KR950025932A - 포토마스크 패턴 형성방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 반도체 소자의 제조공정중 포토리소그래피 공정에 관한 것으로, 빛투과물질 상에 빛투자억제물질이 소정의 패턴을 형성하는 반도체 소자 제조용 포토마스크 패턴 형성방법에 있어서, 상기 포토마스크 패턴의 모서리를 완만하게 헝 성하는 것을 특징으로 함으로써 본 발명은 콘택홀 포토마스크 패턴을 원형 또는 타원형으로 제작함으로써 종래의 모서리 효과에 의한 불균등 광에너지 분포를 해소하여 스테퍼의 포커스 마진이 매우 커지고, 칩레벨링 마진이 상당한 정도로 커지며 해상도가 향상된 콘택홀의 포토레지스트 패턴온 얻을 수 있다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제5도는 본 발명에 따른 콘택홀 레이아웃,
제6도는 제6도의 콘택홀의 경우 광에너지 분포도,
제7도는 웨이퍼상에 형성된 콘택홀 패턴도,
제8도는 타원형 포토마스크 레이아웃.
Claims (2)
- 빛투과물질 상에 빛투과억제물질이 소정의 패턴을 형성하는 반도체 소자 제조용 포토마스크 패턴 형성방법에 있어서, 상기 포토마스크 패턴의 모서리를 완만하게 형성하는 것을 특징으로 하는 포토마스크 패턴 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 포토마스크가 콘택형성용 마스크인 경우 원헝 또는 타원형으로 형성되는 것을 특징으로 하는 포토마스크 형성방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019940002270A KR950025932A (ko) | 1994-02-07 | 1994-02-07 | 포토마스크 패턴 형성방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019940002270A KR950025932A (ko) | 1994-02-07 | 1994-02-07 | 포토마스크 패턴 형성방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR950025932A true KR950025932A (ko) | 1995-09-18 |
Family
ID=66663567
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019940002270A KR950025932A (ko) | 1994-02-07 | 1994-02-07 | 포토마스크 패턴 형성방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR950025932A (ko) |
-
1994
- 1994-02-07 KR KR1019940002270A patent/KR950025932A/ko not_active Application Discontinuation
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