KR950004486A - 웨이퍼의 필드 영역 분할 방법 - Google Patents
웨이퍼의 필드 영역 분할 방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR950004486A KR950004486A KR1019930013381A KR930013381A KR950004486A KR 950004486 A KR950004486 A KR 950004486A KR 1019930013381 A KR1019930013381 A KR 1019930013381A KR 930013381 A KR930013381 A KR 930013381A KR 950004486 A KR950004486 A KR 950004486A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- wafer
- alignment
- flat zone
- pattern
- field region
- Prior art date
Links
Abstract
본 발명은 반도체 소자의 제조 공정중 포토 마스트 스텝(photo mask step)에서 노광을 실시할 때 발생되는 웨이퍼 및 스텝퍼 스테이지(stepper stage)의 정렬 에러를 감시 및 방지하는 웨이퍼의 플랫트 죤(flat-zone) 정렬 장치에 관한 것으로, 웨이퍼(1)에 패턴 형성 후 분할된 필드 영역(3)의 하단라인과 웨이퍼(1)의 플래트 죤(la)과의 정렬을 식별하기 위하여 상기 웨이퍼(1)의 플래트 죤*la)에 버어니어 기능을 할 수 있도록 미세하게 나누어지도록 소정모양으로 형성된 정렬감시용 보조 패턴(4)을 형성하는 제4단계를 구비하여 초기 노광으로부터 발생한 웨이퍼의 정렬에러를 웨이퍼의 패턴 형성시에 신뢰성 있게 조사할 수 있으므로 해서 웨이퍼의 재생산 및 불량을 방지할 수 있는 효과가 있다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도의 (A) 및 (B)는 종래 웨이퍼의 플래트 죤 정렬이 불일치한 상태의 마스크 공정도, 제2도는 본 발명에 의한 웨이퍼의 플래트 죤과 필드 영역과의 정렬상태를 감시하기 위한 버어니어패턴을 형성 공정도, 제3도는 본 발명에 의한 웨이퍼의 필드 영역 분할 공정 후 웨이퍼의 정렬을 식별하는 상태도.
Claims (1)
- 도포된 웨이퍼(1)가 스탭퍼(2) 스테이지에 장착되는 제1단계와, 상기 웨이퍼(1)에 마스크패턴을 형성하기 위하여 노광기에 의해 노광을 하는 제2단계와, 상기 노광에 의해 형성된 패턴과 웨이퍼(1)의 플래트죤(la)의 정렬상태를 식별하는 제3단계의 웨이퍼 필드영역 분할 방법에 있어서, 상기 웨이퍼(1)에 패턴 형성 후 분할된 필드 영역(3)의 하단 라인과 웨이퍼(1)의 플래트 죤(la)과의 정렬을 식별하기 위하여 상기 웨이퍼(1)의 플래트 죤(la)에 버어니어 기능을 할 수 있도록 미세하게 나누어지는 소정모양으로 형성된 정렬감시용 보조 패턴(4)을 형성하는 제4단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼의 필드 영역 분할방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1019930013381A KR950004486A (ko) | 1993-07-15 | 1993-07-15 | 웨이퍼의 필드 영역 분할 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1019930013381A KR950004486A (ko) | 1993-07-15 | 1993-07-15 | 웨이퍼의 필드 영역 분할 방법 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR950004486A true KR950004486A (ko) | 1995-02-18 |
Family
ID=39284046
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1019930013381A KR950004486A (ko) | 1993-07-15 | 1993-07-15 | 웨이퍼의 필드 영역 분할 방법 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR950004486A (ko) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101357815B1 (ko) * | 2006-04-03 | 2014-02-04 | 몰레큘러 임프린츠 인코퍼레이티드 | 임프린트 리소그래피 시스템 |
-
1993
- 1993-07-15 KR KR1019930013381A patent/KR950004486A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101357815B1 (ko) * | 2006-04-03 | 2014-02-04 | 몰레큘러 임프린츠 인코퍼레이티드 | 임프린트 리소그래피 시스템 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR900007062A (ko) | 하전입자 비임 노광법(charged particle beam exposure method) | |
KR940020508A (ko) | 반도체 칩 범프의 제조방법 | |
EP0037708A2 (en) | Method of forming patterns | |
KR0156316B1 (ko) | 반도체장치의 패턴 형성방법 | |
KR950004486A (ko) | 웨이퍼의 필드 영역 분할 방법 | |
JPH05243115A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
US6130173A (en) | Reticle based skew lots | |
KR960005756A (ko) | 반도체 소자 제조용 포토 마스크 제작 방법 | |
US4581316A (en) | Method of forming resist patterns in negative photoresist layer using false pattern | |
KR0137636B1 (ko) | 현상률 측정 패턴을 구비한 포토마스크 및 현상률 측정방법 | |
KR960002587A (ko) | 웨이퍼 가장자리의 패턴불균일 방지를 위한 노광방법 | |
JPS602956A (ja) | フオトマスクの製造方法 | |
KR100728947B1 (ko) | 반도체소자용 레티클을 이용한 노광방법 | |
JPS594019A (ja) | パタ−ン比較検査方法 | |
KR960004643B1 (ko) | 얼라인먼트 테스팅 방법 | |
KR960002592A (ko) | 반도체 소자의 제조방법 | |
KR950021048A (ko) | 반도체 웨이퍼의 패턴 형성방법 | |
KR960035156A (ko) | 노광장치의 렌즈 비점수차(Lens Astignatism) 측정방법 | |
KR950027967A (ko) | 포토마스크(photomask) 제작방법 | |
JPS61154035A (ja) | 半導体集積回路装置の製造方法 | |
KR100358161B1 (ko) | 반도체소자제조방법 | |
KR980010603A (ko) | 포토마스크 제조방법 | |
KR960005791A (ko) | 반도체소자의 콘택홀 형성방법 | |
KR960019481A (ko) | 반도체 패턴 형성 방법 | |
KR950014974A (ko) | 반도체 장치의 제조 방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
WITN | Withdrawal due to no request for examination |