JP2701422B2 - パターン転写方法と装置及びマスク - Google Patents
パターン転写方法と装置及びマスクInfo
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- JP2701422B2 JP2701422B2 JP3966489A JP3966489A JP2701422B2 JP 2701422 B2 JP2701422 B2 JP 2701422B2 JP 3966489 A JP3966489 A JP 3966489A JP 3966489 A JP3966489 A JP 3966489A JP 2701422 B2 JP2701422 B2 JP 2701422B2
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70058—Mask illumination systems
- G03F7/70066—Size and form of the illuminated area in the mask plane, e.g. reticle masking blades or blinds
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ この発明は、光、Ｘ線、電子線等のエネルギー線によ
り集積回路パターン等のパターンをウエハ上のレジスト
層に転写する方法並びにこの方法の実施に直接使用する
パターン転写装置及びパターン転写用マスクに関するも
のである。
り集積回路パターン等のパターンをウエハ上のレジスト
層に転写する方法並びにこの方法の実施に直接使用する
パターン転写装置及びパターン転写用マスクに関するも
のである。
［発明の概要］ この発明は、パターン転写用マスクにおいて被転写パ
ターン領域を12角形以上の多角形状に形成すると共に、
パターン転写装置において絞り孔を８つ以上の多数の透
過阻止部材で構成したことによりスループットの向上を
図ったものである。
ターン領域を12角形以上の多角形状に形成すると共に、
パターン転写装置において絞り孔を８つ以上の多数の透
過阻止部材で構成したことによりスループットの向上を
図ったものである。
［従来の技術］ 従来、ステップアンドリピート型縮少投影露光装置等
のパターン転写装置にあっては、第20図に例示するよう
なホトマスク10が用いられている。
のパターン転写装置にあっては、第20図に例示するよう
なホトマスク10が用いられている。
ホトマスク10において、例えばガラス又は石英からな
る方形状のマスク基板の表面には、例えばクロム等の金
属を被着してパターニングすることにより被露光パター
ン領域12が形成されている。
る方形状のマスク基板の表面には、例えばクロム等の金
属を被着してパターニングすることにより被露光パター
ン領域12が形成されている。
被露光パターン領域12は、一例として８個のチップ内
パターン領域Ａ〜Ｈを直交行列的に配置してなり、この
配置の輪郭に対応する領域12の平面図形は、長方形をな
すようになっている。長方形状の領域12は、その四辺が
それぞれホトマスク10の四辺と平行をなすように配置さ
れている。
パターン領域Ａ〜Ｈを直交行列的に配置してなり、この
配置の輪郭に対応する領域12の平面図形は、長方形をな
すようになっている。長方形状の領域12は、その四辺が
それぞれホトマスク10の四辺と平行をなすように配置さ
れている。
ホトマスク10には、長方形状の領域12を取囲むように
帯状の遮光領域14が形成されている。この遮光領域14
は、後述するように絞り機構の開口端ぼけが投影される
領域である。
帯状の遮光領域14が形成されている。この遮光領域14
は、後述するように絞り機構の開口端ぼけが投影される
領域である。
第21図は、上記のようなホトマスク10を用いる投影露
光系の一例を示すものである。ランプ20及びミラー22を
含む照明系から放射される光は、コンデンサレンズ24、
絞り機構26、ホトマスク10、投影レンズ（例えば5:1縮
少投影レンズ）28を介してウエハステージ上のウエハ30
に照射される。ウエハステージは、Ｘ方向（左右方
向）、Ｙ方向（前後方向）、Ｚ方向（上下方向即ち光軸
方向）及びθ方向（回転方向）に任意にウエハ位置を制
御可能になっている。
光系の一例を示すものである。ランプ20及びミラー22を
含む照明系から放射される光は、コンデンサレンズ24、
絞り機構26、ホトマスク10、投影レンズ（例えば5:1縮
少投影レンズ）28を介してウエハステージ上のウエハ30
に照射される。ウエハステージは、Ｘ方向（左右方
向）、Ｙ方向（前後方向）、Ｚ方向（上下方向即ち光軸
方向）及びθ方向（回転方向）に任意にウエハ位置を制
御可能になっている。
絞り機構26は、第20図に平面配置を示すようにＸ方向
に移動自在な２枚の遮光部材P,Qと、Ｙ方向に移動自在
な２枚の遮光部材R,Sとを組合せて方形状の絞り孔26aを
形成するもので、この絞り孔26aの開口端ぼけがホトマ
スク10上の遮光領域14に投影されるように各遮光部材の
位置を制御可能になっている。
に移動自在な２枚の遮光部材P,Qと、Ｙ方向に移動自在
な２枚の遮光部材R,Sとを組合せて方形状の絞り孔26aを
形成するもので、この絞り孔26aの開口端ぼけがホトマ
スク10上の遮光領域14に投影されるように各遮光部材の
位置を制御可能になっている。
露光処理にあたっては、ホトマスク10をマスクステー
ジにセットした後、マスクステージのＸ、Ｙ、θ方向の
位置制御によりマスク位置合せを行なう。そして、絞り
を調節してからウエハステージにウエハをセットし、ウ
エハステージのＸ、Ｙ、Ｚ、θ方向の位置制御によりウ
エハ位置合せを行なう。この後、図示しないシャッタを
開いて１回目の露光を行ない、その露光が終ると、ウエ
ハステージをステップ移動させて２回目の露光を行な
い、以下同様にしてウエハ全面終了までステップ移動及
び露光を繰返す。通常、このような一連の操作はコンピ
ュータ制御の下に自動的に遂行される。
ジにセットした後、マスクステージのＸ、Ｙ、θ方向の
位置制御によりマスク位置合せを行なう。そして、絞り
を調節してからウエハステージにウエハをセットし、ウ
エハステージのＸ、Ｙ、Ｚ、θ方向の位置制御によりウ
エハ位置合せを行なう。この後、図示しないシャッタを
開いて１回目の露光を行ない、その露光が終ると、ウエ
ハステージをステップ移動させて２回目の露光を行な
い、以下同様にしてウエハ全面終了までステップ移動及
び露光を繰返す。通常、このような一連の操作はコンピ
ュータ制御の下に自動的に遂行される。
第22図は、上記のような露光装置により半導体ウエハ
30上のレジスト層に対してホトマスク10の被露光パター
ン領域12のパターンを反復的に転写した例を示すもの
で、12Aは１回の露光により転写されたパターン転写領
域を示している。ウエハ上面には、このようなパターン
転写領域12Aがステップ移動及び露光の繰返しに伴い二
次元的に配置されるようになる。
30上のレジスト層に対してホトマスク10の被露光パター
ン領域12のパターンを反復的に転写した例を示すもの
で、12Aは１回の露光により転写されたパターン転写領
域を示している。ウエハ上面には、このようなパターン
転写領域12Aがステップ移動及び露光の繰返しに伴い二
次元的に配置されるようになる。
［発明が解決しようとする課題］ 上記した従来技術によると、投影露光系のレンズ径等
で決まる円形状の有効露光領域16が与えられた場合、こ
の領域16の円にほぼ内接する長方形が被露光パターン領
域12に相当し、この長方形状の領域12内に配置されたチ
ップ内パターンが１回の露光処理でウエハに転写され
る。
で決まる円形状の有効露光領域16が与えられた場合、こ
の領域16の円にほぼ内接する長方形が被露光パターン領
域12に相当し、この長方形状の領域12内に配置されたチ
ップ内パターンが１回の露光処理でウエハに転写され
る。
スループットを向上させるためには、長方形状の領域
12の面積を大きくすればよいが、このようにすると、円
形状の有効露光領域16の面積も領域12の長方形に外接す
る程度に大きくしなければならない。このため、露光装
置としては、レンズ径が大きいものを必要とすると共
に、マスク基板10Aにおいても、位置合せマーク、防塵
用のペリクル付きフレーム等の設置スペースが減少する
という問題点があった。
12の面積を大きくすればよいが、このようにすると、円
形状の有効露光領域16の面積も領域12の長方形に外接す
る程度に大きくしなければならない。このため、露光装
置としては、レンズ径が大きいものを必要とすると共
に、マスク基板10Aにおいても、位置合せマーク、防塵
用のペリクル付きフレーム等の設置スペースが減少する
という問題点があった。
この発明の目的は、有効露光領域の拡大を要せずして
スループットの向上を可能とすることにある。
スループットの向上を可能とすることにある。
［課題を解決するための手段］ この発明は、マスク基板上に被転写パターン領域を形
成して成るマスクに対して絞り機構に設けられた絞り孔
を介して転写用のエネルギー線を照射し、前記マスクを
透過したエネルギー線により前記被転写パターン領域の
パターン像をウエハ上のレジスト層に転写することを含
むパターン転写方法において、前記被転写パターン領域
は、各々方形状でほぼ同一サイズの多数のチップ内パタ
ーン領域を直交行列的に配置して成り、この直交行列的
な配置の輪郭に対応する前記被転写パターン領域の平面
図形は、行方向及び列方向について各方向毎に２等分可
能であり且つ各２等分線毎にその両側の部分図形が該２
等分線に関して対称である12角形以上の多角形をなして
おり、前記マスク基板上には、前記エネルギー線の透過
を阻止する材料を前記被転写パターン領域を帯状に取囲
むように被着して前記多角形と相似な輪郭形状を有する
透過阻止領域が形成されており、前記絞り機構には、各
々前記エネルギー線の透過を阻止する８つ以上の多数の
透過阻止部材が前記絞り孔を構成すべく移動自在に設け
られており、これらの透過阻止部材の配置を調整するこ
とにより前記絞り孔の開口形状及び開口サイズを該絞り
孔の開口端ぼけが前記透過阻止領域内に投影されるよう
に定めた状態でパターン転写を行なうことを特徴とする
ものである。
成して成るマスクに対して絞り機構に設けられた絞り孔
を介して転写用のエネルギー線を照射し、前記マスクを
透過したエネルギー線により前記被転写パターン領域の
パターン像をウエハ上のレジスト層に転写することを含
むパターン転写方法において、前記被転写パターン領域
は、各々方形状でほぼ同一サイズの多数のチップ内パタ
ーン領域を直交行列的に配置して成り、この直交行列的
な配置の輪郭に対応する前記被転写パターン領域の平面
図形は、行方向及び列方向について各方向毎に２等分可
能であり且つ各２等分線毎にその両側の部分図形が該２
等分線に関して対称である12角形以上の多角形をなして
おり、前記マスク基板上には、前記エネルギー線の透過
を阻止する材料を前記被転写パターン領域を帯状に取囲
むように被着して前記多角形と相似な輪郭形状を有する
透過阻止領域が形成されており、前記絞り機構には、各
々前記エネルギー線の透過を阻止する８つ以上の多数の
透過阻止部材が前記絞り孔を構成すべく移動自在に設け
られており、これらの透過阻止部材の配置を調整するこ
とにより前記絞り孔の開口形状及び開口サイズを該絞り
孔の開口端ぼけが前記透過阻止領域内に投影されるよう
に定めた状態でパターン転写を行なうことを特徴とする
ものである。
［作 用］ この発明のパターン転写方法によると、被転写パター
ン領域が第１図に被露光パターン領域12として例示する
ように多角形状をなすので、有効露光領域16を拡大しな
くても、被転写パターン領域内により多くのチップ内パ
ターン領域を配置することができる。
ン領域が第１図に被露光パターン領域12として例示する
ように多角形状をなすので、有効露光領域16を拡大しな
くても、被転写パターン領域内により多くのチップ内パ
ターン領域を配置することができる。
また、パターン転写は、８枚以上の多数の透過阻止部
材を用いて被転写パターン領域の周囲の透過阻止領域に
適合した絞り孔を定めて行なうようにしたので、被転写
パターン領域が多角形状であっても支障なくパターン転
写を行なえる。
材を用いて被転写パターン領域の周囲の透過阻止領域に
適合した絞り孔を定めて行なうようにしたので、被転写
パターン領域が多角形状であっても支障なくパターン転
写を行なえる。
［実施例］ 第１図は、この発明の一実施例によるホトマスク上方
の遮光部材配置を示すもので、第20図のものと異なる点
は、第１にホトマスク10において被露光ターン領域12及
び遮光領域14の形状を変更したことであり、第２に絞り
機構26（第21図）において遮光部材Ｐ〜Ｓの他に４枚の
遮光部材T1〜T4を追加設置したことであり、その他の点
は第20図及び第21図に関して前述したものと同様であ
る。
の遮光部材配置を示すもので、第20図のものと異なる点
は、第１にホトマスク10において被露光ターン領域12及
び遮光領域14の形状を変更したことであり、第２に絞り
機構26（第21図）において遮光部材Ｐ〜Ｓの他に４枚の
遮光部材T1〜T4を追加設置したことであり、その他の点
は第20図及び第21図に関して前述したものと同様であ
る。
被露光パターン領域12にあっては、各々方形状でほぼ
同一サイズの12個のチップ内パターン領域Ａ〜Ｌが直交
行列的に配置されており、この直交行列的な配置の輪郭
に対応する領域12の平面図形は、行方向及び列方向につ
いて各方向毎に２等分可能であり且つ各２等分線毎にそ
の両側の部分図形が該２等分線に関して対称である12角
形をなしている。このような12角形状の領域12を取囲む
ように一定幅の帯状の遮光領域14が形成されており、こ
の遮光領域14の輪郭形状は領域12の平面形状と相似関係
にある12角形をなすようになっている。
同一サイズの12個のチップ内パターン領域Ａ〜Ｌが直交
行列的に配置されており、この直交行列的な配置の輪郭
に対応する領域12の平面図形は、行方向及び列方向につ
いて各方向毎に２等分可能であり且つ各２等分線毎にそ
の両側の部分図形が該２等分線に関して対称である12角
形をなしている。このような12角形状の領域12を取囲む
ように一定幅の帯状の遮光領域14が形成されており、こ
の遮光領域14の輪郭形状は領域12の平面形状と相似関係
にある12角形をなすようになっている。
遮光部材Ｐ〜S,T1〜T4は、遮光領域14の輪郭形状に対
応した絞り孔26a（第21図）を構成すべく前後左右に移
動自在に設けられている。
応した絞り孔26a（第21図）を構成すべく前後左右に移
動自在に設けられている。
露光処理にあたっては、遮光部材Ｐ〜S,T1〜T4の配置
を調整することにより絞り孔26aの開口形状及び開口サ
イズを絞り孔26aの開口端ぼけが遮光領域14内に投影さ
れるように定めた状態でパターン転写を行なう。
を調整することにより絞り孔26aの開口形状及び開口サ
イズを絞り孔26aの開口端ぼけが遮光領域14内に投影さ
れるように定めた状態でパターン転写を行なう。
第２図は、このようにして半導体ウエハ30上のレジス
ト層へパターン転写した一例を示すもので、12Aは１回
の露光で転写されたパターン転写領域を示している。第
２図と第22図を対比すると、第２図の場合の方が露光１
回当りに転写されるチップ内パターン数が多く、ウエハ
１枚当りのパターン転写回数が少なくて済むことが明ら
かである。
ト層へパターン転写した一例を示すもので、12Aは１回
の露光で転写されたパターン転写領域を示している。第
２図と第22図を対比すると、第２図の場合の方が露光１
回当りに転写されるチップ内パターン数が多く、ウエハ
１枚当りのパターン転写回数が少なくて済むことが明ら
かである。
第３図は、被露光パターン領域12の12角形状平面図形
を示すもので、ｘ方向（行方向）に沿う３辺の長さを
ａ、2a、ａとし、ｙ方向（列方向）に沿う３辺の長さを
ｂ、2b、ｂとすると、このような図形は、第４図乃至第
６図に示すようにチップ内パターン領域を配置すること
により構成される。すなわち、第４図の例では、短辺及
び長辺の長さがそれぞれａ及びｂである長方形状のチッ
プ内パターン領域B1を12個直交行列的に配置したもので
ある。また、第５図の例では、短辺及び長辺の長さがそ
れぞれb/2及びａである長方形状のチップ内パターン領
域B2を24個直交行列的に配置したものである。さらに、
第６図の例では、短辺及び長辺の長さがそれぞれa/2及
びb/2である長方形状のチップ内パターン領域B3を48個
直交行列的に配置したものである。
を示すもので、ｘ方向（行方向）に沿う３辺の長さを
ａ、2a、ａとし、ｙ方向（列方向）に沿う３辺の長さを
ｂ、2b、ｂとすると、このような図形は、第４図乃至第
６図に示すようにチップ内パターン領域を配置すること
により構成される。すなわち、第４図の例では、短辺及
び長辺の長さがそれぞれａ及びｂである長方形状のチッ
プ内パターン領域B1を12個直交行列的に配置したもので
ある。また、第５図の例では、短辺及び長辺の長さがそ
れぞれb/2及びａである長方形状のチップ内パターン領
域B2を24個直交行列的に配置したものである。さらに、
第６図の例では、短辺及び長辺の長さがそれぞれa/2及
びb/2である長方形状のチップ内パターン領域B3を48個
直交行列的に配置したものである。
第７図は、第３図の図形をステップアンドリピート方
式で転写した場合の組合せ配置を示すもので、ｘ方向及
びｙ方向のいずれについても密接した配置となってい
る。
式で転写した場合の組合せ配置を示すもので、ｘ方向及
びｙ方向のいずれについても密接した配置となってい
る。
第８図、第10図、第12図、第14図、第16図及び第18図
は、いずれも被露光パターン領域12の平面図形の他の例
を示すもので、これらの平面図形についても各図形毎に
第４図乃至第６図から類推していくつかの配置例が容易
に考えられる。
は、いずれも被露光パターン領域12の平面図形の他の例
を示すもので、これらの平面図形についても各図形毎に
第４図乃至第６図から類推していくつかの配置例が容易
に考えられる。
第８図の12角形状平面図形は、ｘ方向の３辺の長さを
いずれもａとし且つｙ方向の３辺の長さをいずれもｂと
したもので、第９図に示すように密接した組合せ配置が
可能である。
いずれもａとし且つｙ方向の３辺の長さをいずれもｂと
したもので、第９図に示すように密接した組合せ配置が
可能である。
第10図の12角形状平面図形は、ｘ方向の３辺の長さを
いずれもａとし且つｙ方向の３辺の長さをｂ、2b、ｂと
したもので、第11図に示すように密接した組合せ配置が
可能である。
いずれもａとし且つｙ方向の３辺の長さをｂ、2b、ｂと
したもので、第11図に示すように密接した組合せ配置が
可能である。
第12図の12角形状平面図形は、ｘ方向の３辺の長さを
いずれもａとし且つｙ方向の３辺の長さをｂ、3b、ｂと
したもので、第13図に示すように密接した組合せ配置が
可能である。
いずれもａとし且つｙ方向の３辺の長さをｂ、3b、ｂと
したもので、第13図に示すように密接した組合せ配置が
可能である。
第14図の12角形状平面図形は、ｘ方向の３辺の長さを
いずれもａとし且つｙ方向の３辺の長さをｂ、4b、ｂと
したもので、第15図に示すように密接した組合せ配置が
可能である。
いずれもａとし且つｙ方向の３辺の長さをｂ、4b、ｂと
したもので、第15図に示すように密接した組合せ配置が
可能である。
第16図の20角形状平面図形は、ｘ方向の５辺の長さを
ａ、ａ、2a、ａ、ａとし且つｙ方向の５辺の長さをｂ、
ｂ、2b、ｂ、ｂとしたもので、第17図に示すように密接
した組合せ配置が可能である。
ａ、ａ、2a、ａ、ａとし且つｙ方向の５辺の長さをｂ、
ｂ、2b、ｂ、ｂとしたもので、第17図に示すように密接
した組合せ配置が可能である。
第18図の28角形状平面図形は、ｘ方向の７辺の長さを
ａ、ａ、ａ、2a、ａ、ａ、ａとし且つｙ方向の７辺の長
さをｂ、ｂ、ｂ、2b、ｂ、ｂ、ｂとしたもので、第19図
に示すように密接した組合せ配置が可能である。
ａ、ａ、ａ、2a、ａ、ａ、ａとし且つｙ方向の７辺の長
さをｂ、ｂ、ｂ、2b、ｂ、ｂ、ｂとしたもので、第19図
に示すように密接した組合せ配置が可能である。
第３図、第８図、第10図、第12図、第14図、第16図又
は第18図に示したような被露光パターン領域12について
も、その周囲に帯状に遮光材を被着して遮光領域を形成
し、第１図で述べたと同様にして露光処理を行なうこと
ができる。ただし、第16図の被露光領域12については、
第１図の遮光部材の他にさらに４枚の遮光部材を追加設
置し、第18図の被露光領域12については、第１図の遮光
部材の他にさらに８枚の遮光部材を追加設置する。
は第18図に示したような被露光パターン領域12について
も、その周囲に帯状に遮光材を被着して遮光領域を形成
し、第１図で述べたと同様にして露光処理を行なうこと
ができる。ただし、第16図の被露光領域12については、
第１図の遮光部材の他にさらに４枚の遮光部材を追加設
置し、第18図の被露光領域12については、第１図の遮光
部材の他にさらに８枚の遮光部材を追加設置する。
［発明の効果］ 以上のように、この発明によれば、被転写パターン領
域を多角形状としてより多くのチップ内パターン領域を
配置するようにしたので、露光１回当りの転写面積が拡
大され、スループットが向上する効果が得られるもので
ある。
域を多角形状としてより多くのチップ内パターン領域を
配置するようにしたので、露光１回当りの転写面積が拡
大され、スループットが向上する効果が得られるもので
ある。
また、有効露光領域は拡大しなくてよいので、特に大
口径の露光装置を用いなくてよいこと、マスク基板では
位置合せマーク、ペリクル付きフレーム等の設置スペー
スを十分とれることなどの利点もある。
口径の露光装置を用いなくてよいこと、マスク基板では
位置合せマーク、ペリクル付きフレーム等の設置スペー
スを十分とれることなどの利点もある。
第１図は、この発明の一実施例によるホトマスク上方の
遮光部材配置を示す上面図、 第２図は、第１図のマスクパターンの転写例を示すウエ
ハ上面図、 第３図は、被露光パターン領域の平面図形の一例を示す
図、 第４図乃至第６図は、被露光パターン領域内におけるチ
ップ内パターン領域の異なる配置例をそれぞれ示す平面
図、 第７図は、第３図の図形の組合せ配置を示す平面図、 第８図、第10図、第12図、第14図、第16図及び第18図
は、被露光パターン領域の平面図形の他の例をそれぞれ
示す図、 第９図、第11図、第13図、第15図、第17図及び第19図
は、それぞれ第８図、第10図、第12図、第14図、第16図
及び第18図の図形の組合せ配置を示す平面図、 第20図は、従来例によるホトマスク上方の遮光部材配置
を示す上面図、 第21図は、投影露光系の一例を示す図、 第22図は、第20図のマスクパターンの転写例を示すウエ
ハ上面図である。 10……ホトマスク、12……被露光パターン領域、14……
遮光領域、20……ランプ、22……ミラー、24……コンデ
ンサレンズ、26……絞り機構、28……投影レンズ、30…
…ウエハ、Ｐ〜S,T1〜T4……遮光部材、Ａ〜L,B1〜B3…
…チップ内パターン領域。
遮光部材配置を示す上面図、 第２図は、第１図のマスクパターンの転写例を示すウエ
ハ上面図、 第３図は、被露光パターン領域の平面図形の一例を示す
図、 第４図乃至第６図は、被露光パターン領域内におけるチ
ップ内パターン領域の異なる配置例をそれぞれ示す平面
図、 第７図は、第３図の図形の組合せ配置を示す平面図、 第８図、第10図、第12図、第14図、第16図及び第18図
は、被露光パターン領域の平面図形の他の例をそれぞれ
示す図、 第９図、第11図、第13図、第15図、第17図及び第19図
は、それぞれ第８図、第10図、第12図、第14図、第16図
及び第18図の図形の組合せ配置を示す平面図、 第20図は、従来例によるホトマスク上方の遮光部材配置
を示す上面図、 第21図は、投影露光系の一例を示す図、 第22図は、第20図のマスクパターンの転写例を示すウエ
ハ上面図である。 10……ホトマスク、12……被露光パターン領域、14……
遮光領域、20……ランプ、22……ミラー、24……コンデ
ンサレンズ、26……絞り機構、28……投影レンズ、30…
…ウエハ、Ｐ〜S,T1〜T4……遮光部材、Ａ〜L,B1〜B3…
…チップ内パターン領域。
Claims (3)
- 【請求項１】マスク基板上に被転写パターン領域を形成
して成るマスクに対して絞り機構に設けられた絞り孔を
介して転写用のエネルギー線を照射し、前記マスクを透
過したエネルギー線により前記被転写パターン領域のパ
ターン像をウエハ上のレジスト層に転写することを含む
パターン転写方法において、 前記被転写パターン領域は、各々方形状でほぼ同一サイ
ズの多数のチップ内パターン領域を直交行列的に配置し
て成り、 この直交行列的な配置の輪郭に対応する前記被転写パタ
ーン領域の平面図形は、行方向及び列方向について各方
向毎に２等分可能であり且つ各２等分線毎にその両側の
部分図形が該２等分線に関して対称である12角形以上の
多角形をなしており、 前記マスク基板上には、前記エネルギー線の透過を阻止
する材料を前記被転写パターン領域を帯状に取囲むよう
に被着して前記多角形と相似な輪郭形状を有する透過阻
止領域が形成されており、 前記絞り機構には、各々前記エネルギー線の透過を阻止
する８つ以上の多数の透過阻止部材が前記絞り孔を構成
すべく移動自在に設けられており、 これらの透過阻止部材の配置を調整することにより前記
絞り孔の開口形状及び開口サイズを該絞り孔の開口端ぼ
けが前記透過阻止領域内に投影されるように定めた状態
でパターン転写を行なうことを特徴とするパターン転写
方法。 - 【請求項２】マスク基板上に被転写パターン領域を形成
して成るマスクに対して絞り機構に設けられた絞り孔を
介して転写用のエネルギー線を照射し、前記マスクを透
過したエネルギー線により前記被転写パターン領域のパ
ターン像をウエハ上のレジスト層に転写するようにした
パターン転写装置において、 前記絞り機構には、各々前記エネルギー線の透過を阻止
する８つ以上の多数の透過阻止部材が前記絞り孔を構成
すべく移動自在に設けられていることを特徴とするパタ
ーン転写装置。 - 【請求項３】マスク基板上に被転写パターン領域を形成
して成るパターン転写用マスクにおいて、 前記被転写パターン領域は、各々方形状でほぼ同一サイ
ズの多数のチップ内パターン領域を直交行列的に配置し
て成り、 この直交行列的な配置の輪郭に対応する前記被転写パタ
ーン領域の平面図形は、行方向及び列方向について各方
向毎に２等分可能であり且つ各２等分線毎にその両側の
部分図形が該２等分線に関して対称である12角形以上の
多角形をなしており、 前記マスク基板上には、前記エネルギー線の透過を阻止
する材料を前記被転写パターン領域を帯状に取囲むよう
に被着して前記多角形と相似な輪郭形状を有する透過阻
止領域が形成されていることを特徴とするパターン転写
用マスク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3966489A JP2701422B2 (ja) | 1989-02-20 | 1989-02-20 | パターン転写方法と装置及びマスク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3966489A JP2701422B2 (ja) | 1989-02-20 | 1989-02-20 | パターン転写方法と装置及びマスク |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02218111A JPH02218111A (ja) | 1990-08-30 |
| JP2701422B2 true JP2701422B2 (ja) | 1998-01-21 |
Family
ID=12559354
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3966489A Expired - Fee Related JP2701422B2 (ja) | 1989-02-20 | 1989-02-20 | パターン転写方法と装置及びマスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2701422B2 (ja) |
-
1989
- 1989-02-20 JP JP3966489A patent/JP2701422B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH02218111A (ja) | 1990-08-30 |
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