JPH05224397A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPH05224397A JPH05224397A JP2914092A JP2914092A JPH05224397A JP H05224397 A JPH05224397 A JP H05224397A JP 2914092 A JP2914092 A JP 2914092A JP 2914092 A JP2914092 A JP 2914092A JP H05224397 A JPH05224397 A JP H05224397A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pattern
- mask
- face
- dummy
- chromium
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 マスクサイズからの変換差を小さく抑え、プ
ロファイルの良いレジスト像を形成する。 【構成】 ガラス基板上に残しパターン領域となるクロ
ム面１と該クロム面を部分的に除去して得られた抜きパ
ターン領域となるクロム抜き面２を設け、このクロム面
１の近傍のクロム抜き面２に、ダミーの残しパターン領
域となる少なくとも１つの所定幅のクロム面３を付加し
てマスクパターンが構成される。抜きパターンの領域に
ダミーの残しパターン領域を設けることにより、露光量
設定が大きくなった場合でも、光の干渉効果を利用して
オーバサイズ量を最小に抑え、エッジ部分でのプロファ
イルを良くし、かつダミーパターンの転写は行われず
に、所望のレジストパターンを形成することができる。
ロファイルの良いレジスト像を形成する。 【構成】 ガラス基板上に残しパターン領域となるクロ
ム面１と該クロム面を部分的に除去して得られた抜きパ
ターン領域となるクロム抜き面２を設け、このクロム面
１の近傍のクロム抜き面２に、ダミーの残しパターン領
域となる少なくとも１つの所定幅のクロム面３を付加し
てマスクパターンが構成される。抜きパターンの領域に
ダミーの残しパターン領域を設けることにより、露光量
設定が大きくなった場合でも、光の干渉効果を利用して
オーバサイズ量を最小に抑え、エッジ部分でのプロファ
イルを良くし、かつダミーパターンの転写は行われず
に、所望のレジストパターンを形成することができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体装置の製造方法に
係り、特にパターン形成に於ける露光技術に関する。
係り、特にパターン形成に於ける露光技術に関する。
【０００２】
【従来の技術およびその課題】半導体装置の集積度の高
まりにつれて、その製造工程に於けるパターン形成の微
細化もより一層進んで来た。特に配線工程の中の一つで
あるコンタクト孔のレジストパターン形成では、縮小投
影型の露光機の解像力に近くなるとコンタクト孔が開口
しにくくなる。又、開口すること自体は可能であって
も、露光量を多めに設定したりすることになり、マスク
サイズに対して大きなプラス側の変換差を持つことにな
る。すなわち、露光量が大きくなると、光の回折効果の
影響が大きくなって、マスクパターンからの光の通り込
みも大きくなる。
まりにつれて、その製造工程に於けるパターン形成の微
細化もより一層進んで来た。特に配線工程の中の一つで
あるコンタクト孔のレジストパターン形成では、縮小投
影型の露光機の解像力に近くなるとコンタクト孔が開口
しにくくなる。又、開口すること自体は可能であって
も、露光量を多めに設定したりすることになり、マスク
サイズに対して大きなプラス側の変換差を持つことにな
る。すなわち、露光量が大きくなると、光の回折効果の
影響が大きくなって、マスクパターンからの光の通り込
みも大きくなる。
【０００３】図２は従来のコンタクト孔のマスクパター
ンの構成を示している。マスクパターンは、ガラス基板
上に設けられた残しパターン領域となるクロム面１と該
クロム面を部分的に除去して得られた抜きパターン領域
となるクロム抜き面２から構成されている。このような
マスクを用いて縮小投影型露光機によりウエハ上にパタ
ーンを形成する場合、特に露光機の解像力限界に近いパ
ターンを形成しようとする場合、露光量を大き目に設定
してやらなければならず、そのためマスクを通過する光
（透過光）の光強度分布は図３Ａに示すように、オーバ
サイズ量が大きくなり、しかもプロファイルの良くない
レジストパターンが形成されるという問題がある。本発
明の目的は、マスクサイズからの変換差を小さく抑え、
プロファイルの良いレジスト像を形成することができる
半導体装置の製造方法を提供することである。
ンの構成を示している。マスクパターンは、ガラス基板
上に設けられた残しパターン領域となるクロム面１と該
クロム面を部分的に除去して得られた抜きパターン領域
となるクロム抜き面２から構成されている。このような
マスクを用いて縮小投影型露光機によりウエハ上にパタ
ーンを形成する場合、特に露光機の解像力限界に近いパ
ターンを形成しようとする場合、露光量を大き目に設定
してやらなければならず、そのためマスクを通過する光
（透過光）の光強度分布は図３Ａに示すように、オーバ
サイズ量が大きくなり、しかもプロファイルの良くない
レジストパターンが形成されるという問題がある。本発
明の目的は、マスクサイズからの変換差を小さく抑え、
プロファイルの良いレジスト像を形成することができる
半導体装置の製造方法を提供することである。
【０００４】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
め、本発明は残しパターン領域と抜きパターン領域を有
するマスクを使用して行う露光工程をもつ半導体装置の
製造方法において、前記マスクの抜きパターン領域に少
なくとも１つの解像されないダミーの残しパターン領域
を設けることを特徴とするものである。
め、本発明は残しパターン領域と抜きパターン領域を有
するマスクを使用して行う露光工程をもつ半導体装置の
製造方法において、前記マスクの抜きパターン領域に少
なくとも１つの解像されないダミーの残しパターン領域
を設けることを特徴とするものである。
【０００５】
【作用】抜きパターンの領域にダミーの残しパターン領
域を設けることにより、露光量設定が大きくなった場合
でも、光の干渉効果を利用してオーバサイズ量を最小に
抑え、エッジ部分でのプロファイルを良くし、かつダミ
ーパターンの転写は行われずに、所望のレジストパター
ンを形成することができる。
域を設けることにより、露光量設定が大きくなった場合
でも、光の干渉効果を利用してオーバサイズ量を最小に
抑え、エッジ部分でのプロファイルを良くし、かつダミ
ーパターンの転写は行われずに、所望のレジストパター
ンを形成することができる。
【０００６】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面に基づいて説明
する。図１は本発明の半導体装置の製造方法に使用する
コンタクト孔のマスクパターンの構成を示している。マ
スクパターンは、ガラス基板上に残しパターン領域とな
るクロム面１と該クロム面を部分的に除去して得られた
抜きパターン領域となるクロム抜き面２を設け、このク
ロム抜き面２に付加されたダミーの残しパターン領域と
なる所定幅のクロム面３から構成されている。ここで、
ダミーの残しパターン領域３の正確な規定については、
Hopkinsの光学結像理論等によって光の結像強度分布を
計算すれば、効果的なパターンの規定が行える。
する。図１は本発明の半導体装置の製造方法に使用する
コンタクト孔のマスクパターンの構成を示している。マ
スクパターンは、ガラス基板上に残しパターン領域とな
るクロム面１と該クロム面を部分的に除去して得られた
抜きパターン領域となるクロム抜き面２を設け、このク
ロム抜き面２に付加されたダミーの残しパターン領域と
なる所定幅のクロム面３から構成されている。ここで、
ダミーの残しパターン領域３の正確な規定については、
Hopkinsの光学結像理論等によって光の結像強度分布を
計算すれば、効果的なパターンの規定が行える。
【０００７】例えば、シリコン酸化膜10000Å上にポジ
型フォトレジストをプリベーク後１．３５μｍとなるよ
うに塗布する。その後、レジスト上を本発明によるマス
クを用いて露光・現像する。この場合の光の強度分布
は、図３Ｂに示すように、従来のマスクで露光した場合
よりも光の干渉効果によってエッジ部分で急峻となる
為、オーバサイズ量が小さく抑えられ、しかもプロファ
イルの良いレジストパターンが形成される。
型フォトレジストをプリベーク後１．３５μｍとなるよ
うに塗布する。その後、レジスト上を本発明によるマス
クを用いて露光・現像する。この場合の光の強度分布
は、図３Ｂに示すように、従来のマスクで露光した場合
よりも光の干渉効果によってエッジ部分で急峻となる
為、オーバサイズ量が小さく抑えられ、しかもプロファ
イルの良いレジストパターンが形成される。
【０００８】このとき、付加的に設置されたダミーパタ
ーンは、光の強度分布のプロファイルを向上させること
には寄与するが、実際に得られるパターンとして転写さ
れることはない。本実施例では、抜きパターン領域に所
定幅の１つのダミーの残しパターン領域を設けている
が、図４ないし６に示すように複数の所定幅でかつ所定
長のダミーの残しパターン領域とすることもできる。図
４は矩形の各辺に相当する部分に所定長かつ所定幅のダ
ミーの残しパターン領域を設けたものである。また図５
は所定幅の矩形状のダミーの残しパターンを同心的に配
置されているものである。あるいは図６はダミーの残し
パターン領域の周辺が補助のダミーパターンとなってい
るものである。
ーンは、光の強度分布のプロファイルを向上させること
には寄与するが、実際に得られるパターンとして転写さ
れることはない。本実施例では、抜きパターン領域に所
定幅の１つのダミーの残しパターン領域を設けている
が、図４ないし６に示すように複数の所定幅でかつ所定
長のダミーの残しパターン領域とすることもできる。図
４は矩形の各辺に相当する部分に所定長かつ所定幅のダ
ミーの残しパターン領域を設けたものである。また図５
は所定幅の矩形状のダミーの残しパターンを同心的に配
置されているものである。あるいは図６はダミーの残し
パターン領域の周辺が補助のダミーパターンとなってい
るものである。
【０００９】また本実施例では、ポジ型レジスト用のマ
スクを使用したが、ネガ型レジスト用のマスクの場合に
ついても全く同様に考えられる。つまり、クロム面の残
し領域の近傍で、本来クロム面が抜きの領域に所定幅の
１つ以上のクロム面の残し領域を設ければよい。また、
コンタクト孔だけでなく、つまり抜くことを目的にする
パターン形成にだけでなく、ラインや矩形状のパターン
形成にも勿論応用できる。
スクを使用したが、ネガ型レジスト用のマスクの場合に
ついても全く同様に考えられる。つまり、クロム面の残
し領域の近傍で、本来クロム面が抜きの領域に所定幅の
１つ以上のクロム面の残し領域を設ければよい。また、
コンタクト孔だけでなく、つまり抜くことを目的にする
パターン形成にだけでなく、ラインや矩形状のパターン
形成にも勿論応用できる。
【００１０】
【発明の効果】上述のように、本発明によれば、残しパ
ターン領域に対して、本来の抜きパターン領域に所定幅
のダミーの残しパターン領域を設けたマスクを使用する
ことにより、マスクを透過した光の強度分布が従来のマ
スクに比べて、パターンのエッジ部分で急峻となり、プ
ロファイルが良く、かつダミーパターンの転写は行われ
ずに、所望のレジストパターンを形成することができ
る。
ターン領域に対して、本来の抜きパターン領域に所定幅
のダミーの残しパターン領域を設けたマスクを使用する
ことにより、マスクを透過した光の強度分布が従来のマ
スクに比べて、パターンのエッジ部分で急峻となり、プ
ロファイルが良く、かつダミーパターンの転写は行われ
ずに、所望のレジストパターンを形成することができ
る。
【図１】 本発明の半導体装置の製造方法に使用するマ
スクにおけるコンタクト孔のマスクパターンの構成の一
例を示す図である。
スクにおけるコンタクト孔のマスクパターンの構成の一
例を示す図である。
【図２】 従来のコンタクト孔のマスクパターンの構成
を示す図である。
を示す図である。
【図３】 透過光の光強度分布を示す図で、図３Ａは本
発明のマスクによるもので、図３Ｂは従来のマスクによ
るものである。
発明のマスクによるもので、図３Ｂは従来のマスクによ
るものである。
【図４】 ダミーの残しパターン領域の他の実施例を示
す図である。
す図である。
【図５】 ダミーの残しパターン領域の他の実施例を示
す図である。
す図である。
【図６】 ダミーの残しパターン領域の他の実施例を示
す図である。
す図である。
１ クロム面（残しパターン領域）、２ クロム抜き面
（抜きパターン領域）、３ 付加クロム面（ダミーの残
しパターン領域）
（抜きパターン領域）、３ 付加クロム面（ダミーの残
しパターン領域）
Claims (1)
- 【請求項１】 残しパターン領域と抜きパターン領域を
有するマスクを使用して行う露光工程をもつ半導体装置
の製造方法において、前記マスクの抜きパターン領域に
少なくとも１つの解像されないダミーの残しパターン領
域を設けることを特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2914092A JPH05224397A (ja) | 1992-02-17 | 1992-02-17 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2914092A JPH05224397A (ja) | 1992-02-17 | 1992-02-17 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05224397A true JPH05224397A (ja) | 1993-09-03 |
Family
ID=12267977
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2914092A Pending JPH05224397A (ja) | 1992-02-17 | 1992-02-17 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05224397A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0770926A3 (en) * | 1995-09-19 | 1997-12-29 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Method for forming fine pattern of semiconductor device |
| JP2007256880A (ja) * | 2006-03-27 | 2007-10-04 | Toppan Printing Co Ltd | フォトマスク補正方法、フォトマスク、露光方法、及び露光装置 |
| JP2008065138A (ja) * | 2006-09-08 | 2008-03-21 | Dainippon Printing Co Ltd | 階調マスク |
-
1992
- 1992-02-17 JP JP2914092A patent/JPH05224397A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0770926A3 (en) * | 1995-09-19 | 1997-12-29 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Method for forming fine pattern of semiconductor device |
| JP2007256880A (ja) * | 2006-03-27 | 2007-10-04 | Toppan Printing Co Ltd | フォトマスク補正方法、フォトマスク、露光方法、及び露光装置 |
| JP2008065138A (ja) * | 2006-09-08 | 2008-03-21 | Dainippon Printing Co Ltd | 階調マスク |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR970007173B1 (ko) | 미세패턴 형성방법 | |
| US7556897B2 (en) | Methods of forming reticles | |
| US5591550A (en) | Phase shift mask and method for forming phase shift mask | |
| JP3912949B2 (ja) | フォトマスクの形成方法及び半導体装置の製造方法 | |
| KR970009825B1 (ko) | 하프톤형 위상반전 마스크 및 그 제조 방법 | |
| US5556725A (en) | Method for fabricating a half-tone type phase shift mask | |
| US5543254A (en) | Phase shift mask and method for fabricating the same | |
| JPH05224397A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH05243115A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| US5902717A (en) | Method of fabricating semiconductor device using half-tone phase shift mask | |
| KR0137737B1 (ko) | 반도체소자의 제조방법 | |
| KR100687852B1 (ko) | 반도체 소자의 제조 방법 | |
| JPS61102738A (ja) | レジスト膜パタ−ンの形成方法 | |
| KR20020051109A (ko) | 하프톤 마스크의 제조 방법 | |
| US20030117605A1 (en) | Apparatus and method for contact hole exposure | |
| JP2002221782A (ja) | フォトマスク、フォトマスクの製造方法および半導体装置の製造方法 | |
| KR100220940B1 (ko) | 반도체 소자의 미세패턴 제조방법 | |
| JPH04291345A (ja) | パターン形成方法 | |
| KR970009826B1 (ko) | 하프톤(Half-Tone)형 위상반전마스크 형성방법 | |
| JPH07181686A (ja) | レジストパターンの形成方法 | |
| KR0151228B1 (ko) | 고립된 다수의 패턴을 형성하기 위한 포토마스크 | |
| KR100358161B1 (ko) | 반도체소자제조방법 | |
| KR0138279B1 (ko) | 노광방법 및 이에 사용되는 마스크 | |
| JPH0567559A (ja) | 微細パターンの形成方法 | |
| JPH05347244A (ja) | レジストパターン形成方法 |