JPH0368531B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0368531B2 JPH0368531B2 JP57142117A JP14211782A JPH0368531B2 JP H0368531 B2 JPH0368531 B2 JP H0368531B2 JP 57142117 A JP57142117 A JP 57142117A JP 14211782 A JP14211782 A JP 14211782A JP H0368531 B2 JPH0368531 B2 JP H0368531B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- ray
- mask
- exposure
- area
- exposed
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims description 11
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 10
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 5
- 238000000926 separation method Methods 0.000 claims description 4
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 3
- 101100269850 Caenorhabditis elegans mask-1 gene Proteins 0.000 description 24
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 14
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 description 6
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 5
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 5
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 4
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 3
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 3
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001015 X-ray lithography Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 231100000989 no adverse effect Toxicity 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 1
- 238000003892 spreading Methods 0.000 description 1
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 1
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70058—Mask illumination systems
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、大規模集積回路（LSI）などの製造
に用いられる微細パターン転写用のＸ線露光装置
に関するものである。
に用いられる微細パターン転写用のＸ線露光装置
に関するものである。
微細パターン転写用のＸ線露光転写に用いるマ
スクとして従来より様々な種類のものが提案され
ているが、現在では、シリコン基板をフレームと
し、それに窒化シリコンやポリイミド樹脂などの
薄膜を張り、この薄膜に金（Au）により軟Ｘ線
の吸収層を選択的に形成することによつて、所望
の回路パターンを有する例えば正方形など所定形
状寸法の露光領域とその周囲を囲むＸ線吸収領域
とを形成したものが主流となつている。
スクとして従来より様々な種類のものが提案され
ているが、現在では、シリコン基板をフレームと
し、それに窒化シリコンやポリイミド樹脂などの
薄膜を張り、この薄膜に金（Au）により軟Ｘ線
の吸収層を選択的に形成することによつて、所望
の回路パターンを有する例えば正方形など所定形
状寸法の露光領域とその周囲を囲むＸ線吸収領域
とを形成したものが主流となつている。
ところで、Auが存在する軟Ｘ線吸収部分にお
ける軟Ｘ線の透過率に対するAuの無い軟Ｘ線透
過部分における軟Ｘ線の透過率の比は、例えば
Auの層の実用的な厚さ1μｍ位のマスクでは、大
きくても約10倍であり、一般にはそれ以下であ
る。
ける軟Ｘ線の透過率に対するAuの無い軟Ｘ線透
過部分における軟Ｘ線の透過率の比は、例えば
Auの層の実用的な厚さ1μｍ位のマスクでは、大
きくても約10倍であり、一般にはそれ以下であ
る。
このようにマスクによるＸ線透過強度比が比較
的小さくても、Ｘ線リソグラフイにおける焼付パ
ターンのコントラストは、半導体ウエハ上のレジ
ストのコントラスト、即ちγ値を高くすることで
実用上充分なほど良好にすることができるが、パ
ターン焼付後のレジストの加工精度を考慮すると
それにも限界があり、従つてマスクによるＸ線透
過強度比の低下は極力避けるべきである。
的小さくても、Ｘ線リソグラフイにおける焼付パ
ターンのコントラストは、半導体ウエハ上のレジ
ストのコントラスト、即ちγ値を高くすることで
実用上充分なほど良好にすることができるが、パ
ターン焼付後のレジストの加工精度を考慮すると
それにも限界があり、従つてマスクによるＸ線透
過強度比の低下は極力避けるべきである。
一般的にＸ線露光転写用マスクは前述の如く薄
膜がシリコン製フレームに太鼓の皮のように張ら
れた状態で支持されて構成されており、薄膜で形
成されたマスク表面の平面度を保つためには、太
鼓と同様のフレームを円形リングとするのが最も
好ましく、これは薄膜内の応力が方向によつて変
わらないようにするのに円が最も適した形状であ
るからである。
膜がシリコン製フレームに太鼓の皮のように張ら
れた状態で支持されて構成されており、薄膜で形
成されたマスク表面の平面度を保つためには、太
鼓と同様のフレームを円形リングとするのが最も
好ましく、これは薄膜内の応力が方向によつて変
わらないようにするのに円が最も適した形状であ
るからである。
一方、量産されるLSIのうち最高集積度のもの
については、加工寸法の微小化とそれに伴う位置
合わせ精度の高度化の要求により、直径100mmや
125mmの半導体ウエハ上に一度にパターンを焼付
ける方式よりも、ウエハ表面を複数ブロツクに分
けて、固定したマスクに対してウエハをステツプ
移動させては次々と焼付ける所謂ステツプアンド
リピート方式のほうが大勢を占める傾向にある。
これは、ウエハ表面の処理プロセスの段階によ
り、ウエハが全体的に伸縮又は部分的に歪み、ウ
エハ全面を一括して焼付ける方式であるとウエハ
全面にわたつて良好なアライメント状態を確保で
きないのが主な理由である。この傾向は光学レン
ズによる投影焼付けだけでなく、Ｘ線による焼付
けにおいても当然あてはまることである。ステツ
プアンドリピート方式の露光装置では１回の露光
領域の形状は矩形であり、上述したフレーム形状
の最適な形が円形であることと相容れない点で問
題である。
については、加工寸法の微小化とそれに伴う位置
合わせ精度の高度化の要求により、直径100mmや
125mmの半導体ウエハ上に一度にパターンを焼付
ける方式よりも、ウエハ表面を複数ブロツクに分
けて、固定したマスクに対してウエハをステツプ
移動させては次々と焼付ける所謂ステツプアンド
リピート方式のほうが大勢を占める傾向にある。
これは、ウエハ表面の処理プロセスの段階によ
り、ウエハが全体的に伸縮又は部分的に歪み、ウ
エハ全面を一括して焼付ける方式であるとウエハ
全面にわたつて良好なアライメント状態を確保で
きないのが主な理由である。この傾向は光学レン
ズによる投影焼付けだけでなく、Ｘ線による焼付
けにおいても当然あてはまることである。ステツ
プアンドリピート方式の露光装置では１回の露光
領域の形状は矩形であり、上述したフレーム形状
の最適な形が円形であることと相容れない点で問
題である。
第１図は従来より使用されているＸ線露光転写
用マスクの一例を示す平面図、第２図は第１図Ａ
−Ａ線矢視断面図、第３図はこのマスクを用いる
従来のステツプアンドリピート方式によるＸ線露
光装置の構成を示す概略図、第４図はこの装置を
使つた転写の際のＸ線照射の重なり具合を模式的
に示す平面図である。
用マスクの一例を示す平面図、第２図は第１図Ａ
−Ａ線矢視断面図、第３図はこのマスクを用いる
従来のステツプアンドリピート方式によるＸ線露
光装置の構成を示す概略図、第４図はこの装置を
使つた転写の際のＸ線照射の重なり具合を模式的
に示す平面図である。
第１図および第２図に示すように、一般のＸ線
露光転写用マスク１は、シリコン製の円形リング
フレーム２と、その下端面に太鼓の皮のように張
らされて支持された窒化シリコン又はポリマー製
の薄膜３とからなり、薄膜３の下面には、Auに
より所望回路パターン（図示せず）が形成されて
いる露光領域４と、その周囲に前記露光領域４を
画定するように一面のAu層５で形成されたＸ線
吸収領域６とが設けられている。すなわち第１図
に正方形１０で示した境界の内側の前記露光領域
４がその回路パターンをウエハに１回の露光で焼
付ける部分で、正方形１０の外部は吸収領域６の
Au層５で一面に覆われている。前記フレーム２
は、シリコン板を異方性エツチングによりエツチ
ングした残りの部分であり、上端面の内周縁７と
下端面の内周縁８とを結ぶ内周壁９がエツチング
の停止した境界であり、内周壁９は上広がりのテ
ーパー状である。
露光転写用マスク１は、シリコン製の円形リング
フレーム２と、その下端面に太鼓の皮のように張
らされて支持された窒化シリコン又はポリマー製
の薄膜３とからなり、薄膜３の下面には、Auに
より所望回路パターン（図示せず）が形成されて
いる露光領域４と、その周囲に前記露光領域４を
画定するように一面のAu層５で形成されたＸ線
吸収領域６とが設けられている。すなわち第１図
に正方形１０で示した境界の内側の前記露光領域
４がその回路パターンをウエハに１回の露光で焼
付ける部分で、正方形１０の外部は吸収領域６の
Au層５で一面に覆われている。前記フレーム２
は、シリコン板を異方性エツチングによりエツチ
ングした残りの部分であり、上端面の内周縁７と
下端面の内周縁８とを結ぶ内周壁９がエツチング
の停止した境界であり、内周壁９は上広がりのテ
ーパー状である。
このようなマスク１を用いてステツプアンドリ
ピート方式のＸ線露光転写を行なう場合のウエハ
上での露光状態は、第３図に示す通りである。第
３図において第１図および第２図と同一符号は対
応する部分を示し、マスク１はウエハ１１の直上
に固定され、その上方からＸ線発生源１２により
Ｘ線の照射を受ける。
ピート方式のＸ線露光転写を行なう場合のウエハ
上での露光状態は、第３図に示す通りである。第
３図において第１図および第２図と同一符号は対
応する部分を示し、マスク１はウエハ１１の直上
に固定され、その上方からＸ線発生源１２により
Ｘ線の照射を受ける。
Ｘ線発生源１２は、真空チヤンバの内部に電子
ビーム発生用の電子銃１３と、この電子銃１３か
らの電子ビームの照射を受けて軟Ｘ線を発生する
金属ターゲツト１４とを備えており、ターゲツト
１４から生じた軟Ｘ線は窓１５から外部へ照射さ
れるようになされている。またこの窓１５から見
たターゲツト１４の軟Ｘ線放射部（電子ビーム照
射部）を線源とし、その大きさＳを線源の見かけ
の大きさと云い、これは小さければ小さいほど好
ましく、一般的には幅寸法でＳ＝２〜５mm程度で
ある。尚１６はシヤツタである。
ビーム発生用の電子銃１３と、この電子銃１３か
らの電子ビームの照射を受けて軟Ｘ線を発生する
金属ターゲツト１４とを備えており、ターゲツト
１４から生じた軟Ｘ線は窓１５から外部へ照射さ
れるようになされている。またこの窓１５から見
たターゲツト１４の軟Ｘ線放射部（電子ビーム照
射部）を線源とし、その大きさＳを線源の見かけ
の大きさと云い、これは小さければ小さいほど好
ましく、一般的には幅寸法でＳ＝２〜５mm程度で
ある。尚１６はシヤツタである。
この図の例ではマスク１が前述のように固定配
置され、その下でウエハ１１が図中左方向にスト
ロークＸのステツプ量でステツプ移動する。従つ
てP1は図示状態にてマスク１の露光領域４の回
路パターンが露光転写されたウエハ１１表面上の
被露光領域（チツプ）であり、P2は次のステツ
プ移動によつて露光転写される被露光領域（チツ
プ）であり、それらの間の間隔部分Ｄは通常スク
ライプ線ないしダイシング線と呼ばれるチツプと
チツプの分離領域で、その幅寸法Slは極力小さい
ほうが良いことは述べるまでもない。
置され、その下でウエハ１１が図中左方向にスト
ロークＸのステツプ量でステツプ移動する。従つ
てP1は図示状態にてマスク１の露光領域４の回
路パターンが露光転写されたウエハ１１表面上の
被露光領域（チツプ）であり、P2は次のステツ
プ移動によつて露光転写される被露光領域（チツ
プ）であり、それらの間の間隔部分Ｄは通常スク
ライプ線ないしダイシング線と呼ばれるチツプと
チツプの分離領域で、その幅寸法Slは極力小さい
ほうが良いことは述べるまでもない。
第３図において、マスク１のフレーム２の内側
の吸収領域６部分に照射された軟Ｘ線は、その
Au層５によつて吸収されるものの一部が透過し
てウエハ１１の被露光領域P1の周辺部を照射す
る。この周辺部の照射強度はマスク１の露光領域
４による被露光領域P1への軟Ｘ線照射強度より
小さく、一般的な場合でその比が１：10程度にな
ることは前述した通りである。しかしながら、ス
テツプアンドリピート方式による場合、わずかで
はあるが前記周辺部への余分なＸ線照射が隣り合
う被露光領域（チツプ）を感光させてしまう。こ
のため露光転写されたウエハ上のレジストの焼付
パターンのコントラスト低下、従つてエツチング
精度の低下をもたらす。第４図はこの露光転写時
のＸ線照射の週辺部での重なり具合を模式的に示
しており、今、チツプP1から順にチツプP2、チ
ツプP3、チツプP4とステツプ状に露光転写する
場合を考える。マスク１のフレーム２の下端面内
周縁８と露光領域４との間の吸収領域６の部分が
露光領域４のAuパターン以外のＸ線透過部の1/1
０のＸ線透過量を持つているとすると、チツプP1
の露光転写時にウエハ上でこの吸収領域６の部分
に対応するのは、前記内周縁８に対応した円C1
と露光領域４の境界の正方形１０に対応した正方
形SQ1との間の領域である。このような領域がチ
ツプP2，P3，P4のそれぞれの露光転写の際に生
じ、第４図では、サフイツクスを揃えて、前記円
C1に対応する円C2，C3，C4、および正方形SQ1に
対応する正方形SQ2，SQ3，SQ4をそれぞれチツ
プP2，P3，P4の露光転写時に対応づけて示して
ある。このように第４図で円C1，C2，C3，C4同
士の重りとして示されるような隣接チツプ間およ
び斜め対角線方向に隣接するチツプ間での周辺露
光域の重なりが生じ、例えば４つのチツプP1，
P2，P3，P4の角隅が集まる部分では、中心部Ｎ
即ち４つの円C1，C2，C3，C4の重なり部分に、
マスクを介して合わせて４回のＸ線照射が行なわ
れ、従つてこの中心部Ｎ内のチツプ内領域には、
露光領域による１回の正規のＸ線照射のほかにそ
れぞれ他のチツプの露光転写時の吸収領域６を透
過した1/10の照射量の余分な照射が３回ずつ行な
われることになる。同様に中心部Ｎの周囲に張り
出して形成されている４つのくさび状の部分M1，
M2，M3，M4には合計３回のＸ線照射が行なわ
れ、それぞれのチツプ内領域には1/10の照射量の
余分な照射が２回ずつ行なわれることになる。
の吸収領域６部分に照射された軟Ｘ線は、その
Au層５によつて吸収されるものの一部が透過し
てウエハ１１の被露光領域P1の周辺部を照射す
る。この周辺部の照射強度はマスク１の露光領域
４による被露光領域P1への軟Ｘ線照射強度より
小さく、一般的な場合でその比が１：10程度にな
ることは前述した通りである。しかしながら、ス
テツプアンドリピート方式による場合、わずかで
はあるが前記周辺部への余分なＸ線照射が隣り合
う被露光領域（チツプ）を感光させてしまう。こ
のため露光転写されたウエハ上のレジストの焼付
パターンのコントラスト低下、従つてエツチング
精度の低下をもたらす。第４図はこの露光転写時
のＸ線照射の週辺部での重なり具合を模式的に示
しており、今、チツプP1から順にチツプP2、チ
ツプP3、チツプP4とステツプ状に露光転写する
場合を考える。マスク１のフレーム２の下端面内
周縁８と露光領域４との間の吸収領域６の部分が
露光領域４のAuパターン以外のＸ線透過部の1/1
０のＸ線透過量を持つているとすると、チツプP1
の露光転写時にウエハ上でこの吸収領域６の部分
に対応するのは、前記内周縁８に対応した円C1
と露光領域４の境界の正方形１０に対応した正方
形SQ1との間の領域である。このような領域がチ
ツプP2，P3，P4のそれぞれの露光転写の際に生
じ、第４図では、サフイツクスを揃えて、前記円
C1に対応する円C2，C3，C4、および正方形SQ1に
対応する正方形SQ2，SQ3，SQ4をそれぞれチツ
プP2，P3，P4の露光転写時に対応づけて示して
ある。このように第４図で円C1，C2，C3，C4同
士の重りとして示されるような隣接チツプ間およ
び斜め対角線方向に隣接するチツプ間での周辺露
光域の重なりが生じ、例えば４つのチツプP1，
P2，P3，P4の角隅が集まる部分では、中心部Ｎ
即ち４つの円C1，C2，C3，C4の重なり部分に、
マスクを介して合わせて４回のＸ線照射が行なわ
れ、従つてこの中心部Ｎ内のチツプ内領域には、
露光領域による１回の正規のＸ線照射のほかにそ
れぞれ他のチツプの露光転写時の吸収領域６を透
過した1/10の照射量の余分な照射が３回ずつ行な
われることになる。同様に中心部Ｎの周囲に張り
出して形成されている４つのくさび状の部分M1，
M2，M3，M4には合計３回のＸ線照射が行なわ
れ、それぞれのチツプ内領域には1/10の照射量の
余分な照射が２回ずつ行なわれることになる。
このようにマスク１のAuが存在する部分と存
在しない部分とのＸ線透過率の比が仮に１：10で
あつたとしても中心部Ｎ内の転写回路パターン部
分におけるAuパターン部と透過部とのＸ線露光
量の比は実質的に４：13となつてしまい、転写焼
付けされたウエハ表面上のレジストパターンのコ
ントラストの低下、従つてレジストパターンのエ
ツチング等加工精度の低下を招き、極端な場合に
はパターン焼付け自体が不首尾に終る結果とな
る。
在しない部分とのＸ線透過率の比が仮に１：10で
あつたとしても中心部Ｎ内の転写回路パターン部
分におけるAuパターン部と透過部とのＸ線露光
量の比は実質的に４：13となつてしまい、転写焼
付けされたウエハ表面上のレジストパターンのコ
ントラストの低下、従つてレジストパターンのエ
ツチング等加工精度の低下を招き、極端な場合に
はパターン焼付け自体が不首尾に終る結果とな
る。
本発明の目的は、前述の問題点を解決してステ
ツプアンドリピート方式のＸ線露光転写に際し必
要な回路パターン露光領域で全域にわたりコント
ラストの高いレジスト像を得ることのできるＸ線
露光装置を提供することにある。
ツプアンドリピート方式のＸ線露光転写に際し必
要な回路パターン露光領域で全域にわたりコント
ラストの高いレジスト像を得ることのできるＸ線
露光装置を提供することにある。
すなわち、この目的を達成するための本発明の
構成は、転写用マスクと被露光基板（ウエハ等）
とを所定の間隔で対面させたステツプアンドリピ
ート方式のＸ線露光装置において、マスク１から
所定の距離ｄだけ離れて位置し、Ｘ線を発生する
ための見かけの大きさＳの線源を有するＸ線発生
手段１２と、このＸ線発生手段１２とマスク１と
の間に設けられ、マスクへのＸ線照射領域を制限
するためのＸ線遮へい体１７とを設けることを特
徴としている。
構成は、転写用マスクと被露光基板（ウエハ等）
とを所定の間隔で対面させたステツプアンドリピ
ート方式のＸ線露光装置において、マスク１から
所定の距離ｄだけ離れて位置し、Ｘ線を発生する
ための見かけの大きさＳの線源を有するＸ線発生
手段１２と、このＸ線発生手段１２とマスク１と
の間に設けられ、マスクへのＸ線照射領域を制限
するためのＸ線遮へい体１７とを設けることを特
徴としている。
またひとつの態様においてＸ線遮へい体１７は
マスク１の露光領域４に対応した大きさのＸ線透
過用の窓１８を有し、露光時におけるマスク１と
ウエハ１１との間隔寸法をｄ、線源からＸ線遮へ
い体１７までの距離をl1、遮へい体１７からマス
ク１までの距離をl2、そしてマスクの露光領域４
に対応して予め設定されたウエハ１１上の被露光
領域P1，P2，P3，P4…の相互の間隔幅（分離領
域）寸法をSlとしたとき、 （l2＋ｄ）Ｓ／l1で決まる半影ボケａがａ≦Sl
の関係を満すようにＸ線遮へい体１７を配置す
る。
マスク１の露光領域４に対応した大きさのＸ線透
過用の窓１８を有し、露光時におけるマスク１と
ウエハ１１との間隔寸法をｄ、線源からＸ線遮へ
い体１７までの距離をl1、遮へい体１７からマス
ク１までの距離をl2、そしてマスクの露光領域４
に対応して予め設定されたウエハ１１上の被露光
領域P1，P2，P3，P4…の相互の間隔幅（分離領
域）寸法をSlとしたとき、 （l2＋ｄ）Ｓ／l1で決まる半影ボケａがａ≦Sl
の関係を満すようにＸ線遮へい体１７を配置す
る。
本発明を実施例図面と共に詳述すれば以下の通
りである。
りである。
第５図は本発明のＸ線露光装置の構成を示す概
略図で、第３図と同一符号は同効のものを示して
いる。第５図において、マスク１の直上にはＸ線
遮へい体１７がマスクと平行に配置され、線源か
ら遮へい体１７までの間の距離をl1、遮へい体１
７からマスク１までの距離をl2とすると、（l2＋
ｄ）Ｓ／l1の値がチツプ間分離領域（スクライブ
線）の幅寸法Sl以下になるようにそれぞれ位置関
係が定められている。
略図で、第３図と同一符号は同効のものを示して
いる。第５図において、マスク１の直上にはＸ線
遮へい体１７がマスクと平行に配置され、線源か
ら遮へい体１７までの間の距離をl1、遮へい体１
７からマスク１までの距離をl2とすると、（l2＋
ｄ）Ｓ／l1の値がチツプ間分離領域（スクライブ
線）の幅寸法Sl以下になるようにそれぞれ位置関
係が定められている。
遮へい体１７はその中央部にマスク１の露光領
域４に対応したほぼ同じ大きさのＸ線透過用の窓
１８を有し、窓１８以外の部分で前記線源から前
記マスク１上に照射される波長１〜10〓程度の軟
Ｘ線が露光領域４外に広がらないようにするＸ線
遮へい機能を果すものである。一般的にはこの遮
へい体１７はニツケルやスチールの薄板をエツチ
ングにより窓１８としての開口を形成してなるも
のが用いられる。
域４に対応したほぼ同じ大きさのＸ線透過用の窓
１８を有し、窓１８以外の部分で前記線源から前
記マスク１上に照射される波長１〜10〓程度の軟
Ｘ線が露光領域４外に広がらないようにするＸ線
遮へい機能を果すものである。一般的にはこの遮
へい体１７はニツケルやスチールの薄板をエツチ
ングにより窓１８としての開口を形成してなるも
のが用いられる。
Ｘ線遮へい体１７を第５図に示すような配置で
マスク１に対し固定し、線源１２からの軟Ｘ線で
露光すると、遮へい体１７の窓１８の縁部による
ウエハ１１上での半影ボケ量ａは近似的に ａ＝（l2＋ｄ／l1）Ｓ で表わされる。
マスク１に対し固定し、線源１２からの軟Ｘ線で
露光すると、遮へい体１７の窓１８の縁部による
ウエハ１１上での半影ボケ量ａは近似的に ａ＝（l2＋ｄ／l1）Ｓ で表わされる。
従つてこのａの値がスクライブ線の幅寸法Sl以
下であれば、ステツプアンドリピート方式の露光
転写において隣接チツプが部分的に過度にＸ線の
かぶりを受けることがなくなり、LSI等の半導体
デバイスの製造において歩留の向上および良品率
の向上が達成されるものである。また逆にａの値
を小さく定めればSlをａに近づけてスクライブ線
を細幅にし、従つてウエハ上のチツプ配列に自由
度が増すという利点が得られるものである。
下であれば、ステツプアンドリピート方式の露光
転写において隣接チツプが部分的に過度にＸ線の
かぶりを受けることがなくなり、LSI等の半導体
デバイスの製造において歩留の向上および良品率
の向上が達成されるものである。また逆にａの値
を小さく定めればSlをａに近づけてスクライブ線
を細幅にし、従つてウエハ上のチツプ配列に自由
度が増すという利点が得られるものである。
前記半影ボケ量ａは、ウエハ１１上のチツプ間
のスクライブ線の幅寸法Slに比べて小さければ小
さいほどよく、従つてこの目的のために線源の見
かけの大きさＳを小さくするためにＸ線発生源１
２を第５図で時計方向に若干傾むけて配置するこ
とは本発明において好ましいことであり、また熱
線から遮へい体１７までの距離l1を大きくするこ
とも照射線量が不足しない限りにおいて半影ボケ
量ａを小さくすることおよびボケ部分を被露光領
域に近づけ得ることによつて有効である。
のスクライブ線の幅寸法Slに比べて小さければ小
さいほどよく、従つてこの目的のために線源の見
かけの大きさＳを小さくするためにＸ線発生源１
２を第５図で時計方向に若干傾むけて配置するこ
とは本発明において好ましいことであり、また熱
線から遮へい体１７までの距離l1を大きくするこ
とも照射線量が不足しない限りにおいて半影ボケ
量ａを小さくすることおよびボケ部分を被露光領
域に近づけ得ることによつて有効である。
一例としてl1＝150mm、l2＝0.3mm、ｄ＝0.02mm、
Ｓ＝２mmの場合、ａ＝0.0043mm（＝4.3μｍ）とな
り、スクライブ線幅Slは一般的に80μｍ位である
ので、半影ボケの悪影響は全く生じない。
Ｓ＝２mmの場合、ａ＝0.0043mm（＝4.3μｍ）とな
り、スクライブ線幅Slは一般的に80μｍ位である
ので、半影ボケの悪影響は全く生じない。
逆にSl＝80μｍを設定条件としてそのときのl2
の上限を求めてそこに遮へい体１７を配置するよ
うにしてもよい。この場合一例としてＳ＝２mm、
ｄ＝0.02mmおよび（l1＋l2）＝150mmが装置の仕様
上定値であるとすれば、 ａ＝l2＋0.02／150−l2×２≦0.080（＝Sl） の関係になる。
の上限を求めてそこに遮へい体１７を配置するよ
うにしてもよい。この場合一例としてＳ＝２mm、
ｄ＝0.02mmおよび（l1＋l2）＝150mmが装置の仕様
上定値であるとすれば、 ａ＝l2＋0.02／150−l2×２≦0.080（＝Sl） の関係になる。
従つてl2≦5.7mmとなり、マスク１の薄膜３から
約５mm上方に遮へい体１７を対面位置してもその
窓１８の縁部によるウエハ上での半影ボケ量ａは
Sl以下となる。もちろん薄膜３と遮へい体１７と
を密着（l2＝０）させることが最も良いことは明
らかである。
約５mm上方に遮へい体１７を対面位置してもその
窓１８の縁部によるウエハ上での半影ボケ量ａは
Sl以下となる。もちろん薄膜３と遮へい体１７と
を密着（l2＝０）させることが最も良いことは明
らかである。
このように遮へい体１７の位置はａ≦Slを満足
する範囲内で任意に決定できるものである。
する範囲内で任意に決定できるものである。
以上に述べたように本発明によれば、マスクの
回路パターン部分に対して位置合わせされたＸ線
遮へい体を用いるので、ステツプアンドリピート
方式によるＸ線露光転写に際してチツプ部分が不
要なＸ線露光を受けず、転写パターン内全域にわ
たり焼付パターンのコントラストを一様に良好な
ものとすることができる。従つて高密度の微細パ
ターンの転写を行なうLSI製造用に好適なＸ線露
光転写法が実現できるものである。
回路パターン部分に対して位置合わせされたＸ線
遮へい体を用いるので、ステツプアンドリピート
方式によるＸ線露光転写に際してチツプ部分が不
要なＸ線露光を受けず、転写パターン内全域にわ
たり焼付パターンのコントラストを一様に良好な
ものとすることができる。従つて高密度の微細パ
ターンの転写を行なうLSI製造用に好適なＸ線露
光転写法が実現できるものである。
第１図は従来より使われているＸ線露光転写用
マスクの一例を示す平面図、第２図は第１図Ａ−
Ａ線矢視断面図、第３図は従来法によるステツプ
アンドリピート方式のＸ線露光装置の構成を示す
概略図、第４図は前図による転写の際のＸ線照射
の重なり具合を模式的に示す平面図、第５図は本
発明のＸ線露光装置の一態様を示す概略図であ
る。 １……転写用マスク、２……フレーム、３……
薄膜、４……露光領域、５……Au層、６……吸
収領域、１１……ウエハ、１２……Ｘ線発生源、
１３……電子銃、１４……金属ターゲツト、１７
……Ｘ線遮へい体、１８……窓。
マスクの一例を示す平面図、第２図は第１図Ａ−
Ａ線矢視断面図、第３図は従来法によるステツプ
アンドリピート方式のＸ線露光装置の構成を示す
概略図、第４図は前図による転写の際のＸ線照射
の重なり具合を模式的に示す平面図、第５図は本
発明のＸ線露光装置の一態様を示す概略図であ
る。 １……転写用マスク、２……フレーム、３……
薄膜、４……露光領域、５……Au層、６……吸
収領域、１１……ウエハ、１２……Ｘ線発生源、
１３……電子銃、１４……金属ターゲツト、１７
……Ｘ線遮へい体、１８……窓。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 所定形状のフレームに張設された薄膜上の矩
形領域に所定の転写パターンが形成された転写用
のマスクに、見かけの大きさＳのＸ線源からのＸ
線を照射し、該マスクと所定の間隔ｄで対面した
被露光基板上に幅寸法Slの分離領域を挾んで形成
される複数の被露光領域の夫々に前記転写パター
ンを順次露光するＸ線露光装置において、 前記マスクの転写パターンの形成された矩形領
域以外の薄膜部分に前記Ｘ線が照射されることを
防止するために、該マスクの矩形領域に対応した
矩形のＸ線透過窓を有するＸ線遮へい体を前記Ｘ
線源と前記マスクとの間に設け、該Ｘ線遮へい体
の前記Ｘ線源からの距離をl1（ただしl1≠０）、前
記マスクの薄膜面からの距離をl2（ただしl2≠０）
としたとき、該Ｘ線遮へい体のＸ線透過窓の縁部
による前記被露光基板上での半影ボケを前記被露
光基板上の分離領域内に制限するために、前記距
離l1，l2を、ほぼ （l2＋ｄ）Ｓ／l1≦Sl の関係を満たすように定めたことを特徴とするＸ
線露光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57142117A JPS5932131A (ja) | 1982-08-18 | 1982-08-18 | Ｘ線露光転写法および転写用マスク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57142117A JPS5932131A (ja) | 1982-08-18 | 1982-08-18 | Ｘ線露光転写法および転写用マスク |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61109500A Division JPS621231A (ja) | 1986-05-15 | 1986-05-15 | Ｘ線露光転写用マスク |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5932131A JPS5932131A (ja) | 1984-02-21 |
| JPH0368531B2 true JPH0368531B2 (ja) | 1991-10-28 |
Family
ID=15307797
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57142117A Granted JPS5932131A (ja) | 1982-08-18 | 1982-08-18 | Ｘ線露光転写法および転写用マスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5932131A (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60198726A (ja) * | 1984-03-23 | 1985-10-08 | Hitachi Ltd | Ｘ線露光装置の露光量調整方法と装置 |
| JPH04263416A (ja) * | 1991-02-18 | 1992-09-18 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Ｘ線マスク |
| JP2001007039A (ja) * | 1999-06-18 | 2001-01-12 | Hitachi Ltd | 半導体集積回路装置の製造方法 |
| CN110537010B (zh) | 2017-10-30 | 2022-02-01 | 三菱重工发动机和增压器株式会社 | 涡轮增压器 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5720434A (en) * | 1980-07-11 | 1982-02-02 | Mitsubishi Electric Corp | X-ray exposure transferring method and transferring apparatus therefor |
| JPS5745235A (en) * | 1980-09-02 | 1982-03-15 | Fujitsu Ltd | Exposure by x-ray |
-
1982
- 1982-08-18 JP JP57142117A patent/JPS5932131A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5720434A (en) * | 1980-07-11 | 1982-02-02 | Mitsubishi Electric Corp | X-ray exposure transferring method and transferring apparatus therefor |
| JPS5745235A (en) * | 1980-09-02 | 1982-03-15 | Fujitsu Ltd | Exposure by x-ray |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5932131A (ja) | 1984-02-21 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4298803A (en) | Process and apparatus for making fine-scale patterns | |
| US4349621A (en) | Process for X-ray microlithography using thin film eutectic masks | |
| JPH0368531B2 (ja) | ||
| JPH0950131A (ja) | 斜入射照明用アパーチャ及びこれを利用した投影露光装置 | |
| JP2645347B2 (ja) | 平行ｘ線用露光マスク | |
| JP2002222750A (ja) | 電子ビーム転写用マスク | |
| JP2861642B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP3384880B2 (ja) | 写真製版における焦点合わせ方法 | |
| JPS6219055B2 (ja) | ||
| JP3184395B2 (ja) | 露光装置 | |
| JPH0664337B2 (ja) | 半導体集積回路用ホトマスク | |
| JPS5962855A (ja) | Ｘ線露光用マスク | |
| JPH0613292A (ja) | Ｘ線露光用マスクの製造方法 | |
| JP2853247B2 (ja) | Ｘ線露光用マスクの支持膜及びｘ線露光用マスク | |
| JP3267498B2 (ja) | マスク及びこれを用いたデバイス生産方法や露光装置 | |
| JPH0527413A (ja) | 露光装置用ホトマスク | |
| JPH0715869B2 (ja) | 軟ｘ線露光装置 | |
| JP2908100B2 (ja) | 投影露光装置及び半導体装置の製造方法 | |
| JPH01150323A (ja) | Ｘ線露光方法 | |
| JP3287745B2 (ja) | 露光装置及びデバイス製造方法 | |
| JPS62262428A (ja) | リソグラフイ−用マスク | |
| JPS62217616A (ja) | Ｘ線マスクの製造方法 | |
| JPH05326367A (ja) | 露光方法、露光装置およびそれに用いるフォトマスク | |
| JPH0943851A (ja) | 投影露光装置 | |
| JPS61111528A (ja) | 露光方法 |