JP3184395B2 - 露光装置 - Google Patents
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- JP3184395B2 JP3184395B2 JP09587494A JP9587494A JP3184395B2 JP 3184395 B2 JP3184395 B2 JP 3184395B2 JP 09587494 A JP09587494 A JP 09587494A JP 9587494 A JP9587494 A JP 9587494A JP 3184395 B2 JP3184395 B2 JP 3184395B2
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
- G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
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- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、荷電粒子蓄積リング放
射光（ＳＲ−Ｘ線）等を露光光とする露光装置に関する
ものである。
射光（ＳＲ−Ｘ線）等を露光光とする露光装置に関する
ものである。
【０００２】
【従来の技術】荷電粒子蓄積リング放射光（ＳＲ−Ｘ
線）等を露光光とする露光装置は、例えば、２５６メガ
ビットＤＲＡＭクラスの集積回路に必要とされる線幅
０．２５ミクロン程度の微細な回路パターンの転写、焼
付けが可能であるために近年特に注目されている。
線）等を露光光とする露光装置は、例えば、２５６メガ
ビットＤＲＡＭクラスの集積回路に必要とされる線幅
０．２５ミクロン程度の微細な回路パターンの転写、焼
付けが可能であるために近年特に注目されている。
【０００３】このような露光装置においては、まず、ウ
エハ等基板の所定数の露光領域のうちの１つにマスクの
回路パターン等を転写、焼付けし、他の露光領域のそれ
ぞれについても逐次同様の転写、焼付けを行うステップ
＆リピート方式を採用するのが一般的であり、この方式
の露光装置の多くは、各露光領域を露光するときに露光
光の不必要な周辺部分が隣接する露光領域に入射しここ
に転写される回路パターン等のコントラストを低下させ
るのを防ぐためのアパーチャ（開口手段）を備えている
（特開平５−３６５８９号公報参照）。
エハ等基板の所定数の露光領域のうちの１つにマスクの
回路パターン等を転写、焼付けし、他の露光領域のそれ
ぞれについても逐次同様の転写、焼付けを行うステップ
＆リピート方式を採用するのが一般的であり、この方式
の露光装置の多くは、各露光領域を露光するときに露光
光の不必要な周辺部分が隣接する露光領域に入射しここ
に転写される回路パターン等のコントラストを低下させ
るのを防ぐためのアパーチャ（開口手段）を備えている
（特開平５−３６５８９号公報参照）。
【０００４】図８は従来のＸ線を用いた露光装置の主要
部を示すもので、図示しない位置決めステージに保持さ
れたウエハＷ0 は、その表面にマスクＭ0 を経て照射さ
れるＸ線Ｌ0 によって露光され、これによって、マスク
Ｍ0 の回路パターンＰ0 を転写、焼付けされる。Ｘ線Ｌ
0 の光路には、Ｘ線Ｌ0 の不必要な周辺部分を遮断する
アパーチャ１０１が配設され、前述のようにウエハＷ0
の所定の露光領域の周辺が露光されるのを防ぐ役目をす
る。アパーチャ１０１は、Ｘ線を遮るのに充分な遮光性
を有する板材、例えば、厚さ約１００μｍのステンレス
鋼板によって作られた４枚のアパーチャブレード１１１
からなり、各アパーチャブレード１１１はマスクＭ0 と
ともにマスクステージ１０２に保持され、駆動ユニット
１０３によってＸ線Ｌ0 の光軸Ｏ0 に向かって進退され
る。マスクＭ0 は、Ｘ線を透過させるＸ線透過膜とこれ
に被着されたＡｕ（金）膜等のＸ線吸収体からなり、該
Ｘ線吸収体の主要部にはウエハＷ0 の１つの回路パター
ン転写領域Ｓa に所定の回路パターンを転写するための
回路パターンＰ0 が設けられ、また、前記回路パターン
Ｐ0 の外周には、次回のリソグラフィにおいてマスクＭ
0 とウエハＷ0 の位置合わせ（アライメント）に用いら
れるアライメントマークをウエハＷ0 の回路パターン転
写領域Ｓa の周辺のスクライブラインに転写する図示し
ない転写用アライメントマークが設けられている。
部を示すもので、図示しない位置決めステージに保持さ
れたウエハＷ0 は、その表面にマスクＭ0 を経て照射さ
れるＸ線Ｌ0 によって露光され、これによって、マスク
Ｍ0 の回路パターンＰ0 を転写、焼付けされる。Ｘ線Ｌ
0 の光路には、Ｘ線Ｌ0 の不必要な周辺部分を遮断する
アパーチャ１０１が配設され、前述のようにウエハＷ0
の所定の露光領域の周辺が露光されるのを防ぐ役目をす
る。アパーチャ１０１は、Ｘ線を遮るのに充分な遮光性
を有する板材、例えば、厚さ約１００μｍのステンレス
鋼板によって作られた４枚のアパーチャブレード１１１
からなり、各アパーチャブレード１１１はマスクＭ0 と
ともにマスクステージ１０２に保持され、駆動ユニット
１０３によってＸ線Ｌ0 の光軸Ｏ0 に向かって進退され
る。マスクＭ0 は、Ｘ線を透過させるＸ線透過膜とこれ
に被着されたＡｕ（金）膜等のＸ線吸収体からなり、該
Ｘ線吸収体の主要部にはウエハＷ0 の１つの回路パター
ン転写領域Ｓa に所定の回路パターンを転写するための
回路パターンＰ0 が設けられ、また、前記回路パターン
Ｐ0 の外周には、次回のリソグラフィにおいてマスクＭ
0 とウエハＷ0 の位置合わせ（アライメント）に用いら
れるアライメントマークをウエハＷ0 の回路パターン転
写領域Ｓa の周辺のスクライブラインに転写する図示し
ない転写用アライメントマークが設けられている。
【０００５】図９に示すように、ウエハＷ0 は前記回路
パターン転写領域Ｓa に加えてこれと同様の複数の回路
パターン転写領域Ｓb 〜Ｓi を有し、各回路パターン転
写領域Ｓa 〜Ｓi の間と全部の回路パターン転写領域Ｓ
a 〜Ｓi の外側には前述のようにスクライブラインＤ0
が配設され、互に隣接する回路パターン転写領域、例え
ば中央の回路パターン転写領域Ｓa と図示右側の回路パ
ターン転写領域Ｓe の間のスクライブラインＤ0 上には
図１０に示すように次回のリソグラフィにおいて用いら
れるアライメントマークＮa ，Ｎe が互に重なることの
ないように転写される。なお、各回路パターン転写領域
Ｓa 〜Ｓi は方形であり、前記アライメントマークは各
回路パターン転写領域Ｓa 〜Ｓi の各辺に隣接して１個
ずつ合計４個設けられるのが一般的である。
パターン転写領域Ｓa に加えてこれと同様の複数の回路
パターン転写領域Ｓb 〜Ｓi を有し、各回路パターン転
写領域Ｓa 〜Ｓi の間と全部の回路パターン転写領域Ｓ
a 〜Ｓi の外側には前述のようにスクライブラインＤ0
が配設され、互に隣接する回路パターン転写領域、例え
ば中央の回路パターン転写領域Ｓa と図示右側の回路パ
ターン転写領域Ｓe の間のスクライブラインＤ0 上には
図１０に示すように次回のリソグラフィにおいて用いら
れるアライメントマークＮa ，Ｎe が互に重なることの
ないように転写される。なお、各回路パターン転写領域
Ｓa 〜Ｓi は方形であり、前記アライメントマークは各
回路パターン転写領域Ｓa 〜Ｓi の各辺に隣接して１個
ずつ合計４個設けられるのが一般的である。
【０００６】露光装置の生産性を向上させるためにはス
クライブラインＤ0 の幅をできるだけ縮小するのが望ま
しい。そこで、各回路パターン転写領域のアライメント
マークは、該回路パターン転写領域とこれに隣接する回
路パターン転写領域の間のスクライブラインＤ0 上にお
いて隣接する回路パターン転写領域のアライメントマー
クとほぼ直列に配設されるため、例えば、ウエハＷ0 の
中央の回路パターン転写領域Ｓa にマスクＭ0 の回路パ
ターンＰ0 を転写しこれと同時に該回路パターン転写領
域Ｓa の次回のリソグラフィのための４個のアライメン
トマークＮａをスクライブラインＤ0 上に転写するとき
は、中央の回路パターン転写領域Ｓa に隣接する４個の
回路パターン転写領域Ｓc ，Ｓe ，Ｓg ，Ｓi のそれぞ
れのアライメントマークＮc ，Ｎe ，Ｎg ，Ｎi の転写
部分がアパーチャ１０１の開口１０１ａ（破線で示す）
を通過したＸ線の露光領域内に位置するため、微小量で
はあるがマスクＭ0 のＸ線吸収体を透過したＸ線によっ
て前記アライメントマークの転写部分が不必要に露光さ
れる傾向がある。
クライブラインＤ0 の幅をできるだけ縮小するのが望ま
しい。そこで、各回路パターン転写領域のアライメント
マークは、該回路パターン転写領域とこれに隣接する回
路パターン転写領域の間のスクライブラインＤ0 上にお
いて隣接する回路パターン転写領域のアライメントマー
クとほぼ直列に配設されるため、例えば、ウエハＷ0 の
中央の回路パターン転写領域Ｓa にマスクＭ0 の回路パ
ターンＰ0 を転写しこれと同時に該回路パターン転写領
域Ｓa の次回のリソグラフィのための４個のアライメン
トマークＮａをスクライブラインＤ0 上に転写するとき
は、中央の回路パターン転写領域Ｓa に隣接する４個の
回路パターン転写領域Ｓc ，Ｓe ，Ｓg ，Ｓi のそれぞ
れのアライメントマークＮc ，Ｎe ，Ｎg ，Ｎi の転写
部分がアパーチャ１０１の開口１０１ａ（破線で示す）
を通過したＸ線の露光領域内に位置するため、微小量で
はあるがマスクＭ0 のＸ線吸収体を透過したＸ線によっ
て前記アライメントマークの転写部分が不必要に露光さ
れる傾向がある。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】上記従来の技術によれ
ば、前述のように、アパーチャの開口を通過したＸ線に
よってウエハの各回路パターン転写領域とその周囲のス
クライブラインにマスクの回路パターンとアライメント
マークをそれぞれ転写するときに、隣接する回路パター
ン転写領域のアライメントマークの転写部分が不必要に
露光されるのを避けることができず、ウエハの各回路パ
ターン転写領域について上記の露光サイクルを繰返すう
ちに互に隣接する回路パターン転写領域の間のスクライ
ブラインの露光量が過剰となりこれに転写されるアライ
メントマークのコントラストが著しく低下し、次回のリ
ソグラフィにおいて高精度の位置合わせを行うことがで
きない。
ば、前述のように、アパーチャの開口を通過したＸ線に
よってウエハの各回路パターン転写領域とその周囲のス
クライブラインにマスクの回路パターンとアライメント
マークをそれぞれ転写するときに、隣接する回路パター
ン転写領域のアライメントマークの転写部分が不必要に
露光されるのを避けることができず、ウエハの各回路パ
ターン転写領域について上記の露光サイクルを繰返すう
ちに互に隣接する回路パターン転写領域の間のスクライ
ブラインの露光量が過剰となりこれに転写されるアライ
メントマークのコントラストが著しく低下し、次回のリ
ソグラフィにおいて高精度の位置合わせを行うことがで
きない。
【０００８】また、このように隣接する回路パターン転
写領域のアライメントマークの転写部分が過剰に露光さ
れるのを防ぐために、アパーチャの開口の周縁に凹所を
設け、露光中の回路パターン転写領域のアライメントマ
ークの転写部分のみが露光されるように構成したものも
提案されているが（特開平５−３６５８９号公報参
照）、アパーチャの開口の周縁に凹所を形成するための
加工が複雑であるうえにアライメントマークの転写部分
をスクライブライン上で他の位置へずらせる必要が生じ
たときにはそのたびにアパーチャを移動させなければな
らず、この作業が繁雑で露光装置のスループットを低下
させるおそれがある。
写領域のアライメントマークの転写部分が過剰に露光さ
れるのを防ぐために、アパーチャの開口の周縁に凹所を
設け、露光中の回路パターン転写領域のアライメントマ
ークの転写部分のみが露光されるように構成したものも
提案されているが（特開平５−３６５８９号公報参
照）、アパーチャの開口の周縁に凹所を形成するための
加工が複雑であるうえにアライメントマークの転写部分
をスクライブライン上で他の位置へずらせる必要が生じ
たときにはそのたびにアパーチャを移動させなければな
らず、この作業が繁雑で露光装置のスループットを低下
させるおそれがある。
【０００９】本発明は上記従来の技術の有する問題点に
鑑みてなされたものであって、アパーチャの開口の周縁
を複雑な形状に加工する必要がないうえにアライメント
マークの転写部分をスクライブライン上の他の位置へず
らせるときでもアパーチャを移動させる必要のない露光
装置を提供することを目的とするものである。
鑑みてなされたものであって、アパーチャの開口の周縁
を複雑な形状に加工する必要がないうえにアライメント
マークの転写部分をスクライブライン上の他の位置へず
らせるときでもアパーチャを移動させる必要のない露光
装置を提供することを目的とするものである。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
め本発明の露光装置は、所定の方向に直列に配列された
複数の回路パターン転写領域を有する基板の前記回路パ
ターン転写領域を開口手段の開口を通る照明光によって
逐次露光するように構成された露光装置であって、前記
開口手段の開口の周縁に、前記所定の方向に互に離間し
て対向しかつ互に逆向きに配設された一対の段差による
凹凸が設けられていることを特徴とする。
め本発明の露光装置は、所定の方向に直列に配列された
複数の回路パターン転写領域を有する基板の前記回路パ
ターン転写領域を開口手段の開口を通る照明光によって
逐次露光するように構成された露光装置であって、前記
開口手段の開口の周縁に、前記所定の方向に互に離間し
て対向しかつ互に逆向きに配設された一対の段差による
凹凸が設けられていることを特徴とする。
【００１１】
【作用】開口手段の開口を通った照明光によってマスク
の回路パターンとアライメントマークを基板の複数の回
路パターン転写領域のうちの一つとこれを囲むスクライ
ブラインの所定の部分にそれぞれに転写し、残りの回路
パターン転写領域のすべてについてそれぞれ同様の露光
サイクルを繰返す。各回路パターン転写領域を露光する
ときに、開口手段の開口の段差によってスクライブライ
ンの一部分が露光され残りが照明光から遮断されるよう
に構成されているため、逐次露光によるスクライブライ
ンの過剰露光を防ぎ、これによるアライメントマークの
コントラストの低下を防止することができる。
の回路パターンとアライメントマークを基板の複数の回
路パターン転写領域のうちの一つとこれを囲むスクライ
ブラインの所定の部分にそれぞれに転写し、残りの回路
パターン転写領域のすべてについてそれぞれ同様の露光
サイクルを繰返す。各回路パターン転写領域を露光する
ときに、開口手段の開口の段差によってスクライブライ
ンの一部分が露光され残りが照明光から遮断されるよう
に構成されているため、逐次露光によるスクライブライ
ンの過剰露光を防ぎ、これによるアライメントマークの
コントラストの低下を防止することができる。
【００１２】段差によって各スクライブラインが２つに
分割されて露光されるため、アライメントマークの転写
部分を移動させても段差に対して同じ側にあれば開口手
段を移動させる必要はない。また、開口手段の開口の周
縁に少数の段差を設けるだけであるから、アライメント
マークの転写部分のみを露光させるために開口の周縁に
凹所を設ける場合に比べて開口手段の加工が簡単であ
る。
分割されて露光されるため、アライメントマークの転写
部分を移動させても段差に対して同じ側にあれば開口手
段を移動させる必要はない。また、開口手段の開口の周
縁に少数の段差を設けるだけであるから、アライメント
マークの転写部分のみを露光させるために開口の周縁に
凹所を設ける場合に比べて開口手段の加工が簡単であ
る。
【００１３】
【実施例】本発明の実施例を図面に基づいて説明する。
【００１４】図１は一実施例による露光装置の開口手段
であるアパーチャ１０のみを示す平面図であって、アパ
ーチャ１０は、図示しない光源から発生される荷電粒子
蓄積リング放射光等の照明光であるＸ線の光軸Ｏ1 に垂
直な平面内で前記光軸Ｏ1 に対し進退自在である４枚の
板状体であるアパーチャブレード１〜４と各アパーチャ
ブレード１〜４を進退させる駆動ユニット５を有し、ア
パーチャブレードのうちで図示左右に互に対向する一対
のアパーチャブレード１，３は他の一対のアパーチャブ
レード２，４に対して前記光軸Ｏ1 に沿って所定距離だ
け離間しており、各アパーチャブレード１〜４が前記光
軸Ｏ1 に対して進退するときに互に隣接する両端部分が
干渉しないように構成されている。なお、各駆動ユニッ
ト５はアパーチャブレード１〜４に連結された一対のア
ーム５ａ，５ｂを駆動することでアパーチャブレード１
〜４を進退させるものである。
であるアパーチャ１０のみを示す平面図であって、アパ
ーチャ１０は、図示しない光源から発生される荷電粒子
蓄積リング放射光等の照明光であるＸ線の光軸Ｏ1 に垂
直な平面内で前記光軸Ｏ1 に対し進退自在である４枚の
板状体であるアパーチャブレード１〜４と各アパーチャ
ブレード１〜４を進退させる駆動ユニット５を有し、ア
パーチャブレードのうちで図示左右に互に対向する一対
のアパーチャブレード１，３は他の一対のアパーチャブ
レード２，４に対して前記光軸Ｏ1 に沿って所定距離だ
け離間しており、各アパーチャブレード１〜４が前記光
軸Ｏ1 に対して進退するときに互に隣接する両端部分が
干渉しないように構成されている。なお、各駆動ユニッ
ト５はアパーチャブレード１〜４に連結された一対のア
ーム５ａ，５ｂを駆動することでアパーチャブレード１
〜４を進退させるものである。
【００１５】アパーチャ１０のアパーチャ開口１０ａの
周縁は、各アパーチャブレード１〜４の前記Ｘ線の光軸
Ｏ1 に面した端縁である内端縁１ａ〜４ａによって構成
されるもので、各アパーチャブレード１〜４の内端縁１
ａ〜４ａにはこれに凹凸を形成する段差１ｂ〜４ｂが設
けられ、対向する一対のアパーチャブレード１，３の段
差１ｂ，３ｂは互に対向する位置で前記凹凸が逆になる
ように逆向きに構成され、残りの一対のアパーチャブレ
ード２，４についても同様である。
周縁は、各アパーチャブレード１〜４の前記Ｘ線の光軸
Ｏ1 に面した端縁である内端縁１ａ〜４ａによって構成
されるもので、各アパーチャブレード１〜４の内端縁１
ａ〜４ａにはこれに凹凸を形成する段差１ｂ〜４ｂが設
けられ、対向する一対のアパーチャブレード１，３の段
差１ｂ，３ｂは互に対向する位置で前記凹凸が逆になる
ように逆向きに構成され、残りの一対のアパーチャブレ
ード２，４についても同様である。
【００１６】アパーチャ１０の前記Ｘ線の照射方向下流
側には従来例と同様の図示しないマスクが配設され、さ
らにその下流側には公知の位置決めステージに保持され
た基板であるウエハＷ1 （図２に示す）が配設されてお
り、前記光源から発生されたＸ線のうちで、アパーチャ
１０の開口であるアパーチャ開口１０ａを通過したもの
が前記マスクを経てウエハＷ1 を露光し、図２に示すよ
うに、マスクの回路パターンをウエハＷ1 の回路パター
ン転写領域Ｔa 〜Ｔi のうちの１つ、例えば中央の回路
パターン転写領域Ｔa に転写し、同時にマスクの外周部
分のアライメントマークを前記回路パターン転写領域Ｔ
a の周囲のスクライブラインＤ1 上の４個のアライメン
トマーク転写部分Ｈa に転写する。
側には従来例と同様の図示しないマスクが配設され、さ
らにその下流側には公知の位置決めステージに保持され
た基板であるウエハＷ1 （図２に示す）が配設されてお
り、前記光源から発生されたＸ線のうちで、アパーチャ
１０の開口であるアパーチャ開口１０ａを通過したもの
が前記マスクを経てウエハＷ1 を露光し、図２に示すよ
うに、マスクの回路パターンをウエハＷ1 の回路パター
ン転写領域Ｔa 〜Ｔi のうちの１つ、例えば中央の回路
パターン転写領域Ｔa に転写し、同時にマスクの外周部
分のアライメントマークを前記回路パターン転写領域Ｔ
a の周囲のスクライブラインＤ1 上の４個のアライメン
トマーク転写部分Ｈa に転写する。
【００１７】各アパーチャブレード１〜４の内端縁１ａ
〜４ａの段差１ｂ〜４ｂによって形成された凹凸は、上
述のようにウエハＷ1 が露光されるとき、破線で示すよ
うに前記回路パターン転写領域Ｔa のアライメントマー
ク転写部分Ｈa に入射するＸ線を通過させ、前記回路パ
ターン転写領域Ｔa に隣接する４個の回路パターン転写
領域Ｔc ，Ｔe ，Ｔg ，Ｔi のアライメントマーク転写
部分Ｈc ，Ｈe ，Ｈg，Ｈi に入射するＸ線を遮断する
働きをする。ウエハＷ1 の残りの回路パターン転写領域
Ｔb 〜Ｔi も同様に露光され、それぞれに回路パターン
およびアライメントマークを転写する。
〜４ａの段差１ｂ〜４ｂによって形成された凹凸は、上
述のようにウエハＷ1 が露光されるとき、破線で示すよ
うに前記回路パターン転写領域Ｔa のアライメントマー
ク転写部分Ｈa に入射するＸ線を通過させ、前記回路パ
ターン転写領域Ｔa に隣接する４個の回路パターン転写
領域Ｔc ，Ｔe ，Ｔg ，Ｔi のアライメントマーク転写
部分Ｈc ，Ｈe ，Ｈg，Ｈi に入射するＸ線を遮断する
働きをする。ウエハＷ1 の残りの回路パターン転写領域
Ｔb 〜Ｔi も同様に露光され、それぞれに回路パターン
およびアライメントマークを転写する。
【００１８】図３は前述の位置決めステージを図示左右
および図示上下にステップ移動させてウエハＷ1 の中央
の回路パターン転写領域Ｔa とこれに隣接する回路パタ
ーン転写領域Ｔc ，Ｔe ，Ｔg ，Ｔi をそれぞれ露光す
るときのアパーチャ１０のアパーチャ開口１０ａの位置
を示すもので、前述のように、アパーチャ１０の各アパ
ーチャブレード１〜４のうちの左右に対向する一対のア
パーチャブレード１，３が互に対向する位置に段差１
ｂ，３ｂを有し、内端縁１ａ，３ａの凹凸が互に対向す
る位置で逆になるように構成され、残りの一対のアパー
チャブレード２，４についても同様であるため、中央の
回路パターン転写領域Ｔa を囲むスクライブラインＤ1
の一部が該回路パターン転写領域Ｔa を露光するときに
露光された残りが周辺の回路パターン転写領域を露光す
るときに露光される。
および図示上下にステップ移動させてウエハＷ1 の中央
の回路パターン転写領域Ｔa とこれに隣接する回路パタ
ーン転写領域Ｔc ，Ｔe ，Ｔg ，Ｔi をそれぞれ露光す
るときのアパーチャ１０のアパーチャ開口１０ａの位置
を示すもので、前述のように、アパーチャ１０の各アパ
ーチャブレード１〜４のうちの左右に対向する一対のア
パーチャブレード１，３が互に対向する位置に段差１
ｂ，３ｂを有し、内端縁１ａ，３ａの凹凸が互に対向す
る位置で逆になるように構成され、残りの一対のアパー
チャブレード２，４についても同様であるため、中央の
回路パターン転写領域Ｔa を囲むスクライブラインＤ1
の一部が該回路パターン転写領域Ｔa を露光するときに
露光された残りが周辺の回路パターン転写領域を露光す
るときに露光される。
【００１９】前記マスクはＸ線を透過させるＸ線透過膜
にＡｕ（金）膜等のＸ線吸収体を被着させ、これに回路
パターンやアライメントマークを設けたものであるが、
Ａｕ膜等のＸ線吸収体はＸ線を完全に遮断することはで
きず、各アパーチャブレード１〜４の内端縁１ａ〜４ａ
が直線状である場合には、ウエハＷ1 の中央の回路パタ
ーン転写領域をＴa を露光するときにその周囲の回路パ
ターン転写領域Ｔc ，Ｔe ，Ｔg ，Ｔi のアライメント
マーク転写部分Ｈc ，Ｈe ，Ｈg ，Ｈi もわずかではあ
るがマスクのＸ線吸収体を透過したＸ線によって露光さ
れるためにアライメントマーク転写部分Ｈa 〜Ｈi の多
くは露光量が過剰となり、転写されたアライメントマー
クのコントラストが著しく低下する。
にＡｕ（金）膜等のＸ線吸収体を被着させ、これに回路
パターンやアライメントマークを設けたものであるが、
Ａｕ膜等のＸ線吸収体はＸ線を完全に遮断することはで
きず、各アパーチャブレード１〜４の内端縁１ａ〜４ａ
が直線状である場合には、ウエハＷ1 の中央の回路パタ
ーン転写領域をＴa を露光するときにその周囲の回路パ
ターン転写領域Ｔc ，Ｔe ，Ｔg ，Ｔi のアライメント
マーク転写部分Ｈc ，Ｈe ，Ｈg ，Ｈi もわずかではあ
るがマスクのＸ線吸収体を透過したＸ線によって露光さ
れるためにアライメントマーク転写部分Ｈa 〜Ｈi の多
くは露光量が過剰となり、転写されたアライメントマー
クのコントラストが著しく低下する。
【００２０】本実施例は、アパーチャのアパーチャ開口
の周縁に、露光される回路パターン転写領域の周辺のス
クライブラインの略半分を露光し残りをＸ線から遮断す
るための段差を設けることで、前述のように転写される
アライメントマークのコントラストが低下するのを極め
て効果的に防止するものである。なお、各アパーチャブ
レードの内端縁の段差はスクライブラインの幅より小で
ありかつウエハに転写されるアライメントマークの幅よ
り少し大きめに略１００μｍに設定される。
の周縁に、露光される回路パターン転写領域の周辺のス
クライブラインの略半分を露光し残りをＸ線から遮断す
るための段差を設けることで、前述のように転写される
アライメントマークのコントラストが低下するのを極め
て効果的に防止するものである。なお、各アパーチャブ
レードの内端縁の段差はスクライブラインの幅より小で
ありかつウエハに転写されるアライメントマークの幅よ
り少し大きめに略１００μｍに設定される。
【００２１】本実施例によれば、アライメントマーク転
写部分をスクライブライン上の他の位置へずらす必要が
生じた場合でも、アパーチャ開口の周縁の段差に対して
同じ側であればアパーチャブレードを移動させる必要が
ない。従って、従来例のような面倒な作業を必要としな
いうえに、各アパーチャブレードに１個ずつ段差を設け
るだけであるからその加工工程を大幅に簡略化できる。
写部分をスクライブライン上の他の位置へずらす必要が
生じた場合でも、アパーチャ開口の周縁の段差に対して
同じ側であればアパーチャブレードを移動させる必要が
ない。従って、従来例のような面倒な作業を必要としな
いうえに、各アパーチャブレードに１個ずつ段差を設け
るだけであるからその加工工程を大幅に簡略化できる。
【００２２】図４は本実施例の第１変形例によるアパー
チャ２０を示すもので、これは、本実施例のアパーチャ
ブレード１〜４のそれぞれの替わりにそれぞれ個別にＸ
線の光軸Ｏ2 に向って駆動ユニット２５ａ，２５ｂによ
って進退自在である一対の板状体である板状部材２０
ａ，２０ｂからなるアパーチャブレードユニット２１〜
２４を用いるとともに、各板状部材２０ａ，２０ｂの進
退量の差によって本実施例のアパーチャブレード１〜４
の段差１ｂ〜４ｂと同様の段差２１ｂ〜２４ｂを形成さ
せたものである。本変形例によれば、ウエハのスクライ
ブラインやアライメントマークの幅に応じて段差２１ｂ
〜２４ｂの大きさを変えることが自在である。
チャ２０を示すもので、これは、本実施例のアパーチャ
ブレード１〜４のそれぞれの替わりにそれぞれ個別にＸ
線の光軸Ｏ2 に向って駆動ユニット２５ａ，２５ｂによ
って進退自在である一対の板状体である板状部材２０
ａ，２０ｂからなるアパーチャブレードユニット２１〜
２４を用いるとともに、各板状部材２０ａ，２０ｂの進
退量の差によって本実施例のアパーチャブレード１〜４
の段差１ｂ〜４ｂと同様の段差２１ｂ〜２４ｂを形成さ
せたものである。本変形例によれば、ウエハのスクライ
ブラインやアライメントマークの幅に応じて段差２１ｂ
〜２４ｂの大きさを変えることが自在である。
【００２３】図５は第２変形例によるアパーチャ３０を
示すもので、これは、直線状の長さ略４０ｍｍの内端縁
を有する板状体であるアパーチャブレード３１〜３４の
それぞれに圧電駆動手段であるピエゾ素子駆動ユニット
３６によってＸ線の光軸Ｏ3に向って進退される長さ略
２０ｍｍの補助プレート３７を搭載したものである。本
変形例も第１変形例と同様に補助プレート３７の進退に
よって段差３１ｂ〜３４ｂの大きさを変えることができ
る。
示すもので、これは、直線状の長さ略４０ｍｍの内端縁
を有する板状体であるアパーチャブレード３１〜３４の
それぞれに圧電駆動手段であるピエゾ素子駆動ユニット
３６によってＸ線の光軸Ｏ3に向って進退される長さ略
２０ｍｍの補助プレート３７を搭載したものである。本
変形例も第１変形例と同様に補助プレート３７の進退に
よって段差３１ｂ〜３４ｂの大きさを変えることができ
る。
【００２４】図６は第３変形例によるアパーチャ４０を
示すもので、これは、第２変形例と同様の平板状の板状
体であるアパーチャブレード４１〜４４のそれぞれにピ
エゾバイモルフ構造の平板からなる補助プレート４７を
搭載し、各アパーチャブレード４１〜４４の内端縁４１
ａ〜４４ａから補助プレート４７を突出させることで段
差４１ｂ〜４４ｂを形成させたものである。補助プレー
ト４７は必要に応じてピエゾを駆動するることでその上
層部分が図７に示すように変形し、段差４１ｂ〜４４ｂ
の大きさを変えることができる。
示すもので、これは、第２変形例と同様の平板状の板状
体であるアパーチャブレード４１〜４４のそれぞれにピ
エゾバイモルフ構造の平板からなる補助プレート４７を
搭載し、各アパーチャブレード４１〜４４の内端縁４１
ａ〜４４ａから補助プレート４７を突出させることで段
差４１ｂ〜４４ｂを形成させたものである。補助プレー
ト４７は必要に応じてピエゾを駆動するることでその上
層部分が図７に示すように変形し、段差４１ｂ〜４４ｂ
の大きさを変えることができる。
【００２５】
【発明の効果】本発明は上述のように構成されているの
で、以下に記載するような効果を奏する。
で、以下に記載するような効果を奏する。
【００２６】アパーチャの開口の周縁を複雑な形状に加
工する必要がないうえに、アライメントマークの転写部
分をスクライブライン上の他の位置へずらせるときにも
アパーチャを移動させる必要がない。その結果、アパー
チャの製造コストを大幅に削減し、かつ、露光装置のス
ループットを大きく改善できる。
工する必要がないうえに、アライメントマークの転写部
分をスクライブライン上の他の位置へずらせるときにも
アパーチャを移動させる必要がない。その結果、アパー
チャの製造コストを大幅に削減し、かつ、露光装置のス
ループットを大きく改善できる。
【図１】一実施例のアパーチャのみを示す平面図であ
る。
る。
【図２】図１の装置によって露光されるウエハの一部分
を示す部分平面図である。
を示す部分平面図である。
【図３】図１の装置のアパーチャのアパーチャ開口とウ
エハの関係を説明する説明図である。
エハの関係を説明する説明図である。
【図４】第１変形例のアパーチャのみを示す平面図であ
る。
る。
【図５】第２変形例のアパーチャのみを示す平面図であ
る。
る。
【図６】第３変形例のアパーチャのみを示す平面図であ
る。
る。
【図７】図６の装置の一部分を断面で示す部分断面図で
ある。
ある。
【図８】一般的な露光装置の主要部を説明する説明図で
ある。
ある。
【図９】ウエハの回路パターン転写領域とスクライブラ
インを説明する説明図である。
インを説明する説明図である。
【図１０】図９のウエハの中央の回路パターン転写領域
とスクライブラインとアライメントマークの転写部分を
説明する部分拡大図である。
とスクライブラインとアライメントマークの転写部分を
説明する部分拡大図である。
【符号の説明】 Ｏ1 光軸 １〜４，３１〜３４，４１〜４４ アパーチャブレー
ド １ａ〜４ａ，４１ａ〜４４ａ 内端縁 １ｂ〜４ｂ，２１ｂ〜２４ｂ，３１ｂ〜３４ｂ，４１ｂ
〜４４ｂ 段差 ５，２５ａ，２５ｂ 駆動ユニット １０，２０，３０，４０ アパーチャ １０ａ アパーチャ開口 ２０ａ，２０ｂ 板状部材 ２１〜２４ アパーチャブレードユニット ３６ ピエゾ素子駆動ユニット ３７，４７ 補助プレート
ド １ａ〜４ａ，４１ａ〜４４ａ 内端縁 １ｂ〜４ｂ，２１ｂ〜２４ｂ，３１ｂ〜３４ｂ，４１ｂ
〜４４ｂ 段差 ５，２５ａ，２５ｂ 駆動ユニット １０，２０，３０，４０ アパーチャ １０ａ アパーチャ開口 ２０ａ，２０ｂ 板状部材 ２１〜２４ アパーチャブレードユニット ３６ ピエゾ素子駆動ユニット ３７，４７ 補助プレート
フロントページの続き (72)発明者 水澤 伸俊 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キ ヤノン株式会社内 (56)参考文献 特開 平７−226352（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−36589（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−15907（ＪＰ，Ａ) 特開 昭64−71123（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−23318（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/027 G03F 7/20 503 G03F 7/20 521
Claims (8)
- 【請求項１】 所定の方向に直列に配列された複数の回
路パターン転写領域を有する基板の前記回路パターン転
写領域を開口手段の開口を通る照明光によって逐次露光
するように構成された露光装置であって、前記開口手段
の開口の周縁に、前記所定の方向に互に離間して対向し
かつ互に逆向きに配設された一対の段差による凹凸が設
けられていることを特徴とする露光装置。 - 【請求項２】 基板が、互に交さする２軸の方向に格子
状に配列された複数の回路パターン転写領域を有し、段
差が、前記２軸の方向にそれぞれ一対ずつ設けられてい
ることを特徴とする請求項１記載の露光装置。 - 【請求項３】 開口手段が４枚の板状体を有し、該板状
体のそれぞれの端縁によって開口の周縁が形成されてお
り、各板状体の端縁の中央に１個の段差が設けられてい
ることを特徴とする請求項１または２記載の露光装置。 - 【請求項４】 開口手段が４対の板状体を有し、該板状
体のそれぞれの端縁によって開口が形成されており、各
対の２枚の板状体は前記開口の一周縁で隣り合って相対
的に移動して段差を形成することを特徴とする請求項１
または２記載の露光装置。 - 【請求項５】 開口手段が４枚の板状体と各板状体に搭
載された補助プレートを有し、前記板状体と前記補助プ
レートのそれぞれの端縁によって開口の周縁が形成され
ており、各板状体上で前記補助プレートが相対的に移動
自在であることを特徴とする請求項１または２記載の露
光装置。 - 【請求項６】 補助プレートが圧電駆動手段によって移
動されることを特徴とする請求項５記載の露光装置。 - 【請求項７】 補助プレートが弾力的に変形自在である
ことを特徴とする請求項５または６記載の露光装置。 - 【請求項８】 照明光がＸ線であることを特徴とする請
求項１ないし７いずれか１項記載の露光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP09587494A JP3184395B2 (ja) | 1994-04-08 | 1994-04-08 | 露光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP09587494A JP3184395B2 (ja) | 1994-04-08 | 1994-04-08 | 露光装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07283128A JPH07283128A (ja) | 1995-10-27 |
| JP3184395B2 true JP3184395B2 (ja) | 2001-07-09 |
Family
ID=14149498
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP09587494A Expired - Fee Related JP3184395B2 (ja) | 1994-04-08 | 1994-04-08 | 露光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3184395B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000357643A (ja) | 1999-06-14 | 2000-12-26 | Canon Inc | 露光方法及びそれを用いた露光装置 |
| KR20020002933A (ko) * | 2000-06-30 | 2002-01-10 | 박종섭 | 반도체 소자의 노광 장치 |
| KR20030002102A (ko) * | 2001-06-30 | 2003-01-08 | 주식회사 하이닉스반도체 | 줌렌즈 어레이 및 이를 구비한 노광장치 |
-
1994
- 1994-04-08 JP JP09587494A patent/JP3184395B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH07283128A (ja) | 1995-10-27 |
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