JPH07283124A - Ｘ線露光装置 - Google Patents
Ｘ線露光装置Info
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- JPH07283124A JPH07283124A JP6093069A JP9306994A JPH07283124A JP H07283124 A JPH07283124 A JP H07283124A JP 6093069 A JP6093069 A JP 6093069A JP 9306994 A JP9306994 A JP 9306994A JP H07283124 A JPH07283124 A JP H07283124A
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- Japan
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- aperture
- ray
- optical axis
- flat plate
- opening
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-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70058—Mask illumination systems
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 Ｘ線がアパーチャ開口の周縁で乱反射される
のを防ぐ。 【構成】 Ｘ線Ｌ1 はマスクＭ1 を経てウエハＷ1 の露
光領域Ｓ1 に照射されマスクＭ1 の回路パターンＰ1 を
転写、焼付けする。Ｘ線Ｌ1 の不必要な周辺部分を遮断
するアパーチャ３はＸ線Ｌ1 の光軸Ｏ1 に対して進退自
在である４枚のアパーチャブレード１１を有する。Ｘ線
Ｌ1 の最外周部の発散角は略０．６度であり、各アパー
チャブレード１１の端縁部分１１ｂは前記光軸Ｏ1 に垂
直である本体部分１１ｃに対してＸ線Ｌ1 の光軸Ｏ1 に
沿って下流側に１０度だけ傾斜しているため、各アパー
チャブレード１１の端面１１ａによってＸ線Ｌ1 が乱反
射されるおそれがない。
のを防ぐ。 【構成】 Ｘ線Ｌ1 はマスクＭ1 を経てウエハＷ1 の露
光領域Ｓ1 に照射されマスクＭ1 の回路パターンＰ1 を
転写、焼付けする。Ｘ線Ｌ1 の不必要な周辺部分を遮断
するアパーチャ３はＸ線Ｌ1 の光軸Ｏ1 に対して進退自
在である４枚のアパーチャブレード１１を有する。Ｘ線
Ｌ1 の最外周部の発散角は略０．６度であり、各アパー
チャブレード１１の端縁部分１１ｂは前記光軸Ｏ1 に垂
直である本体部分１１ｃに対してＸ線Ｌ1 の光軸Ｏ1 に
沿って下流側に１０度だけ傾斜しているため、各アパー
チャブレード１１の端面１１ａによってＸ線Ｌ1 が乱反
射されるおそれがない。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、荷電粒子蓄積リング放
射光（ＳＲ−Ｘ線）等のＸ線を露光光とするＸ線露光装
置に関するものである。
射光（ＳＲ−Ｘ線）等のＸ線を露光光とするＸ線露光装
置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】荷電粒子蓄積リング放射光（ＳＲ−Ｘ
線）等のＸ線を露光光とするＸ線露光装置は、例えば、
２５６メガビットＤＲＡＭクラスの集積回路に必要とさ
れる線幅０．２５ミクロン程度の微細な回路パターンの
転写、焼付けが可能であるために近年特に注目されてい
る。
線）等のＸ線を露光光とするＸ線露光装置は、例えば、
２５６メガビットＤＲＡＭクラスの集積回路に必要とさ
れる線幅０．２５ミクロン程度の微細な回路パターンの
転写、焼付けが可能であるために近年特に注目されてい
る。
【０００３】このようなＸ線露光装置においては、ま
ず、ウエハ等基板の所定数の露光領域のうちの１つに回
路パターンを転写、焼付けし、他の露光領域のそれぞれ
についても逐次同様の転写、焼付けを行うステップ＆リ
ピート方式を採用するのが一般的であり、この方式のＸ
線露光装置の多くは、各露光領域を露光するときに露光
光の一部分周辺の露光領域を不必要に露光しここに転写
される回路パターン等のコントラストを低下させるのを
防ぐためのアパーチャ（開口手段）を備えている（特開
昭６１−１７２３２８号、特開平３−２５３０１８号公
報参照）。
ず、ウエハ等基板の所定数の露光領域のうちの１つに回
路パターンを転写、焼付けし、他の露光領域のそれぞれ
についても逐次同様の転写、焼付けを行うステップ＆リ
ピート方式を採用するのが一般的であり、この方式のＸ
線露光装置の多くは、各露光領域を露光するときに露光
光の一部分周辺の露光領域を不必要に露光しここに転写
される回路パターン等のコントラストを低下させるのを
防ぐためのアパーチャ（開口手段）を備えている（特開
昭６１−１７２３２８号、特開平３−２５３０１８号公
報参照）。
【０００４】図６は従来のＸ線露光装置の主要部を示す
もので、図示しない位置決めステージに保持されたウエ
ハＷ0 は、その表面にマスクＭ0 を経て照射されるＸ線
Ｌ0によって露光され、これによって、マスクＭ0 の回
路パターンＰ0 を転写、焼付けされる。Ｘ線Ｌ0 の光路
には、アパーチャ開口１０１ａを有するアパーチャ１０
１が配設され、Ｘ線Ｌ0 のうちでアパーチャ開口１０１
ａを通ったものがウエハＷ0 の所定の露光領域Ｓ0 を露
光し、残りの不必要な周辺部分はアパーチャ１０１によ
って遮断され、前記露光領域Ｓ0 のまわりが不必要に露
光されることのないように構成されている。アパーチャ
１０１は、Ｘ線を遮るのに充分な遮光性を有する板材、
例えば、厚さ約５００μｍのステンレス鋼板によって作
られた４枚のアパーチャブレード１１１からなり、各ア
パーチャブレード１１１は駆動ユニット１０３によって
Ｘ線Ｌ0 の光軸Ｏ0 に直交する方向に進退自在である。
もので、図示しない位置決めステージに保持されたウエ
ハＷ0 は、その表面にマスクＭ0 を経て照射されるＸ線
Ｌ0によって露光され、これによって、マスクＭ0 の回
路パターンＰ0 を転写、焼付けされる。Ｘ線Ｌ0 の光路
には、アパーチャ開口１０１ａを有するアパーチャ１０
１が配設され、Ｘ線Ｌ0 のうちでアパーチャ開口１０１
ａを通ったものがウエハＷ0 の所定の露光領域Ｓ0 を露
光し、残りの不必要な周辺部分はアパーチャ１０１によ
って遮断され、前記露光領域Ｓ0 のまわりが不必要に露
光されることのないように構成されている。アパーチャ
１０１は、Ｘ線を遮るのに充分な遮光性を有する板材、
例えば、厚さ約５００μｍのステンレス鋼板によって作
られた４枚のアパーチャブレード１１１からなり、各ア
パーチャブレード１１１は駆動ユニット１０３によって
Ｘ線Ｌ0 の光軸Ｏ0 に直交する方向に進退自在である。
【０００５】各アパーチャブレード１１１のアパーチャ
開口１０１ａ側の端縁は、Ｘ線Ｌ0の不必要な周辺部分
を効果的に遮断するために、図７に示すように極めて高
い直線性と面精度でＸ線Ｌ0 の光軸Ｏ0 と平行に仕上げ
られた端面１１１ａを有し、該端面１１１ａの長さ、す
なわち該端面１１１ａに沿った各アパーチャブレード１
１１の幅は、少なくともウエハＷ0 の各露光領域の同方
向の幅を越える長さであることが必要である。例えば、
ウエハＷ0 の各露光領域が２０ｍｍ角の正方形であれ
ば、各アパーチャブレード１１１の端面１１１ａは２０
ｍｍを越える長さを有し、その全長にわたって高い直線
性と面精度で仕上げることが要求される。
開口１０１ａ側の端縁は、Ｘ線Ｌ0の不必要な周辺部分
を効果的に遮断するために、図７に示すように極めて高
い直線性と面精度でＸ線Ｌ0 の光軸Ｏ0 と平行に仕上げ
られた端面１１１ａを有し、該端面１１１ａの長さ、す
なわち該端面１１１ａに沿った各アパーチャブレード１
１１の幅は、少なくともウエハＷ0 の各露光領域の同方
向の幅を越える長さであることが必要である。例えば、
ウエハＷ0 の各露光領域が２０ｍｍ角の正方形であれ
ば、各アパーチャブレード１１１の端面１１１ａは２０
ｍｍを越える長さを有し、その全長にわたって高い直線
性と面精度で仕上げることが要求される。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記従来
の技術によれば、前述のようにアパーチャの各アパーチ
ャブレードの端面が高い直線性と面精度で仕上げられて
いるためにＸ線の不必要な周辺部分を効果的に遮断でき
る利点はあるものの、一般にＸ線の周辺部分は数ｍｒａ
ｄの発散角を有し、図７に示すようにわずかではあるが
Ｘ線の一部分が各アパーチャブレードの端面によって乱
反射され、ウエハの露光領域へ入射して転写、焼付けさ
れる回路パターンのコントラストを低下させ、特に、線
幅０．２５ミクロン以下の微細な回路パターンを転写、
焼付けする場合には大きな障害となるおそれがある。こ
れを防ぐために、各アパーチャブレードの端面をナイフ
エッジ加工することも考えられるが、前述のように２０
ｍｍの長さの端面を高い直線性でナイフエッジ加工する
のは高度の技術を必要とし、Ｘ線露光装置の高コスト化
を招くため好ましくない。
の技術によれば、前述のようにアパーチャの各アパーチ
ャブレードの端面が高い直線性と面精度で仕上げられて
いるためにＸ線の不必要な周辺部分を効果的に遮断でき
る利点はあるものの、一般にＸ線の周辺部分は数ｍｒａ
ｄの発散角を有し、図７に示すようにわずかではあるが
Ｘ線の一部分が各アパーチャブレードの端面によって乱
反射され、ウエハの露光領域へ入射して転写、焼付けさ
れる回路パターンのコントラストを低下させ、特に、線
幅０．２５ミクロン以下の微細な回路パターンを転写、
焼付けする場合には大きな障害となるおそれがある。こ
れを防ぐために、各アパーチャブレードの端面をナイフ
エッジ加工することも考えられるが、前述のように２０
ｍｍの長さの端面を高い直線性でナイフエッジ加工する
のは高度の技術を必要とし、Ｘ線露光装置の高コスト化
を招くため好ましくない。
【０００７】本発明は上記従来の技術の有する問題点に
鑑みてなされてものであって、アパーチャ開口の周縁で
乱反射されたＸ線がウエハ等基板の露光領域に入射して
回路パターン等のコントラストが低下するおそれのない
Ｘ線露光装置を提供することを目的とするものである。
鑑みてなされてものであって、アパーチャ開口の周縁で
乱反射されたＸ線がウエハ等基板の露光領域に入射して
回路パターン等のコントラストが低下するおそれのない
Ｘ線露光装置を提供することを目的とするものである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
め本発明のＸ線露光装置は、光源から基板に向って発生
される照明光の光路に開口手段を備えたＸ線露光装置で
あって、前記開口手段が前記照明光の不要部分を除いて
これを通過させる開口と該開口を囲む平板部分を有し、
前記開口手段の少くとも前記平板部分が前記照明光の光
軸に垂直な平面に対して前記光軸に向って前記光路の下
流側に傾斜していることを特徴とする。
め本発明のＸ線露光装置は、光源から基板に向って発生
される照明光の光路に開口手段を備えたＸ線露光装置で
あって、前記開口手段が前記照明光の不要部分を除いて
これを通過させる開口と該開口を囲む平板部分を有し、
前記開口手段の少くとも前記平板部分が前記照明光の光
軸に垂直な平面に対して前記光軸に向って前記光路の下
流側に傾斜していることを特徴とする。
【０００９】開口手段の平板部分の端面が前記平板部分
の表面に対して垂直であるとよい。
の表面に対して垂直であるとよい。
【００１０】
【作用】光源から発生される照明光はマスクを経て基板
を露光し、マスクの回路パターンを基板に転写、焼付け
する。開口手段は前記照明光の所定の部分を通過させ残
りの不要部分を遮断するためのものであり、少なくとも
開口手段の開口を囲む平板部分が照明光の光軸に垂直な
平面に対して前記光軸に向って光路の下流側に傾斜して
いれば、照明光が開口手段の開口の周縁によって乱反射
されるおそれがない。従って、開口手段の開口の周縁で
乱反射された照明光が回路パターンのコントラストを低
下させるおそれもない。開口手段の少なくとも平板部分
を傾斜させるだけであるから、開口の周縁をナイフコッ
ジ加工するより簡単であり製造コストが低い。
を露光し、マスクの回路パターンを基板に転写、焼付け
する。開口手段は前記照明光の所定の部分を通過させ残
りの不要部分を遮断するためのものであり、少なくとも
開口手段の開口を囲む平板部分が照明光の光軸に垂直な
平面に対して前記光軸に向って光路の下流側に傾斜して
いれば、照明光が開口手段の開口の周縁によって乱反射
されるおそれがない。従って、開口手段の開口の周縁で
乱反射された照明光が回路パターンのコントラストを低
下させるおそれもない。開口手段の少なくとも平板部分
を傾斜させるだけであるから、開口の周縁をナイフコッ
ジ加工するより簡単であり製造コストが低い。
【００１１】
【実施例】本発明の実施例を図面に基づいて説明する。
【００１２】図１は第１実施例の主要部を示す模式部分
断面図であって、これは、基板であるウエハＷ1 を保持
して公知のステップ移動や位置決めを行う図示しない位
置決めステージと、光源Ｑ1 から発生された照明光であ
る荷電粒子蓄積リング放射光（ＳＲ−Ｘ線）等のＸ線Ｌ
1 の不必要な周辺部分を遮断するための開口手段である
アパーチャ１と、ウエハＷ1 に近接してマスクＭ1 を位
置決めするマスクステージ２を有し、マスクステージ２
はマスクＭ1 の外周縁と一体であるマスクフレーム２ａ
を備えており、マスクＭ1 は、Ｘ線を透過するＸ線透過
膜とこれに被着されたＡｕ（金）等の回路パターンＰ1
からなる。
断面図であって、これは、基板であるウエハＷ1 を保持
して公知のステップ移動や位置決めを行う図示しない位
置決めステージと、光源Ｑ1 から発生された照明光であ
る荷電粒子蓄積リング放射光（ＳＲ−Ｘ線）等のＸ線Ｌ
1 の不必要な周辺部分を遮断するための開口手段である
アパーチャ１と、ウエハＷ1 に近接してマスクＭ1 を位
置決めするマスクステージ２を有し、マスクステージ２
はマスクＭ1 の外周縁と一体であるマスクフレーム２ａ
を備えており、マスクＭ1 は、Ｘ線を透過するＸ線透過
膜とこれに被着されたＡｕ（金）等の回路パターンＰ1
からなる。
【００１３】アパーチャ１はそれぞれＸ線Ｌ1 の光軸Ｏ
1 に直交する方向に移動自在な板状部材である４枚のア
パーチャブレード１１からなり、各アパーチャブレード
１１はマスクステージ２の図示上面に支持されたアパー
チャ駆動ユニット３によって前記方向に移動され、アパ
ーチャ１の開口１ａの大きさを調節する。
1 に直交する方向に移動自在な板状部材である４枚のア
パーチャブレード１１からなり、各アパーチャブレード
１１はマスクステージ２の図示上面に支持されたアパー
チャ駆動ユニット３によって前記方向に移動され、アパ
ーチャ１の開口１ａの大きさを調節する。
【００１４】なお、図２に示すように、アパーチャ１の
４枚のアパーチャブレード１１のうちで、互いに対向す
る２枚は他の２枚に対してＸ線Ｌ1 の光軸Ｏ1 に沿って
所定距離だけ離間しており、各アパーチャブレード１１
を前記方向へ移動させるときに隣接するアパーチャブレ
ード１１の互いに重なりあう部分が干渉しないように構
成されている。
４枚のアパーチャブレード１１のうちで、互いに対向す
る２枚は他の２枚に対してＸ線Ｌ1 の光軸Ｏ1 に沿って
所定距離だけ離間しており、各アパーチャブレード１１
を前記方向へ移動させるときに隣接するアパーチャブレ
ード１１の互いに重なりあう部分が干渉しないように構
成されている。
【００１５】前述の位置決めステージをステップ移動さ
せて、ウエハＷ1 の複数の露光領域のうちの所定の露光
領域Ｓ1 の中心がＸ線Ｌ1 の光軸Ｏ1 に一致するように
位置決めしたうえでマスクＭ1 を経てＸ線Ｌ1 をウエハ
Ｗ1 に照射し、マスクＭ1 の回路パターンをウエハＷ1
のレジストに転写する。このとき、Ｘ線Ｌ1 の不必要な
周辺部分をアパーチャ１によって遮断し、前記露光領域
Ｓ1 に隣接する部分が不必要に露光されて該部分に転写
される回路パターンのコントラストが低下するのを防止
する。 アパーチャ１の各アパーチャブレード１１は厚
さ約５００ミクロンのステンレス鋼板からなり、アパー
チャ１の開口１ａの周縁に長さ３０ｍｍの端縁１１ａを
有する幅略３ｍｍの平板部分である端縁部分１１ｂを備
えている。前記端縁１１ａの端面は前記ステンレス鋼板
の表面に対して９０度±１度以下の精度を保障しつつ、
全長にわたって５ミクロン以下の直線性になるように研
磨加工されており、前記端縁部分１１ｂは、これを除く
各アパーチャブレード１１の本体部分１１ｃに対して図
３に示すように１０度の傾斜角でＸ線Ｌ1 の光路の下流
側に折曲げられている。各アパーチャブレード１１の本
体部分１１ｃはＸ線Ｌ1 の光軸Ｏ1 に対して垂直に配設
されており、従って、端縁１１ａの端面はＸ線Ｌ1 の光
軸Ｏ1 に対して１０度の傾斜角でＸ線Ｌ1 の光路の外側
へ傾斜している。ウエハＷ1 の各露光領域を露光するＸ
線Ｌ1 の発散角θは、一般的に、その最大値が０．６度
であるから、各アパーチャブレード１１の端縁１１ａの
端面によってＸ線Ｌ1 の最外周部分が乱反射されるおそ
れはない。従って、従来例のようにアパーチャ１のアパ
ーチャブレード１１の端縁１１ａによって乱反射された
Ｘ線が露光中のウエハＷ1 の露光領域Ｓ1 に入射して焼
付けられる回路パターンのコントラストを低下させるお
それもない。
せて、ウエハＷ1 の複数の露光領域のうちの所定の露光
領域Ｓ1 の中心がＸ線Ｌ1 の光軸Ｏ1 に一致するように
位置決めしたうえでマスクＭ1 を経てＸ線Ｌ1 をウエハ
Ｗ1 に照射し、マスクＭ1 の回路パターンをウエハＷ1
のレジストに転写する。このとき、Ｘ線Ｌ1 の不必要な
周辺部分をアパーチャ１によって遮断し、前記露光領域
Ｓ1 に隣接する部分が不必要に露光されて該部分に転写
される回路パターンのコントラストが低下するのを防止
する。 アパーチャ１の各アパーチャブレード１１は厚
さ約５００ミクロンのステンレス鋼板からなり、アパー
チャ１の開口１ａの周縁に長さ３０ｍｍの端縁１１ａを
有する幅略３ｍｍの平板部分である端縁部分１１ｂを備
えている。前記端縁１１ａの端面は前記ステンレス鋼板
の表面に対して９０度±１度以下の精度を保障しつつ、
全長にわたって５ミクロン以下の直線性になるように研
磨加工されており、前記端縁部分１１ｂは、これを除く
各アパーチャブレード１１の本体部分１１ｃに対して図
３に示すように１０度の傾斜角でＸ線Ｌ1 の光路の下流
側に折曲げられている。各アパーチャブレード１１の本
体部分１１ｃはＸ線Ｌ1 の光軸Ｏ1 に対して垂直に配設
されており、従って、端縁１１ａの端面はＸ線Ｌ1 の光
軸Ｏ1 に対して１０度の傾斜角でＸ線Ｌ1 の光路の外側
へ傾斜している。ウエハＷ1 の各露光領域を露光するＸ
線Ｌ1 の発散角θは、一般的に、その最大値が０．６度
であるから、各アパーチャブレード１１の端縁１１ａの
端面によってＸ線Ｌ1 の最外周部分が乱反射されるおそ
れはない。従って、従来例のようにアパーチャ１のアパ
ーチャブレード１１の端縁１１ａによって乱反射された
Ｘ線が露光中のウエハＷ1 の露光領域Ｓ1 に入射して焼
付けられる回路パターンのコントラストを低下させるお
それもない。
【００１６】なお、アパーチャ１の各アパーチャブレー
ド１１の端縁部分１１ｂの本体部分１１ｃに対する傾斜
角は１０度に限らず、２度から８９度の範囲内で任意に
設定することができるが、あまり傾斜角が大きいと、各
アパーチャブレード１１の互いに重なりあう部分の干渉
を防ぐために大きなスペースが必要になるため好ましく
ない。
ド１１の端縁部分１１ｂの本体部分１１ｃに対する傾斜
角は１０度に限らず、２度から８９度の範囲内で任意に
設定することができるが、あまり傾斜角が大きいと、各
アパーチャブレード１１の互いに重なりあう部分の干渉
を防ぐために大きなスペースが必要になるため好ましく
ない。
【００１７】また、アパーチャ１の各アパーチャブレー
ド１１の端縁部分１１ｂを本体部分１１ｃに対して折曲
げる替わりに、図４に示すように、各アパーチャブレー
ド１１と同様のアパーチャブレード２１を折曲げること
なく、その全体を前述と同様の傾斜角で傾斜させてもよ
い。この場合は、アパーチャ１の開口１ａの寸法を変化
させるときに各アパーチャブレード２１全体を前述の傾
斜角で移動させる必要があるため、各アパーチャブレー
ド２１の移動ストロークが例えば２０ｍｍであれば、各
アパーチャブレード２１の互いに重なりあう部分の干渉
を防ぐために互いに隣接するアパーチャブレード２１の
Ｘ線Ｌ1 の光軸Ｏ1 の方向の離間距離を１．８ｍｍ以上
にしなければならない。
ド１１の端縁部分１１ｂを本体部分１１ｃに対して折曲
げる替わりに、図４に示すように、各アパーチャブレー
ド１１と同様のアパーチャブレード２１を折曲げること
なく、その全体を前述と同様の傾斜角で傾斜させてもよ
い。この場合は、アパーチャ１の開口１ａの寸法を変化
させるときに各アパーチャブレード２１全体を前述の傾
斜角で移動させる必要があるため、各アパーチャブレー
ド２１の移動ストロークが例えば２０ｍｍであれば、各
アパーチャブレード２１の互いに重なりあう部分の干渉
を防ぐために互いに隣接するアパーチャブレード２１の
Ｘ線Ｌ1 の光軸Ｏ1 の方向の離間距離を１．８ｍｍ以上
にしなければならない。
【００１８】図５は第２実施例によるアパーチャのみを
示す模式部分断面図であって、開口手段であるアパーチ
ャ３０は、図示しないマスクステージに保持されたフラ
ンジ部材３２と、それぞれフランジ部材３２に固着され
た４枚の板状部材であるアパーチャブレード３１からな
り、各アパーチャブレード３１はフランジ部材３２の開
口３２ａ内に突出し、その端縁３１ａがアパーチャ３０
の開口３０ａの周縁を構成している。
示す模式部分断面図であって、開口手段であるアパーチ
ャ３０は、図示しないマスクステージに保持されたフラ
ンジ部材３２と、それぞれフランジ部材３２に固着され
た４枚の板状部材であるアパーチャブレード３１からな
り、各アパーチャブレード３１はフランジ部材３２の開
口３２ａ内に突出し、その端縁３１ａがアパーチャ３０
の開口３０ａの周縁を構成している。
【００１９】各アパーチャブレード３１は、第１実施例
の各アパーチャブレード１１と同様にその端縁３１ａに
隣接する平板部分である端縁部分３１ｂが残りの本体部
分３１ｃに対して所定の傾斜角で傾斜するように折曲げ
られており、各アパーチャブレード３１の端縁３１ａの
端面によってＸ線Ｌ1 が乱反射されるのを防ぐ。なお、
４枚のアパーチャブレード３１のうちの互いに対向する
２枚はフランジ部材３２の片側の表面に固着され、残り
の２枚は、フランジ部材３２の反対側の表面に固着され
て、隣接するアパーチャブレード３１の折曲げた端縁部
分３１ｂが互いに干渉しないように構成されている。
の各アパーチャブレード１１と同様にその端縁３１ａに
隣接する平板部分である端縁部分３１ｂが残りの本体部
分３１ｃに対して所定の傾斜角で傾斜するように折曲げ
られており、各アパーチャブレード３１の端縁３１ａの
端面によってＸ線Ｌ1 が乱反射されるのを防ぐ。なお、
４枚のアパーチャブレード３１のうちの互いに対向する
２枚はフランジ部材３２の片側の表面に固着され、残り
の２枚は、フランジ部材３２の反対側の表面に固着され
て、隣接するアパーチャブレード３１の折曲げた端縁部
分３１ｂが互いに干渉しないように構成されている。
【００２０】本実施例においては、各アパーチャブレー
ド３１がフランジ部材３２に固着されているため、アパ
ーチャ３０の開口３０ａの寸法を変化させることはでき
ない。その他の点は第１実施例と同様であるので説明は
省略する。
ド３１がフランジ部材３２に固着されているため、アパ
ーチャ３０の開口３０ａの寸法を変化させることはでき
ない。その他の点は第１実施例と同様であるので説明は
省略する。
【００２１】
【発明の効果】本発明は上述のように構成されているの
で、以下に記載するような効果を奏する。
で、以下に記載するような効果を奏する。
【００２２】開口手段の周縁で乱反射されたＸ線によっ
て回路パターン等のコントラストが低下するおそれがな
いうえに開口手段の周縁等に複雑な加工を必要とせず製
造コストの低いＸ線露光装置を実現できる。
て回路パターン等のコントラストが低下するおそれがな
いうえに開口手段の周縁等に複雑な加工を必要とせず製
造コストの低いＸ線露光装置を実現できる。
【図１】第１実施例の主要部を示す模式部分断面図であ
る。
る。
【図２】図１の装置のアパーチャブレードのみを示す斜
視図である。
視図である。
【図３】図２の装置のアパーチャブレードの一部分を拡
大して示す拡大模式部分断面図である。
大して示す拡大模式部分断面図である。
【図４】第１実施例の一変形例を示す模式部分断面図で
ある。
ある。
【図５】第２実施例のアパーチャのみを示す模式部分断
面図である。
面図である。
【図６】従来例の主要部を示す模式部分断面図である。
【図７】図６の装置の一部分を拡大して示す拡大模式部
分断面図である。
分断面図である。
Ｗ1 ウエハ Ｍ1 マスク Ｓ1 露光領域 Ｌ1 Ｘ線 Ｏ1 Ｘ線の光軸 １，３０ アパーチャ １ａ，３０ａ 開口 ３ アパーチャ駆動ユニット １１，２１，３１ アパーチャブレード １１ａ，３１ａ 端縁 １１ｂ，３１ｂ 端縁部分 １１ｃ，３１ｃ 本体部分 ３２ フランジ部材
Claims (5)
- 【請求項１】 光源から基板に向って発生される照明光
の光路に開口手段を備えたＸ線露光装置であって、前記
開口手段が前記照明光の不要部分を除いてこれを通過さ
せる開口と該開口を囲む平板部分を有し、前記開口手段
の少くとも前記平板部分が前記照明光の光軸に垂直な平
面に対して前記光軸に向って前記光路の下流側に傾斜し
ていることを特徴とするＸ線露光装置。 - 【請求項２】 開口手段の平板部分の端面が前記平板部
分の表面に対して垂直であることを特徴とする請求項１
記載のＸ線露光装置。 - 【請求項３】 開口手段がそれぞれ平板部分を有する複
数の板状部材からなり、各板状部材が照明光の光路を横
切る方向に進退自在であることを特徴とする請求項１ま
たは２記載のＸ線露光装置。 - 【請求項４】 各板状部材の平板部分が残りの部分に対
して所定の角度で折曲げられていることを特徴とする請
求項３記載のＸ線露光装置。 - 【請求項５】 各板状部材全体が照明光の光軸に垂直な
平面に対して前記光軸に向って光路の下流側に傾斜して
いることを特徴とする請求項３記載のＸ線露光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6093069A JPH07283124A (ja) | 1994-04-06 | 1994-04-06 | Ｘ線露光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6093069A JPH07283124A (ja) | 1994-04-06 | 1994-04-06 | Ｘ線露光装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07283124A true JPH07283124A (ja) | 1995-10-27 |
Family
ID=14072234
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6093069A Pending JPH07283124A (ja) | 1994-04-06 | 1994-04-06 | Ｘ線露光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07283124A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005311193A (ja) * | 2004-04-23 | 2005-11-04 | Canon Inc | 露光装置およびデバイス製造方法 |
| WO2017206828A1 (zh) * | 2016-05-31 | 2017-12-07 | 上海微电子装备（集团）股份有限公司 | 光刻机刀口组、大视场光刻机和曝光方法 |
-
1994
- 1994-04-06 JP JP6093069A patent/JPH07283124A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005311193A (ja) * | 2004-04-23 | 2005-11-04 | Canon Inc | 露光装置およびデバイス製造方法 |
| JP4630567B2 (ja) * | 2004-04-23 | 2011-02-09 | キヤノン株式会社 | 露光装置およびデバイス製造方法 |
| WO2017206828A1 (zh) * | 2016-05-31 | 2017-12-07 | 上海微电子装备（集团）股份有限公司 | 光刻机刀口组、大视场光刻机和曝光方法 |
| US10732509B2 (en) | 2016-05-31 | 2020-08-04 | Shanghai Micro Electronics Equipment (Group) Co., Ltd. | Knife edge set of mask aligner, large-view-field mask aligner, and exposure method |
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