KR910019154A - 안티패턴효과패턴을 이용한 반도체장치의 식각방법 - Google Patents

안티패턴효과패턴을 이용한 반도체장치의 식각방법 Download PDF

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KR910019154A
KR910019154A KR1019900005003A KR900005003A KR910019154A KR 910019154 A KR910019154 A KR 910019154A KR 1019900005003 A KR1019900005003 A KR 1019900005003A KR 900005003 A KR900005003 A KR 900005003A KR 910019154 A KR910019154 A KR 910019154A
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유왕희
김주태
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김광호
삼성전자 주식회사
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내용 없음

Description

안티패턴효과패턴을 이용한 반도체장치의 식각방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3도는 본 발명에 따른 식각방법으로 테스트칩의 패턴을 형성하는 방법을 설명하기 위한 도면, 제4도는 본발명에 따른 식각방법으로 오토얼라인키 영역에서의 패턴효과 발생을 방지하는 방법을 설명하기 위한 도면이다.

Claims (2)

  1. 소자칩의 패턴(1)과 테스트칩의 패턴(2)을 형성하기 위한 식각공정 이전에 소자칩의 패턴(1) 각각에서의 식각면적을 기준으로 하여 특수패턴의 마스크(MK)를 디자인하고, 이 마스크(MK)를 테스트칩의 패턴(2)을 형성할 영역상에 마스킹하여 소자 칩의 패턴(1)들 각각의 식가면적과 테스트칩의 패턴(2) 형성영역에서의 식각면적이 동일하게 되도록 한 다음 식각공정을 실시함을 특징으로 하는 안티패턴 효과 패턴을 이용한 반도체장치의 식각방법.
  2. 소자칩의 패턴(1)과 오토얼라인키(K,K')를 형성하기 위한 식각공정 이전에 소자칩의 패턴(1)각각에서의 식각면적을 기준으로 하여 특수패턴의 마스크(MK)를 디자인하고, 이 마스크(MK)를 상기 오토얼라인키(K,K′)중 기사용된 얼라인키(K)의 영역 위에 마스킹하여 소자칩의 패턴(1)들 각각의 식각면적과 오토얼라인키(K,K′)형성 영역의 식각면적이 동일하게 되도록한후 식각공정을 실시함을 특징으로 하는 안티패턴효과 패턴을 이용한 반도체장치의 식각방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개되는 것임.
KR1019900005003A 1990-04-11 1990-04-11 안티패턴효과패턴을 이용한 반도체장치의 식각방법 KR910019154A (ko)

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