KR950027922A - 반도체 제조용 마스크 제조방법 - Google Patents

Abstract

본 발명은 반도체 제조용 마스크를 제조하는 방법에 관한 것으로 반도체 소자의 제조공정시 리소그라피((Lithography)공정에 사용되는 마스크의 크롬패턴을 형성할 때 기존의 공정으로 석영유리기판상에 크롬패턴을 형성하고, 전체구조 상부에 감광막을 도포한 후 높은 노광에너지로 후면 노광 및 현상공정을 실시하여 크롬패턴상부에 감광막 패턴을 형성하고, 상기 패턴화된 감광막을 식각 정치층으로 하여 습식 또는 건식식각공정으로 크롬패턴 측면에 볼록 튀어나온 익스텐션 디펙트(Extension Defect)를 제거하고, 이후 상기 패턴화된 감광막을 제거하여 패턴형상이 깨끗하게 된 크롬패턴을 형성하므로써, 최초 크롬패턴에 발생될 수 있는 익스텐션 디펙트가 제거된 마스크를 얻을 수 있어 반도체 제조공정중 감광막 패턴공정시 브릿지(Bridge)현상등을 방지할 수 있는 반도체 제조용 마스크를 제조하는 방법에 관해 기술된다.

Description

반도체 제조용 마스크 제조방법

본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음

제2도는 제1도의 마스크 사용시 감광막 패턴이 불량하게 된 상태를 도시한 발명도,

제3A도 내지 제3D도는 본 발명에 의한 반도체 제조용 마스크를 제조하는 단계를 도시한 단면도.

Claims (1)

1. 반도체 제조용 마스크 제조방법에 있어서, 석영유리기판(10)상에 다수의 크롬패턴(11)을 형성하는 단계와, 상기 단계로부터 상기 크롬패턴(11)을 포함한 석영유리기판(10)상에 감광막(13)을 도포한 후 크롬패턴 측면에 발생된 익스텐션 디펙트(12)가 있는 부위의 감광막(13)이 노광될 수 있을 정도의 높은 노광에너지로 후면노광을 실시하는 단계와, 상기 단계로부터 노광된 감광막(13)을 현상하여 상기 크롬패턴(11)상에만 남도록 패턴화하는 단계와, 상기 단계로부터 패턴화된 감광막(13)을 식각정지층으로 하여 노출된 익스텐션 디펙트(12)를 제거하는 단계와, 상기 단계로부터 패턴화된 감광막(13)을 제거하는 단계로 이루어져 익스텐션 디펙트가 없는 크롬패턴을 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조용 마스크 제조방법.

   ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.