JPH02103551A - フォトレジストパターンの形成方法 - Google Patents
フォトレジストパターンの形成方法Info
- Publication number
- JPH02103551A JPH02103551A JP63258723A JP25872388A JPH02103551A JP H02103551 A JPH02103551 A JP H02103551A JP 63258723 A JP63258723 A JP 63258723A JP 25872388 A JP25872388 A JP 25872388A JP H02103551 A JPH02103551 A JP H02103551A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- photoresist
- exposing
- film
- photoresist film
- exposed
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 title claims abstract description 44
- 238000000034 method Methods 0.000 title description 12
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 9
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 5
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 abstract 2
- 238000007654 immersion Methods 0.000 abstract 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 abstract 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 4
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 3
- 239000012454 non-polar solvent Substances 0.000 description 3
- 150000004982 aromatic amines Chemical class 0.000 description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 2
- 239000003504 photosensitizing agent Substances 0.000 description 2
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はフォトレジストパターンの形成方法に関する。
半導体装置の微細化を実施するにあたって、フォトレジ
ストパターンの微細化が必要である。従来の高解像のフ
ォトレジストパターンを得る方法としては、単層のフォ
トレジストの成分組成、化学構造等を変える事により解
像性を高めてゆく方法、２層レジストプロセスや３層レ
ジストプロセスなどの多層レジストプロセスにより得る
方法などがある。
ストパターンの微細化が必要である。従来の高解像のフ
ォトレジストパターンを得る方法としては、単層のフォ
トレジストの成分組成、化学構造等を変える事により解
像性を高めてゆく方法、２層レジストプロセスや３層レ
ジストプロセスなどの多層レジストプロセスにより得る
方法などがある。
上述した従来の高解像のレジストパターンを得る技術で
、単層のフォトレジストを利用する技術は、縮少投影露
光装置の露光波長が単一波長の為、定在波の影響により
解像度に限界がある。また単層でのフォーカスマージン
が少い為、段差のある半導体基板上に高解像のパターン
を形成する場合、そのパターン形状を劣化させるという
可能性がある。
、単層のフォトレジストを利用する技術は、縮少投影露
光装置の露光波長が単一波長の為、定在波の影響により
解像度に限界がある。また単層でのフォーカスマージン
が少い為、段差のある半導体基板上に高解像のパターン
を形成する場合、そのパターン形状を劣化させるという
可能性がある。
多層レジストプロセスを利用する技術は、そのフォトレ
ジストパターンの形成方法が複雑であることから、半導
体装置の量産製造には適さないという欠点がある。
ジストパターンの形成方法が複雑であることから、半導
体装置の量産製造には適さないという欠点がある。
本発明のフォトレジストパターンの形成方法は、半導体
基板上にフォトレジスト膜を形成する工程と、前記フォ
トレジスト膜の表面にのみに所望のパターンを露光し転
写する工程と、前記フォトレジスト膜のパターン未転写
部の表面に光学的不透明膜を形成する工程と、不透明膜
が形成された前記フォトレジスト膜に全面露光を行う工
程と、全面露光された前記フォトレジスト膜のパターン
露光部を現像により取り除く工程とを含んで構成される
。
基板上にフォトレジスト膜を形成する工程と、前記フォ
トレジスト膜の表面にのみに所望のパターンを露光し転
写する工程と、前記フォトレジスト膜のパターン未転写
部の表面に光学的不透明膜を形成する工程と、不透明膜
が形成された前記フォトレジスト膜に全面露光を行う工
程と、全面露光された前記フォトレジスト膜のパターン
露光部を現像により取り除く工程とを含んで構成される
。
次に、本発明について図面を参照して説明する。
第１図は本発明の一実施例を説明するための工程順に示
した半導体チップの断面図である。
した半導体チップの断面図である。
まず第１図（ａ）に示すように、半導体基板１上にフォ
トレジストＨ２を回転塗布により形成する。次で所望の
パターンの描かれたフォトマスク３を介してフォトレジ
スト膜２上に露光光Ａ１例えば４３６ｎｍの波長を有す
る光で露光しフォトレジスト膜２表面にある感光剤のみ
を光分解させ、露光部４を形成する。
トレジストＨ２を回転塗布により形成する。次で所望の
パターンの描かれたフォトマスク３を介してフォトレジ
スト膜２上に露光光Ａ１例えば４３６ｎｍの波長を有す
る光で露光しフォトレジスト膜２表面にある感光剤のみ
を光分解させ、露光部４を形成する。
次に第１図（ｂ）に示すように、芳香族アミンを水溶液
としたもの、あるいは非極性溶媒溶液としたものをフォ
トレジスト膜の表面に浸漬させ処理し、未露光部の感光
剤と発色反応させる。この操作により光学的不透明膜５
をフォトレジスト膜２の表面に形成する。
としたもの、あるいは非極性溶媒溶液としたものをフォ
トレジスト膜の表面に浸漬させ処理し、未露光部の感光
剤と発色反応させる。この操作により光学的不透明膜５
をフォトレジスト膜２の表面に形成する。
次に第１図（Ｃ）に示すように、フォトレジスト膜２に
露光光Ｂを用いて全面露光を行う。光学的不透明膜５で
覆われた部分は露光光Ｂを通過させない為、これがその
ままフォトマスクとして働く。そして表面が既に露光さ
れている部分４は、そのままパターンの得られる適正露
光時間で露光される。この時の露光光Ｂの波長を任意に
組み合わせる事で定在波の影響を低減させる事ができる
。すなわち、露光光Ｂとしては、例えば４３６ ｎｍと
３６５ｎｍの波長を有する光を用いることができる。
露光光Ｂを用いて全面露光を行う。光学的不透明膜５で
覆われた部分は露光光Ｂを通過させない為、これがその
ままフォトマスクとして働く。そして表面が既に露光さ
れている部分４は、そのままパターンの得られる適正露
光時間で露光される。この時の露光光Ｂの波長を任意に
組み合わせる事で定在波の影響を低減させる事ができる
。すなわち、露光光Ｂとしては、例えば４３６ ｎｍと
３６５ｎｍの波長を有する光を用いることができる。
次に第１図（ｄ）に示すように、露光されたフォトレジ
ストＭ２を現像することにより、高解像のフォトレジス
トパターンが得られる。また表面に光学的不透明膜５を
形成したフォトレジスト膜は、従来のフォトレジスト膜
に比べ、広いフォーカスマージンを持つ単層のフォトレ
ジスト膜として使用できる。
ストＭ２を現像することにより、高解像のフォトレジス
トパターンが得られる。また表面に光学的不透明膜５を
形成したフォトレジスト膜は、従来のフォトレジスト膜
に比べ、広いフォーカスマージンを持つ単層のフォトレ
ジスト膜として使用できる。
尚、上記実施例においては、光学的不透明膜５を芳香族
アミンの水溶液または非極性溶媒溶液としたものを用い
て形成した場合について説明したが、これに限定される
ものではなく、アンモニア蒸気で表面処理を行い光学的
不透明膜５を形成してもよい。この場合非極性溶媒や水
溶液等によるフォトレジスト膜表面の膜減りや劣化を低
減できるため、より形状の良いパターン形成が可能であ
る。
アミンの水溶液または非極性溶媒溶液としたものを用い
て形成した場合について説明したが、これに限定される
ものではなく、アンモニア蒸気で表面処理を行い光学的
不透明膜５を形成してもよい。この場合非極性溶媒や水
溶液等によるフォトレジスト膜表面の膜減りや劣化を低
減できるため、より形状の良いパターン形成が可能であ
る。
以上説明したように本発明は、フォトレジストの表面に
のみパターンを露光して転写し、次で未露光部に光学的
不透明膜を形成させた後、全面露光を行うことにより、
単一波長の露光による定在波の影響を低減できる事から
高解像のフォトレジストパターンを得る事ができる。
のみパターンを露光して転写し、次で未露光部に光学的
不透明膜を形成させた後、全面露光を行うことにより、
単一波長の露光による定在波の影響を低減できる事から
高解像のフォトレジストパターンを得る事ができる。
第１図（ａ）〜（ｄ）は本発明の一実施例を説明するた
めの半導体チップの断面図である。 １・・・半導体基板、２・・・フォトレジスト膜、３・
・・フォトマスク、４・・・露光部、５・・・光学的不
透明膜。
めの半導体チップの断面図である。 １・・・半導体基板、２・・・フォトレジスト膜、３・
・・フォトマスク、４・・・露光部、５・・・光学的不
透明膜。
Claims (1)
- 半導体基板上にフォトレジスト膜を形成する工程と、前
記フォトレジスト膜の表面にのみに所望のパターンを露
光し転写する工程と、前記フォトレジスト膜のパターン
未転写部の表面に光学的不透明膜を形成する工程と、不
透明膜が形成された前記フォトレジスト膜に全面露光を
行う工程と、全面露光された前記フォトレジスト膜のパ
ターン露光部を現像により取り除く工程とを含むことを
特徴とするフォトレジストパターンの形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63258723A JP2676833B2 (ja) | 1988-10-13 | 1988-10-13 | フォトレジストパターンの形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63258723A JP2676833B2 (ja) | 1988-10-13 | 1988-10-13 | フォトレジストパターンの形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02103551A true JPH02103551A (ja) | 1990-04-16 |
| JP2676833B2 JP2676833B2 (ja) | 1997-11-17 |
Family
ID=17324193
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63258723A Expired - Lifetime JP2676833B2 (ja) | 1988-10-13 | 1988-10-13 | フォトレジストパターンの形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2676833B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02264961A (ja) * | 1989-04-06 | 1990-10-29 | Matsushita Electron Corp | レジストパターン形成方法 |
| JPH02264960A (ja) * | 1989-04-06 | 1990-10-29 | Matsushita Electron Corp | レジストパターン形成方法 |
-
1988
- 1988-10-13 JP JP63258723A patent/JP2676833B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02264961A (ja) * | 1989-04-06 | 1990-10-29 | Matsushita Electron Corp | レジストパターン形成方法 |
| JPH02264960A (ja) * | 1989-04-06 | 1990-10-29 | Matsushita Electron Corp | レジストパターン形成方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2676833B2 (ja) | 1997-11-17 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4906552A (en) | Two layer dye photoresist process for sub-half micrometer resolution photolithography | |
| KR101037484B1 (ko) | 마이크로전자 기판 상의 패턴 형성 방법, 패턴 피처를 배로증가시키는 방법 및 패턴 피치를 감소시키는 방법 | |
| JPS6258652B2 (ja) | ||
| JP2543195B2 (ja) | 微細レジストパタ―ンの形成方法 | |
| US20060134559A1 (en) | Method for forming patterns on a semiconductor device | |
| US20050181313A1 (en) | Method for forming openings in a substrate using a packing and unpacking process | |
| JP2000031025A (ja) | レジストパターンの形成方法 | |
| US20100178619A1 (en) | Method for enhancing lithographic imaging of isolated and semi-isolated features | |
| JPH02103551A (ja) | フォトレジストパターンの形成方法 | |
| JPH02262319A (ja) | パターン形成方法 | |
| JP2555675B2 (ja) | パターン形成方法 | |
| JPS6386550A (ja) | 多層配線層の形成方法 | |
| JPH04180615A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| KR20080008891A (ko) | 이중 노광 공정을 이용한 미세 패턴 형성 방법 | |
| KR940011204B1 (ko) | 미세패턴 형성방법 | |
| KR100399889B1 (ko) | 반도체소자의감광층패턴형성방법 | |
| JPH08203821A (ja) | パターン形成方法 | |
| JPH09232217A (ja) | レジストパターンの形成方法 | |
| KR0140469B1 (ko) | 반도체 소자의 감광막 패턴 제조방법 | |
| JPS62165651A (ja) | レジストパタ−ンの形成方法 | |
| JPS58153932A (ja) | 写真蝕刻方法 | |
| JPH01130527A (ja) | レジストパターンの形成方法 | |
| JPS60106132A (ja) | パタ−ン形成方法 | |
| KR950004397A (ko) | 반도체 제조용 크롬 마스크의 결함 제거방법 | |
| JPH0433325A (ja) | 微細パターン形成のための写真食刻方法 |