KR960002587A - 웨이퍼 가장자리의 패턴불균일 방지를 위한 노광방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 반도체 소자 제조 공정 중 포토리소그래피 공정시 형성하고자 하는 패턴과 동일하게 형성된 패턴(10)의 가장자리를 따라 웨이퍼 가장자리 다이와 비노광 지역의 단차를 완화를 위한 더미패턴(11)이 형성된 포토마스크를 사용하며, 노광시 웨이퍼 가장자리의 더미패턴을 고려하여 일반 다이보다 가림막을 크게 열어주어 노광함으로써 본 발명은 웨이퍼 가장자리의 더미패턴을 고려하여 일반 다이보다 가림막을 크게 열어주어 노광함으로써 본 발명은 웨이퍼 가장자리의 막 두께를 감소시켜 일반 다이와 두께를 일치시킴으로써 웨이퍼 가장자리 다이와 비노광지역의 단차로 인한 코팅 불량, 현상 속도차에 의한 선폭불량, 노광작업시 발생되는 초점불량 등을 방지함으로써 생산성 향상 및 작업 능률 향상 효과를 얻을 수 있다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명에 따른 포토마스크를 이용한 노광후 패턴형성된 웨이퍼의 평면도.
Claims (1)
- 포토리소그래피 공정시 웨이퍼 가장자리 다이와 비노광 지역의 단차로 인한 패턴불균일을 극복하기 위한 웨이퍼 가장자리의 패턴불균일 방지를 위한 노광방법에 있어서, 형성하고자 하는 패턴과 동일하게 형성된 패턴(10)의 가장자리를 따라 웨이퍼 가장자리 다이와 비노광 지역의 단차를 완화를 위한 더미패턴(11)이 형성된 포토마스크를 사용하여 일반 다이 보다 가림막을 크게 열어주어 노광하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 가장자리의 패턴불균일 방지를 위한 노광방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019940013042A KR960002587A (ko) | 1994-06-09 | 1994-06-09 | 웨이퍼 가장자리의 패턴불균일 방지를 위한 노광방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019940013042A KR960002587A (ko) | 1994-06-09 | 1994-06-09 | 웨이퍼 가장자리의 패턴불균일 방지를 위한 노광방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR960002587A true KR960002587A (ko) | 1996-01-26 |
Family
ID=66685772
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019940013042A KR960002587A (ko) | 1994-06-09 | 1994-06-09 | 웨이퍼 가장자리의 패턴불균일 방지를 위한 노광방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR960002587A (ko) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20010087540A (ko) * | 2000-03-07 | 2001-09-21 | 윤종용 | 반도체 장치의 제조방법 |
| KR20020035708A (ko) * | 2000-11-08 | 2002-05-15 | 박종섭 | 반도체 제조 방법 |
| KR100728947B1 (ko) * | 2001-06-29 | 2007-06-15 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체소자용 레티클을 이용한 노광방법 |
| KR101231079B1 (ko) * | 2009-10-15 | 2013-02-07 | 미쓰비시덴키 가부시키가이샤 | 반도체장치 및 그 제조방법 |
-
1994
- 1994-06-09 KR KR1019940013042A patent/KR960002587A/ko not_active Application Discontinuation
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| US8618604B2 (en) | 2009-10-15 | 2013-12-31 | Mitsubishi Electric Corporation | Semiconductor device and method of manufacturing the same |
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