JP6655988B2 - インプリント装置の調整方法、インプリント方法および物品製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、インプリント装置の調整方法、インプリント方法および物品製造方法に関する。

インプリント技術は、基板の上にインプリント材を配置し、インプリント材をモールドによって成形した後にインプリント材を硬化させることによってモールドのパターンを該インプリント材に転写する技術である。インプリント材の成形は、インプリント材にモールドを接触させることによってモールドのパターンを構成する凹部に毛細管現象によってインプリント材を充填することによってなされる。インプリント技術によって基板の上に欠陥のないパターンを形成するためには、インプリント装置を調整する必要がある。この明細書では、インプリント技術によって基板の上にパターンを形成することをインプリントという。インプリント装置の調整は、例えば、インプリント装置におけるインプリントの条件の調整、インプリント装置のメンテナスなどを含みうる。

特許文献１には、インプリントにおける加工パラメータの条件だしを行うことが記載されている。加工パラメータとしては、ウエハに対するモールドの押し付け力、モールド温度、ウエハ温度などが挙げられている。

特開２００５−０２６４６２号公報

従来は、インプリント装置の調整は、基板の上のインプリント材に転写するべきパターンが形成されたモールド（以下、「パターンモールド」または単純に「モールド」という。）を使ってインプリントを行うことによってなされていた。しかしながら、この調整のためのインプリントにおいて、基板に対する押し付け力が強かったり、基板とモールドとの間にパーティクルが存在したりすると、モールドが劣化したり、破損したりしうる。パターンモールドは、非常に高価であるので、インプリント装置の調整においてパターンモールドが劣化ないし破損することは避けたい。

本発明は、上記の課題認識を契機としてなされたものであり、インプリント装置の調整を低コストで実現するために有利な技術を提供することを目的とする。

本発明の１つの側面は、基板の上に供給されたインプリント材にモールドを接触させてインプリント処理を行うインプリント装置を調整する調整方法に係り、前記調整方法は、基板の上に供給されたインプリント材に前記モールドとは異なるテストモールドの接触領域を接触させた状態を評価するためのサンプルとして、基板の上に供給されたインプリント材に前記テストモールドの前記接触領域を接触させた接触状態のサンプルを準備する準備工程と、前記接触状態の前記サンプルの画像を取得し、当該画像に基づいて前記サンプルを評価する評価工程と、前記評価工程で得られた評価結果に基づいて前記インプリント装置を調整する調整工程と、を含み、前記接触領域は、パターンを有しない平坦領域を含み、前記評価工程における評価は、前記平坦領域におけるインプリント材の状態の評価である第１評価を含み、前記調整工程では、前記第１評価の結果に基づいて前記インプリント装置のインプリント条件を調整する。

本発明によれば、インプリント装置の調整を低コストで実現するために有利な技術が提供される。

本発明の一つの実施形態のインプリント装置の構成を模式的に示す図。 本発明の一つの実施形態のインプリント装置の調整方法を例示する図。 検査部によって取得される画像を例示する図。 検査部によって取得される画像を例示する図。 検査部によって取得される画像を例示する図。 検査部によって取得される画像を例示する図。 充填時間（接触時間）と欠陥密度の関係を例示する図。 応用例としてのインプリントシステムの構成を模式的に示す図。 インプリントシステムにおけるインプリント装置の調整方法を例示する図。

以下、添付図面を参照しながら本発明をその例示的な実施形態を通して説明する。

図１には、本発明の一つの実施形態のインプリント装置１００の構成が模式的に示されている。インプリント装置１００は、基板Ｓの上に供給されたインプリント材をモールド（パターンモールド）ＰＭによって成形し、該成形されたインプリント材を硬化させることによって基板Ｓの上にパターンを形成する。インプリント材は、それを硬化させるエネルギーが与えられることによって硬化する硬化性組成物である。インプリント材は、硬化した状態を意味する場合もあるし、未硬化の状態を意味する場合もある。硬化用のエネルギーとしては、例えば、電磁波、熱等が用いられうる。電磁波は、例えば、その波長が１０ｎｍ以上１ｍｍ以下の範囲から選択される光（例えば、赤外線、可視光線、紫外線）でありうる。

硬化性組成物は、典型的には、光の照射により、あるいは、加熱により硬化する組成物である。これらのうち光により硬化する光硬化性組成物は、少なくとも重合性化合物および光重合開始剤を含有しうる。また、光硬化性組成物は、付加的に非重合性化合物または溶剤を含有しうる。非重合性化合物は、例えば、増感剤、水素供与体、内添型離型剤、界面活性剤、酸化防止剤、ポリマー成分などの群から選択される少なくとも一種でありうる。

本明細書および添付図面では、基板Ｓの表面に平行な方向をＸＹ平面とするＸＹＺ座標系において方向を示す。ＸＹＺ座標系におけるＸ軸、Ｙ軸、Ｚ軸にそれぞれ平行な方向をＸ方向、Ｙ方向、Ｚ方向とし、Ｘ軸周りの回転、Ｙ軸周りの回転、Ｚ軸周りの回転をそれぞれθＸ、θＹ、θＺとする。Ｘ軸、Ｙ軸、Ｚ軸に関する制御または駆動は、それぞれＸ軸に平行な方向、Ｙ軸に平行な方向、Ｚ軸に平行な方向に関する制御または駆動を意味する。また、θＸ軸、θＹ軸、θＺ軸に関する制御または駆動は、それぞれＸ軸に平行な軸の周りの回転、Ｙ軸に平行な軸の周りの回転、Ｚ軸に平行な軸の周りの回転に関する制御または駆動を意味する。また、位置は、Ｘ軸、Ｙ軸、Ｚ軸の座標に基づいて特定されうる情報であり、姿勢は、θＸ軸、θＹ軸、θＺ軸に対する相対的な回転で特定されうる情報である。位置決めは、位置および／または姿勢を制御することを意味する。

インプリント装置１００は、駆動部ＤＲＶＵ、硬化部１、撮像部２、ディスペンサ（インプリント材供給部）３、パージガス供給部４、アライメントスコープ５、検査部６、制御部７、フィルタ８およびチャンバ１０を備えうる。駆動部ＤＲＶＵ、硬化部１、撮像部２、ディスペンサ３、パージガス供給部４、アライメントスコープ５および検査部６は、チャンバ１０内に配置される。チャンバ１０の内部空間には、フィルタ８を通して空気が供給されうる。

駆動部ＤＲＶＵは、基板ＳとモールドＰＭとの相対位置が調整されるように基板ＳおよびモールドＰＭの少なくとも一方を駆動する。駆動部ＤＲＶＵは、例えば、基板Ｓを位置決めするための基板駆動部ＳＤＲＶ、および、モールドＰＭを位置決めするための型駆動部ＭＤＲＶを含みうる。一例において、基板駆動部ＳＤＲＶは、基板Ｓを保持する基板保持部ＳＨおよび基板保持部ＳＨを駆動する駆動機構ＳＤＭを有し、基板Ｓを複数の軸（例えば、Ｘ軸、Ｙ軸、θＺ軸の３軸。）について駆動するように駆動機構ＳＤＭが基板保持部ＳＨを駆動する。また、モールド駆動部ＭＤＲＶは、モールド保持部および該モールド保持部を駆動する駆動機構を有し、モールドＰＭを複数の軸（例えば、Ｘ軸、Ｙ軸、Ｚ軸、θＸ軸、θＹ軸、θＺ軸の６軸。）について駆動する。駆動部ＤＲＶＵは、Ｘ軸、Ｙ軸、θＸ軸、θＹ軸およびθＺ軸に関して基板ＳとモールドＰＭとの相対位置を調整するほか、Ｚ軸に関しても基板ＳとモールドＰＭとの相対位置を調整する。Ｚ軸に関する基板ＳとモールドＰＭとの相対位置の調整は、基板Ｓの上のインプリント材とモールドＰＭとの接触および分離の動作を含む。

モールド駆動部ＭＤＲＶは、上記の機能の他、Ｚ軸方向に関するモールドＰＭの変形を制御する第１変形機構ＺＤＭ、および、ＸＹ平面内におけるモールドＰＭの変形を制御する第２変形機構ＸＹＤＭを含みうる。第１変形機構ＺＤＭは、基板Ｓの上のインプリント材にモールドＰＭを接触させる前は、モールドＰＭを基板Ｓに向かって凸形状となるように制御する。また、第１変形機構ＺＤＭは、インプリント材にモールドＰＭの一部が接触した後は、モールドＰＭが凸形状から徐々に平面形状になるようにモールドＰＭの変形を制御する。第１変形機構ＺＤＭは、モールドＰＭの裏面側の空間（基板側とは反対側の空間）ＳＰの圧力を制御することによってＺ軸方向に関するモールドＰＭの変形を制御することができる。第２変形機構ＸＹＤＭは、基板Ｓのショット領域の形状にモールドＰＭのパターン転写領域の形状が整合するようにモールドＰＭを変形させうる。パターン転写領域は、基板Ｓの上のインプリント材に転写すべきパターンが形成された領域である。

インプリント装置の調整方法は、パターンモールドＰＭに代えてテストモールドＴＭを使って実施される。具体的には、インプリント装置１００の調整方法は、テストモールドＴＭがモールド駆動部ＭＤＲＶに取り付けられ、テストモールドＴＭを使って実施される。モールド駆動部ＭＤＲＶによるパターンモールドＰＭの駆動に関する上記の説明は、モールド駆動部ＭＤＲＶによるテストモールドＴＭの駆動に対して援用されうる。ここで、パターンモールドＰＭは、基板Ｓの上のインプリント材に転写するべきパターンが形成されたモールドである。テストモールドＴＭは、基板Ｓの上に供給されたインプリント材に接触する接触領域を有する。接触領域は、パターンを有しない平坦領域を含む。接触領域は、物品を製造するためのパターンモールドＰＭのパターン転写領域と同一の形状および同一の面積を有しうる。平坦領域の面積は、接触領域の面積の３０％以上でありうるが、テストモールドＴＭの製造コストの低減の観点において、平坦領域の面積は大きい方が好ましい。平坦領域の面積は、例えば、接触領域の面積の４０％以上、５０％以上、６０％以上、７０％以上、８０％以上、９０％以上、９５％以上、または、１００％でありうる。

硬化部１は、基板Ｓの上のインプリント材を硬化させるためのエネルギーをインプリント材に供給する。一例において、硬化部１は、基板Ｓの上のインプリント材を硬化させるためのエネルギーとしての光をパターンモールドＰＭまたはテストモールドＴＭを介してインプリント材に供給するように構成されうる。撮像部（カメラ）２は、基板Ｓの上のインプリント材とモールドＰＭまたはＴＭの接触の状態を評価あるいは観察するために、インプリント材とモールドＰＭまたはＴＭとによって形成される像を撮像する。ディスペンサ３は、基板Ｓの上に未硬化状態（液体状態）のインプリント材を供給あるいは配置するインプリント材供給部である。ディスペンサ３は、例えば、未硬化状態のインプリント材を吐出する１または複数の吐出口を有し、インプリント材の配置レシピ（配置パターン）に従って該１または複数の吐出口からのインプリント材の吐出を制御する。ディスペンサ３は、通常は、未硬化状態のインプリント材を互いに分離した個々のドロップレット（液滴）の状態で基板の上に配置しうる。この配置が配置レシピによって決定される。インプリント材の吐出の制御には、例えば、熱を利用した方式、または、圧電素子を利用した方式などが採用されうる。

パージガス供給部４は、基板ＳとモールドＰＭまたはＴＭとの間の空間にパージガスを供給する。パージガスは、モールドＰＭのパターンを構成する凹部に対するインプリント材の充填を促進するために使用されうる。パージガスとしては、インプリント材の硬化を阻害しないガス、例えば、ヘリウムガス、窒素ガスおよび凝縮性ガス（例えば、ペンタフルオロプロパン（ＰＦＰ））の少なくとも１つを含むガスが使用されうる。パージガス供給部４は、例えば、パージガスの噴射方向、噴射時間、噴射タイミング、流量などを制御あるいは調整する機能を有しうる。ここで、パージガスの噴射方向は、例えば、パージガス供給部４がパージガスの噴射方向が互いに異なる複数の噴射口を有する場合において、どの噴射口からパージガスを噴射させるかによって制御されうる。

アライメントスコープ５は、基板Ｓのショット領域とモールドＰＭとの位置合わせのために、ショット領域のアライメントマークとモールドＰＭのアライメントマークとの相対位置を検出する。検査部６は、基板Ｓの上に供給されたインプリント材にテストモールドＴＭの接触領域を接触させた状態を評価するために準備されたサンプルを検査する。検査部６は、例えば、サンプルの状態を示す情報（典型的には画像）を取得するための顕微鏡を含みうる。検査部６は、基板Ｓの基板保持部ＳＨとの位置合わせなどのために使用されうるオフアライメントスコープによって代用されてもよい。サンプルは、基板Ｓの上に供給されたインプリント材にテストモールドＴＭの接触領域を接触させた状態を評価可能なものであれば何でもよい。サンプルは、基板Ｓの上に供給されたインプリント材にテストモールドＴＭの接触領域を接触させた状態でインプリント材を硬化部１によって硬化させることによって準備されうる。あるいは、サンプルは、基板Ｓの上に供給されたインプリント材にテストモールドＴＭの接触領域を接触させた状態であるが、硬化部１によって硬化されていない未硬化状態のインプリント材として準備されうる。後者においては、インプリント材にテストモールドＴＭが接触した状態で検査部６による検査がなされ、この場合、検査部６は撮像部２によって代用されてもよい。

フィルタ８は、チャンバ１０の内部空間の清浄度を一定の清浄度に維持するために、チャンバ１０の内部空間と、チャンバ１０の外部空間に配置された環境制御装置（温度および湿度などが調整された空気を供給する装置）との間に配置されうる。フィルタ８は、例えば、有機物を捕集するケミカルフィルタ、および、パーティクルなどの無機物を捕集するパーティクルフィルタを含みうる。フィルタ８は、使用を通して性能が低下するので、必要に応じて交換されうる。

制御部７は、駆動部ＤＲＶＵ、硬化部１、撮像部２、ディスペンサ３、パージガス供給部４、アライメントスコープ５および検査部６を制御し、また、撮像部２、アライメントスコープ５、検査部６から供給される情報を処理する。制御部７は、例えば、ＦＰＧＡ（Ｆｉｅｌｄ Ｐｒｏｇｒａｍｍａｂｌｅ Ｇａｔｅ Ａｒｒａｙの略。）などのＰＬＤ（Ｐｒｏｇｒａｍｍａｂｌｅ Ｌｏｇｉｃ Ｄｅｖｉｃｅの略。）、又は、ＡＳＩＣ（Ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎ Ｓｐｅｃｉｆｉｃ Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔの略。）、又は、プログラムが組み込まれた汎用コンピュータ、又は、これらの全部または一部の組み合わせによって構成されうる。

図２を参照しながらインプリント装置１００の調整方法について説明する。図２に示される調整方法は、制御部７によって制御されうる。ただし、ステップＳ２０６およびステップＳ２０９は、エンジニア（人間）の介在によってなされてもよいし、エンジニアを主体としてなされてもよい。

ステップＳ２０１では、テストモールドＴＭがインプリント装置１００のチャンバ１０内にロードされ、モールド駆動部ＭＤＲＶのモールド保持部に取り付けられる。ステップＳ２０２では、基板Ｓがインプリント装置１００のチャンバ１０内にロードされ、基板保持部ＳＨに載置される。

ステップＳ２０３では、ディスペンサ３によって基板Ｓの上に未硬化状態のインプリント材が供給あるいは配置される。ステップＳ２０４では、基板Ｓの上のインプリント材にテストモールドＴＭの接触領域が接触するように駆動部ＤＲＶＵが基板ＳとテストモールドＴＭとの相対位置を調整する。この相対位置の調整と並行して、モールド駆動機構ＭＤＲＶの第１変形機構ＺＤＭによってＺ軸方向におけるテストモールドＴＭの形状が制御される。具体的には、第１変形機構ＺＤＭは、基板Ｓの上のインプリント材にテストモールドＴＭを接触させる前は、テストモールドＴＭを基板Ｓに向かって凸形状となるように制御する。また、第１変形機構ＺＤＭは、インプリント材にテストモールドＴＭの一部が接触した後は、テストモールドＴＭが凸形状から徐々に平面形状になるようにテストモールドＴＭの変形を制御しうる。また、ステップＳ２０４の開始前の任意のタイミングで、パージガス供給部４によって基板ＳとテストモールドＴＭとの間の空間に対するパージガスの供給が開始されうる。

ステップＳ２０５では、基板Ｓの上のインプリント材にテストモールドＴＭが接触し、設定された時間が経過したタイミングで、硬化部１によってインプリント材に硬化のためのエネルギーが供給され、インプリント材が硬化される。また、ステップＳ２０５では、その後、硬化したインプリント材とテストモールドＴＭとが分離される。これによって、基板Ｓの上に供給されたインプリント材にテストモールドＴＭの接触領域を接触させた状態を評価するためのサンプルが準備あるいは形成される。ここで、前述のように、サンプルは、硬化部１によって硬化されていない未硬化状態のインプリント材として準備されてもよい。この場合には、ステップＳ２０５は、ステップＳ２０６における評価前には実施されず、ステップＳ２０６における評価後に、インプリント材の流動を防ぐために実施されうる。インプリント材が硬化したサンプルを準備する実施形式では、ステップＳ２０３、Ｓ２０４、Ｓ２０５がサンプルの準備工程であり、インプリント材が未硬化のサンプルを準備する実施形式では、ステップＳ２０３、Ｓ２０４がサンプルの準備工程である。ここで、基板Ｓの上の互いに異なる領域（例えば、ショット領域）に対して複数のサンプルを形成してもよく、この場合において、インプリントの条件を変更しながら複数のサンプルを形成してもよい。

ステップＳ２０６（評価工程）では、制御部７は、準備されたサンプルを検査部６を使って評価する。ここで、前述のように、インプリント材が未硬化のサンプルを準備する実施形式においては、撮像部２が検査部６として代用されうるが、以下では、代表的に、検査部６を使って評価が実施される場合について説明する。検査部６は、例えば、サンプルを照明光で照明しならがサンプルを撮像する。サンプルが欠陥を有する場合、その欠陥において照明光が散乱して散乱光が発生する。その結果、検査部６によって撮像された画像は、欠陥の箇所や欠陥の大きさを示す情報を提供する。制御部７は、検査部６から提供される画像を処理することによってサンプルを評価する。なお、検査部６および検査部６によって得られた情報を処理する処理部は、インプリント装置１００の外部に配置されてもよい。サンプルの欠陥は、ボイド（インプリント材が存在しない空洞）を含みうる。あるいは、サンプルの欠陥は、インプリント装置１００の構成要素（例えば、ディスペンサ３）が化学物質によって汚染されたことによって生じた欠陥を含みうる。あるいは、サンプルの欠陥は、パーティクルによって生じた欠陥を含みうる。

制御部７は、例えば、検査部６から提供される画像における欠陥部分を該画像の複数の画素のそれぞれの値と閾値とを比較すること、または、検査部６から提供される画像と事前に準備された基準画像とを比較することによって欠陥部分を抽出することができる。基準画像を準備する方法としては、例えば、複数のサンプルをそれぞれ撮像して複数の画像を取得しておき、他の検査装置によって該複数のサンプルを検査することによって欠陥がないと判断されたサンプルに対応する画像を基準画像とする方法がある。あるいは、テストモールドＴＭの接触領域に傷が存在する場合、接触領域を撮像して得られた画像に基づいて基準画像を生成してもよい。

制御部７は、例えば、欠陥の数、および、欠陥の寸法を評価項目として評価を行いうる。例えば、欠陥の数が基準数以下であり、かつ、欠陥の大きさが基準寸法以下である場合に、評価対象のサンプルが合格であり、そうでない場合に、評価対象のサンプルが不合格であると評価することができる。評価は、制御部７によってなされてもよいし、エンジニア（人間）の介在によってなされてもよいし、エンジニアを主体としてなされてもよい。

ステップＳ２０７では、制御部７は、ステップＳ２０６における評価結果が合格であれば、ステップＳ２０８に進み、不合格であれば、ステップＳ２０９に進む。ステップＳ２０８では、テストモールドＴＭおよび基板Ｓがアンロードされる。

ステップＳ２０９（調整工程）では、制御部７は、インプリントの条件を調整（変更）する。具体的には、制御部７は、ステップＳ２０９においてインプリントの条件を新たな条件に変更し、該新たな条件の下でステップＳ２０３からの処理を再度実行する。新たな条件は、現在の条件を所定の基準に従って変更することによって決定されてもよいし、ステップＳ２０６の評価結果を後述のように分析することによってなされてもよい。この分析は、制御部７によってなされてもよいし、エンジニア（人間）の介在によってなされてもよいし、エンジニアを主体としてなされてもよい。インプリントの条件は、例えば、インプリント装置１００の制御パラメータの値によって与えられうる。現在の条件を所定の基準に従って変更することによって新たな条件を設定する例としては、例えば、インプリント装置１００の動作を制御するパラメータの値を一定値ずつ変更することを挙げることができる。

インプリントの条件の調整は、例えば、パージガス供給部４の調整（例えば、パージガスを噴射する方向、噴射する時間、噴射するタイミング、パージガスの流量、の少なくとも１つの調整）を含みうる。また、インプリントの条件の調整は、例えば、ディスペンサの調整（例えば、インプリント材の配置レシピ、および、各吐出口からの１当たりのインプリント材の吐出量、の少なくとも１つ）を含みうる。また、インプリントの条件の調整は、基板の上に供給されたインプリント材にモールドを接触させた後に該インプリント材を硬化部１によって硬化させるタイミングの調整を含みうる。また、インプリントの条件の調整は、基板の上のインプリントとモールドとの接触および分離を制御するパラメータの調整を含みうる。また、インプリントの条件の調整は、基板とモールドとの相対的な角度を制御するパラメータの調整を含みうる。

あるいは、ステップＳ２０９では、インプリント装置１００のメンテナンスがなされうる。インプリント装置１００のメンテナンスは、例えば、部品の交換、補修、クリーニング等を含みうる。

以下、ステップＳ２０６（評価工程）およびステップＳ２０９（調整工程）について具体例を挙げながら説明する。ステップＳ２０６において、検査部６を使って得られる欠陥の傾向は、図３に例示される傾向、図４または図５に例示される傾向、図６に例示される傾向に分類されうる。図３〜図６は、検査部６によって撮像される画像を例示している。黒い部分は、欠陥部分を示している。欠陥は、テストモールドＴＭを使用した場合においても、パターンモールドＰＭを使用した場合においても起こりうる。また、テストモールドＴＭを使用した場合における欠陥の発生とパターンモールドＰＭを使用した場合における欠陥の発生とは高い相関を有する。ここで、テストモールドＴＭを使用した場合に欠陥が許容レベルに抑えられる条件を基準条件とする。この場合、基準条件、または、基準条件にプラスまたはマイナスのオフセットを付加した条件でパターンモールドＰＭを使用してインプリントを行うと、欠陥は許容レベル内に抑えられうる。

図３には、インプリント装置１００の動作に関する調整の不足、より具体的には、インプリント装置１００の動作を制御するパラメータの調整不足によって顕著に現れうる欠陥が例示されている。図４、図５には、インプリント装置１００が化学物質によって汚染されることによって顕著に現れうる欠陥が例示されている。図６には、インプリント装置１００内のパーティクルによって顕著に現れうる欠陥が例示されている。

まず、図３を参照しながらインプリント装置１００の動作に関する調整の不足によって顕著に現れうる欠陥に関して説明する。図３（ａ）には、検査部６によって撮像されたサンプルの画像が例示され、図３（ｂ）には、図３（ａ）の一部分を拡大した画像が例示されている。黒い部分は、空気の押し出し不足によって生じたボイドを示している。ボイドの密度が同心円状に外側に向かって高くなっている理由は、モールドＴＭの中心が最初に基板の上のインプリント材に接触し、その後に接触した部分が外側に向かって広がってゆくためである。ボイドが発生する理由としては、以下の理由を挙げることができる。

第１の理由として、接触時間の不足が考えられる。基板の上のインプリント材にモールドＴＭを接触させてからの経過時間（これを接触時間という）が不足していると、基板ＳとモールドＴＭとの間の空気が完全に排出されずに、その空気がボイドとして残りうる。ここで、接触時間の終了タイミングは、硬化されたインプリント材でサンプルが構成される実施形式では硬化のタイミングであり、未硬化状態のインプリント材でサンプルが構成される実施形式では検査部６による撮像のタイミングである。

ステップＳ２０６（評価工程）において接触時間が不足していると評価された場合には、ステップＳ２０９（調整工程）において接触時間が増加されうる。ここで、インプリント材を硬化させることによってサンプルを形成する実施形式では、複数の接触時間を設定し、それらの複数の接触時間に従って基板の複数の領域のそれぞれにサンプルを形成することが効率的である。

第２の理由として、モールドＴＭの変形制御が不適切であることが考えられる。第１変形機構ＺＤＭは、モールドＴＭの裏面側の圧力調整空間ＳＰの圧力を制御することによってＺ軸方向に関するモールドＴＭの変形を制御する。具体的には、第１変形機構ＺＤＭは、基板Ｓの上のインプリント材にモールドＴＭを接触させる前は、圧力調整空間ＳＰを加圧することによってモールドＴＭが基板Ｓに向かって凸形状となるように制御する。また、第１変形機構ＺＤＭは、インプリント材にモールドＴＭの一部が接触した後は、圧力調整空間ＳＰを減圧することによってモールドＴＭが凸形状から徐々に平面形状になるように制御する。第１変形機構ＺＤＭによるモールドＴＭの変形の制御（換言すると、圧力調整空間ＳＰの圧力制御）が適正化されていない場合、基板ＳとモールドＴＭとの間の空気が完全に排出されずに、その空気がボイドとして残りうる。

ステップＳ２０６（評価工程）において第１変形機構ＺＤＭによるモールドＴＭの変形制御が不適切であると評価された場合には、ステップＳ２０９（調整工程）において第１変形機構ＺＤＭを制御するパラメータの値が変更されうる。ここで、インプリント材を硬化させることによってサンプルを形成する実施形式では、複数のパラメータの値を設定し、それらの複数の値に従って基板の複数の領域のそれぞれにサンプルを形成することが効率的である。

第３の理由として、パージガス供給部４の制御が不適切であることが考えられる。パージガス供給部４から噴射するパージガスの噴射方向、噴射時間、噴射タイミング、流量などを制御するパラメータの値が適正化されていない場合、基板ＳとモールドＴＭとの間の空気の濃度が高くなり、その空気が完全に排出されずにボイドとして残りうる。基板ＳとモールドＴＭとの間の空間に常にパージガスを供給することは難しい場合が多い。例えば、ランニングコストが高くなること、干渉計などを基板Ｓの位置および姿勢の制御に用いる場合においては、パージガスが干渉計の光路の屈折率を変化させてしまい、これが干渉計の計測精度を低下させること、がその理由である。したがって、パージガスの供給量を可能な限り抑えたいという要求の下で、パージガスの噴射方向、噴射時間、噴射タイミング、流量などが適正化されうる。

ステップＳ２０６（評価工程）においてパージガス供給部４を制御するパラメータ（例えば、噴射方向、噴射時間、噴射タイミング、流量）の値が不適切であると評価された場合には、ステップＳ２０９（調整工程）において該パラメータの値が変更されうる。ここで、インプリント材を硬化させることによってサンプルを形成する実施形式では、複数のパラメータの値を設定し、それらの複数の値に従って基板の複数の領域のそれぞれにサンプルを形成することが効率的である。

第４の理由として、駆動部ＤＲＶＵによるインプリント材とモールドとの接触および分離の制御が不適切であることが考えられる。駆動部ＤＲＶＵによる基板Ｓの上のインプリント材とモールドＴＭとの接触および分離を制御するパラメータの値が適正化されていない場合、基板ＳとモールドＴＭとの間の空気が完全に排出されずに、その空気がボイドとして残りうる。パラメータとしては、例えば、駆動部ＤＲＶＵによってインプリント材とモールドＴＭとを近づける際の基板ＳとモールドＴＭとの相対的な加速度、速度、インプリント材の硬化時の基板ＳとモールドＴＭとの距離を挙げることができる。

ステップＳ２０６（評価工程）において駆動部ＤＲＶＵを制御するパラメータの値が不適切であると評価された場合には、ステップＳ２０９（調整工程）において該パラメータの値が変更されうる。ここで、インプリント材を硬化させることによってサンプルを形成する実施形式では、複数のパラメータの値を設定し、それらの複数の値に従って基板の複数の領域のそれぞれにサンプルを形成することが効率的である。

第５の理由として、駆動部ＤＲＶＵによる基板ＳとモールドＴＭとの相対的な角度の制御が不適切であることが考えられる。この場合、基板ＳとモールドＴＭとの間の空気が完全に排出されずに、その空気がボイドとして残りうる。ただし、この場合は、その相対的な角度に応じて、図３に示される傾向とは異なる傾向を示しうる
以下、図４を参照しながら、インプリント装置１００の構成要素が化学物質によって汚染されたことによって現れうる欠陥に関して説明する。図４（ａ）には、検査部６によって撮像されたサンプルの画像が例示され、図４（ｂ）には、図４（ａ）の一部分を拡大した画像が例示されている。化学物質による汚染を原因とする欠陥は、周期的に現れることが多く、個々の欠陥は、円形状に近いことが多い。欠陥位置を示す画像をフーリエ変換分析したときに、ディスペンサ３の吐出口からのインプリント材の吐出間隔と周波数とが一致しうる。パターンの形成を阻害する化学物質によって発生した欠陥（以下、化学汚染欠陥）のみの総数を調べる場合、次のような方法が便利である。該方法では、検査部６を使って検出された全欠陥に対する化学汚染欠陥の比は、フーリエ変換分析によって得られる１次、０次のフーリエピーク体積から得られる比に基づいて計算されうる。この比に対して検出された欠陥の総数を掛けると、化学汚染欠陥の数が得られる。

上記のような化学汚染欠陥が発生した場合、インプリント装置１００内に、基板ＳとモールドＴＭとの間の空間へのインプリント材の充填を阻害する化学物質が存在していることが想定される。その原因としては、フィルタ８を構成するケミカルフィルタの性能が劣化していることが考えられる。この場合、化学汚染欠陥が発生しうる。この場合、ケミカルフィルタを交換する必要がある。ケミカルフィルタの使用期間が寿命より短い場合には、インプリント装置１００が設置されているクリーンルームを調査する必要があるかもしれない。

図５（ａ）には、基板Ｓの全体に形成されたサンプルを検査部６によって撮像した画像を例示されている。図５（ｂ）には、図５（ａ）の一部分としてのショット領域の画像が例示されている。図５（ａ）、（ｂ）において、１つのショット領域は、矩形で示されている。基板Ｓの全ショット領域の全部または一部において欠陥分布が共通し、ある個所を中心として波紋形状になっている場合、モールドＴＭに化学物質が付着している可能性が高い。このような状況において、ケミカルフィルタが破過していない場合、インプリント装置１００の構成要素から化学物質が漏れ出している可能性がある。例えば、駆動部ＤＲＶＵで使用されるグリースや、メンテナンスやクリーニングによって使用された有機溶剤が残留している場合などが原因であることが考えられる。何かの作業をトリガーとしてこのような欠陥が発生した場合は、その前の作業において使用した溶剤等に問題が無かったかを確認すると共に、汚染源を除去する作業が必要となる。

以下、図６を参照しながらインプリント装置１００内の無機物などのパーティクルによって顕著に現れる欠陥に関して説明する。図６には、検査部６によって撮像されたサンプルの画像が例示されている。基板ＳとモールドＴＭとの間にパーティクルが存在する状態でサンプルが形成された場合、図６（ａ）の破線円で示された部分のように、パーティクルを中心とする同心円状の欠陥が生じうる。パーティクルが円形状を有しない場合には、欠陥の形状もそれに従ったものになりうる。パーティクルの発生の原因としては、例えば、インプリント装置１００内における発塵または外部からのパーティクルの進入が想定される。パーティクルによる欠陥が発生している場合、インプリント装置１００は、非常に危険な状態である。例えば、パーティクルがモールドＴＭよりも硬度が高い物質であった場合、一度のインプリントによってモールドＴＭが破損する場合もある。そこで、パーティクルの原因を特定し、それに対処する調整が必要である。例えば、インプリント装置１００内における発塵が原因であれば、クリーニングまたは部品交換などを実施する必要がある。インプリント装置１００の外部からのパーティクルの進入が原因であれば、進入経路を封止したり、チャンバ１０の内部を陽圧にしたりするなどの処置が必要である。また、パーティクルの組成を分析し、インプリント装置１００の部品の材料と照合するなどの方法による発塵源の特定も重要である。

図６（ｂ）には、基板の全体についての検査結果が例示されている。基板の複数のショット領域に対する連続的なインプリントにおいて、あるショット領域以降のショット領域へのインプリントにおいて同一箇所に欠陥が発生した場合、モールドＴＭにパーティクルが付着している可能性が示唆されている。この場合、モールドＴＭの損傷が確認されるとともにモールドＴＭからパーティクルを取り除くクリーニングがなされうる。また、前述のように、パーティクルの発生原因の特定、および、それに対する処置が実施されうる。

以上のように、テストモールドを用いてサンプルを準備してそれを評価した結果に基づいてインプリント装置を調整することにより、パターンモールド用いてそれらを実施する場合に比べて、インプリント装置の調整のためのコストを低減することができる。また、評価結果を分類することにより、効果的に欠陥の原因を特定することができる。

一般に、インプリント装置において発生する欠陥を評価する際は、欠陥検査用のパターンモールドを使用して基板上にパターンが形成されうる。しかしながら、パターンモールド特有の原因で発生する欠陥以外に関しては、テストモールドを用いた欠陥評価でそのほとんどをカバーすることが可能である。

パターンモールドには非常に微細な加工が施されているので、基板とパターンモールドとの間にパーティクルが存在した場合には、それによってパターンが破壊され、パターンモールドが利用不能になりうる。また、インプリントを一定回数以上にわたって繰り返すことにより、インプリント材への接触や硬化したインプリント材からの分離の際の衝撃によりパターンモールドのパターンが破損することもありうる。一般的にはパターンモールドの寿命はインプリントの回数で決まっており、その回数以前にパターンが破壊されるようなことがあれば、その時点で寿命となる。したがって、安価であり、パターンの破損のリスクが無いテストモールドを使用してインプリント装置を調整することは、コストの低減の観点において非常に有利である。

インプリント装置の別の性能指標の１つとしてスループット性能がある。スループット性能は、例えば、単位時間あたりの基板処理枚数である。インプリント装置において、スループット性能に与える影響が大きなパラメータとして、パターンモールドのパターンを構成する凹部へのインプリント材の充填に要する充填時間を挙げることができる。この充填時間は、硬化前に基板の上のインプリント材にパターンモールドを接触させている時間である、前述の接触時間に相当する。充填時間（接触時間）と欠陥とは相関を持っており、充填時間を長くすることにより、パターンを構成する凹部へのインプリント材の充填率が高まるので、インプリント材が基板とモールドとの間でより広がり易くなり、欠陥が低減する。したがって、欠陥を許容レベルに納めるために要する充填時間がスループット性能に与える影響は大きい。

図７は、充填時間（接触時間）と欠陥密度の関係を例示する図である。横軸は、充填時間（接触時間）であり、縦軸は欠陥密度である。図７には、テストモールドを使用したときの接触時間と欠陥密度との関係が例示されている。また、図７には、３０ｎｍのラインアンドスペースパターンを有するパターンモールドを使用したときの充填時間（接触時間）と欠陥密度との関係が例示されている。また、図７には、３０ｎｍのラインアンドスペースパターンを有するパターンモールドを使用したときの充填時間（接触時間）と欠陥密度との関係が示されている。これらの３つのモールドを使用した評価は、モールド以外については同一の条件でなされている。欠陥密度が０となる充填時間（接触時間）が、発生しうる欠陥が０であることを保証することができる最小充填時間（最小接触時間）である。

図７において、条件が同一であるにも拘わらず、テストモールドを使用したときの最小接触時間がパターンモールドを使用したときの最小充填時間（最小接触時間）より長いことが分かる。これは、テストモールドを使用したときの方が、パターンモールドを使用したときに比べて、基板とモールドとの間におけるインプリント材の広がりが悪いことを示している。その理由は、パターンを構成する凹部が存在する方が、毛細管現象による凹部へのインプリント材の吸引によってインプリント材が基板とモールドとの間で広がり易いことになる。３０ｎｍラインアンドスペーサパターンの方が５０ｎｍラインアンドスペーサパターンよりも最小充填時間が短いことも、これを裏付ける。

図７から明らかなように、最小充填時間は、パターンを構成する凹部の密度および寸法に依存する。よって、欠陥検査用のパターンモールドを使用して最小充填時間を決定しても、実際の製品を製造するためのパターンモールドの凹部の密度および寸法が欠陥検査用のパターンモールドの凹部の密度および寸法と異なると、最小充填時間を保証することができない。したがって、毛細管現象が発生しないテストモールドを使用して最小充填時間を決定した方が、欠陥が許容レベルに収まることを保証するために有利である。

テストモールドを使用した欠陥の評価は、モールドのパターンには依存しない欠陥、即ちインプリント装置のみに起因する欠陥の評価であるので、インプリント装置の定期的な性能検査としても有用である。定期的な性能検査は、インプリント装置を稼働させる上で重要な工程である。よって、長期間にわたる運用を考慮すれば、破損しやすくインプリント装置以外に起因する欠陥も生じさせうる高価なパターンモールドではなく、テストモールドを使用することは、ランニングコストの低減の観点で有利である。

また、テストモールドを使用したインプリント装置の調整は、調整のために準備されるサンプルが単純であるので、検査部６として高価な検査部を採用しなくてもよい点で有利である。

その他、テストモールドによる欠陥の評価は、インプリントの結果が不安定になった場合に、その原因が、インプリント装置によるものなのか、他の原因（例えば、プロセスとパターンとのマッチングなど）によるものなのかの判別に有利である。例えば、基板とモールドとの間隔や相対的な角度、あるいは、パージガスの供給条件などが微妙に変化した場合において、テストモールドを使ってインプリント装置の状態を管理しておくことにより、その微妙な変化を迅速に把握することができる。

ここまでで説明したステップＳ２０６（評価工程）における評価は、テストモールドＴＭの接触領域としての平坦領域におけるインプリント材の状態の評価（以下、第１評価）である。そして、ステップＳ２０９（調整工程）では、第１評価の結果に基づいてインプリント装置１００が調整される。しかしながら、テストモールドＴＭの接触領域は、その全域が平坦領域で構成されるのではなく、平坦領域の他に、アライメントマークが配されたマーク領域を有してもよい。この場合、前述のステップＳ２０６（評価工程）における評価は、接触領域のアライメントマークを検出することによるアライメント性能の評価（以下、第２評価）を更に含みうる。そして、ステップＳ２０９（調整工程）では、第１評価および第２評価の結果に基づいてインプリント装置１００が調整されうる。テストモールドＴＭの接触領域に設けられたアライメントマークは、基板ＳとテストモールドＴＭとのアライメントの際にアライメントスコープ５によって検出されうる。具体的には、アライメントスコープ５を使って、テストモールドＴＭのアライメントマークと基板Ｓのアライメントマークとの相対位置を検出することができ、これに基づいて基板Ｓのショット領域とテストモールドＴＭとがアライメントされる。アライメント性能は、例えば、基板Ｓのショット領域とモールドＴＭ（ＰＭ）とのアライメントの精度に関する性能である。アライメント性能は、テストモールドＴＭを使用して準備されたサンプルを検査部６によって検査することで評価されうる。具体的には、基板Ｓに元々あったアライメントマークとテストモールドＴＭによって転写されたアライメントマークとの相対位置が検査部６によって検査されうる。

テストモールドＴＭの接触領域にアライメントマークを設けることにより、第１評価および第２評価を同時に実施することが可能になる。これにより、例えば、インプリント装置１００のメンテナンスに要する時間を短縮することができる。

上記の調整方法によって調整されたインプリント装置１００を使用して、物品を製造するためのインプリント方法が実施される。インプリント方法では、まず、ディスペンサ３によって基板Ｓの上に未硬化状態のインプリント材が供給あるいは配置される。次いで、基板Ｓの上のインプリント材にパターンモールドＰＭが接触するように駆動部ＤＲＶＵによって基板ＳとパターンモールドＰＭとの相対位置が調整される。この相対位置の調整と並行して、モールド駆動機構ＭＤＲＶの第１変形機構ＺＤＭによってＺ軸方向におけるパターンモールドＰＭの形状が制御される。具体的には、第１変形機構ＺＤＭは、基板Ｓの上のインプリント材にモールドＰＭを接触させる前は、モールドＰＭを基板Ｓに向かって凸形状となるように制御する。そして、インプリント材にモールドＰＭの一部が接触した後は、モールドＰＭが凸形状から徐々に平面形状になるようにモールドＰＭの変形を制御する。また、基板Ｓの上のインプリント材にモールドＰＭが接触する前の任意のタイミングで、パージガス供給部４によって基板ＳとモールドＰＭとの間の空間に対するパージガスの供給が開始されうる。次いで、基板Ｓの上のインプリント材にモールドＰＭが接触し、設定された時間が経過したタイミングで、硬化部１によってインプリント材に硬化のためのエネルギーが供給され、インプリント材が硬化される。次いで、硬化したインプリント材とモールドＰＭとが分離される。これによって、基板Ｓの上に供給されたインプリント材にモールドＰＭのパターンが転写される。

図８には、応用例としてのインプリントシステム１０００の構成例が示されている。インプリントシステム１０００は、複数のインプリント装置１００を備えている。ここでは、複数のインプリント装置１００を相互に区別する目的で、符号１００−Ａ、１００−Ｂ、１００−Ｃ、１００−Ｄが与えられている。インプリントシステム１０００は、複数のインプリント装置１００−Ａ、１００−Ｂ、１００−Ｃ、１００−Ｄに共有される搬送機構２０を備えている。その他、硬化部１のエネルギー源（例えば、光源）などが１００−Ａ、１００−Ｂ、１００−Ｃ、１００−Ｄによって共有されてもよい。

図９には、インプリントシステム１０００におけるインプリント装置１００−Ａの調整方法が例示的に示されている。ステップＳ９０１では、テストモールドＴＭがインプリント装置１００−Ａのチャンバ１０内にロードされ、モールド駆動部ＭＤＲＶのモールド保持部に取り付けられる。ステップＳ９０２では、基板Ｓがインプリント装置１００−Ａのチャンバ１０内にロードされ、基板保持部ＳＨに載置される。ステップＳ９０３（準備工程）では、図２のステップＳ２０３〜Ｓ２０５に従って、インプリント装置１００−Ａにおいてサンプルが形成される。ステップＳ９０４では、搬送機構２０によってインプリント装置１００−Ａからインプリント装置１００−Ｂにサンプルが搬送される。ステップＳ９０４（評価工程）では、図２のステップＳ２０６と同様に、インプリント装置１００−Ｂにおいて検査部６によってサンプルが評価される。インプリント装置１００−Ｂにおいてサンプルが評価されている間において、インプリント装置１００−Ａにおいて別の基板に対してサンプルが形成されてもよい。ステップＳ９０６では、ステップＳ９０５における評価結果が合格であれば、ステップＳ９０７に進み、不合格であれば、ステップＳ９０８に進む。ステップＳ９０７では、テストモールドＴＭおよび基板Ｓがアンロードされる。ステップＳ９０８では、ステップＳ９０５における評価結果がインプリント装置１００−Ｂからインプリント装置１００−Ａに転送される。Ｓ９０９（調整工程）では、図２のステップＳ２０９と同様に、インプリント装置１００−Ａにおけるインプリントの条件が調整（変更）される。ステップＳ９１０では、搬送機構２０によってインプリント装置１００−Ｂからインプリント装置１００−Ａに基板（サンプル）が搬送される。その後、新たな条件で、ステップＳ９０３からの処理が再度実行される。

以下、インプリント装置１００を使って物品を製造する物品製造方法を説明する。物品は、例えば、半導体集積回路素子、液晶表示素子等でありうる。物品製造方法は、上記の調整方法によって調整されたインプリント装置１００を用いて基板（ウエハ、ガラスプレート、フィルム状基板）にパターンを形成する工程を含む。さらに、該製造方法は、パターンが形成された基板を処理（例えば、エッチング）する工程を含みうる。なお、パターンドメディア（記録媒体）や光学素子などの他の物品を製造する場合には、該製造方法は、エッチングの代わりに、パターンを形成された基板を加工する他の処理を含みうる。本実施形態の物品製造方法は、従来の方法に比べて、物品の性能・品質・生産性・生産コストの少なくとも一つにおいて有利である。

１００：インプリント装置、１：硬化部、２：撮像部、３：ディスペンサ（インプリント材供給部）、４：パージガス供給部、５：アライメントスコープ、６：検査部、７：制御部、８：フィルタ、１０：チャンバ、Ｓ：基板、ＰＭ：パターンモールド、ＴＭ：テストモールド、ＳＨ：基板保持部、ＳＤＭ：駆動機構、ＳＤＲＶ：基板駆動部、ＭＤＲＶ：モールド駆動部、ＤＲＶＵ：駆動部、ＺＤＭ：第１変形機構、ＸＹＤＭ：第２変形機構

Claims (19)

1. 基板の上に供給されたインプリント材にモールドを接触させてインプリント処理を行うインプリント装置を調整する調整方法であって、
   基板の上に供給されたインプリント材に前記モールドとは異なるテストモールドの接触領域を接触させた状態を評価するためのサンプルとして、基板の上に供給されたインプリント材に前記テストモールドの前記接触領域を接触させた接触状態のサンプルを準備する準備工程と、
   前記接触状態の前記サンプルの画像を取得し、当該画像に基づいて前記サンプルを評価する評価工程と、
   前記評価工程で得られた評価結果に基づいて前記インプリント装置を調整する調整工程と、を含み、
   前記接触領域は、パターンを有しない平坦領域を含み、前記評価工程における評価は、前記平坦領域におけるインプリント材の状態の評価である第１評価を含み、前記調整工程では、前記第１評価の結果に基づいて前記インプリント装置のインプリント条件を調整する、
   ことを特徴とする調整方法。
2. 前記評価工程は、前記画像と基準画像とを比較することで評価することを特徴とする請求項１に記載の調整方法。
3. 前記基準画像は、他の検査装置で欠陥がないと判断されたサンプルに対応する画像であることを特徴とする請求項２に記載の調整方法。
4. 前記準備工程は、前記基板の上に供給されたインプリント材に前記テストモールドの前記接触領域を接触させた状態で該インプリント材を硬化させる工程を含む、
   ことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の調整方法。
5. 前記接触領域は、アライメントマークが配されたマーク領域を更に含み、前記評価工程における評価は、前記アライメントマークを検出することによるアライメント性能の評価である第２評価を更に含み、前記調整工程では、前記第１評価および前記第２評価の結果に基づいて前記インプリント装置を調整する、
   ことを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の調整方法。
6. インプリント装置を調整する調整方法であって、
   基板の上に供給されたインプリント材にテストモールドの接触領域を接触させた状態を評価するためのサンプルを準備する準備工程と、
   前記サンプルを評価する評価工程と、
   前記評価工程で得られた評価結果に基づいて前記インプリント装置を調整する調整工程と、を含み、
   前記接触領域は、パターンを有しない平坦領域とアライメントマークが配されたマーク領域とを含み、前記評価工程における評価は、前記平坦領域におけるインプリント材の状態の評価である第１評価と前記アライメントマークを検出することによるアライメント性能の評価である第２評価とを含み、前記調整工程では、前記第１評価および前記第２評価の結果に基づいて前記インプリント装置を調整する、
   ことを特徴とする調整方法。
7. 前記評価工程で得られた評価結果が不合格である場合には、前記調整工程で前記インプリント装置のインプリント条件を変更し、前記インプリント条件の下で前記準備工程および前記評価工程を実施し、
   前記評価工程で得られた評価結果が合格である場合には、前記準備工程で用いられたインプリント条件で、前記モールドを用いてインプリント処理が行われるようにする
   ことを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載の調整方法。
8. 前記平坦領域の面積は、前記接触領域の面積の３０％以上である、
   ことを特徴とする請求項１乃至７のいずれか１項に記載の調整方法。
9. 前記評価工程における評価は、前記サンプルにおける欠陥の評価を含む、
   ことを特徴とする請求項１乃至８のいずれか１項に記載の調整方法。
10. 前記欠陥は、ボイドを含む、
    ことを特徴とする請求項９に記載の調整方法。
11. 前記欠陥は、化学物質による汚染によって生じた欠陥を含む、
    ことを特徴とする請求項９に記載の調整方法。
12. 前記欠陥は、パーティクルによって生じた欠陥を含む、
    ことを特徴とする請求項９に記載の調整方法。
13. 前記インプリント装置は、基板とモールドとの間にパージガスを供給するパージガス供給部を備え、
    前記調整工程における調整は、前記パージガス供給部の調整を含む、
    ことを特徴とする請求項１乃至１２のいずれか１項に記載の調整方法。
14. 前記インプリント装置は、基板の上にインプリント材を供給するインプリント材供給部を備え、
    前記調整工程における調整は、前記インプリント材供給部の調整を含む、
    ことを特徴とする請求項１乃至１３のいずれか１項に記載の調整方法。
15. 前記調整工程における調整は、基板の上に供給されたインプリント材にモールドを接触させた後に該インプリント材を硬化させるタイミングの調整を含む、
    ことを特徴とする請求項１乃至１４のいずれか１項に記載の調整方法。
16. 前記調整工程における調整は、基板の上のインプリント材とモールドとの接触および分離を制御するパラメータの調整を含む、
    ことを特徴とする請求項１乃至１５のいずれか１項に記載の調整方法。
17. 前記調整工程における調整は、基板とモールドとの相対的な角度の調整を含む、
    ことを特徴とする請求項１乃至１６のいずれか１項に記載の調整方法。
18. 請求項１乃至１７のいずれか１項に記載の調整方法に従ってインプリント装置を調整する工程と、
    前記工程で調整された前記インプリント装置によって基板のインプリント材に前記モールドを接触させてパターンを形成する工程と、
    を含むことを特徴とするインプリント方法。
19. 請求項１８に記載のインプリント方法に従って基板にパターンを形成する工程と、
    前記パターンが形成された前記基板を処理する工程と、
    を含むことを特徴とする物品製造方法。

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