KR980005320A - 반도체 균일 패턴 형성방법 - Google Patents

반도체 균일 패턴 형성방법 Download PDF

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    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70216—Mask projection systems
    • G03F7/70241—Optical aspects of refractive lens systems, i.e. comprising only refractive elements

Abstract

본 발명은 반도체 제조방법의 포토리소그래피 공정에 있어서, 정렬마크가 구비된 웨이퍼 상에 선행 레티클에 의해 구현된 패턴에 노광렌즈의 배율을 가변시켜 후속으로 형성되는 패턴을 선행 패턴과 중첩정렬을 이룰 수 있는 것을 특징으로 하는 반도체 균일패턴 형성방법에 관한 것으로서, 정확한 패턴 정렬의 향상에 따라 후속 패턴의 정렬 프로파일을 양호하게 구현할수 있으며 오정렬에 의한 재작업을 방지하여 제조수율을 향항시킬수 있는 효과가 있다.

Description

반도체 균일 패턴 형성방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명에 의한 노광의 중첩정렬도를 예시하기 위한 웨이퍼 단면도이다.

Claims (2)

  1. 반도체 제조방법의 포토리소그래픽 공정에 있어서, 정렬마크가 구비된 웨이퍼 상에 선행 레티클에 의해 구현된 패턴에 노광렌즈의 배율을 가변시켜 후속으로 형성되는 패턴을 선행 패턴과 중첩정렬을 이룰수 있는 것을 특징으로 하는 반도체 균일패턴 형성방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 웨이퍼상에 형성된 패턴의 정렬마크는 버니어인 것을 특징으로 하는 반도체 균일패턴 형성방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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