KR980003801A - 위상 반전 마스크 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 반도체 소자 제조 공정의 리소그라피 공정에 이용되는 마스크 및 그 제조방법에 관한 것으로, 석영 기판에 크롬 패턴이 구비된 크롬 패턴 레티클과, 석영 기판에 위상 반전막 패턴이 구비된 위상 반전막 레티클과, 상기 크롬 패턴 레티클과 위상 반전막 레티클이 접착하여 위상 반전 마스크를 구비하는 것이다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3도 및 제4도는 본 발명에 의해 별도의 석영 기판에 크롬 패턴과 위상 반전막 패턴을 각각 형성한 것을 도시한 단면도.
제5도는 본 발명에 의해 제조되는 크롬 레이클과 위상 반전막 레티클을 접착시킨 위상 반전 마스크를 도시한 단면도.
Claims (4)
- 위상 반전 마스크에 있어서, 석영 기판에 크롬 패턴이 구비된 크롬 패턴 레티클과, 석영 기판에 위상 반전막 패턴이 구비된 위상 반전막 레티클과, 상기 크롬 패턴 레티클과 위상 반전막 레이클이 접착되어 구비되는 위상 반전 마스크.
- 제1항에 있어서, 상기 크롬 패턴은 하프 톤 마스크에 사용되는 얇은 두께로 형성되는 것을 특징으로 하는 위상 반전 마스크.
- 제1항에 있어서, 상기 위상반전막 패턴은 셀 지역에 형성되고, 크롬 패턴은 주변 회로 지역에 형성되는 것을 특징으로 하는 위상 반전 마스크.
- 제1항에 있어서, 상기 크롬 패턴과 상기 위상반전막 패턴이 인접되게 접착되는 것을 특징으로 하는 위상 반전 마스크.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019960025804A KR980003801A (ko) | 1996-06-29 | 1996-06-29 | 위상 반전 마스크 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019960025804A KR980003801A (ko) | 1996-06-29 | 1996-06-29 | 위상 반전 마스크 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR980003801A true KR980003801A (ko) | 1998-03-30 |
Family
ID=66240865
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019960025804A KR980003801A (ko) | 1996-06-29 | 1996-06-29 | 위상 반전 마스크 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR980003801A (ko) |
-
1996
- 1996-06-29 KR KR1019960025804A patent/KR980003801A/ko not_active Application Discontinuation
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