KR960024661A - 광식각 마스크 제조 방법 - Google Patents

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죠셉 데마르코 죤
태호 국
루이스 코스텔락 2세 로버트
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디. 아이. 카플란
에이 티 앤드 티 코포레이션
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Abstract

감쇄 위상천이 광 식각 마스크는, 먼저 수정(10)의 상부 평평한 표면 위에 균일 두께의 몰리브데늄 실리사이드층(11)을 침착시킴으로써 본 발명의 특정 실시예로써 조립된다.
몰리브데늄 실리사이드층은 위상천이 마스크로(부분적으로 투명한) 감쇄층으로서 동작하기에 충분한 두께를 갖는다.
몰리브데늄 실리사이드층 위에는 균일 두께의 크로뮴층(12)이 침착된다. 크로뮴층은 위상천이 마스크에서 불투명층으로서 동작하기에 충분한 두께를 갖는다. 다음에, 크로뮴층은 건식 또는 습식 에칭에 의해서 패턴화되고, 크로뮴은 제1패턴화 된 레지스트층(13)에 선택적으로 마스크된다. 이어서, 몰리브데늄 실리사이드층은 보호층으로서 결과적인 패턴화된 크로뮴층을 사용하여 건식 또는 습식 에칭에 의해서 패턴화되고, 따라서 몰리브데늄 실리사이드와 크로뮴의 합성층은 상호 분리된 합성 스트립(31,32)을 가지도록 형성된다. 잔류 레지스트는 모두 제거된다. 다음에, 다른 것은 아니고 이들 상호 분리된 스트립들 중 몇개의 스트립의 상부 및 측벽 표면에는 제2패턴화된 레지스트층(15)이 피복된다. 마지막으로(제6도), 몰리브데늄 실리사이드층이 아닌 크로뮴층이 상호 분리된 합성 스트립들중 다른 것으로부터 제거된다.

Description

광식각 마스크 제조 방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 실용상 유용한 광식각 시스템을 도시하는 도면.

Claims (5)

  1. 광식각 마스크를 제조하는 방법에 있어서, (a) 파장 λ의 광복 사선에 부분적으로 투명한 제1층(11)이 배치되는 상부 표면을 가지는 기판(10)을 제공하는 단계와, (b) 상기 제1층과 조합하여, 상기 파장 λ의 상기 광복사선에 불투명하도록 충분히 두꺼운 제2층(12)을 상기 제1층의 상기 상부 표면의 상기 제1층으로부터 화학적으로 상이하게 침착시키는 단계와, (c) 상기 제2층의 상기 상부 표면에 제1패턴화된 레지스트층(13)을 형성하는 단계와, (d) 제1패턴화된 불투명층(31,32)은 적어도 하나의 측벽에 의해서 바운드(bound)되는 상부 표면을 각각 가지는 격리된 영역들을 가지도록 형성되기 위해서, 상기 제2층의 에칭에 대한 보호층으로서 상기 제1패턴화된 레지스트 층을 사용하고, 상기 제1층의 에칭에 대한 보호 마스크로서 상기 제1패턴화된 레지스트층이나 상기 결과적인 패턴화된 제2층을 사용하여 상기 제1층과 상기 제2층을 에칭하는 단계와, (e) 전부가 아니고 적어도 일부의 격리 영역들의 전체 상부 표면과 상기 일부 격리 영역들간의 전체 공간을 피복(coats)하근 제2패턴화된 레지스트층(제5도의 5, 제7도의 17)을 형성하는 단계 및, (f) 제2패턴화된 불투명층과 패턴화되고 부분적으로 투명한 층(a patterned partially transport layer)이 형성되도록 상기 패턴화된 제2층의 에칭에 대한 보호층으로서 상기 제2패턴화된 레지스트 층을 사용하여 상기 패턴화된 제2층의 노광 부분만을 에칭하는 단계를 구비하는 광 식각 마스크 제조 방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 단계 (e)도 중에, 상기 제2패턴화된 레지스트층은 전부가 아니라 적어도 하나의 상기 격리 영역의 상부 표면의 일부만을 피복시키는 광 식각 마스크 제조 방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 단계 (e)도 중에, 상기 제2패턴화된 레지스트층은 적어도 한쌍의 상기 격리 영역들 사이에 상기 공간에 일부만을 피복하는 광 식각 마스크 제조 방법.
  4. 제1항에 있어서, 상기 제2패턴화된 레지스트층을 벗겨내는(stripping)단계를 더 구비하는 광 식각 마스크 제조 방법.
  5. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 단계 (c)는 상기 에칭에 대한 제1보호 마스크로서 상기 제1패턴화된 레지스트 층을 사용하여 실질적으로 상기 제2층만을 에칭하는 단계와, 상기 제1패턴화된 레지스트 층을 제거하는 단계 및, 제2보호 마스크로서 상기 결과적인 패턴화된 제2층을 사용하여 상기 제1층만을 에칭하는 단계에 의해서 수행되는 광 식각 마스크 제조 방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019950072173A 1994-12-30 1995-12-29 광식각 마스크 제조 방법 KR960024661A (ko)

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