KR101357815B1 - 임프린트 리소그래피 시스템 - Google Patents

임프린트 리소그래피 시스템 Download PDF

Info

Publication number
KR101357815B1
KR101357815B1 KR1020087016346A KR20087016346A KR101357815B1 KR 101357815 B1 KR101357815 B1 KR 101357815B1 KR 1020087016346 A KR1020087016346 A KR 1020087016346A KR 20087016346 A KR20087016346 A KR 20087016346A KR 101357815 B1 KR101357815 B1 KR 101357815B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
field
layouts
patterned
alignment
area
Prior art date
Application number
KR1020087016346A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20080114678A (ko
Inventor
시들가타 브이. 스레니바산
필립 디. 슈메이커
이안 엠. 맥맥킨
Original Assignee
몰레큘러 임프린츠 인코퍼레이티드
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 몰레큘러 임프린츠 인코퍼레이티드 filed Critical 몰레큘러 임프린츠 인코퍼레이티드
Publication of KR20080114678A publication Critical patent/KR20080114678A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101357815B1 publication Critical patent/KR101357815B1/ko

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03B—APPARATUS OR ARRANGEMENTS FOR TAKING PHOTOGRAPHS OR FOR PROJECTING OR VIEWING THEM; APPARATUS OR ARRANGEMENTS EMPLOYING ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ACCESSORIES THEREFOR
    • G03B27/00—Photographic printing apparatus
    • G03B27/32—Projection printing apparatus, e.g. enlarger, copying camera
    • G03B27/52—Details
    • G03B27/62—Holders for the original
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03B—APPARATUS OR ARRANGEMENTS FOR TAKING PHOTOGRAPHS OR FOR PROJECTING OR VIEWING THEM; APPARATUS OR ARRANGEMENTS EMPLOYING ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ACCESSORIES THEREFOR
    • G03B27/00—Photographic printing apparatus
    • G03B27/32—Projection printing apparatus, e.g. enlarger, copying camera
    • G03B27/42—Projection printing apparatus, e.g. enlarger, copying camera for automatic sequential copying of the same original
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/0002—Lithographic processes using patterning methods other than those involving the exposure to radiation, e.g. by stamping
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
    • G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
    • G03F9/7003—Alignment type or strategy, e.g. leveling, global alignment
    • G03F9/7042—Alignment for lithographic apparatus using patterning methods other than those involving the exposure to radiation, e.g. by stamping or imprinting
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
    • G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
    • G03F9/7073—Alignment marks and their environment
    • G03F9/7076—Mark details, e.g. phase grating mark, temporary mark
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
    • G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
    • G03F9/7073—Alignment marks and their environment
    • G03F9/7084—Position of mark on substrate, i.e. position in (x, y, z) of mark, e.g. buried or resist covered mark, mark on rearside, at the substrate edge, in the circuit area, latent image mark, marks in plural levels

Abstract

본 발명은 함께 모자이크를 이룰 때 해자에 의해서 생긴 개방 영역이 제거될 수 있도록 하는 레벨 0(임프린트 또는 포토리소그래피 또는 e-빔 등에 의해서 패턴화) 및 레벨 1(임프린트에 의해서 패턴화)을 위한 패턴화 필드의 모양을 선택하는 것에 관한 것이다.
Figure 112008048452892-pct00001
임프린트 리소그래피, 해자, 개방영역, 패턴화 필드

Description

임프린트 리소그래피 시스템{IMPRINT LITHOGRAPHY SYSTEM}
본 발명은 임프린트 리소그래피 시스템에 관한 것이다.
나노-제작은, 예를 들어 나노미터 이하 정도의 피쳐(feature)를 갖는, 아주 소형 구조의 제작을 포함한다. 나노-제작이 상당한 충격을 주었던 한 분야가 직접회로의 프로세싱이다. 기판 위에 형성되는 단위 면적당 회로 수가 증가하면서 반도체 프로세싱 산업이 더 높은 생산율을 위해 노력을 계속함에 따라, 나노-제작은 더욱 더 중요하게 되고 있다. 나노-제작은 더 큰 공정 제어를 제공하는 동시에 형성된 구조의 최소 피쳐 치수를 더욱 감소시킬 수 있다. 나노-제작이 사용되고 있는 다른 개발 분야는 생물공학, 광학기술, 기계 시스템 등을 포함한다.
전형적인 나노-제작 기술을 보통 임프린트 리소그래피(imprint lithography)라고 한다. 전형적인 임프린트 리소그래피 공정은 미국특허출원 제10/264,960호로서 제출된 미국특허출원 공보 제2004/0065976호, 제목 "최소의 치수 변화성을 갖는 피쳐를 복사하기 위하여 기판 위에 피처를 배열하기 위한 방법 및 몰드"; 미국특허출원 제10/264,926호로서 제출된 미국특허출원 공보 제2004/0065252호, 제목 "계측 표준의 제작을 용이하게 하기 위하여 기판 위에 층을 형성하는 방법"; 및 미국특허 제6,936,194호, 제목 "임프린트 리소그래피 공정을 위한 기능적 패턴화 재료" 등의 많은 공보에 설명되어 있으며, 이들은 모두 본 발명의 양수인에게 양도된 것이다.
전술한 미국특허출원 공보 및 미국특허에 각각 개시된 임프린트 리소그래피 기술은 중합성 층에 릴리프 패턴(relief pattern)을 형성하는 것과 이 릴리프 패턴에 상응하는 패턴을 아래쪽 기판에 전사하는 것을 포함한다. 모션 스테이지 위에 기판이 위치될 수 있으며, 이로써 바람직한 위치를 획득하여 패턴화를 용이하게 할 수 있다. 이를 위하여, 기판으로부터 이격되어 위치하는 템플릿이 사용되며, 템플릿과 기판 사이에는 형태화가 가능한 액체가 존재한다. 이 액체는 고화되어, 액체와 접촉하고 있는 템플릿의 표면 모양과 일치하는 패턴이 기록된 고화층을 형성한다. 다음에, 템플릿이 고화층으로부터 분리되어 템플릿과 기판이 서로 떨어진다. 다음에, 고화층에 있는 패턴에 상응하는 릴리프 이미지(relief image)를 기판으로 전사하기 위한 공정이 기판과 고화층에 행해진다.
레벨 0 및 레벨 1에 대한 패턴화 필드의 모양을 선택하는 것에 대한 개선이 필요하다.
이것은 본 출원의 독립항의 시스템에 의해서 달성된다. 본 발명은 임프린트 리소그래피에 모자이크 모양의 패턴을 제공하며, 이들 모양은 함께 모자이크를 이룰 때 해자(moat)에 의해서 생긴 개방 영역을 제거할 수 있다.
본 발명의 바람직한 구체예는 종속항에 기재된다.
이제, 본 발명의 구체예를 도면을 참조하여 설명한다.
도 1은 주형과 기판이 이격되어 위치하는 리소그래피 시스템의 단순화한 측 면도이다.
도 2는 레이어 0 필드 레이아웃을 예시한다.
도 3은 바둑판 모양 정렬을 예시한다.
도 4a-4b는 도 2의 필드 레이아웃(200)의 단면을 예시한다.
도 5는 상응하는 레이어 1 필드 레이아웃을 예시한다.
도 6은 도 5의 템플릿의 단면을 예시한다.
본 발명의 구체예는, 함께 모자이크를 이룰 때 해자에 의해서 생긴 개방 영역이 제거될 수 있도록 하는 레벨 0(임프린트 또는 포토리소그래피 또는 e-빔 등에 의해 패턴화) 및 레벨 1(임프린트에 의해 패턴화)을 위한 패턴화 필드의 모양을 선택하는 것에 관한 것이다.
도 1에 관해, 기판(12) 위에 릴리프 패턴을 형성하기 위한 시스템(8)은 스테이지(10)와 템플릿(14)을 포함하고, 스테이지(10) 위에서 기판(12)이 지지되며, 템플릿(14)은 패턴화 표면(18)을 가진다. 다른 구체예에서, 기판(12)은 기판 척(도시하지 않음)과 결합될 수 있으며, 제한되는 것은 아니나, 기판 척(도시하지 않음)은 진공 및 전자기를 포함하는 어떤 척이다.
템플릿(14) 및/또는 몰드(16)는 용융-실리카, 석영, 규소, 유기 폴리머, 실록산 폴리머, 붕규산 유리, 플루오로카본 폴리머, 금속, 및 고강도 사파이어를 포함하는 재료로부터 형성될 수 있지만, 이것들에 제한되는 것은 아니다. 나타낸 대로, 패턴화 표면(18)은 복수 개의 이격되어 위치하는 홈(17)과 돌출부(19)에 의해 한정되는 피쳐를 포함한다. 그러나, 다른 구체예에서, 패턴화 표면(18)은 실질적으로 매끄럽고 및/또는 평면일 수 있다. 패턴화 표면(18)은 기판(12) 위에 형성되는 패턴의 기초를 형성하는 원 패턴을 한정할 수 있다.
템플릿(14)과 몰드(16)의 움직임을 용이하게 하기 위하여 템플릿(14)은 임프린트 헤드(20)에 결합될 수 있다. 다른 구체예에서, 템플릿(14)은 템플릿 척(도시하지 않음)에 결합될 수 있으며, 제한되는 것은 아니나, 템플릿 척(도시하지 않음)은 진공 및 전자기를 포함하는 어떤 척이다. 중합성 단일계 재료(24)를 기판 위에 부착하기 위해서 기판(12)과 유체 연통하며 선택하여 위치될 수 있는 유체 디스펜스 시스템(22)이 결합된다. 중합성 단일계 재료(24)는 어떤 공지의 기술, 예를 들어 드롭 디스펜스, 스핀-코팅, 딥-코팅, 화학증착(CVD), 물리증착(PVD) 등을 이용하여 부착될 수 있음이 이해되어야 한다.
진로(30)를 따라서 에너지(28)를 내보낼 수 있는 에너지(28)의 공급원(26)이 결합된다. 임프린트 헤드(20)와 스테이지(10)는 몰드(16)와 기판(12)이 각각 진로 (30) 안에서 정합 배치되도록 정렬할 수 있게 배열된다. 임프린트 헤드(20), 스테이지(10) 또는 이들 양자가 몰드(16)와 기판(12) 사이의 거리를 변화시킴으로써 중합성 단일계 재료(24)로 충전되는 몰드와 기판 사이의 바람직한 부피를 한정한다.
도 1에 관해, 전형적으로 중합성 단일계 재료(24)는 몰드(16)와 기판(12) 사이에 바람직한 부피가 한정되기 전에 기판(12) 위에 부착된다. 그러나, 중합성 단일계 재료(24)는 바람직한 부피가 획득된 후 이 부피를 충전할 수도 있다. 바람직한 부피가 중합성 단일계 재료(24)로 충전된 후, 공급원(26)이 에너지, 예를 들어 중합성 단일계 재료(24)를 기판(12)의 표면(25) 및 패턴화 표면(18)의 모양에 일치하여 고화 및/또는 가교-결합시킬 수 있는 광폭 에너지를 내보내고, 기판(12) 위에 패턴화 층(50)이 한정된다.
광폭 에너지는 자외선 파장, 열 에너지, 전자기 에너지, 가시광 등을 포함하는 화학선 성분을 포함할 수 있지만, 이것들에 제한되는 것은 아니다. 당업자에게 공지된 화학선 성분이 사용되며, 전형적으로는 임프린팅 층(12)이 형성되는 재료에 의존한다. 이 공정의 제어는 스테이지(10), 임프린트 헤드(20), 유체 디스펜서 시스템(22), 공급원(26)과 데이터 통신하는 프로세서(32)에 의해서 조정되며, 이것은 메모리(34)에 저장된 컴퓨터 판독 프로그램에 의해 운영된다.
더 나아가, 상기 언급한 사항은 미국특허 제6,932,934호, 제목 "임프린트 리소그래피 공정 동안 불연속적 필름의 형성"; 미국특허출원 제10/194,991호로 제출된 미국특허출원 공보 2004/0124566, 제목 "단계 및 반복 임프린트 리소그래피 공정"; 및 미국특허출원 제10/396,615호로 제출된 미국특허출원 공보 2004/0188381, 제목 "포지티브 톤 바이-레이어 임프린트 리소그래피 방법"; 및 미국특허출원 제10/432,642호로 제출된 미국특허출원 공보 2004/0211754, 제목 "임프린트 리소그래피를 사용한 계단형 구조의 형성 방법"에서 언급하고 있는 임프린트 리소그래피 공정 및 시스템에서 사용될 수 있으며, 상기 특허출원들은 모두 참고자료로서 본원에 포함된다.
임프린트 리소그래피에서, 액체-내 정렬을 달성하기 위해, 어떤 임프린트 액체도 수용하지 않는 영역(본원에서는 해자라고 명명한다)이 템플릿 정렬 마크 밑에 확립될 수 있다. 이것은 임프린트 재료가 템플릿 재료와 인덱스 매치되려는 경향이 있어서, 액체가 템플릿의 하면을 코팅하고 있는 경우 상이 잘 만들어질 수 없기 때문이다. 해자가 사용될 경우, 인쇄된 웨이퍼에 바람직하지 않은 개방 영역이 남을 수 있으며, 결과적으로 필드 엣지에 에칭 및 CMP 로딩 문제가 생길 수 있다.
본 발명은, 함께 모자이크를 이룰 때 해자에 의해서 생긴 개방 영역이 제거될 수 있도록 하는 레벨 0(임프린트 또는 포토리소그래피 또는 e-빔 등에 의해 패턴화) 및 레벨 1(임프린트에 의해 패턴화)을 위한 패턴화 필드의 모양을 선택하는 것을 다룬다.
도 2 내지 도 6은 개방 영역을 피할 수 있는 레벨 0 및 레벨 1을 위한 필드 모양을 한정하며, 액체-내 정렬 동안 템플릿과 함께 해자형 영역을 사용한다. 이런 종류의 모양은, 템플릿과 이미 경화된 임프린트(이전 필드)가 직접 접촉되는 것을 피하기 위해 존재하는 < 10um 또는 심지어 < 1um일 수 있는 도 5에 도시된 필드 사이의 개방 영역은 아마도 제외하고, 필드의 접점에서 개방 영역을 제거한다. 이 갭이 마이크론보다 작다면, 이것은 유의한 에칭 또는 CMP 로딩을 야기하지 않을 것이다. 또한, 미국특허출원 제10/396,615호, 제목 "포지티브 톤 바이-레이어 임프린트 리소그래피 방법"에 설명된 S-FIL/R 평면화의 사용이 이런 종류의 작은 개방 영역들을 충분히 커버할 것이다.
도 2는 레이어 0 필드 레이아웃(200)을 도시하고, 도 3은 이러한 레이아웃의 모자이크식 정렬을 도시한다. 이러한 모자이크 패턴의 웨이퍼는 포토리소그래피, 임프린트 리소그래피 등을 이용하여 획득될 수 있다. 레벨 1 위의 정렬 마크(202)는 바둑판 모양 마크일 수 있으며, 이것은 미국특허출원 제11/000,331호, 제목 "나노-스케일 장치의 제조를 위한 간섭계 분석" 및 미국특허출원 제11/000,321호, 제목 "나노-스테일 장치의 제조를 위한 간섭계 분석 방법"에 설명된 경사형 iMAT 정렬 시스템을 이용한 확실한 정렬 계획에 필요한 것으로서, 상기 특허출원들은 모두 본원에 참고자료로서 포함된다. 정렬 마크(202)의 수는 1 내지 > 16의 범위일 수 있다. 이들 중 6개는 선형 보정가능 오류 X, Y, 세타, Magx, Magy 및 직교성 오류의 측정을 허용한다. 전체 프로세싱을 행하는 고객에 의해 시험 구조를 놓는데 테스트 패턴 영역(203)이 사용된다. 웨이퍼(201)를 칩으로 제작하기 위해 다이징할 때 이들 구조는 결국 유실된다. 그러나, 다이징 전에, 이들은 시험 영역으로부터 공정 및 장치 데이터에 대해 측정될 수 있고, 이 데이터를 사용하여 공정을 개선할 수 있다.
도 4a는 바둑판 모양 패턴(202)을 나타낸 웨이퍼의 도 2의 라인 X-X를 따른 단면 및 레벨 1 임프린팅에 사용되는 접착층(403)(이 예에서는 등각임)과 함께 활성 영역(201)의 전형적인 패턴을 예시한다. 도 4b는 도 4a와 동일한 단면을 예시하지만, 레벨 1의 임프린트 재료에 적합한 평면화 접착층(408)이 추가된다.
도 5에 관해, 레이아웃(200)에 상응하는 레이어 1 필드 레이아웃(500)이 도시된다. 개방 상자(503)(표시된 해자형 정렬 영역)는 격자를 함유할 수 있으며(도 6 참조), 이것은 미국특허출원 제11/000,331호, 제목 "나노-스케일 장치의 제조를 위한 간섭계 분석" 및 미국특허출원 제11/000,321호, 제목 "나노-스케일 장치의 제조를 위한 간섭계 분석 방법"에 제시된 것이다. 이들 해자형 마크는 또한 활성 영역(602)의 평면 위에 홈으로 형성될 수 있으며, 이들 마크는 레벨 0 레이아웃(200)에 나타낸 바둑판 모양 마크(202)와 중복될 것이지만, 해자형 정렬 마크(503)는 인쇄되지 않는다. 또한, 레이어 1 패턴 레이아웃(500)은 동일한 총 면적으로 해자형 정렬 영역과 동일한 수의 영역을 포함하며, 이로써 해자형 정렬 마크에 의해 생긴 비-인쇄 영역이 상쇄된다. 이들 영역 -"더미 격자" 영역(501)으로 나타냄- 은 격자(또는 다른 유사한 반복 패턴)를 가지며, 이 격자의 듀티 사이클을 에칭 및 CMP를 위한 적합한 로딩을 제공하도록 선택함으로써 전체 융기 및 홈 영역이 더미 패턴(501)을 둘러싼 영역과 명목상 유사하게 된다. 또한, 격자 피치는 격자들이 해자형 정렬 마크(503)와 바둑판 모양 마크(202)에 의해서 생기는 신호를 실질적으로 방해하지 않도록 선택된다. 레벨 1 웨이퍼가 인쇄됨에 따라, 레벨 0의 바둑판 모양 패턴과 해자형 정렬 마크 패턴 사이에 이미 인쇄된 더미 격자(501)가 있는 일부 영역들이 있게 될 것이다. 따라서, 더미 격자의 피치는 이들 위치에서 신호 품질의 손실을 최소화하도록 선택된다.
도 6은 단면 Y-Y를 따른 레이아웃(500)에 상응하는 템플릿(601)의 단면을 예시한다. 템플릿(601)은 활성 영역(602)에 주 레벨 1 패턴을 포함한다. 융기형 정렬 마크(503)로부터 활성 영역(602)을 분리하기 위해 선택적 해자(604) 영역이 포함될 수 있다. 또한, 바람직한 경우, 융기형 정렬 마크는 필요하지 않을 수도 있다. UV 가교-결합에 의해서 모노머 재료가 수직 방향으로 5%-10%까지 수축하므로, 어떤 상황에서, 이것은 정렬 마크를 융기시키지 않고도 충분한 소제 효과를 제공할 수 있다.
도 6에 도시된 대로, 템플릿(601)은 정렬 마크를 함유하는 활성 영역(602)에 위치된 해자 부분(604)을 포함할 수 있다. 또한, 해자 부분의 예가 미국특허출원 제10/917,761호로 제출된 미국특허출원 공보 2006/0032437, 제목 "임프린트 리소그래피 템플릿을 위한 해자 시스템"에 설명되며, 상기 특허출원은 본원에 참고자료로 포함된다. 해자(604)는 상기 언급한 공정의 수명에 불리한 영향을 미칠 수 있다. 해자(604)는 중합성 단일계 재료(24)를 포획할 수 있으며(도 1 참조), 따라서 잠재적으로 템플릿(14)에 오염 부위를 만들고, 연속 임프린트의 임프린트 품질을 저하시킬 수 있다. 예방될 수 없는 경우, 오염은 정렬 마크(503)를 메사에서 벗어나서 활성 영역(602)의 평면으로부터 홈을 만들어 위치시킴으로써 최소화될 수 있다.
상기 설명된 본 발명의 구체예들은 예시이다. 본 발명의 범위 내에서 상기 인용된 명세서에 대한 많은 변화 및 변형이 만들어질 수 있다. 따라서, 본 발명의 범위는 상기 설명에 의해 제한되지 않으며, 전체 등가물 범위와 함께 첨부된 청구범위를 참조하여 결정되어야 한다.

Claims (11)

  1. 기판 상에 패턴화되는 복수의 제 1 필드 레이아웃 및
    상기 복수의 제 1 필드 레이아웃 상에 템플릿에 의해 패턴화되는 복수의 제 2 필드 레이아웃은,
    상기 복수의 제 1 필드 레이아웃이 서로 모자이크식 정렬을 이루고 상기 복수의 제 2 필드 레이아웃이 서로 모자이크식 정렬을 이루어, 상기 복수의 제 1 필드 레이아웃 및 복수의 제 2 필드 레이아웃의 활성 임프린트 필드 사이의 경계에 개방 영역이 없도록 되는 모양을 가지고,
    상기 복수의 제 1 필드 레이아웃의 정렬 마크상에 패턴화되는 복수의 제 2 필드 레이아웃의 더미 패턴은, 제 1 필드 레이아웃에 대한 상기 템플릿의 정렬을 방해하지 않는 것을 특징으로 하는 임프린트 리소그래피 시스템.
  2. 기판 상에 패턴화되는 복수의 제 1 필드 레이아웃 및
    상기 복수의 제 1 필드 레이아웃 상에 템플릿에 의해 패턴화되는 복수의 제 2 필드 레이아웃은,
    상기 복수의 제 1 필드 레이아웃이 서로 모자이크식 정렬을 이루고 상기 복수의 제 2 필드 레이아웃이 서로 모자이크식 정렬을 이루어, 상기 복수의 제 1 필드 레이아웃 및 복수의 제 2 필드 레이아웃의 활성 임프린트 필드 사이의 경계에 개방 영역이 1 μm 보다 작게 되는 모양을 가지고,
    상기 복수의 제 1 필드 레이아웃의 정렬 마크상에 패턴화되는 복수의 제 2 필드 레이아웃의 더미 패턴은, 제 1 필드 레이아웃에 대한 상기 템플릿의 정렬을 방해하지 않는 것을 특징으로 하는 임프린트 리소그래피 시스템.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 활성 임프린트 필드는 상기 템플릿이 활성 피쳐를 임프린트하는 영역이고, 경계는 각각의 활성 임프린트 필드 위에 상기 템플릿을 정렬하기 위한 정렬 마크를 포함하는 것을 특징으로 하는 시스템.
  4. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 제 1 필드 레이아웃 및 상기 제 2 필드 레이아웃은 오목다각형의 형상을 가지는 것을 특징으로 하는 시스템.
  5. 제 3 항에 있어서, 상기 제 1 필드 레이아웃은 임프린트 리소그래피, 포토리소그래피, 및 e-빔 리소그래피의 군으로부터 선택되는 방법에 의해 패턴화되는 것을 특징으로 하는 시스템.
  6. 제 3 항에 있어서, 상기 제 2 필드 레이아웃은 임프린트 리소그래피에 의해 패턴화되는 것을 특징으로 하는 시스템.
  7. 제 3 항에 있어서, 정렬 마크는 바둑판 모양 디자인인 것을 특징으로 하는 시스템.
  8. 제 3 항에 있어서, 경계는 테스트 패턴 영역을 포함하는 것을 특징으로 하는 시스템.
  9. 제 3 항에 있어서, 경계는 더미 격자를 포함하는 것을 특징으로 하는 시스템.
  10. 제 3 항에 있어서, 경계는 정렬 마크가 홈으로 형성된 정렬 영역을 포함하는 것을 특징으로 하는 시스템.
  11. 제 10 항에 있어서, 정렬 영역이 해자형인 것을 특징으로 하는 시스템.
KR1020087016346A 2006-04-03 2007-04-03 임프린트 리소그래피 시스템 KR101357815B1 (ko)

Applications Claiming Priority (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US78880706P 2006-04-03 2006-04-03
US60/788,807 2006-04-03
US86248006P 2006-10-23 2006-10-23
US60/862,480 2006-10-23
PCT/US2007/008432 WO2007117523A2 (en) 2006-04-03 2007-04-03 Imprint lithography system

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20080114678A KR20080114678A (ko) 2008-12-31
KR101357815B1 true KR101357815B1 (ko) 2014-02-04

Family

ID=38581609

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020087016346A KR101357815B1 (ko) 2006-04-03 2007-04-03 임프린트 리소그래피 시스템

Country Status (6)

Country Link
US (1) US8850980B2 (ko)
EP (1) EP2001646A2 (ko)
JP (1) JP5184508B2 (ko)
KR (1) KR101357815B1 (ko)
TW (1) TW200744829A (ko)
WO (1) WO2007117523A2 (ko)

Families Citing this family (32)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7162035B1 (en) 2000-05-24 2007-01-09 Tracer Detection Technology Corp. Authentication method and system
JP4987012B2 (ja) 2005-12-08 2012-07-25 モレキュラー・インプリンツ・インコーポレーテッド 基板の両面パターニングする方法及びシステム
US7670530B2 (en) 2006-01-20 2010-03-02 Molecular Imprints, Inc. Patterning substrates employing multiple chucks
JP2010537395A (ja) * 2007-05-30 2010-12-02 モレキュラー・インプリンツ・インコーポレーテッド 窒化ケイ素、炭化ケイ素、または酸窒化ケイ素膜を有するテンプレート
US7906274B2 (en) * 2007-11-21 2011-03-15 Molecular Imprints, Inc. Method of creating a template employing a lift-off process
US20090148619A1 (en) * 2007-12-05 2009-06-11 Molecular Imprints, Inc. Controlling Thickness of Residual Layer
WO2009085286A1 (en) * 2007-12-28 2009-07-09 Molecular Imprints, Inc. Template pattern density doubling
US8361371B2 (en) * 2008-02-08 2013-01-29 Molecular Imprints, Inc. Extrusion reduction in imprint lithography
US7995196B1 (en) 2008-04-23 2011-08-09 Tracer Detection Technology Corp. Authentication method and system
US20100095862A1 (en) * 2008-10-22 2010-04-22 Molecular Imprints, Inc. Double Sidewall Angle Nano-Imprint Template
JP5404140B2 (ja) * 2009-04-01 2014-01-29 株式会社東芝 テンプレート及び半導体装置の製造方法
JP4881413B2 (ja) * 2009-09-16 2012-02-22 株式会社東芝 識別マーク付きテンプレート及びその製造方法
JP5932327B2 (ja) * 2011-01-26 2016-06-08 キヤノン株式会社 インプリント装置、検出方法、物品の製造方法及び異物検出装置
JP5759195B2 (ja) * 2011-02-07 2015-08-05 キヤノン株式会社 型、インプリント方法及び物品製造方法
JP5150926B2 (ja) * 2011-07-12 2013-02-27 大日本印刷株式会社 インプリントモールドの製造方法
JP2013222791A (ja) * 2012-04-16 2013-10-28 Fujifilm Corp ナノインプリント方法およびナノインプリント用基板並びにそれらを用いたパターン化基板の製造方法
JP5851442B2 (ja) * 2013-03-25 2016-02-03 株式会社東芝 モールド及びその製造方法
JP6060796B2 (ja) * 2013-04-22 2017-01-18 大日本印刷株式会社 インプリントモールド及びダミーパターン設計方法
JP5989610B2 (ja) 2013-08-05 2016-09-07 株式会社東芝 マスクセット設計方法およびマスクセット設計プログラム
JP6571656B2 (ja) * 2013-12-10 2019-09-04 キャノン・ナノテクノロジーズ・インコーポレーテッド ゼロ・ギャップ・インプリンティングのためのインプリント・リソグラフィ・テンプレート及び方法
JP2015146412A (ja) * 2014-02-04 2015-08-13 株式会社東芝 インプリント用テンプレート及びその製造方法
JP6398284B2 (ja) * 2014-04-21 2018-10-03 大日本印刷株式会社 インプリントモールド、インプリントモールド用ブランクス、並びにインプリントモールド用基板の製造方法及びインプリントモールドの製造方法
JP6361317B2 (ja) * 2014-06-25 2018-07-25 大日本印刷株式会社 位置精度推定方法及び位置精度保証方法
JP2016225433A (ja) * 2015-05-29 2016-12-28 キヤノン株式会社 モールド、インプリント方法、インプリント装置および物品の製造方法
JP2018526812A (ja) * 2015-06-15 2018-09-13 ザイゴ コーポレーションＺｙｇｏ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ 変形体の変位測定
US10058890B1 (en) 2015-11-20 2018-08-28 Seagate Technology Llc Methods of forming an air bearing surface on a slider and related sliders
JP6655988B2 (ja) 2015-12-25 2020-03-04 キヤノン株式会社 インプリント装置の調整方法、インプリント方法および物品製造方法
CN105974731B (zh) * 2016-07-25 2020-01-03 京东方科技集团股份有限公司 一种压印板、检测方法及检测装置
US11194247B2 (en) * 2018-01-31 2021-12-07 Canon Kabushiki Kaisha Extrusion control by capillary force reduction
US10553501B2 (en) * 2018-03-28 2020-02-04 Canon Kabushiki Kaisha Apparatus for use in forming an adaptive layer and a method of using the same
JP6593504B2 (ja) * 2018-09-05 2019-10-23 大日本印刷株式会社 インプリントモールド、インプリントモールド用ブランクス、並びにインプリントモールド用基板の製造方法及びインプリントモールドの製造方法
JP2022142518A (ja) * 2021-03-16 2022-09-30 キオクシア株式会社 テンプレート、マーク、及びテンプレートの製造方法

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR950004486A (ko) * 1993-07-15 1995-02-18 김주용 웨이퍼의 필드 영역 분할 방법
KR980005307A (ko) * 1996-06-21 1998-03-30 김주용 반도체 소자의 패턴 정렬방법
US20040248384A1 (en) * 2003-06-06 2004-12-09 Kuo Chin Chen Image sensor fabrication method and structure
WO2006017793A2 (en) * 2004-08-13 2006-02-16 Molecular Imprints, Inc. Moat system for an imprint lithography template

Family Cites Families (246)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4022855A (en) 1975-03-17 1977-05-10 Eastman Kodak Company Method for making a plastic optical element having a gradient index of refraction
FR2325018A1 (fr) 1975-06-23 1977-04-15 Ibm Dispositif de mesure d'intervalle pour definir la distance entre deux faces ou plus
US4208240A (en) 1979-01-26 1980-06-17 Gould Inc. Method and apparatus for controlling plasma etching
DE3022709A1 (de) 1980-06-18 1982-01-07 Felix Schoeller jr. GmbH & Co KG, 4500 Osnabrück Wasserfestes fotografisches papier und verfahren zu seiner herstellung
US4576900A (en) 1981-10-09 1986-03-18 Amdahl Corporation Integrated circuit multilevel interconnect system and method
JPS5884808A (ja) 1981-11-13 1983-05-21 Nippon Synthetic Chem Ind Co Ltd:The 樹脂状物質の製造法
US4440804A (en) 1982-08-02 1984-04-03 Fairchild Camera & Instrument Corporation Lift-off process for fabricating self-aligned contacts
US4490409A (en) 1982-09-07 1984-12-25 Energy Sciences, Inc. Process and apparatus for decorating the surfaces of electron irradiation cured coatings on radiation-sensitive substrates
US4637904A (en) 1983-11-14 1987-01-20 Rohm And Haas Company Process for molding a polymeric layer onto a substrate
US4512848A (en) 1984-02-06 1985-04-23 Exxon Research And Engineering Co. Procedure for fabrication of microstructures over large areas using physical replication
JPS6129103A (ja) 1984-07-19 1986-02-10 Nippon Steel Corp 非晶質合金薄帯の磁性改善方法
US4908298A (en) 1985-03-19 1990-03-13 International Business Machines Corporation Method of creating patterned multilayer films for use in production of semiconductor circuits and systems
WO1987002935A1 (en) 1985-11-18 1987-05-21 Eastman Kodak Company Process for making optical recording media
EP0228671A1 (en) 1985-12-23 1987-07-15 General Electric Company Method for the production of a coated substrate with controlled surface characteristics
DE3767317D1 (de) 1986-02-13 1991-02-21 Philips Nv Matrize fuer einen abdruck-process.
US4676868A (en) 1986-04-23 1987-06-30 Fairchild Semiconductor Corporation Method for planarizing semiconductor substrates
US4737425A (en) 1986-06-10 1988-04-12 International Business Machines Corporation Patterned resist and process
KR900004269B1 (ko) 1986-06-11 1990-06-18 가부시기가이샤 도시바 제 1물체와 제 2 물체와의 위치 맞추는 방법 및 장치
JPS6376330A (ja) 1986-09-18 1988-04-06 Oki Electric Ind Co Ltd 半導体装置の製造方法
FR2604553A1 (fr) 1986-09-29 1988-04-01 Rhone Poulenc Chimie Substrat polymere rigide pour disque optique et les disques optiques obtenus a partir dudit substrat
US4707218A (en) 1986-10-28 1987-11-17 International Business Machines Corporation Lithographic image size reduction
JP2823016B2 (ja) 1986-12-25 1998-11-11 ソニー株式会社 透過型スクリーンの製造方法
US6391798B1 (en) 1987-02-27 2002-05-21 Agere Systems Guardian Corp. Process for planarization a semiconductor substrate
US6048799A (en) 1987-02-27 2000-04-11 Lucent Technologies Inc. Device fabrication involving surface planarization
US5736424A (en) 1987-02-27 1998-04-07 Lucent Technologies Inc. Device fabrication involving planarization
US4731155A (en) 1987-04-15 1988-03-15 General Electric Company Process for forming a lithographic mask
US5028361A (en) 1987-11-09 1991-07-02 Takeo Fujimoto Method for molding a photosensitive composition
US5028366A (en) 1988-01-12 1991-07-02 Air Products And Chemicals, Inc. Water based mold release compositions for making molded polyurethane foam
JPH01196749A (ja) 1988-01-30 1989-08-08 Hoya Corp 光情報記録媒体用基板の製造方法
US4862019A (en) 1988-04-20 1989-08-29 Texas Instruments Incorporated Single-level poly programmable bit circuit
US4866307A (en) 1988-04-20 1989-09-12 Texas Instruments Incorporated Integrated programmable bit circuit using single-level poly construction
JPH0269936A (ja) 1988-07-28 1990-03-08 Siemens Ag 半導体材料上の樹脂構造の形成方法
US4921778A (en) 1988-07-29 1990-05-01 Shipley Company Inc. Photoresist pattern fabrication employing chemically amplified metalized material
JP2546350B2 (ja) 1988-09-09 1996-10-23 キヤノン株式会社 位置合わせ装置
US4964945A (en) 1988-12-09 1990-10-23 Minnesota Mining And Manufacturing Company Lift off patterning process on a flexible substrate
JPH0292603U (ko) 1989-01-09 1990-07-23
JPH02192045A (ja) 1989-01-20 1990-07-27 Fujitsu Ltd 光ディスク基板の製造方法
US5110514A (en) 1989-05-01 1992-05-05 Soane Technologies, Inc. Controlled casting of a shrinkable material
US5053318A (en) 1989-05-18 1991-10-01 Shipley Company Inc. Plasma processing with metal mask integration
CA2011927C (en) 1989-06-02 1996-12-24 Alan Lee Sidman Microlithographic method for producing thick, vertically-walled photoresist patterns
US4919748A (en) 1989-06-30 1990-04-24 At&T Bell Laboratories Method for tapered etching
DE4031637C2 (de) 1989-10-06 1997-04-10 Toshiba Kawasaki Kk Anordnung zum Messen einer Verschiebung zwischen zwei Objekten
US5362606A (en) 1989-10-18 1994-11-08 Massachusetts Institute Of Technology Positive resist pattern formation through focused ion beam exposure and surface barrier silylation
US5073230A (en) 1990-04-17 1991-12-17 Arizona Board Of Regents Acting On Behalf Of Arizona State University Means and methods of lifting and relocating an epitaxial device layer
US5003062A (en) 1990-04-19 1991-03-26 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co. Semiconductor planarization process for submicron devices
US5328810A (en) 1990-05-07 1994-07-12 Micron Technology, Inc. Method for reducing, by a factor or 2-N, the minimum masking pitch of a photolithographic process
DE4029912A1 (de) 1990-09-21 1992-03-26 Philips Patentverwaltung Verfahren zur bildung mindestens eines grabens in einer substratschicht
US5126006A (en) 1990-10-30 1992-06-30 International Business Machines Corp. Plural level chip masking
US5288436A (en) 1990-11-06 1994-02-22 Colloptics, Inc. Methods of fabricating a collagen lenticule precursor for modifying the cornea
US5362940A (en) 1990-11-09 1994-11-08 Litel Instruments Use of Fresnel zone plates for material processing
US5240878A (en) 1991-04-26 1993-08-31 International Business Machines Corporation Method for forming patterned films on a substrate
US5212147A (en) 1991-05-15 1993-05-18 Hewlett-Packard Company Method of forming a patterned in-situ high Tc superconductive film
EP0524759A1 (en) 1991-07-23 1993-01-27 AT&T Corp. Device fabrication process
JPH0580530A (ja) 1991-09-24 1993-04-02 Hitachi Ltd 薄膜パターン製造方法
US5263073A (en) 1991-12-20 1993-11-16 Board Of Supervisors Of Louisiana State University And Agricultural And Mechanical College Scanning systems for high resolution E-beam and X-ray lithography
US5244818A (en) 1992-04-08 1993-09-14 Georgia Tech Research Corporation Processes for lift-off of thin film materials and for the fabrication of three dimensional integrated circuits
US5545367A (en) 1992-04-15 1996-08-13 Soane Technologies, Inc. Rapid prototype three dimensional stereolithography
US5246880A (en) 1992-04-27 1993-09-21 Eastman Kodak Company Method for creating substrate electrodes for flip chip and other applications
JP3157605B2 (ja) 1992-04-28 2001-04-16 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
US5407763A (en) * 1992-05-28 1995-04-18 Ceridian Corporation Mask alignment mark system
US5371822A (en) 1992-06-09 1994-12-06 Digital Equipment Corporation Method of packaging and assembling opto-electronic integrated circuits
US5232874A (en) 1992-06-22 1993-08-03 Micron Technology, Inc. Method for producing a semiconductor wafer having shallow and deep buried contacts
US5376810A (en) 1992-06-26 1994-12-27 California Institute Of Technology Growth of delta-doped layers on silicon CCD/S for enhanced ultraviolet response
US5601641A (en) 1992-07-21 1997-02-11 Tse Industries, Inc. Mold release composition with polybutadiene and method of coating a mold core
US5250472A (en) 1992-09-03 1993-10-05 Industrial Technology Research Institute Spin-on-glass integration planarization having siloxane partial etchback and silicate processes
US5431777A (en) 1992-09-17 1995-07-11 International Business Machines Corporation Methods and compositions for the selective etching of silicon
TW227628B (ko) 1992-12-10 1994-08-01 Samsung Electronics Co Ltd
DE69405451T2 (de) 1993-03-16 1998-03-12 Koninkl Philips Electronics Nv Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung eines strukturierten Reliefbildes aus vernetztem Photoresist auf einer flachen Substratoberfläche
US5324683A (en) 1993-06-02 1994-06-28 Motorola, Inc. Method of forming a semiconductor structure having an air region
JP2837063B2 (ja) 1993-06-04 1998-12-14 シャープ株式会社 レジストパターンの形成方法
US5512131A (en) 1993-10-04 1996-04-30 President And Fellows Of Harvard College Formation of microstamped patterns on surfaces and derivative articles
US5776748A (en) 1993-10-04 1998-07-07 President And Fellows Of Harvard College Method of formation of microstamped patterns on plates for adhesion of cells and other biological materials, devices and uses therefor
US6776094B1 (en) 1993-10-04 2004-08-17 President & Fellows Of Harvard College Kit For Microcontact Printing
US5900160A (en) 1993-10-04 1999-05-04 President And Fellows Of Harvard College Methods of etching articles via microcontact printing
US6180239B1 (en) 1993-10-04 2001-01-30 President And Fellows Of Harvard College Microcontact printing on surfaces and derivative articles
NL9401260A (nl) 1993-11-12 1995-06-01 Cornelis Johannes Maria Van Ri Membraan voor microfiltratie, ultrafiltratie, gasscheiding en katalyse, werkwijze ter vervaardiging van een dergelijk membraan, mal ter vervaardiging van een dergelijk membraan, alsmede diverse scheidingssystemen omvattende een dergelijk membraan.
US5434107A (en) 1994-01-28 1995-07-18 Texas Instruments Incorporated Method for planarization
US5453157A (en) 1994-05-16 1995-09-26 Texas Instruments Incorporated Low temperature anisotropic ashing of resist for semiconductor fabrication
JPH07335529A (ja) * 1994-06-09 1995-12-22 Nikon Corp 投影露光装置
US5686356A (en) 1994-09-30 1997-11-11 Texas Instruments Incorporated Conductor reticulation for improved device planarity
DE69509046T2 (de) 1994-11-30 1999-10-21 Applied Materials Inc Plasmareaktoren zur Behandlung von Halbleiterscheiben
US5458520A (en) 1994-12-13 1995-10-17 International Business Machines Corporation Method for producing planar field emission structure
US5628917A (en) 1995-02-03 1997-05-13 Cornell Research Foundation, Inc. Masking process for fabricating ultra-high aspect ratio, wafer-free micro-opto-electromechanical structures
US5849209A (en) 1995-03-31 1998-12-15 Johnson & Johnson Vision Products, Inc. Mold material made with additives
US6342389B1 (en) 1995-04-10 2002-01-29 Roger S. Cubicciotti Modified phycobilisomes and uses therefore
GB9509487D0 (en) 1995-05-10 1995-07-05 Ici Plc Micro relief element & preparation thereof
US5820769A (en) 1995-05-24 1998-10-13 Regents Of The University Of Minnesota Method for making magnetic storage having discrete elements with quantized magnetic moments
US5948570A (en) 1995-05-26 1999-09-07 Lucent Technologies Inc. Process for dry lithographic etching
US5808742A (en) * 1995-05-31 1998-09-15 Massachusetts Institute Of Technology Optical alignment apparatus having multiple parallel alignment marks
US5654238A (en) 1995-08-03 1997-08-05 International Business Machines Corporation Method for etching vertical contact holes without substrate damage caused by directional etching
US5849222A (en) 1995-09-29 1998-12-15 Johnson & Johnson Vision Products, Inc. Method for reducing lens hole defects in production of contact lens blanks
US6309580B1 (en) 1995-11-15 2001-10-30 Regents Of The University Of Minnesota Release surfaces, particularly for use in nanoimprint lithography
US20040137734A1 (en) 1995-11-15 2004-07-15 Princeton University Compositions and processes for nanoimprinting
US6518189B1 (en) 1995-11-15 2003-02-11 Regents Of The University Of Minnesota Method and apparatus for high density nanostructures
US20040036201A1 (en) 2000-07-18 2004-02-26 Princeton University Methods and apparatus of field-induced pressure imprint lithography
US20030080471A1 (en) 2001-10-29 2003-05-01 Chou Stephen Y. Lithographic method for molding pattern with nanoscale features
US7758794B2 (en) 2001-10-29 2010-07-20 Princeton University Method of making an article comprising nanoscale patterns with reduced edge roughness
US5772905A (en) 1995-11-15 1998-06-30 Regents Of The University Of Minnesota Nanoimprint lithography
US6482742B1 (en) 2000-07-18 2002-11-19 Stephen Y. Chou Fluid pressure imprint lithography
US5669303A (en) 1996-03-04 1997-09-23 Motorola Apparatus and method for stamping a surface
US6355198B1 (en) 1996-03-15 2002-03-12 President And Fellows Of Harvard College Method of forming articles including waveguides via capillary micromolding and microtransfer molding
US20030179354A1 (en) 1996-03-22 2003-09-25 Nikon Corporation Mask-holding apparatus for a light exposure apparatus and related scanning-exposure method
JPH09283621A (ja) 1996-04-10 1997-10-31 Murata Mfg Co Ltd 半導体装置のｔ型ゲート電極形成方法およびその構造
US5942443A (en) 1996-06-28 1999-08-24 Caliper Technologies Corporation High throughput screening assay systems in microscale fluidic devices
US5888650A (en) 1996-06-03 1999-03-30 Minnesota Mining And Manufacturing Company Temperature-responsive adhesive article
US5779799A (en) 1996-06-21 1998-07-14 Micron Technology, Inc. Substrate coating apparatus
US6074827A (en) 1996-07-30 2000-06-13 Aclara Biosciences, Inc. Microfluidic method for nucleic acid purification and processing
CA2264908C (en) 1996-09-06 2006-04-25 Obducat Ab Method for anisotropic etching of structures in conducting materials
US6228539B1 (en) * 1996-09-18 2001-05-08 Numerical Technologies, Inc. Phase shifting circuit manufacture method and apparatus
US5858580A (en) 1997-09-17 1999-01-12 Numerical Technologies, Inc. Phase shifting circuit manufacture method and apparatus
JPH10123534A (ja) 1996-10-23 1998-05-15 Toshiba Corp 液晶表示素子
US5895263A (en) 1996-12-19 1999-04-20 International Business Machines Corporation Process for manufacture of integrated circuit device
US5983906A (en) 1997-01-24 1999-11-16 Applied Materials, Inc. Methods and apparatus for a cleaning process in a high temperature, corrosive, plasma environment
US5817579A (en) 1997-04-09 1998-10-06 Vanguard International Semiconductor Corporation Two step plasma etch method for forming self aligned contact
US5948470A (en) 1997-04-28 1999-09-07 Harrison; Christopher Method of nanoscale patterning and products made thereby
US5812629A (en) 1997-04-30 1998-09-22 Clauser; John F. Ultrahigh resolution interferometric x-ray imaging
US5926690A (en) 1997-05-28 1999-07-20 Advanced Micro Devices, Inc. Run-to-run control process for controlling critical dimensions
AU3818997A (en) 1997-07-25 1999-02-16 Regents Of The University Of Minnesota Single-electron floating-gate mos memory
US5974150A (en) 1997-09-30 1999-10-26 Tracer Detection Technology Corp. System and method for authentication of goods
AU2864499A (en) 1998-03-05 1999-09-20 Etchtech Sweden Ab Method of etching
US6150680A (en) 1998-03-05 2000-11-21 Welch Allyn, Inc. Field effect semiconductor device having dipole barrier
SE511682C2 (sv) 1998-03-05 1999-11-08 Etchtech Sweden Ab Motstånd i elektriska ledare på eller i mönsterkort, substrat och halvledarbrickor
US6274393B1 (en) * 1998-04-20 2001-08-14 International Business Machines Corporation Method for measuring submicron images
JP3780700B2 (ja) 1998-05-26 2006-05-31 セイコーエプソン株式会社 パターン形成方法、パターン形成装置、パターン形成用版、パターン形成用版の製造方法、カラーフィルタの製造方法、導電膜の製造方法及び液晶パネルの製造方法
US6150231A (en) * 1998-06-15 2000-11-21 Siemens Aktiengesellschaft Overlay measurement technique using moire patterns
FI109944B (fi) 1998-08-11 2002-10-31 Valtion Teknillinen Optoelektroninen komponentti ja valmistusmenetelmä
US5907782A (en) 1998-08-15 1999-05-25 Acer Semiconductor Manufacturing Inc. Method of forming a multiple fin-pillar capacitor for a high density dram cell
AU1444800A (en) 1998-10-09 2000-05-01 Trustees Of Princeton University, The Microscale patterning and articles formed thereby
US6713238B1 (en) 1998-10-09 2004-03-30 Stephen Y. Chou Microscale patterning and articles formed thereby
US6218316B1 (en) 1998-10-22 2001-04-17 Micron Technology, Inc. Planarization of non-planar surfaces in device fabrication
US6665014B1 (en) 1998-11-25 2003-12-16 Intel Corporation Microlens and photodetector
US6247986B1 (en) 1998-12-23 2001-06-19 3M Innovative Properties Company Method for precise molding and alignment of structures on a substrate using a stretchable mold
US6521536B1 (en) 1999-01-11 2003-02-18 Micron Technology, Inc. Planarization process
DE19903196A1 (de) * 1999-01-27 2000-08-10 Siemens Ag Verfahren zur Verbesserung der Erkennbarkeit von Alignmentmarken
US6274294B1 (en) 1999-02-03 2001-08-14 Electroformed Stents, Inc. Cylindrical photolithography exposure process and apparatus
US6741338B2 (en) 1999-02-10 2004-05-25 Litel Instruments In-situ source metrology instrument and method of use
US6565928B2 (en) 1999-03-08 2003-05-20 Tokyo Electron Limited Film forming method and film forming apparatus
US6334960B1 (en) 1999-03-11 2002-01-01 Board Of Regents, The University Of Texas System Step and flash imprint lithography
TW419720B (en) * 1999-03-26 2001-01-21 Mosel Vitelic Inc The method of monitoring the overlay accuracy of the stepper and the device using the same
JP3946899B2 (ja) * 1999-03-26 2007-07-18 株式会社東芝 エネルギービーム装置における光学系の調整方法
US6387783B1 (en) 1999-04-26 2002-05-14 International Business Machines Corporation Methods of T-gate fabrication using a hybrid resist
US6255022B1 (en) 1999-06-17 2001-07-03 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Dry development process for a bi-layer resist system utilized to reduce microloading
JP2001143982A (ja) 1999-06-29 2001-05-25 Applied Materials Inc 半導体デバイス製造のための統合臨界寸法制御
US6242363B1 (en) 1999-08-11 2001-06-05 Adc Telecommunications, Inc. Method of etching a wafer layer using a sacrificial wall to form vertical sidewall
US6207570B1 (en) * 1999-08-20 2001-03-27 Lucent Technologies, Inc. Method of manufacturing integrated circuit devices
US6383928B1 (en) 1999-09-02 2002-05-07 Texas Instruments Incorporated Post copper CMP clean
US6517995B1 (en) 1999-09-14 2003-02-11 Massachusetts Institute Of Technology Fabrication of finely featured devices by liquid embossing
US6329256B1 (en) 1999-09-24 2001-12-11 Advanced Micro Devices, Inc. Self-aligned damascene gate formation with low gate resistance
US6873087B1 (en) 1999-10-29 2005-03-29 Board Of Regents, The University Of Texas System High precision orientation alignment and gap control stages for imprint lithography processes
CA2395760A1 (en) 1999-12-23 2001-06-28 University Of Massachusetts Methods and apparatus for forming submicron patterns on films
US6498640B1 (en) 1999-12-30 2002-12-24 Koninklijke Philips Electronics N.V. Method to measure alignment using latent image grating structures
US6376379B1 (en) 2000-02-01 2002-04-23 Chartered Semiconductor Manufacturing Ltd. Method of hard mask patterning
SE515785C2 (sv) 2000-02-23 2001-10-08 Obducat Ab Anordning för homogen värmning av ett objekt och användning av anordningen
SE515962C2 (sv) 2000-03-15 2001-11-05 Obducat Ab Anordning för överföring av mönster till objekt
SE0001369L (sv) 2000-04-13 2001-10-14 Obducat Ab Förfarande vid samt apparat för bearbetning av substrat
SE516194C2 (sv) 2000-04-18 2001-12-03 Obducat Ab Substrat för samt process vid tillverkning av strukturer
US7859519B2 (en) 2000-05-01 2010-12-28 Tulbert David J Human-machine interface
JP2001332556A (ja) * 2000-05-25 2001-11-30 Hitachi Ltd 半導体装置の製造方法
US6593240B1 (en) 2000-06-28 2003-07-15 Infineon Technologies, North America Corp Two step chemical mechanical polishing process
EP2264522A3 (en) 2000-07-16 2011-12-14 The Board of Regents of The University of Texas System Method of forming a pattern on a substrate
US7635262B2 (en) 2000-07-18 2009-12-22 Princeton University Lithographic apparatus for fluid pressure imprint lithography
US20050037143A1 (en) 2000-07-18 2005-02-17 Chou Stephen Y. Imprint lithography with improved monitoring and control and apparatus therefor
US7211214B2 (en) 2000-07-18 2007-05-01 Princeton University Laser assisted direct imprint lithography
KR20030040378A (ko) * 2000-08-01 2003-05-22 보드 오브 리전츠, 더 유니버시티 오브 텍사스 시스템 임프린트 리소그래피를 위한 투명한 템플릿과 기판사이의고정확성 갭 및 방향설정 감지 방법
US6326627B1 (en) 2000-08-02 2001-12-04 Archimedes Technology Group, Inc. Mass filtering sputtered ion source
KR100350811B1 (ko) 2000-08-19 2002-09-05 삼성전자 주식회사 반도체 장치의 금속 비아 콘택 및 그 형성방법
AU2001286573A1 (en) 2000-08-21 2002-03-04 Board Of Regents, The University Of Texas System Flexure based macro motion translation stage
WO2002022916A1 (en) 2000-09-18 2002-03-21 Obducat Aktiebolag Method of etching, as well as frame element, mask and prefabricated substrate element for use in such etching
CN1243849C (zh) 2000-09-20 2006-03-01 奥博杜卡特股份公司 湿法刻蚀方法
US6629292B1 (en) 2000-10-06 2003-09-30 International Business Machines Corporation Method for forming graphical images in semiconductor devices
WO2002067055A2 (en) 2000-10-12 2002-08-29 Board Of Regents, The University Of Texas System Template for room temperature, low pressure micro- and nano-imprint lithography
US6284653B1 (en) * 2000-10-30 2001-09-04 Vanguard International Semiconductor Corp. Method of selectively forming a barrier layer from a directionally deposited metal layer
FR2817042B1 (fr) * 2000-11-22 2003-06-20 Saint Gobain Procede et dispositif d'analyse de la surface d'un substrat
TW525221B (en) 2000-12-04 2003-03-21 Ebara Corp Substrate processing method
JP2002184952A (ja) * 2000-12-15 2002-06-28 Shindengen Electric Mfg Co Ltd 半導体装置、半導体装置の製造方法
US6632742B2 (en) 2001-04-18 2003-10-14 Promos Technologies Inc. Method for avoiding defects produced in the CMP process
US6841483B2 (en) 2001-02-12 2005-01-11 Lam Research Corporation Unique process chemistry for etching organic low-k materials
US6620733B2 (en) 2001-02-12 2003-09-16 Lam Research Corporation Use of hydrocarbon addition for the elimination of micromasking during etching of organic low-k dielectrics
US6387787B1 (en) 2001-03-02 2002-05-14 Motorola, Inc. Lithographic template and method of formation and use
US6955767B2 (en) 2001-03-22 2005-10-18 Hewlett-Packard Development Company, Lp. Scanning probe based lithographic alignment
US6517977B2 (en) 2001-03-28 2003-02-11 Motorola, Inc. Lithographic template and method of formation and use
US6534418B1 (en) 2001-04-30 2003-03-18 Advanced Micro Devices, Inc. Use of silicon containing imaging layer to define sub-resolution gate structures
US6541360B1 (en) 2001-04-30 2003-04-01 Advanced Micro Devices, Inc. Bi-layer trim etch process to form integrated circuit gate structures
US6964793B2 (en) 2002-05-16 2005-11-15 Board Of Regents, The University Of Texas System Method for fabricating nanoscale patterns in light curable compositions using an electric field
JP2002348680A (ja) 2001-05-22 2002-12-04 Sharp Corp 金属膜パターンおよびその製造方法
US6847433B2 (en) 2001-06-01 2005-01-25 Agere Systems, Inc. Holder, system, and process for improving overlay in lithography
TW488080B (en) 2001-06-08 2002-05-21 Au Optronics Corp Method for producing thin film transistor
US7049049B2 (en) 2001-06-27 2006-05-23 University Of South Florida Maskless photolithography for using photoreactive agents
EP1417474B1 (en) 2001-07-25 2021-12-29 The Trustees Of Princeton University Nanochannel arrays and their preparation and use for high throughput macromolecular analysis
US6678038B2 (en) 2001-08-03 2004-01-13 Nikon Corporation Apparatus and methods for detecting tool-induced shift in microlithography apparatus
WO2003035932A1 (en) 2001-09-25 2003-05-01 Minuta Technology Co., Ltd. Method for forming a micro-pattern on a substrate by using capillary force
US6716767B2 (en) 2001-10-31 2004-04-06 Brewer Science, Inc. Contact planarization materials that generate no volatile byproducts or residue during curing
US6621960B2 (en) 2002-01-24 2003-09-16 Oplink Communications, Inc. Method of fabricating multiple superimposed fiber Bragg gratings
TW529097B (en) * 2002-01-28 2003-04-21 Amic Technology Taiwan Inc Scribe lines for increasing wafer utilizable area
US6716754B2 (en) 2002-03-12 2004-04-06 Micron Technology, Inc. Methods of forming patterns and molds for semiconductor constructions
US7117583B2 (en) 2002-03-18 2006-10-10 International Business Machines Corporation Method and apparatus using a pre-patterned seed layer for providing an aligned coil for an inductive head structure
US6783717B2 (en) 2002-04-22 2004-08-31 International Business Machines Corporation Process of fabricating a precision microcontact printing stamp
US6710414B2 (en) * 2002-05-10 2004-03-23 General Semiconductor, Inc. Surface geometry for a MOS-gated device that allows the manufacture of dice having different sizes
US6849558B2 (en) 2002-05-22 2005-02-01 The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University Replication and transfer of microstructures and nanostructures
US20030224116A1 (en) 2002-05-30 2003-12-04 Erli Chen Non-conformal overcoat for nonometer-sized surface structure
US7077992B2 (en) 2002-07-11 2006-07-18 Molecular Imprints, Inc. Step and repeat imprint lithography processes
MY164487A (en) 2002-07-11 2017-12-29 Molecular Imprints Inc Step and repeat imprint lithography processes
US6900881B2 (en) 2002-07-11 2005-05-31 Molecular Imprints, Inc. Step and repeat imprint lithography systems
US6908861B2 (en) 2002-07-11 2005-06-21 Molecular Imprints, Inc. Method for imprint lithography using an electric field
US6932934B2 (en) 2002-07-11 2005-08-23 Molecular Imprints, Inc. Formation of discontinuous films during an imprint lithography process
US6713853B1 (en) * 2002-07-23 2004-03-30 Applied Micro Circuits Corporation Electronic package with offset reference plane cutout
US7070405B2 (en) 2002-08-01 2006-07-04 Molecular Imprints, Inc. Alignment systems for imprint lithography
US6916584B2 (en) 2002-08-01 2005-07-12 Molecular Imprints, Inc. Alignment methods for imprint lithography
AU2003261317A1 (en) * 2002-08-01 2004-02-23 Molecular Imprints, Inc. Scatterometry alignment for imprint lithography
US7071088B2 (en) 2002-08-23 2006-07-04 Molecular Imprints, Inc. Method for fabricating bulbous-shaped vias
US6936194B2 (en) * 2002-09-05 2005-08-30 Molecular Imprints, Inc. Functional patterning material for imprint lithography processes
US6833325B2 (en) 2002-10-11 2004-12-21 Lam Research Corporation Method for plasma etching performance enhancement
US6980282B2 (en) * 2002-12-11 2005-12-27 Molecular Imprints, Inc. Method for modulating shapes of substrates
US7750059B2 (en) 2002-12-04 2010-07-06 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Polymer solution for nanoimprint lithography to reduce imprint temperature and pressure
AU2003300865A1 (en) 2002-12-13 2004-07-09 Molecular Imprints, Inc. Magnification corrections employing out-of-plane distortions on a substrate
US7113336B2 (en) 2002-12-30 2006-09-26 Ian Crosby Microlens including wire-grid polarizer and methods of manufacture
WO2004086471A1 (en) 2003-03-27 2004-10-07 Korea Institute Of Machinery & Materials Uv nanoimprint lithography process using elementwise embossed stamp and selectively additive pressurization
US7087452B2 (en) * 2003-04-22 2006-08-08 Intel Corporation Edge arrangements for integrated circuit chips
US6805054B1 (en) 2003-05-14 2004-10-19 Molecular Imprints, Inc. Method, system and holder for transferring templates during imprint lithography processes
US6951173B1 (en) 2003-05-14 2005-10-04 Molecular Imprints, Inc. Assembly and method for transferring imprint lithography templates
US7507598B2 (en) * 2003-06-06 2009-03-24 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Image sensor fabrication method and structure
US6956253B2 (en) * 2003-06-06 2005-10-18 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Color filter with resist material in scribe lines
TWI228638B (en) 2003-06-10 2005-03-01 Ind Tech Res Inst Method for and apparatus for bonding patterned imprint to a substrate by adhering means
US7790231B2 (en) 2003-07-10 2010-09-07 Brewer Science Inc. Automated process and apparatus for planarization of topographical surfaces
US7136150B2 (en) * 2003-09-25 2006-11-14 Molecular Imprints, Inc. Imprint lithography template having opaque alignment marks
US20050084804A1 (en) * 2003-10-16 2005-04-21 Molecular Imprints, Inc. Low surface energy templates
US20050098534A1 (en) * 2003-11-12 2005-05-12 Molecular Imprints, Inc. Formation of conductive templates employing indium tin oxide
JP4322096B2 (ja) 2003-11-14 2009-08-26 Ｔｄｋ株式会社 レジストパターン形成方法並びに磁気記録媒体及び磁気ヘッドの製造方法
TWI222680B (en) * 2003-11-20 2004-10-21 United Microelectronics Corp Scribe line structure of wafer
TWI277815B (en) * 2004-01-16 2007-04-01 Hannstar Display Corp Liquid crystal display and manufacturing method of liquid crystal display including substrate
US7140861B2 (en) * 2004-04-27 2006-11-28 Molecular Imprints, Inc. Compliant hard template for UV imprinting
US20060022195A1 (en) * 2004-08-01 2006-02-02 Kun-Chih Wang Scribe line structure
US20060067650A1 (en) * 2004-09-27 2006-03-30 Clarence Chui Method of making a reflective display device using thin film transistor production techniques
US7244386B2 (en) 2004-09-27 2007-07-17 Molecular Imprints, Inc. Method of compensating for a volumetric shrinkage of a material disposed upon a substrate to form a substantially planar structure therefrom
US7292326B2 (en) * 2004-11-30 2007-11-06 Molecular Imprints, Inc. Interferometric analysis for the manufacture of nano-scale devices
WO2006060757A2 (en) 2004-12-01 2006-06-08 Molecular Imprints, Inc. Eliminating printability of sub-resolution defects in imprint lithography
US7762186B2 (en) * 2005-04-19 2010-07-27 Asml Netherlands B.V. Imprint lithography
US20060266916A1 (en) * 2005-05-25 2006-11-30 Molecular Imprints, Inc. Imprint lithography template having a coating to reflect and/or absorb actinic energy
JP2007058172A (ja) * 2005-07-28 2007-03-08 Mitsubishi Electric Corp 遮光膜付き基板、カラーフィルタ基板及びこれらの製造方法、並びに遮光膜付き基板を備えた表示装置。
US8011916B2 (en) 2005-09-06 2011-09-06 Canon Kabushiki Kaisha Mold, imprint apparatus, and process for producing structure
US7803308B2 (en) 2005-12-01 2010-09-28 Molecular Imprints, Inc. Technique for separating a mold from solidified imprinting material
US7690910B2 (en) * 2006-02-01 2010-04-06 Canon Kabushiki Kaisha Mold for imprint, process for producing minute structure using the mold, and process for producing the mold
JP5213335B2 (ja) 2006-02-01 2013-06-19 キヤノン株式会社 インプリント用モールド、該モールドによる構造体の製造方法
US7360851B1 (en) * 2006-02-15 2008-04-22 Kla-Tencor Technologies Corporation Automated pattern recognition of imprint technology
TW200815912A (en) 2006-04-03 2008-04-01 Molecular Imprints Inc Method for obtaining force combinations for template deformation using nullspace and methods optimization techniques
WO2007117524A2 (en) * 2006-04-03 2007-10-18 Molecular Imprints, Inc. Method of concurrently patterning a substrate having a plurality of fields and alignment marks

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR950004486A (ko) * 1993-07-15 1995-02-18 김주용 웨이퍼의 필드 영역 분할 방법
KR980005307A (ko) * 1996-06-21 1998-03-30 김주용 반도체 소자의 패턴 정렬방법
US20040248384A1 (en) * 2003-06-06 2004-12-09 Kuo Chin Chen Image sensor fabrication method and structure
WO2006017793A2 (en) * 2004-08-13 2006-02-16 Molecular Imprints, Inc. Moat system for an imprint lithography template

Also Published As

Publication number Publication date
WO2007117523A2 (en) 2007-10-18
KR20080114678A (ko) 2008-12-31
JP5184508B2 (ja) 2013-04-17
US8850980B2 (en) 2014-10-07
WO2007117523A3 (en) 2008-04-10
US20070247608A1 (en) 2007-10-25
EP2001646A2 (en) 2008-12-17
TW200744829A (en) 2007-12-16
JP2009532908A (ja) 2009-09-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101357815B1 (ko) 임프린트 리소그래피 시스템
US7802978B2 (en) Imprinting of partial fields at the edge of the wafer
US7927541B2 (en) Full-wafer or large area imprinting with multiple separated sub-fields for high throughput lithography
US6517977B2 (en) Lithographic template and method of formation and use
US8092959B2 (en) Means for transferring a pattern to an object
US7811505B2 (en) Method for fast filling of templates for imprint lithography using on template dispense
EP1594002A2 (en) Method for manufacturing large area stamp for nanoimprint lithography
US8012394B2 (en) Template pattern density doubling
CN104620352B (zh) 标记形成方法和器件制造方法
CN101809501A (zh) 压印方法和基板的处理方法
EP1825502A2 (en) Methods of exposure for the purpose of thermal management for imprint lithography processes
JP2009182075A (ja) インプリントによる構造体の製造方法
US20150165655A1 (en) Optically Absorptive Material for Alignment Marks
TW201913231A (zh) 壓印模具以及壓印模具製造方法
US20160071726A1 (en) Method of manufacturing semiconductor device
KR100685900B1 (ko) 반도체 소자의 패턴 형성방법
KR101264754B1 (ko) 임프린트 리소그래피 및 직접 기록 기술을 사용하는디바이스 제조 방법
JP2024003899A (ja) インプリントシステム、基板、インプリント方法、レプリカモールド製造方法及び、物品の製造方法
Wang Status of nanoimprint lithography and device applications

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20170116

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20180109

Year of fee payment: 5

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20190110

Year of fee payment: 6