KR970048954A - 위상 반전 마스크(psm) 제조방법 - Google Patents

위상 반전 마스크(psm) 제조방법 Download PDF

Info

Publication number
KR970048954A
KR970048954A KR1019950057191A KR19950057191A KR970048954A KR 970048954 A KR970048954 A KR 970048954A KR 1019950057191 A KR1019950057191 A KR 1019950057191A KR 19950057191 A KR19950057191 A KR 19950057191A KR 970048954 A KR970048954 A KR 970048954A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
phase inversion
manufacturing
inversion mask
psm
layer
Prior art date
Application number
KR1019950057191A
Other languages
English (en)
Inventor
문성용
Original Assignee
김광호
삼성전자 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 김광호, 삼성전자 주식회사 filed Critical 김광호
Priority to KR1019950057191A priority Critical patent/KR970048954A/ko
Publication of KR970048954A publication Critical patent/KR970048954A/ko

Links

Landscapes

  • Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)

Abstract

본 발명은 위상반전 마스크 제조방법에 관해 개시한다. 본 발명에 의한 제조방법은 크롬막 패턴이 형성된 PSM기판 전면에 위상반전층을 단층으로 형성하는 위상반전마스크 제조방법에 있어서, 상기 위상반전층을 다층(multi-layer)으로 형성하는 것을 특징으로 한다.

Description

위상 반전 마스크(PSM) 제조 방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명에 의한 위상 반전 마스크를 나타낸다.

Claims (3)

  1. 크롬막 패턴이 형성된 PSM기판 전면에 위상반전층을 단층으로 형성하는 위상반전마스크 제조방법에 있어서, 상기 위상반전층을 다층(multi-layer)으로 형성하는 것을 특징으로 하는 위상반전 마스크 제조방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 다층은 제1, 제2 및 제3위상반전층으로 형성하는 것을 특징으로 하는 위상반전마스크 제조방법.
  3. 제2항에 있어서, 상기 다층은 제1, 제2 및 제3위상반전층은 공히 에스.오.지(SOG)를 형성하는 것을 특징으로 하는 위상반전 마스크 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019950057191A 1995-12-26 1995-12-26 위상 반전 마스크(psm) 제조방법 KR970048954A (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019950057191A KR970048954A (ko) 1995-12-26 1995-12-26 위상 반전 마스크(psm) 제조방법

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019950057191A KR970048954A (ko) 1995-12-26 1995-12-26 위상 반전 마스크(psm) 제조방법

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR970048954A true KR970048954A (ko) 1997-07-29

Family

ID=66619042

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019950057191A KR970048954A (ko) 1995-12-26 1995-12-26 위상 반전 마스크(psm) 제조방법

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR970048954A (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100802292B1 (ko) * 2006-07-21 2008-02-11 동부일렉트로닉스 주식회사 마스크 및 이를 이용한 마이크로 렌즈 제작 방법

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100802292B1 (ko) * 2006-07-21 2008-02-11 동부일렉트로닉스 주식회사 마스크 및 이를 이용한 마이크로 렌즈 제작 방법

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR920022456A (ko) 동 배선의 형성방법
KR970048954A (ko) 위상 반전 마스크(psm) 제조방법
FR2848725B1 (fr) Procede de formation de motifs alignes de part et d'autre d'un film mince
KR970008372A (ko) 반도체장치의 미세 패턴 형성방법
KR970048959A (ko) 위상반전 마스크 제조방법
KR970022530A (ko) 위상반전 마스크의 제조방법
KR950012597A (ko) 마스크의 제조방법
KR970048950A (ko) 위상반전 마스크의 제조방법
KR980005764A (ko) 2층 이상의 금속층을 패터닝하는 식각방법
KR980003791A (ko) 하프톤 위상 반전 마스크
KR910005436A (ko) 패턴층을 이용한 반도체 제조방법
KR970016781A (ko) 스토리지 전극을 형성하는데 이용되는 하프톤형 위상반전마스크 및 그 제조방법
KR950015617A (ko) 반도체소자의 미세패턴 제조방법
KR970048937A (ko) 미세 패턴 형성용 마스크
KR970022521A (ko) 위상반전 마스크 및 그 제조방법
KR920008833A (ko) 위상반전 마스크의 형성방법
KR960005794A (ko) 위상반전 마스크를 이용한 미세환형패턴 제작방법
KR970076065A (ko) 위상 반전 마스크의 제조 방법
KR970077525A (ko) 다층 배선층 형성방법
KR920005221A (ko) Ta_ xO_ y박막 형성방법
KR930006861A (ko) 다층레지스트를 이용한 패턴형성방법
KR960041521A (ko) 한지효과를 주는 벽지 및 그 제조방법
KR970017833A (ko) 평판표시소자의 격벽형성방법
KR970023630A (ko) 반도체 소자 제조방법
KR980003801A (ko) 위상 반전 마스크

Legal Events

Date Code Title Description
WITN Withdrawal due to no request for examination