KR950025885A - 노광마스크 형성방법 - Google Patents
노광마스크 형성방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR950025885A KR950025885A KR1019940001951A KR19940001951A KR950025885A KR 950025885 A KR950025885 A KR 950025885A KR 1019940001951 A KR1019940001951 A KR 1019940001951A KR 19940001951 A KR19940001951 A KR 19940001951A KR 950025885 A KR950025885 A KR 950025885A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- exposure mask
- forming
- formation method
- mask formation
- edge portion
- Prior art date
Links
Abstract
본 발명은 노광마스크 형성방법에 관한 것으로, 설계시 형성하고자하는 패턴의 모서리부분을 이빔장치를 고려하여 보상함으로써, 라운딩형산에 의한 문제점을 해결함과 동시에 공정여유를 높일 수 있는 노광마스크를 형성하여 마스크의 특성을 살리고 균일도가 높은 패턴을 형성할 수 있어 반도체 소자의 신뢰성 및 수율을 향상시키는 기술이다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2A도 내지 제2C도는 본 발명의 실시예에 의한 노광마스크 형성공정을 도시한 도면,
제3A도 내지 제3B도는 본 발명의 다른 실시예에 의한 노광마스크 형성공정을 도시한 도면.
Claims (2)
- 노광마스크 설계시 모서리부분을 볼록하도록 형성하는 것을 특징으로 하는 노광마스크 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 모서리부분은 이빔장치를 이용하여 노광할 때 볼록하게 스폿(spot)이 네 개 더 들어갈 수 있도록 설계하는 것을 특징으로 하는 노광 마스크 형성방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1019940001951A KR950025885A (ko) | 1994-02-03 | 1994-02-03 | 노광마스크 형성방법 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1019940001951A KR950025885A (ko) | 1994-02-03 | 1994-02-03 | 노광마스크 형성방법 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR950025885A true KR950025885A (ko) | 1995-09-18 |
Family
ID=66663144
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1019940001951A KR950025885A (ko) | 1994-02-03 | 1994-02-03 | 노광마스크 형성방법 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR950025885A (ko) |
-
1994
- 1994-02-03 KR KR1019940001951A patent/KR950025885A/ko not_active Application Discontinuation
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR960024647A (ko) | 반도체소자용 노광마스크 | |
KR950025885A (ko) | 노광마스크 형성방법 | |
KR940010236A (ko) | 반도체 장치용 유리 마스크 및 그 제조방법 | |
KR970008372A (ko) | 반도체장치의 미세 패턴 형성방법 | |
KR910001875A (ko) | 노광용 마스크의 제조방법 | |
KR970048925A (ko) | 반도체 장치의 제조에 사용되는 마스크 | |
KR970053273A (ko) | 웨이퍼 결함 검사방법 | |
KR970048978A (ko) | 반도체 메모리 소자 제조시 감광층 패턴을 정확하게 형성하기 위한 포토마스크 | |
KR960024679A (ko) | 노광촛점 검사용 마스크 | |
KR930006861A (ko) | 다층레지스트를 이용한 패턴형성방법 | |
KR950021048A (ko) | 반도체 웨이퍼의 패턴 형성방법 | |
KR960002479A (ko) | 반도체 소자의 감광 패턴 형성방법 | |
KR910019154A (ko) | 안티패턴효과패턴을 이용한 반도체장치의 식각방법 | |
KR950029844A (ko) | 포토마스크(Photomask) 제작방법 | |
KR950027970A (ko) | 반도체 제조 방법 | |
KR940016472A (ko) | 반도체 소자의 설계기법의 변경을 통한 오버랩 마진 향상 방법 | |
KR970051898A (ko) | 반도체 장치의 패턴 형성 방법 | |
KR970017954A (ko) | 반도체 장치의 패턴형성방법 | |
KR970023829A (ko) | 반도체소자의 패턴형성방법 | |
KR950034514A (ko) | 반도체장치 제조방법 | |
KR970018124A (ko) | 미세 패턴 형성 방법 | |
KR940016646A (ko) | 얼라인먼트 테스팅 방법 | |
KR960026086A (ko) | 레티컬(Reticle) 제작방법 | |
KR950027967A (ko) | 포토마스크(photomask) 제작방법 | |
KR980003860A (ko) | 포토레지스트 패턴 형성방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E601 | Decision to refuse application |