JPH08278626A - 位相シフトマスクの減衰用自己整合不透明領域の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】位相シフトマスクの減衰用自己整合不透明領域
の製造方法を提供する。 【解決手段】 本発明の方法は、石英の上部平面表面に
均一な厚さのモリブデンシリコン層を堆積することによ
り、減衰位相シフト光リソグラフィマスクを形成する。
均一な厚さのクロム層がモリブデンシリコン層の上に堆
積される。このクロム層は位相シフトマスク上の不透明
層としてエッチングに耐える十分な厚さを有する。次
に、クロム層はドライまたはウェットエッチングによ
り、第１パターン付きレジスト層でもって選択的にマス
クされてパターン化される。そして、モリブデンシリコ
ン層は得られたパターン付きクロム層をプロテクト層と
して用いてドライまたはウェットエッチングによりパタ
ーン化されて、モリブデンシリコンとクロムの複合層は
相互に分離した複合ストライプを有するよう形成され
る。残留レジストは除去され、次に、上部及び側壁の表
面は第２パターン付きレジスト層でもってコートされ
る。最後に、クロム層は他の相互に分離した複合ストラ
イプから除去される。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は半導体集積回路及び
他のデバイスの製造に使用される光リソグラフィに関
し、特に、これらの回路及びデバイスの製造用の光リソ
グラフィシステムに使用される光リソグラフィマスク及
びこのマスクをマスキングする方法に関する。これらの
マスクは異なる倍率を有する光システムに使用される場
合には特別に「レチクル」とも呼ばれている。

【０００２】

【従来の技術】図１は従来の技術によるワークピース１
２０に特徴物を規定する光リソグラフィ製造システム１
００を示す。このワークピース１２０は一般的に半導体
ウェーハ（基板）、及びこのウェーハ上部主表面にある
１つまたは複数の物質層（図示せず）を含んでいる。

【０００３】さらに具体的には、一般的に波長λの単色
光の放射が水銀ランプのような光源１０６により放出さ
れる。この放射は、不透明スクリーン１０５上の孔と、
平行光レンズまたはレンズシステム１０４と、不透明材
料上の孔（高輝度領域）の形で形成された特徴物のパタ
ーンを有するパターン付きリソグラフィマスク（「レチ
クル」）１０３と、集光レンズまたはレンズシステム１
０２とを連続的に透過する。リソグラフィマスク１０３
から放出した光放射は、集光レンズ１０２によりワーク
ピース１２０の上部主表面上のフォトレジスト層１０１
に集光される。このようにして、透明と不透明の部分の
パターンにより形成されたリソグラフィマスク１０３の
パターンは、フォトレジスト層１０１上に集光される。
開口プロセス（一般的にウェット開口プロセスである）
において、使用されるフォトレジストのポジ及びネガの
種類によって、フォトレジストの材料の光の入射される
領域だけはそれぞれ除去されたり、そのまま残されたり
する。このように、マスクのパターンはフォトレジスト
層１０１上に伝送（印刷）されるようになる。

【０００４】後続のエッチングプロセス、例えば、ウェ
ットエッチングまたはドライエッチングは一般的に半導
体ウェーハからなるワークピース１２０の選択された部
分を除去する。ここで、ワークピース１２０上の除去さ
れる部分は開口プロセスにより除去されたフォトレジス
ト層１０１の下の領域であり、フォトレジストの残され
ている領域の下の領域ではない。別法として、このよう
なワークピース１２０の選択エッチングの代わりに、不
純物イオンが開口プロセスにより除去されたフォトレジ
スト層の下の領域でワークピース１２０に注入され、フ
ォトレジストの残されている領域の下の領域には注入さ
れない。それ故に、何れの場合でも、リソグラフィマス
ク１０３のパターン、すなわち、マスクの特徴物は例え
ば、半導体集積回路の技術に必要なワークピース１２０
に伝送される。

【０００５】公知のように、不透明スクリーン１０５上
の孔は平行光レンズ１０４の焦点面にあり、入射長Ｌ1
とＬ2は簡単なレンズ１０２の場合において、１／Ｌ1＋
１／Ｌ2＝１／Ｆを満足する。ここでＦは集光レンズ１
０２の焦点長である。

【０００６】集積回路の製造においては、ウェーハ当た
りに可能な限り多くのトランジスタを形成することが好
ましい。これにより、トランジスタのサイズをできるだ
け小さくする必要がある。同様に、例えば同一レベルの
金属化または他の電気接続を形成するために、他の特徴
物のサイズ、例えば、金属化ストリップの特徴物の長さ
（すなわち、その幅）、または金属で充填される絶縁層
上の孔のサイズは可能な限り小さく造られる必要があ
る。

【０００７】幾何学光学によると、フォトレジスト層１
０１上に幅Ｗを有する特徴物を印刷する必要があれば、
幅Ｃを有する特徴物はリソグラフィマスク１０３に配置
される。また幾何学光学によると、Ｃの幅を有する特徴
物が不透明層上の単一の孔であれば、「横倍率」ｍ＝Ｗ
／Ｃとなる。ここで、ｍ＝Ｌ2／Ｌ1である。しかし、回
折効果が重要となる場合、シャープな白黒イメージの代
わりに、対象の特徴物Ｃの回折パターンはフォトレジス
ト層１０１上に形成され、イメージのエッジははっきり
しなくなる。これにより、リソグラフィマスク１０３の
特徴物の解像度は、フォトレジスト層に集光され、ワー
クピースに転写されるときに、劣化してしまう。

【０００８】従来の技術において、この回折問題は、位
相シフト特徴物のパターンを含んだ位相シフト領域を有
するマスクを使用することにより緩和される。このマス
クは周知の「位相シフトマスク」であり、以下ではマス
ク１０３が「位相シフトマスク」とも称される。これら
の位相シフト特徴物は、リソグラフィマスク１０３を透
過する波長λのビームに、マスクの選択された領域上に
あるマスクの他の特徴物に対して位相シフトψを与え
る。一般的に、この位相シフトψは約π（＝１８０°）
になるよう形成される。これらの位相シフト特徴物のパ
ターンは一般的に「マスクの主特徴物」と称される領域
に配置される。

【０００９】位相シフトマスクは「クリア」領域及び
「減衰」領域により形成されたその位相シフト特徴物に
より形成される。「クリア領域」とは透明領域であり、
すなわち、約波長λで光強度透過率Ｔ＝１となる領域で
ある。「減衰領域」とは、部分透明領域であり、すなわ
ち、波長λでＴが約０．０５〜０．１５の範囲にあり、
一般的に約０．１０になる領域を意味する。そして、位
相シフトψとは、減衰領域に対してクリア領域を伝送さ
れた波長λの放射の位相シフトを意味する。このような
マスクは「減衰位相シフトマスク」と称される。また、
必要ならば、このマスクの主特徴物領域は不透明領域、
すなわち、波長λで約Ｔ＜０．０１となる領域を含むこ
とができる。

【００１０】それ故に、減衰位相シフトマスクにおい
て、マスク１０３の簡単な孔Ｃの形に示された特徴物は
簡単な孔よりももっと複雑となり、前述した位相シフト
特徴物（図１には図示せず）のパターンを含むことにな
る。具体的には、主特徴物領域は前述した位相シフト特
徴物のパターンを含んで、フォトレジスト層１０１上に
それにより形成されたイメージは、ワークピース１２０
のデバイス特徴物（例えば、不純物イオンの注入された
ワークピース１２０の選択された領域、またはワークピ
ース１２０の部分が除去されたワークピース１２０の選
択された領域）に対応する。

【００１１】周知のように、ステップツール及び繰り返
しツール（図示せず）は、フォトレジスト層１０１上に
連続的なイメージを形成するために、ステップ及び繰り
返し移動を結合した露光工程に使用される。このプロセ
スにおいて、ワークピース１２０はチップ（「ダイ」）
領域に分割されている。各チップ領域は、一般的にワー
クピース１２０のステップとリピート位置により得られ
た領域（１０１により覆われる領域）により規定され
る。フォトレジスト層１０１の各対応（覆われる）チッ
プ領域は光リソグラフィ製造システム１００の光ビーム
に連続的に露光される。この露光はチップ領域の全部を
一回で入射光に照射されるタイプ（全部のチップ領域を
包囲するのに十分な断面を有する）でもよいし、入射光
ビームがチップの領域をスキャン（操作）するタイプ
（全部のチップ領域を覆う断面を有する必要がない）で
もよい。

【００１２】このステップ−リピータプロセスに際し
て、マスク１０３をステップ−リピータツール（以下で
は「ステッパーツール」と称する）に配置するために
は、マスク−ツー−ステッパーツール整合マーク（以下
では「レチクル整合マーク」と称する）が主特徴物領域
の外部のマスク１０３に配置される。これらのレチクル
整合マーク（図１には図示せず）は不透明領域を含んだ
方が有利である。これらのレチクル配置領域は主特徴物
領域の減衰領域のエッジに対して自己整合されるエッジ
を有することが基本である。すなわち、これらのレチク
ル整合マークと主特徴物領域の減衰領域は同一のリソグ
ラフィ処理ステップにおいて形成され、そこで単一のパ
ターン付きレジスト層はレチクル整合マークのエッジと
主特徴物領域の減衰領域のエッジとの両方を規定する。

【００１３】また周知のように、フォトレジスト層１０
１に入射された光の範囲を１つのチップ領域に制限する
ために、ステッパーツールは不透明シャッター（以下で
は「シャッターブレード」と称する）を含む。このシャ
ッターブレードの配置に関連する避けられない位置決め
誤差を補償するために、不透明リング（図示せず）がマ
スク自身の上に配置されている。この不透明リングは主
特徴物領域を包囲する。特に、この不透明リングは主特
徴物領域に対して自己整合でき、この主特徴物領域の境
界を形成するエッジを有することが望ましい。

【００１４】チップ領域間の距離（ステップ−リピータ
プロセスにより規定される）を最小化し、ワークピース
１２０上の高価な主特徴物領域の浪費を避けるために、
不透明リングの内部エッジは主特徴物領域の特徴物に自
己整合するようになる。しかし、減衰位相シフトマスク
の場合においては、このリングが（主特徴物領域の）減
衰領域と同時に、且つこの減衰領域の減衰材料と同一の
材料で形成されれば（経済の視点から）、リングは、完
全遮断の代わりに約１０％の入射光強度を透過させる。
このようにして、ステップ−リピート露光プロセスにお
いては、主特徴物領域のエッジ領域では、２つの異なる
ステップ−リピート露光における照射を受けるため、約
２０％（＝２×１０％）の入射光強度を受けることにな
る。またその角部領域では、４回の異なるステップ−リ
ピート露光における照射を受けるため、約４０％（＝４
×１０％）の入射光強度を受けることになる。このた
め、不必要な光背景が主特徴物領域のエッジ及び角部領
域で起こってしまう。この背景はこのエッジ及び角部領
域のある特徴物の規定の劣化を招く。

【００１５】この背景の問題に加えて、前述したレチク
ル整合マークが、不透明領域の代わりに主特徴物領域の
減衰領域と同時に減衰領域により形成される場合（経済
性の視点から）、これらのレチクル整合マークのイメー
ジの定義のシャープさ（コントラスト比）は低減され
る。コントラスト比の減少はマスク１０３のステッパー
ツールに対する、ひいてはワークピース１２０に対する
整合精度を悪化させる。

【００１６】さらに前述したように、減衰位相シフトマ
スクの位相シフト特徴物は（１）減衰領域と（２）クリ
ア領域との２つの基本領域により規定される。そのた
め、この２つの基本領域とともに、レチクル整合マーク
または不透明リング、またはこのレチクル整合マークと
不透明リングの両方を自己整合の方法で形成する方法が
要求される。すなわち、この方法は、不透明リングのエ
ッジまたはレチクル整合マークのエッジを規定し、また
は、不透明リングとレチクル整合マークとの両方のエッ
ジを規定する同一のリソグラフィステップにおいて、減
衰領域のエッジを含む位相シフト領域を規定できること
が望まれている。また、主特徴物領域が不透明領域を含
めば、この主特徴物領域の減衰領域を同一リソグラフィ
ステップで、（必要ならば）且つそれに対する自己整合
の方法で形成する際に、これらの不透明領域を形成する
方法が必要である。

【００１７】

【発明が解決しようとする課題】従って、本発明の目的
は、同一のリソグラフィステップにおいて、自己整合の
方法で不透明領域と減衰位相シフト領域を同時に形成す
る方法を提供することである。

【００１８】

【課題を解決するための手段】前記課題を解決するため
に、本発明は、光リソグラフィ製造システム１００のマ
スク１０３として使用される光リソグラフィマスクを次
のステップで示す方法により製造する。 （ａ）上部主平面表面を有する透明基板を準備し、その
上に第１材料で造った第１層が配置され、この第１層は
ほぼ均一の第１厚さｈを有し、且つこの第１材料は波長
λの光放射に対して部分的に透明である。

【００１９】（ｂ）第２材料製の第２層を第１層の上部
表面の全面に堆積させ、この第２層は第１材料と異なる
化学組成の第２材料により造られ、この第２層はほぼ均
一の厚さを有し、且つ第２層は十分の厚さを有し、第１
層と合わせて、波長λの放射に対して不透明となる。 （ｃ）第２層の上部表面に第１パターン付きレジスト層
を形成する。

【００２０】（ｄ）第１パターン付きレジスト層を第２
層のエッチングのプロテクト層として用いて、第１パタ
ーン付きレジスト層または得られたパターン付き第２層
を第１材料のエッチングのプロテクト層として用いて、
第１層と第２層の側面部分をエッチングして、第１パタ
ーン付き不透明層が間隔を置いた領域を有するよう形成
され、各領域は少なくとも１つのエッジ（以下では「側
壁」と称する）を有し、且つ各領域は第１材料の得られ
たパターン層により覆われている第２材料の得られた同
様なパターン層により構成される。

【００２１】（ｅ）間隔を置いた領域の上部表面を全面
に、且つこの領域の全部ではなく少なくともある部分の
間の全スペースをコートした第２パターンレジスト層を
形成する。 （ｆ）第２パターン付きレジスト層をパターン付きの第
２層のエッチングのプロテクトマスクとして用いてパタ
ーン付き第２層露出部分のみをエッチングして、第２パ
ターン付き不透明層とパターン付きの部分的透明層を形
成する。

【００２２】ステップ（ｅ）においては、パターン付き
の第２レジスト層は少なくとも１つ（全部ではない）の
間隔を置いた領域の上部表面の部分のみか、少なくとも
１つ（全部ではない）の間隔を置いた領域の側壁を覆っ
ている。

【００２３】このようにして、第２パターン付き不透明
層は、第２パターン付きレジスト層が存在する場所で形
成される。第２パターン付き不透明層、すなわち、間隔
を置いた領域間の（透明）スペースまたは第２パターン
付きレジスト層の存在する領域にあるそれ自身の（不透
明）領域は、整合マーク及びシャッターマーク（ある場
合）を含む領域として機能する。パターン付きの部分透
明層は、第２パターン付きレジスト層の存在していない
領域で形成され、位相シフト特徴物を含む領域として機
能する。

【００２４】ステップ（ｅ）において、第２パターン付
きレジスト層は間隔を置いた領域の上部表面の全部、且
つこの領域の少なくともある部分（全部ではない）の間
の全スペースを覆っていたので、得られた第２パターン
付き不透明層はパターン付きの部分透明層に関して自己
整合するようになる。すなわち、第２パターン付きレジ
スト層の整合はそれほど精度を必要としないことにな
る。それは、第２パターン付きレジスト層は不透明とな
る間隔を置いた領域の全表面、及びこの領域の間の全ス
ペースを覆って、パターン付きの部分透明層（位相シフ
ト領域）の形成された領域を覆っていないからである。

【００２５】第２パターン付きレジスト層の残された厚
さは、得られたリソグラフィマスクを光リソグラフィ製
造システム１００に使用する前に除去する方がよい。
また、好ましくはステップ（ｃ）は、第２層の上部表面
にほぼ均一な厚さとなる第１レジスト層を形成し、第１
レジストを光効果放射の第１パターンに露光し、そして
第１レジスト層を開口することにより行われる。

【００２６】また、好ましくはステップ（ｄ）は、第１
パターン付きレジスト層を第１プロテクトマスクとして
用いて、第２層のみをエッチングして、その後（１）第
１パターン付きレジスト層を除去し、（２）得られたパ
ターン付きの第２層を第２プロテクトマスクとして用い
て第１層のみをエッチングすることにより行われる。

【００２７】

【発明の実施の形態】

【００２８】図２に示すように、透明平行スラブ１０は
一般的に石英製で、上部主表面１０．５を有している。
上部主表面１０．５の上に部分透明層１１がある。この
部分透明層１１は一般的にモリブデンシリコン製であ
り、約８０ｎｍ〜１００ｎｍの厚さを有している。この
部分透明層１１の上部表面に不透明層１２があり、この
不透明層１２はクロムまたは酸窒化クロム製である。こ
の不透明層１２はそれ自身が不透明である必要がない
が、その厚さが不透明層１２と部分透明層１１を合わせ
て波長λの光に対して不透明となる必要がある。

【００２９】パターン付きレジスト層１３が不透明層１
２の上部表面にある。このパターン付きレジスト層１３
は一般的に、光または電子ビームのパターンのような光
効果放射のパターンを、レジストを照射して、均一な厚
さのレジストをパターニングし、レジストを開口するこ
とにより形成される。

【００３０】図２に示している構造の上部表面はドライ
エッチングで処理されて、不透明層１２の全厚さがパタ
ーン付きレジスト層１３によりプロテクトされない領域
で除去される。このようにして、不透明層１２はパター
ン付き不透明層３２となる（図３）。次に、上述のよう
に露出した部分透明層１１の部分は周知のドライまたは
ウェットエッチングにより処理され、部分透明層１１の
露出領域の全厚さが除去されて、パターン付き部分的不
透明層３１が形成される（図４）。このパターン付き部
分的不透明層３１はその上に覆われているパターン付き
不透明層３２とともに間隔を置いた領域を形成し、各領
域は複合層３１、３２の対により形成される。以上に示
した（図示せず）ように、これらの間隔を置いた複合層
３１、３２は一般的に相互分離した（伸びた）ストライ
プ、または相互分離したアイランド、またはこれらの結
合の形になっている。

【００３１】パターン付きレジスト層１３の残るすべて
の部分は除去される。別法として、不透明層１２のエッ
チングの後且つ部分透明層１１のエッチングの前に残さ
れたパターン付きレジスト層１３のすべての部分は、部
分透明層１１のエッチングの前に除去される。この場合
には、パターン付き不透明層３２は部分透明層１１のエ
ッチングに対するプロテクトパターン付きマスクとして
機能する。

【００３２】次に、造られた構造の上部表面は第２パタ
ーン付きレジスト層１５により覆われている（図５）。
パターニングはレジスト層１３（図２）と相似の方法で
行われる。この第２パターン付きレジスト層１５は複合
層３１、３２の全上部表面及びその一部（全部ではな
い）の間の全スペースをコートする。また、１つの複合
層３１、３２の上部表面の部分のみもコートする。そし
て、得られた構造体は従来のウェットまたはドライエッ
チングにより処理されて、パターン付き不透明層３２の
露出部分の全厚さ（しかし、その厚さのみ）を除去する
が、３１の厚さをほとんどエッチングしない。このよう
にして、パターン付き複合層３１、３２及び３１、６２
は第２パターン付きレジスト層１５の存在する場所のみ
で残される。他の場所においては、第２パターン付きレ
ジスト層１５は存在せず、残された層（場合によって
は、透明平行スラブ１０から離れている）はパターン付
き部分的不透明層３１である。

【００３３】最後に、第２パターン付きレジスト層１５
に残されている全てのレジスト材料は除去される。この
ように得られた構造（図６）は、パターン付き部分的不
透明層３１により形成された位相シフト特徴物が部分的
透明層（Ｔ＝０．１）の右側のエッジで終了する場合に
は特に有用である。特徴物が透明層の右側のエッジで終
了する場合には、図５と図６に示された連続の製造段階
はそれぞれ図７と８に示された工程に置き換えられる。
もっと具体的には、第２パターン付きレジスト層１５
（図５）はレジスト層１７（図７）により置き換えられ
る。このレジスト層１７は隣接したパターン付き部分的
不透明層３１、パターン付き不透明層３２の対の間にあ
るスペースの部分のみをコートする場合において第２パ
ターン付きレジスト層１５と異なる。パターン付き不透
明層３２の露出部分、且つこの露出部分のみ（パターン
付き部分的不透明層３１の厚さの大きな部分ではない）
がウェットエッチングまたはドライエッチングにより処
理される。最後に、レジスト層１７は完全に除去される
（図８）。

【００３４】図６と図８に示した構造において、パター
ン付き非複合減衰領域３１及びその間にあるスペースは
主特徴物領域を形成する。図６に示した構造において
は、パターン付き部分的不透明層３１、６２は不透明リ
ングとして機能することができる。図８に示した構造に
おいては、パターン付き非複合領域３１に最も近い複合
領域３１、３２は不透明リングとして機能する。図６と
８の両方においては、残された複合領域３１、３２はレ
チクル整合マークとして機能することができる。

【００３５】図６と図８の両方に示した構造において
は、すべての領域３１と３２のすべての側壁は同一のパ
ターン付きレジスト層１３により規定されて、そのた
め、相互に自己整合となっていた。領域６２の左側側壁
（図６のみ）はパターン付きレジスト層１３によって規
定されていないが、代わりに６２の右側エッジはパター
ン付きレジスト層１３により規定されて、領域３１と３
２に対して自己整合となっており、全体領域６２は同一
の処理ステップによって領域３２により造られた。さら
に、領域６２を必要としない減衰領域３１の左側と右側
の両方は他のすべての減衰領域３１に対して自己整合と
なっている。

【００３６】本発明は特定の実施形態についてのべた
が、他の様々な変形が考えられる。例えば、必要なら
ば、１つまたは複数の不透明領域を位相シフト領域で形
成することができ、この領域の各々は１つまたは複数の
側壁を有し、パターン付き不透明領域６２（図６）また
は３２（図６または図８）のように、同様な方法により
相互に自己整合となる。

【００３７】

【発明の効果】以上述べたように、本発明の方法によ
り、不透明リングのエッジまたはレチクル整合マークの
エッジを規定し、または、不透明リングとレチクル整合
マークとの両方のエッジを規定する同一のリソグラフィ
ステップにおいて、減衰領域のエッジを含む位相シフト
領域を規定することができた。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の応用に使用される光リソグラフィシス
テムを表す図。

【図２】本発明の実施例による位相シフトマスクの製造
段階における断面図。

【図３】本発明の実施例による位相シフトマスクの製造
段階における断面図。

【図４】本発明の実施例による位相シフトマスクの製造
段階における断面図。

【図５】本発明の実施例による位相シフトマスクの製造
段階における断面図。

【図６】本発明の実施例による位相シフトマスクの製造
段階における断面図。

【図７】本発明の実施例による位相シフトマスクの製造
段階における断面図。

【図８】本発明の実施例による位相シフトマスクの製造
段階における断面図。

【符号の説明】

１０ 透明平行スラブ １０．５ 上部主表面 １１ 部分透明層 １２ 不透明層 １３ パターン付きレジスト層 １５ 第２パターン付きレジスト層 １７ レジスト層 ３１ パターン付き部分的不透明層 ３２ パターン付き不透明層 １００ 光リソグラフィ製造システム １０１ フォトレジスト層 １０２ 集光レンズ １０３ リソグラフィマスク（レチクル） １０４ 平行光レンズ １０５ 不透明スクリーン １０６ 光源 １２０ ワークピース

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 タエホ クーック アメリカ合衆国，180962 ペンシルヴァニ ア，マカンギー，ランターン コート 2517 (72)発明者 ロバート ルイス コステラック，ジュニ ア アメリカ合衆国，07924 ニュージャージ ー，バーナーズヴィル，チャイルズ ロー ド ６

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 光リソグラフィマスクを製造する方法に
   おいて、 （ａ）第１層（１１）が配置されている基板（１０）を
   準備するステップと、 前記第１層が波長λの光放射に対して部分的に透明であ
   り、 （ｂ）前記第１層の上部表面に、第１層と化学的に異な
   る材料製で、第１層とともに波長λの光放射に対して不
   透明となる第２層（１２）を準備するステップと、 （ｃ）前記第２層の上部表面に第１パターン付きレジス
   ト層（１３）を形成するステップと、 （ｄ）前記第１パターン付きレジスト層を第２層のエッ
   チングのプロテクト層として用い、第１パターン付きレ
   ジスト層または得られたパターン付き第１層を第１層の
   エッチングのプロテクトマスクとして用いて、第１パタ
   ーン付き不透明層（３１、３２）が、間隔の置いた領域
   を有し、各領域は少なくとも１つの側壁によって分離さ
   れた上部表面を有するよう形成される第１層と第２層を
   エッチングするステップと、 （ｅ）この間隔を置いた領域の全上部表面、及び少なく
   ともこの領域にあるもの（全部ではない）の間の全スペ
   ースをコートする第２パターン付きレジスト層（図５の
   １５と図７の１７）を形成するステップと、 （ｆ）第２パターン付きレジスト層をこの第２パターン
   付き層のエッチングのプロテクトマスクとして用いて、
   第２パターン付き不透明層とパターン付き部分的透明層
   を形成するこの第２パターン付き第２層の露出部分のみ
   をエッチングするステップとを含むことを特徴とする光
   リソグラフィマスクの製造方法。
2. 【請求項２】 前記ステップ（ｅ）において、第２パタ
   ーン付きレジスト層は、全部ではなく少なくとも１つの
   間隔を置いた領域の間のスペースの部分のみをコートす
   ることを特徴とする請求項１の方法。
3. 【請求項３】 前記ステップ（ｅ）において、第２パタ
   ーン付きレジスト層は、少なくとも１対の間隔を置いた
   領域の間のスペースの部分のみをコートすることを特徴
   とする請求項１の方法。
4. 【請求項４】 第２パターン付きレジスト層をストリッ
   プするステップを含むことを特徴とする請求項１の方
   法。
5. 【請求項５】 前記ステップ（ｃ）は、 前記ステップ（ｃ）は、第１パターン付きレジスト層を
   エッチングの第１プロテクトマスクとして用いてほぼ第
   ２層のみをエッチングし、得られた第２パターン付き層
   を第２プロテクトマスクとして用いて第１層のみをエッ
   チングするステップによって行われることを特徴とする
   請求項１，２，３，４のいずれかの方法。