KR950025885A - 노광마스크 형성방법 - Google Patents

노광마스크 형성방법 Download PDF

Info

Publication number
KR950025885A
KR950025885A KR1019940001951A KR19940001951A KR950025885A KR 950025885 A KR950025885 A KR 950025885A KR 1019940001951 A KR1019940001951 A KR 1019940001951A KR 19940001951 A KR19940001951 A KR 19940001951A KR 950025885 A KR950025885 A KR 950025885A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
exposure mask
forming
formation method
mask formation
edge portion
Prior art date
Application number
KR1019940001951A
Other languages
English (en)
Inventor
함영목
Original Assignee
김주용
현대전자산업 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 김주용, 현대전자산업 주식회사 filed Critical 김주용
Priority to KR1019940001951A priority Critical patent/KR950025885A/ko
Publication of KR950025885A publication Critical patent/KR950025885A/ko

Links

Abstract

본 발명은 노광마스크 형성방법에 관한 것으로, 설계시 형성하고자하는 패턴의 모서리부분을 이빔장치를 고려하여 보상함으로써, 라운딩형산에 의한 문제점을 해결함과 동시에 공정여유를 높일 수 있는 노광마스크를 형성하여 마스크의 특성을 살리고 균일도가 높은 패턴을 형성할 수 있어 반도체 소자의 신뢰성 및 수율을 향상시키는 기술이다.

Description

노광마스크 형성방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2A도 내지 제2C도는 본 발명의 실시예에 의한 노광마스크 형성공정을 도시한 도면,
제3A도 내지 제3B도는 본 발명의 다른 실시예에 의한 노광마스크 형성공정을 도시한 도면.

Claims (2)

  1. 노광마스크 설계시 모서리부분을 볼록하도록 형성하는 것을 특징으로 하는 노광마스크 형성방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 모서리부분은 이빔장치를 이용하여 노광할 때 볼록하게 스폿(spot)이 네 개 더 들어갈 수 있도록 설계하는 것을 특징으로 하는 노광 마스크 형성방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019940001951A 1994-02-03 1994-02-03 노광마스크 형성방법 KR950025885A (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019940001951A KR950025885A (ko) 1994-02-03 1994-02-03 노광마스크 형성방법

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019940001951A KR950025885A (ko) 1994-02-03 1994-02-03 노광마스크 형성방법

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR950025885A true KR950025885A (ko) 1995-09-18

Family

ID=66663144

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019940001951A KR950025885A (ko) 1994-02-03 1994-02-03 노광마스크 형성방법

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR950025885A (ko)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR960024647A (ko) 반도체소자용 노광마스크
KR950025885A (ko) 노광마스크 형성방법
KR940010236A (ko) 반도체 장치용 유리 마스크 및 그 제조방법
KR970008372A (ko) 반도체장치의 미세 패턴 형성방법
KR910001875A (ko) 노광용 마스크의 제조방법
KR970048925A (ko) 반도체 장치의 제조에 사용되는 마스크
KR970053273A (ko) 웨이퍼 결함 검사방법
KR970048978A (ko) 반도체 메모리 소자 제조시 감광층 패턴을 정확하게 형성하기 위한 포토마스크
KR960024679A (ko) 노광촛점 검사용 마스크
KR930006861A (ko) 다층레지스트를 이용한 패턴형성방법
KR950021048A (ko) 반도체 웨이퍼의 패턴 형성방법
KR960002479A (ko) 반도체 소자의 감광 패턴 형성방법
KR910019154A (ko) 안티패턴효과패턴을 이용한 반도체장치의 식각방법
KR950029844A (ko) 포토마스크(Photomask) 제작방법
KR950027970A (ko) 반도체 제조 방법
KR940016472A (ko) 반도체 소자의 설계기법의 변경을 통한 오버랩 마진 향상 방법
KR970051898A (ko) 반도체 장치의 패턴 형성 방법
KR970017954A (ko) 반도체 장치의 패턴형성방법
KR970023829A (ko) 반도체소자의 패턴형성방법
KR950034514A (ko) 반도체장치 제조방법
KR970018124A (ko) 미세 패턴 형성 방법
KR940016646A (ko) 얼라인먼트 테스팅 방법
KR960026086A (ko) 레티컬(Reticle) 제작방법
KR950027967A (ko) 포토마스크(photomask) 제작방법
KR980003860A (ko) 포토레지스트 패턴 형성방법

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E601 Decision to refuse application