa 0,8 bis etwa 1,5 liegt.

Wenn es erwünscht ist, Zellen partiell bzw. teilweise zu überprüfen, kann die Belichtung derart ausgeführt werden, daß auf Zellenabschnitten, die keine Überprüfung erfordern, keine Muster gebildet werden.

Um Kerbbildung aufgrund der Astigmatismusaberration, aufgrund einer Verzerrung oder Fehlausrichtung sowie irrtümlich gebil­ deter Muster zu verbessern bzw. zu vermeiden, wird eine Über- oder Unterbelichtung bei der Bildung der Muster derart durch­ geführt, daß der Vergrößerungsfaktor K im Bereich von etwa 1 bis etwa 1,5 liegt. In diesem Fall ist es möglich, Muster zu prüfen, die einen Unterschied bezüglich der kritischen Größe aufweisen, der im Bereich von etwa ±5% liegt.

Dieses Verfahren kann vorteilhafterweise auch für Muster ver­ wendet werden, von denen zu erwarten ist, daß sie Muster­ brücken oder -schwänze aufweisen.

Wie aus der vorstehenden Beschreibung deutlich wird, bildet das erfindungsgemäße Maskenherstellungsverfahren die folgen­ den Vorteile.

In Übereinstimmung mit der Erfindung wird das Muster der Pri­ märbelichtungsmaske unter Verwendung von Verbesserungswerten kompensiert, die durch Überprüfen und Vergleichen der Größen von Mustern unter Verwendung des Prozeßdefektinspektions­ systems und einer Musterkompensationsgleichung erhalten wer­ den. Demnach ist es möglich, eine Belichtungsmaske leicht herzustellen, die in der Lage ist, den Nachbarschaftseffekt zu verbessern bzw. zu verringern, wodurch ein Photoresist­ filmmuster auf dem Wafer mit der Exaktheit der Entwurfszeich­ nung gebildet werden kann.

Da das erfindungsgemäße Verfahren das vorhandene Inspektions­ system verwendet, ist es möglich, die Kosten und Mühen zu reduzieren, die zur Herstellung von Belichtungsmasken erfor­ derlich sind. Die Zuverlässigkeit beim Betrieb und die Her­ stellungsausbeute werden ebenfalls verbessert.

In Übereinstimmung mit dem erfindungsgemäßen Verfahren ist es außerdem möglich, hoch- bzw. höchstintegrierte Halbleiterele­ mente herzustellen, weil durch die Musterkompensations­ gleichung sehr geringe Musterdifferenzen zwischen den Mustern verbessert bzw. ausgeglichen werden können.

Obwohl bevorzugte Ausführungsformen der Erfindung zur Dar­ stellungszwecken erläutert wurden, erschließen sich dem Fach­ mann vielfältige Modifikationen, Zusätze und Ersätze, ohne vom Schutzumfang der Erfindung abzuweichen, wie sie durch die beiliegenden Ansprüche festgelegt ist.

Claims (10)

1. Verfahren zur Herstellung einer Belichtungsmaske, um­ fassend die Schritte:
Bilden eines Musters auf einem Wafer unter Verwendung einer Primärbelichtungsmaske, die mit einem Lichtab­ schirmungsfilmmuster in Übereinstimmung mit einer Ent­ wurfregel gebildet wird,
Übertragen von Daten auf ein Datenvergleichssystem, die nach Messung der Größe des Musters auf dem Wafer unter Verwendung eines Prozeßdefektinspektionssystems erhal­ ten werden,
Vergleichen der Daten mit der Größe des Lichtabschir­ mungsfilmmusters, wodurch ein Abschnitt des Musters auf dem Wafer ermittelt wird, der unterschiedlich von einem kritischen Größenwert des Lichtabschirmungsfilm­ musters ist,
Ermitteln unter Verwendung einer Kompensationsgleichung einen Verbesserungswert für einen Abschnitt des Lichtabschirmungsfilmmusters, der dem ermittelten Ab­ schnitt des Musters auf dem Wafer entspricht, und Bilden einer Sekundärbelichtungsmaske auf der Grundlage des Verbesserungswerts.

2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das auf dem Wafer gebildete Muster ein Photoresistfilm­ muster oder ein Bildmuster ist, das durch Ätzen eines Photoresistfilms unter Verwendung einer Maske gebildet wird.

3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeich­ net, daß das Prozeßdefektinspektionssystem einen Prüf­ vorgang durch Vergleichen benachbarter Muster durch­ führt, die in einer Form angeordnet sind, die keinen Prozeßdefekt aufweisen, mit jedem anderen, oder durch Vergleichen jedes Musters in der Form mit einer Daten­ basis.

4. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeich­ net, daß das Prozeßdefektinspektionsverfahren einen Prozeßdefekt des Musters auf dem Wafer erkennt, wenn die Differenz bezüglich der kritischen Größe zwischen dem Muster auf dem Wafer und dem Lichtabschirmungsfilm­ muster auf der Primärbelichtungsmaske außerhalb des Be­ reichs von etwa ±5% liegt und Daten bezüglich der Posi­ tion und Größe des Musters mit dem Prozeßdefekt erhält.

5. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Verbesserungswert unter Verwendung eines Form- /Musterformvergleichsverfahrens oder eines Datenbasis- /Musterformvergleichsverfahrens ermittelt wird.

6. Verfahren nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß dann, wenn der Verbesserungswert unter Verwendung des Musterform-/Musterformvergleichsverfahrens ermittelt wird, Mittelwerte (δr_n und δd_n) von Abweichungen bzw. Schwankungen bezüglich des Rundungsdurchmessers (r_n) und der Musterbreite (d_n), die durch Überprüfen von n- Mustern durch einen Rundungseffekt von jedem Muster verursacht sind, unter Verwendung der folgenden Glei­ chungen berechnet werden: und daß endgültige Verbesserungswerte δr′_n und δd′_n un­ ter Verwendung der folgenden Gleichungen berechnet wer­ den:δr′_n = K · δr_n
δd′_n = K · δd_nwobei K ein Vergrößerungsfaktor ist.

7. Verfahren nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß K im Bereich von etwa 0,8 bis etwa 1,5 liegt.

8. Verfahren nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß dann, wenn der Verbesserungswert unter Verwendung des Datenbasis-/Musterformvergleichsverfahrens ermittelt wird, Mittelwerte (δr_n und δd_n) von Abweichungen des Rundungsdurchmessers (r_n) und der Musterbreite (d_n), die durch Überprüfen von n-Mustern durch einen Run­ dungseffekt von jedem Muster verursacht sind, unter Verwendung der folgenden Gleichungen berechnet werden: δr_n = (r_n) Datenbasis - (r′_n) Wafermusterdaten
δr_n = (d_n) Datenbasis - (d′_n) Wafermusterdatenund daß Endverbesserungswerte (δr′_n und δd′_n) unter Verwendung der folgenden Gleichungen berechnet werden:δr′_n = K · δr_n
δd′_n = K · δd_nwobei K ein Vergrößerungsfaktor ist.

9. Verfahren nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, daß K im Bereich von etwa 0,8 bis etwa 1,5 liegt.

10. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 9, dadurch gekennzeichnet, daß der Schritt, die Muster auf dem Wafer zu bilden, unter Verwendung eines Über- oder Un­ terbelichtungsverfahrens derart ausgeführt wird, daß eine Abweichung der kritischen Größe des Musters im Be­ reich von etwa ±5% liegt.