KR950009999A - 반도체 소자의 제조방법 - Google Patents

반도체 소자의 제조방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 반도체소자의 제조방법에 관한 것으로, 디자이어(DESIRE: Diffusion Enhanced Silylated Resist, 이하에서는 DESIRE라 함) 공정에 의해 감광막패턴을 형성할 때 샘플로 한두장의 웨이퍼에만 감광막을 도포하고, 노광공정 및 습식현상공정으로 감광막패턴을 형성하고, 정확하게 감광막패턴이 형성되었는지를 검사한 다음, 다른 웨이퍼들의 감광막패턴을 DESIRE공정으로 형성하는 공정방법으로서 감광막패턴의 샘플작업에 걸리는 시간을 단축할 수 있다.

Description

반도체 소자의 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 웨이퍼상에 칩영역과 스크라이브영역, 얼라인키영역을 도시한 도면,
제2도는 예정된 마스크의 얼라인키영역에 음각 및 양각패턴을 형성한 것을 도시한 단면도,
제3도는 제2도에 도시된 마스크를 사용하여 감광막패턴을 형성한 것을 특징으로 하는 도시한 도면,
제4도는 제2도에 도시된 마스크를 사용하고 DESIRE 공정에 의해 감광막패턴을 형성한 것을 도시한 단면도.

Claims (4)

  1. 반도체소자의 제조공정중 DESIRE공정에 의해 감광막패턴을 형성하는 방법에 있어서, 감광막패턴의 샘플자업으로 오정렬여부를 확인하기위하여 웨이퍼의 예정된 층 상부에 감광막을 도포하고, 노광 및 습식현상공정으로 상기 층을 패턴하기위한 감광패턴을 형성하되, 하부층의 얼라인 키 영역에 포지티브 감광막패턴과 네가티브 감광막패턴을 함께 형성하는 공정과, 하부층에 있는 얼라인 키와 포지티브 감광막패턴과의 오정렬을 검사하는 공정과, 오정렬이 발생하지 않은 상태에서 모든 웨이퍼들에 대해 실리레이션용 감광막을 도포하고, DESIRE 공정, 즉 노광공정, 실리레이션공정 및 건식현상공정으로 감광막패턴을 형성하는 공정을 포함하는 반도체 소자의 제조방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 포지티브 감광막패턴과 네가티브 감광막패턴을 형성하기 위하여 마스크의 얼라인 키 영역에 음각크롬패턴과 양각크롬패턴을 예정된 얼라인키 영역에 함께 형성시킨 마스크를 이용하는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 제조방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 오정렬을 검사하여 오정렬이 발생될 경우, 기 형성된 감광막 패턴을 완전히 제거한 다음, 다시 감광막을 도포하여 마스크를 정렬시킨 후에 노광 및 습식현상공정으로 감광막패턴을 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조방법.
  4. 제1항에 있어서, 상기 DESIRE공정에 의해 감광막패턴을 형성한 후에도 얼라인 키영역에 형성되는 포지티브 감광막패턴과 네가티브 감광막패턴이 형성되어 오정렬의 여부를 검사할 수 있는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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