KR970071126A - 이중 포토레지스트를 이용한 패턴 형성방법 - Google Patents
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- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
이중 포토레지스트(Double photoresist)를 이용하여 패턴의 해상도 및 균일도를 개선한 패턴 형성방법이 개시된다. 본 발명은 제1레지스트 도포 및 노광/현상 공정을 통하여 1차 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계와, 상기 1차 포토레지스트 패턴의 표면을 경화 처리하는 단계, 및 결과물 전면에 제2레지스트 도포 및 노광/현상 공정을 통하여 2차 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계를 구비하여, 얇은 두께를 갖는 1차 레지스트 패턴에 의해 패턴의 해상도를 향상시킴과 아울러 2차 레지스트막의 도포에 의해 패턴의 평탄도 및 오정렬에 의해 마아진을 향상시킬 수 있다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2C도는 본 발명에 의한 이중 포토레지스트를 이용한 패턴 형성방법을 설명하기 위한 단면도들이다.
Claims (2)
- 반도체 장치의 미세패턴 형성방법에 있어서, 제1레지스트 도포 및 노광/현상 공정을 통하여 1차 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계; 상기 1차 포토레지스트 패턴의 표면을 경화 처리하는 단계; 및 결과물 전면에 제2레지스트 도포 및 노광/현상 공정을 통하여 2차 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계를 구비함을 특징으로 하는 이중 포토레지스트를 이용한 패턴 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 1차 포토레지스트 패턴을 상기 2차 포토레지스트 패턴보다 크게 하여 미스얼라인에 의한 패턴 쉬프트 현상을 방지하는 것을 특징으로 하는 패턴 형성방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019960009696A KR970071126A (ko) | 1996-04-01 | 1996-04-01 | 이중 포토레지스트를 이용한 패턴 형성방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019960009696A KR970071126A (ko) | 1996-04-01 | 1996-04-01 | 이중 포토레지스트를 이용한 패턴 형성방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR970071126A true KR970071126A (ko) | 1997-11-07 |
Family
ID=66222902
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019960009696A KR970071126A (ko) | 1996-04-01 | 1996-04-01 | 이중 포토레지스트를 이용한 패턴 형성방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR970071126A (ko) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2008022245A1 (en) * | 2006-08-18 | 2008-02-21 | Brewer Science Inc. | Anti-reflective imaging layer for multiple patterning process |
| KR100951746B1 (ko) * | 2007-12-14 | 2010-04-08 | 주식회사 동부하이텍 | 반도체 소자의 제조 방법 |
| US9640396B2 (en) | 2009-01-07 | 2017-05-02 | Brewer Science Inc. | Spin-on spacer materials for double- and triple-patterning lithography |
-
1996
- 1996-04-01 KR KR1019960009696A patent/KR970071126A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2008022245A1 (en) * | 2006-08-18 | 2008-02-21 | Brewer Science Inc. | Anti-reflective imaging layer for multiple patterning process |
| KR100951746B1 (ko) * | 2007-12-14 | 2010-04-08 | 주식회사 동부하이텍 | 반도체 소자의 제조 방법 |
| US9640396B2 (en) | 2009-01-07 | 2017-05-02 | Brewer Science Inc. | Spin-on spacer materials for double- and triple-patterning lithography |
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