KR980003797A - 반도체 장치의 마스크 또는 레티클의 패턴형성 방법 - Google Patents

반도체 장치의 마스크 또는 레티클의 패턴형성 방법 Download PDF

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KR980003797A
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KR1019960025271A
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백현철
조원석
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김광호
삼성전자 주식회사
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Landscapes

  • Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)

Abstract

1. 청구 범위에 기재된 발명이 속한 기술분야
노광시 빛의 상호굴절현상(간섭현상)으로 인한 웨이퍼의 불균일한 패턴형성을 방지하기 위한 반도체 장치의 마스크 또는 레티클의 패턴형성 방법에 관한 것이다.
2. 발명이 해결하려고 하는 기술적 과제
노광시 빛의 상호굴절현상(간섭현상)으로 인한 웨이퍼의 불균일한 패턴형성을 방지하기 위한 반도체 장치의 마스크 또는 레이클의 패턴형성 방법을 제공함에 있다.
3. 발명의 해결방법의 요지
반도체 장치의 마스크 또는 레티클의 패턴형성 방법에 있어서, 상기 마스크 또는 레티클의 패턴을 오목하거나 볼록형의 계단모양으로 형성하여 패터닝시 빛의 상호굴절현상으로 인하여 발생되는 웨이퍼의 불균일한 패턴현상을 방지하기 위함을 요지로 한다.
4. 발명의 중요한 용도
반도체 장치의 마스크 또는 레티클의 패턴형성 방법에 적합하다.

Description

반도체 장치의 마스크 또는 레티클의 패턴형성 방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 종래 기술의 일실시예에 따른 반도체 장치의 마스크 또는 레티클의 패턴형성을 보인 도면.
제2도는 본 발명의 일실시예에 따른 반도체 장치의 마스크 또는 레티클의 패턴 형성을 보인 도면.

Claims (2)

  1. 반도체 장치의 마스크 또는 레티클의 패턴형성 방법에 있어서; 상기 마스크 또는 레티클의 패턴을 오목하거나 볼록형의 계단모양으로 형성하여 패턴닝시 빛의 상호굴절현상으로 인하여 발생되는 웨이퍼의 불균일한 패턴형성을 방지하기 위함을 특징으로 하는 패턴형성 방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 불균일한 웨이퍼의 패턴형 보다 더 적은 패턴형으로 상기 마스크 또는 레티클의 패턴을 계단형으로 형성함을 특징으로 하는 패턴 형성방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019960025271A 1996-06-28 1996-06-28 반도체 장치의 마스크 또는 레티클의 패턴형성 방법 KR980003797A (ko)

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